JP2008281548A - 温度センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】温度センサ1は、内燃機関の排気通路の内部に配置される感温素子2と、感温素子2に先端側で接続されるとともに外部回路接続用のリード線に後端側で接続される信号線31と、信号線31を内部に収容するシースピン3を有する内側部材18と、内側部材18の少なくとも外周の一部を覆うように配置された外側部材13と、を備えている。外側部材13は、排気通路の外壁に固定される固定部(リブ6)と、内側部材18を保持する保持部132と、保持部132より先端側に形成された伸長部131と、を有する。伸長部131は内側部材18との間に隙間を有して配置されたクリアランス部19と、内側部材18との径方向の最大隙間が0.2mm以下となる状態に配置された先端干渉部133と、を備えている。
【選択図】図1
Description
かかる温度センサ9を、図31に示すごとく、内燃機関の排気系に装着する場合、上記感温素子2が配置された感温部96を排気管80の内部に挿入し、上記リブ6を排気管80に設けたボス81の内壁の先端面811に密着させる。
そのため、シースピン3の振動は、強い振動(高周波数、振幅大)となり、感温部96が高い加速度にて振動するおそれがある。
その結果、シースピン3の先端部や、その先に設けられた感温素子2、或いはシースピン3とリブ6との接合部に、過大な応力が発生するおそれがある。
また、シースピン3とリブ6との接合部における過大な応力により、溶接部や、シースピン3の亀裂、破損が発生するおそれがある。
また、特許文献3には、シースピンの外周に鞘部を設けた構成が開示されているが、鞘部はシースピンの外周に対してかしめ固定されている。
特許文献3に示す構造の場合、鞘部はシースピンの外周に対してかしめ固定されている。それゆえ、シースピンへ振動が伝達してしまい、鞘部との固定位置から先端側においては振動してしまい、振動を十分に抑制できない。
上記外側部材は、上記排気通路の外壁に固定される固定部と、上記内側部材を保持する保持部と、該保持部より先端側に形成された伸長部と、を有し、
該伸長部は上記内側部材との間に隙間を有して配置されたクリアランス部と、上記内側部材との径方向の最大隙間が0.2mm以下となる状態に配置された先端干渉部と、を備えたことを特徴とする温度センサにある(請求項1)。
上記温度センサにおいて、上記外側部材は、上記内側部材との間に隙間を有する上記クリアランス部を上記伸長部に設けている。そのため、内燃機関の振動が、上記固定部から直接内側部材に伝わることを防ぎ、内側部材の振動、即ちシースピンの振動を抑制することができる。
内側部材と外側部材との固有振動数が異なれば、内側部材と外側部材とが干渉することによって、内側部材の振動を抑制することができる。
その結果、内側部材の先端側に存在する感温素子に作用する加速度を低減し、感温素子に作用する応力を低減することができる。これにより、感温素子の損傷や、感温素子の電極の断線等を防ぐことができ、耐久性に優れた温度センサを得ることができる。
即ち、内側部材は外側部材の保持部においてのみ固定された片持ち梁の振動となるが、この場合、振動数(周波数)は一定であるため、内側部材の先端部の加速度は、振幅に依存することとなる。それ故、上記のごとく内側部材の振幅を小さく抑制することにより、加速度を小さくすることができる。その結果、内側部材の先端側の感温素子の部分にかかる応力を低減することができる。
そして、本明細書においては、上記温度センサを排気管等に挿入する側、即ち、感温素子を配設した側を先端側、その反対側を後端側として、説明する。
また、上記先端干渉部と上記内側部材との間の最大隙間は0.2mm以下であり、先端干渉部は、内側部材と一部で接触していてもよい(請求項1、20)。この接触部分にて、振動の抑制を効果的に行うことができる。また、接触していない部分は、上記先端干渉部と上記内側部材との間の隙間を最大でも0.2mm以下に特定される。そして、先端干渉部を形成する際には、例えば、プレス加工、絞り加工等を用いることができる。
また、上記先端干渉部は、上記内側部材の外周面と平行な平行部分を有することが好ましい(請求項19)。これにより、上記先端干渉部と上記内側部材とは、両者が接触する際に面接触する部分を有し、振動が生じた際に先端干渉部と内側部材が繰り返し接触しても、先端干渉部の磨耗を抑制することが可能となる。なお、上記平行部分は、内側部材に接触する際に面接触する程度に内側部材の外周面と平行であればよい。また、上記平行部分の全面が内側部材に面接触していてもよい。
上記先端干渉部は、上記保持部よりも先端側に配されていれば、一箇所に形成されていても複数箇所に形成されていてもよい。
この場合には、上記固定部を容易に上記排気通路の外壁に固定することができる。
この場合には、上記外側部材の伸長部に設けた先端干渉部によって、内側部材の振動を充分に抑制することができる。即ち、上記の関係を満たす位置に先端干渉部が形成されていれば、固定端である外側部材と内側部材との保持部からの距離が充分に大きい位置に先端干渉部が形成されることとなる。即ち、内側部材の振幅が大きくなりやすい位置に先端干渉部が配されることとなり、該先端干渉部によって内側部材の振幅を規制する効果を充分に発揮することができる。また、共振時においても、共振の初期段階において先端干渉部が内側部材に干渉することにより、共振を抑制することができる。
この場合には、高次共振点等、高周波数域における内側部材の振動をも効果的に抑制することができる。即ち、例えば、1次共振点における振動については、先端干渉部と内側部材との径方向の最大隙間を0.2mm以下としておけば、先端干渉部を内側部材に干渉させて振動を抑制することができるが、高周波数域(例えば10kHz)まで共振抑制効果を発揮させるために、上記最大隙間を0.08mm以下とすることが好ましい。
この場合には、上記内側部材の振動を効果的に抑制することができる。即ち、内燃機関における10kHz以下の周波数の振動に対して、内側部材における1次共振のみならず、2次共振以上の共振をも効果的に抑制することができる。10kHz以下の周波数域に限定した理由は、通常、車両における温度センサの取付部の排気管の振動は周波数10kHz以下の振動であるためである。
この場合には、上記リブとは別部材である上記ガードチューブによって上記伸長部を構成することができるため、外側部材の加工を容易にすると共に、加工コストを低減することができる。一方、ガードチューブを用いない構造の場合には、先端干渉部等を外側部材と一体的に加工するため、加工が困難である。
この場合には、内燃機関の振動が、上記固定部から直接内側部材に伝わらず、上記ガードチューブにおいて振動を減衰させることができる。これにより、内側部材の振動を一層抑制することができる。
この場合には、ガードチューブの両端に設けた上記小径部において、シースピンを保持、或いはガイドすることができる。即ち、後端側の小径部が上記内側部材を保持する上記保持部となり、先端側の小径部が上記先端干渉部となる。そして、両端の小径部の間の部分は、内側部材との間に所定のクリアランスを形成するクリアランス部となる。
また、両端の小径部の間の部分は、内側部材から離して配置することができる。これにより、ガードチューブにスプリング効果が生じ、固定部の振動をガードチューブにおいて減衰させ、内側部材に伝わる振動をより抑制することができる。
この場合には、上記ガードチューブと上記固定部との間から、排ガス等が温度センサの内部に侵入していくことを防ぐことができる。
この場合には、上記伸長部の長さ及び上記クリアランス部の長さを長くすることができるため、上記先端干渉部を固定端である内側部材と外側部材との保持部から充分に離れた位置に配置することができる。これにより、上記先端干渉部による内側部材の振動抑制効果を充分に発揮しやすくなる。
この場合には、上記外側部材と上記内側部材との間に侵入した排ガス等が、温度センサの内部に更に侵入していくことを防ぐことができる。
この場合には、上記感温素子を排ガス雰囲気から遮断することができるため、感温素子の還元劣化を防ぐことができる。
この場合には、温度センサが振動したときに、感温素子が振れて金属カバーに衝突することを防ぐことができる。これにより、感温素子が損傷することを防ぐと共に感温素子の電極の断線を防ぎ、耐久性に優れた温度センサを得ることができる。
また、上記固定部材として、熱伝導性に優れた材料を用いることにより、金属カバーの外の熱を素早く感温素子に伝えることができ、応答性に優れた温度センサを得ることができる。
この場合には、上記感温素子を排ガス雰囲気から遮断することができるため、感温素子の還元劣化を防ぐことができる。
なお、この場合には、上記金属チューブは、上記内側部材の一部を構成する。
この場合には、上記請求項13の発明と同様に、感温素子が損傷することを防ぐと共に感温素子の電極の断線を防ぎ、耐久性に優れた温度センサを得ることができる。
この場合には、測定精度の高い温度センサを容易に得ることができる。
この場合には、耐久性に優れた温度センサを得ることができる。特に、高温環境下において使用される場合にも、充分な耐久性を有する温度センサを得ることができる。
また、上記内側部材及び上記外側部材のうち、特に高温となりやすい部分を耐酸化性金属によって構成することにより、効果的に耐久性の向上を図ることができる。
即ち、上記金属カバーが酸化すると、金属カバーの内部の酸素濃度が低下する。すると、これを補うべく、感温素子から酸素が離脱し還元されるおそれがある。これにより、感温素子の特性が変化してしまうおそれがある。そこで、金属カバーを耐酸化性金属によって構成することにより、感温素子の特性変化を防ぐことができる。
なお、上記耐酸化性金属としては、例えば、ステンレス鋼、インコネル(インコネル社の登録商標)等がある。
この場合には、上記感温素子の劣化を抑制することができ、耐久性に優れた温度センサを得ることができる。
本発明の実施例にかかる温度センサにつき、図1〜図4を用いて説明する。
本例の温度センサ1は、内燃機関の排気通路の内部に配置される感温素子2と、感温素子2に先端側で接続されるとともに外部回路接続用のリード線17に後端側で接続される一対の信号線31と、該信号線31を内部に収容するシースピン3を有する内側部材18と、該内側部材18の少なくとも外周の一部を覆うように配置された外側部材13と、を備え、感温素子2を覆うように先端部に配設された金属カバー4とを有する。
また、ガードチューブ5の外周には、排気通路の外壁に固定される固定部であるリブ6が配されている。そして、リブ6は、ガードチューブ5を介してシースピン3を保持している。
そして、外側部材13は、シースピン3からなる内側部材18を保持する保持部132をそのガードチューブ5の後端部52に有する。また、外側部材13は、保持部132から先端側へ向かって形成された伸長部131を有する。該伸長部131は、内側部材18との間に隙間を有するクリアランス部19と、内側部材18との径方向の最大隙間(図4における隙間11のうちSが最大となる周方向位置の隙間の大きさ)が0.2mm以下となる状態に配置された先端干渉部133とを有する。最大隙間で規定することで、最も振れ幅の大きな値を限定することとなり、先端干渉部133による振動の抑制作用をなすことができる。
また、ガードチューブ5は、先端部51と後端部52とに、他の部位よりも直径の小さい小径部511、521を設けてなる。小径部511、521は、シースピン3の外周面と平行な内周面を有している。
また、本例において、後端側の小径部521は、外側部材13が内側部材18を保持する保持部132となり、先端側の小径部511が上記先端干渉部133となる。そして、両端の小径部521、511の間の部分は、内側部材18(シースピン3)との間に隙間を有するクリアランス部19となる。
ガードチューブ5の後端部52は、シースピン3の後端部302と一致しており、この後端部52、302において、ガードチューブ5とシースピン3とが溶接されている。
また、内側部材18(シースピン3)とクリアランス部19との間のクリアランスS1は、先端干渉部133における隙間11の大きさSよりも大きく、例えば0.2mm以上である。
なお、後述する実施例8〜実施例11についても、対応する図面(図11〜図14)に上記の軸方向長さL1、L2、L3を示したが、これらの寸法についても、同様に上記の関係式を満たしている。
第1延設部62の外周には、シースピン3及びガードチューブ5及び外部リード17の一部を保護する保護チューブ12の一端が溶接固定されている。
第2延設部63において、リブ6がガードチューブ5に対して全周溶接されている。
感温素子2と金属カバー4との間には、感温素子2を保持固定する固定部材としてのセメント14が充填されている。
ガードチューブ5、シースピン3、及び金属カバー4は、耐酸化性金属であるステンレス鋼からなる。更に、リブ6、保護チューブ12も、ステンレス鋼からなる。
ガードチューブ5の厚みは、シースピン3の外管部34の厚みよりも大きくしてあり、ガードチューブ5は、シースピン3の外管部34よりも剛性が高い。
上記温度センサ1においては、上記リブ6と上記シースピン3との間に上記ガードチューブ5が介在しており、リブ6がガードチューブ5を介してシースピン3を保持している。そのため、内燃機関の振動が、リブ6から直接シースピン3に伝わらず、ガードチューブ5において振動を減衰させることができる。
即ち、内側部材18(シースピン3)は片持ち梁の振動となるが、この場合、振動数(周波数)は一定であるため、内側部材18(シースピン3)の先端部301の加速度は、振幅に依存することとなる。それ故、上記のごとく振幅を小さくすることにより、加速度を小さくすることができる。
その結果、内側部材18(シースピン3)の先端側に存在する感温素子2に作用する加速度を低減し、感温素子2に作用する応力を低減することができる。これにより、感温素子2の損傷や、感温素子2の電極21の断線等を防ぐことができ、耐久性に優れた温度センサ1を得ることができる。
ここで、上記隙間11の大きさは、温度センサ1における先端干渉部133と内側部材18を含む軸方向に垂直な断面をとり、走査電子顕微鏡(SEM)により、その断面を観察することで測定した最大となる部分の隙間11の大きさである。
また、先端干渉部133は、内側部材18(シースピン3)の外周と平行な平行部分を有する。この平行部を設けることで、振動により内側部材18と先端干渉部133が繰り返し接触した場合においても、その接触面積が大きいため先端干渉部133の磨耗を低減することができる。
また、ガードチューブ5とリブ6とは全周溶接されているため、ガードチューブ5とリブ6との間から、排ガス等が温度センサ1の内部に侵入していくことを防ぐことができる。
また、金属カバー4の外の温度を素早く感温素子2に伝えることができ、応答性に優れた温度センサ1を得ることができる。
即ち、金属カバー4が酸化すると、金属カバー4の内部の酸素濃度が低下する。すると、これを補うべく、感温素子2から酸素が離脱し還元されるおそれがある。これにより、感温素子2の特性が変化してしまうおそれがある。そこで、金属カバー4を耐酸化性金属によって構成することにより、感温素子2の特性変化を防ぐことができる。
本例は、ガードチューブ5の先端部51の内周面とシースピン3の外周面との間に隙間11(図4参照)が形成されていない温度センサ1の例である。
即ち、本例の温度センサ1は、図4における隙間11の大きさSが0である。
本例の場合、ガードチューブ5の先端部51をシースピン3に対して接触させてもよい。ただし、ガードチューブ5の先端部51を、シースピン3に対して溶接などで固定しない。この場合、先端干渉部133の平行部分が内側部材18(シースピン3)に接触した状態、即ち隙間11の大きさSがほぼ0のときに面接触の状態となる。
その他は、実施例1と同様であり、実施例1と同様の作用効果を有する。
本例は、図5に示すごとく、本発明の温度センサと従来の温度センサとについて、加熱共振試験を行った例である。
本発明品としては、上記実施例1において示した温度センサ1を用いた。この温度センサ1において、金属カバー4、ガードチューブ5、シースピン3は、何れもSUS310Sからなる。
即ち、図6に示すごとく、リブ6の当接部61の外周面611の先端から温度センサ1の先端までの長さL0を38mmとした。また、ガードチューブ5の先端部51における小径部511の先端から感温素子2の中心までの距離L1を18mmとした。また、ガードチューブ5の先端部51における小径部511、521の先端から後端部52における小径部521の先端までの距離L2を33mmとした。
なお、上記の構成の温度センサ1においては、先端側の共振振動数が1.0kHzである。
この温度センサ9においては、リブ6がシースピン3を直接保持固定しており、リブとシースピン3との間にガードチューブ5が配設されていない。そして、リブ6とシースピン3とは全周溶接されている。
また、金属カバー4、シースピン3は、何れもSUS310Sからなる。
即ち、図30に示すごとく、リブ6の当接部61の外周面611の先端から温度センサ1の先端までの長さM0を38mm、リブ6の先端から感温素子2の中心までの距離M1を31mmとした。また、感温素子2の周囲における金属カバー4の外径、シースピン3の外径、シースピン3の外管部34の肉厚は、本発明品と同寸法である。
なお、上記の構成の温度センサ9においても、先端側の共振振動数が1.0kHzである。
振動試験機7は、温度センサ1(9)を保持するセンサ装着治具71と、該センサ装着治具71を振動させる加振器72とを有する。
そして、温度センサ1(9)をハウジング15を介してセンサ装着治具71に固定すると共に、温度センサ1(9)の先端部、即ち感温素子2が配された感温部16(96)を、加熱炉73の内部に挿入配置して850℃の温度となるようにする。
このとき、センサ装着治具71における重力加速度は、セメント14を充填していない試料に対しては20Gが生じるように加振し、セメント14を充填した試料に対しては40Gが生じるように加振する。
このようにして、温度センサ1(9)に振動を与え続ける。
これに対し、実施例1の温度センサについては、セメント充填の有無にかかわらず、300分間の耐久後においても、感温素子2の電極21の断線がなく、シースピン3等にも異常はなかった。
本例は、ガードチューブ5の先端部51とシースピン3とを溶接した場合と、溶接せずにかしめた場合、更には、ガードチューブ5の先端部51の内周面とシースピン3の外周面との間に隙間11(図4参照)を設けた場合のそれぞれにおいて、実験例1と同様の加熱共振試験を行った例である。感温素子2の電極21は、線径0.3mmの白金線を用いた。
これらの温度センサにおける他の寸法等は、実施例1において用いた本発明の温度センサと同様である。
試験の結果を表1に示す。
第2の試料(かしめ)及び第3の試料(隙間11の大きさS=0.1mm)、第4の試料(隙間の大きさS=0.2mm)については、いずれも、300分の耐久後においても、感温素子2の電極21の断線はなく、リブ6とシースピン3との固定部等にも異常はなかった。
ただし、第5の試料(隙間11の大きさS=0.3mm)については、15分の時点で、リブ6とシースピン3との固定部が破断した。
本例は、感温素子2がガラス封止材によって封止されている温度センサ1の例である。その他は、実施例1と同様である。
本例の場合には、例えば最高温度約1000℃という高温環境下において温度センサ1を使用する際にも、安定した温度測定を確保することができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
本例は、図7に示すごとく、ガードチューブ5の配設状態を変更した例である。
本例の温度センサ1は、ガードチューブ5の後端部52を、シースピン3の後端部302よりもリブ6に近い側に配置したものである。
その他は、実施例1と同様であり、実施例1と同様の作用効果を得ることができる。
本例は、図8に示すごとく、ガードチューブ5の形状を変更した例である。
本例の温度センサ1は、ガードチューブ5の先端部51の小径部511の形状を変更した例である。即ち、実施例1における小径部511は、図1に示すごとく、シースピン3の外周面と平行な平行部分を有しているが、本例の温度センサ1においては、小径部511に、シースピン3の外周面と平行な平行部分を設けていない。
その他は、実施例1と同様であり、実施例1と同様の作用効果を得ることができる。
本例は、図9に示すごとく、リブ6の形状を変更した例である。
本例の温度センサ1は、リブ6の当接部61の先端側に、当接部61よりも外径の小さい第2延設部630が、ガードチューブ5の外周面に沿って形成されているものである。そして、上記第2延設部630において、リブ6とガードチューブ5とを全周溶接してある。
その他は、実施例1と同様であり、実施例1と同様の作用効果を得ることができる。
本例は、図10に示すごとく、ガードチューブ5の配設状態を変更した例である。
本例の温度センサ1は、ガードチューブ5の先端部51を、シースピン3の先端部301に近い位置に配置したものである。
その他は、実施例1と同様である。
その他、実施例1と同様の作用効果を得ることができる。
本例は、図11に示すごとく、シースピン3の外周を覆うと共に感温素子2を覆うように形成された金属チューブ40を設け、リブ6の内側にはガードチューブ5を設けた例である。
即ち、本例の温度センサ1は、シースピン3と金属チューブ40とからなる内側部材18を、リブ6とガイドチューブ5とからなる外側部材13によって、保持部132において保持してなる。そして、ガードチューブ5の一部によって構成される伸長部131には金属チューブ40との間に隙間を有するクリアランス部19が形成される。
その他は、実施例1と同様である。
本例の場合にも、実施例1と同様の作用効果を得ることができる。
本例は、図12に示すごとく、外側部材13の伸長部131の先端(先端干渉部133)がリブ6よりも先端側へ突き出ていない例である。
即ち、本例の温度センサ1は、実施例1と同様に、外側部材13をリブ6とガードチューブ5とによって構成したものであるが、ガードチューブ5の一部によって構成された伸長部131の先端(先端干渉部133)が、リブ6の先端面64よりも後退した位置に配されている。
その他は、実施例1と同様である。
本例の場合にも、実施例1と同様の作用効果を得ることができる。
本例は、図13に示すごとく、内側部材18としてのシースピン3を、リブ6によって直接保持し、リブ6の先端部にガードチューブ5を固定した例である。
即ち、実施例1のようにシースピン3をガードチューブ5を介してリブ6によって保持するのではなく、シースピン3をリブ6によって直接保持している。そして、リブ6の先端部に設けた先端延設部641の外周に、ガードチューブ5を溶接している。また、この先端延設部641において、内側部材18であるシースピン3をリブ6に溶接している。即ち、先端延設部641が保持部132となる。
本例の場合、リブ6とガードチューブ5とによって、外側部材13が構成される。また、ガードチューブ5(伸長部131)とシースピン3(内側部材18)との間に、クリアランス部19が形成される。
その他は、実施例1と同様である。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
本例は、図14、図15に示すごとく、ガードチューブ5の先端部に小径部(図1の符号511参照)を設けていない例である。
即ち、クリアランス部19におけるクリアランスS1と、先端干渉部133におけるクリアランスSとを同等としている。この場合、例えば、S1及びSはそれぞれ、0.02〜0.2mmとする。
なお、本例の場合には、保持部132の先端から伸長部131の先端までの軸方向長さL2と、クリアランス部19の軸方向長さL3は一致する。
その他は、実施例1と同様である。
本例の場合にも、ガードチューブ5の先端部51が先端干渉部133として機能し、内側部材18の振動抑制効果を充分に発揮することができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
本例は、図16〜図18に示すごとく、内側部材18と先端干渉部133とが接触している場合において、先端干渉部133にスリット134を設けた例である。
本例においては、ガードチューブ5の先端部51にスリット134を複数設け、複数に分割された先端干渉部133を内側部材18であるシースピン3に接触させている。
スリット134の数は、例えば、図17に示すように4個でも、図18に示すように3個でもよく、また、これらに限定されるものでもない。
その他は、実施例1と同様である。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
本例は、図19、図20に示すごとく、内側部材18(シースピン3)が外側部材13(ガードチューブ5)に対して芯ずれして配置された例である。
このような場合においても、図20に示すごとく、先端干渉部133における、内側部材18(シースピン3)と外側部材13(ガードチューブ5)との間の隙間11の最大の大きさSが0.2mm以下であればよい。
その他は、実施例1と同様である。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
本例は、図21に示すごとく、先端干渉部133の形成位置による、内側部材18(シースピン3)の共振抑制効果につき調べた例である。
即ち、図1に示すごとく、伸長部131の先端から感温素子2の中心までの軸方向長さをL1、保持部132の先端から伸長部131の先端までの軸方向長さをL2、クリアランス部19の軸方向長さをL3としたときにおける、L3/(L1+L2)の値を、種々変更した場合に、シースピン3の共振倍率がどのように変化するかを試験した。
これらの試料を用いて、L3/(L1+L2)の値の変化による、シースピン3の1次共振点における共振倍率への影響を調べた。
また、共振倍率は、内側部材18の先端部の加速度を加振器の加速度にて除した値である。
試験結果を図21に示す。同図において、左端のプロットが試料0についてのデータである。その他の試料1〜11のデータについては、横軸にとったL3/(L1+L2)の値に対応してプロットした。
一方、L3<0.3×(L1+L2)であると、試料0(即ち、先端干渉部133がない場合)と共振倍率が略同等であり、先端干渉部133の効果を充分に発揮できないと言える。
なお、本結果は特に振動に厳しい長尺センサ(L0=80mm)での例を示したものであるが、L0に関わらず同様の効果が得られることも確認した。
本例においては、図22〜図27に示すごとく、先端干渉部133を、10kHz以下の周波数域における内側部材18の振動の節以外に配置することの意義を考察すると共に、効果を確認した。
一般的に車両における温度センサの取付部の排気管における振動は低周波数域(2kHz以下)にピークが存在する(図22参照)。これに対し、一般的な温度センサ(例えばL0=40mm)は1〜2kHzに1次共振点が存在しており、排気管の共振域と合致してしまうため、温度センサの振動が大きくなり、過大な応力が作用するおそれがあった。それゆえ、この1次共振を抑制することが課題であり、実施例1〜15に示した構成をとることにより、この1次共振を抑制することができる。
換言すれば、従来の一般的な車両に、一般的な温度センサを搭載する際には、高周波数域における振動を考慮する必要がないため、内側部材18に対する先端干渉部133の位置を特に考慮する必要がなかった。
これにより、温度センサは1次共振だけでなく2次共振も抑制することが好ましい。更に言うと、例えば上記実験例3において示したような長尺センサ(例えばL0=80mm)においては、10kHz以内に更に高次振動モードが存在する。即ち、10kHz以内に存在するすべての共振を抑制することが好ましいと言える。
以下、この根拠について説明する。
まず、上記実験例3において用いた先端干渉部を有しない試料0(図24(A))を用い、内側部材18の振動特性を調査した。図25に示すごとく、10kHzまでの内側部材18の共振点をレーザードップラー計にて測定した結果、10kHzまでに5次共振まで存在することが分かった。このときの温度センサへの加振は、実験例3と同様の条件にて行った。
なお、各図において、直線N0が振幅0の横軸であり、曲線N1〜N5が内側部材18の各部の最大振幅を表す。また、曲線N1〜N5が直線N0と交わる交点Pが内側部材18の節を表す。
また、図24(B)〜(F)における横軸のスケール(0〜1.0)は、図24(A)に示す温度センサにおける保持部132の先端から感温素子2の中心までの軸方向長さ(M2+M3)を1.0としたときの、内側部材18の各部の保持部132の先端からの距離を示す。
実験例3において用いた表1に示す試料を用いて検証した結果の一例を、図25〜図27に示す。図25は、先端干渉部133を設けていない実験例3において用いた表1に示す試料0についての結果であり、先述したように10kHzまでに1次〜5次共振が存在しており、各共振点において、加振に対して大きな共振倍率を示す。
図26から分かるように、この試料10については、2次共振以外の共振は抑制できている。これは、先端干渉部133が、内側部材18の2次共振以外の節(図24(B)、(D)、(E)、(F)の符号P参照)を外した位置に形成されているためであると考えられる。
図27から分かるように、この試料5については、全ての共振を抑制できていることが分かる。
以上の結果から、内側部材18の振動の節以外に先端干渉部133を存在させることで、振動に厳しい長尺センサであっても、高次の振動も含めて振動の抑制を大幅に行うことができるという新たな知見が得られた。
次いで、図28に示すごとく、上述の実験例3における表2の試料5と同様なL3/(L1+L2)の位置に配置し、先端干渉部133と内側部材18との隙間の大きさSを種々変更した試料を用いて先端干渉部133とシースピン3との隙間11の大きさSを種々変更させたときの共振倍率を調べた。
各試料1〜7の隙間11の大きさSは、表3に示すとおりである。
図28の結果から明らかなように、隙間11の大きさSが0.08mm以下であれば共振倍率が低いことが分かる。一方、隙間11の大きさSが0.08mmを超えると、共振倍率が大きくなってしまう。これは、1次振動を抑制する場合には、実験例2に示すように、隙間11の大きさSを0.2mm以下とすればよいが、2次振動、3次振動等の高次振動が生じる場合には、隙間11の大きさSを0.08mm以下とすることで、高次振動の抑制も可能となることを示している。
本例は、図29(A)に示すごとく、先端干渉部133を、伸長部131における異なる軸方向位置の複数箇所に形成した例である。
すなわち、伸長部131の先端部(ガードチューブ5の先端部51)のほかに、それよりも後端側にも先端干渉部133を形成している。
その他は、実施例1と同様である。
本例の場合にも、実施例1と同様の作用効果を得ることができる。
本例は、図29(B)に示すごとく、先端干渉部133を、伸長部131の先端部(ガードチューブ5の先端部51)には設けず、先端部よりも基端側において形成した例である。
その他は、実施例1と同様である。
本例の場合にも、実施例1と同様の作用効果を得ることができる。
上記実施例15及び実施例16に示したように、先端干渉部133は、保持部132よりも先端側であれば、伸長部131のいずれの位置に設けることも可能であり、また一箇所に限らず、複数箇所に形成することもできる。
13 外側部材
131 伸長部
132 保持部
133 先端干渉部
17 リード線
18 内側部材
19 クリアランス部
2 感温素子
21 電極
3 シースピン
31 信号線
4 金属カバー
5 ガードチューブ
51 先端部
52 後端部
6 リブ
Claims (20)
- 内燃機関の排気通路の内部に配置される感温素子と、該感温素子に先端側で接続されるとともに外部回路接続用のリード線に後端側で接続される信号線と、該信号線を内部に収容するシースピンを有する内側部材と、該内側部材の少なくとも外周の一部を覆うように配置された外側部材と、を備え、
上記外側部材は、上記排気通路の外壁に固定される固定部と、上記内側部材を保持する保持部と、該保持部より先端側に形成された伸長部と、を有し、
該伸長部は上記内側部材との間に隙間を有して配置されたクリアランス部と、上記内側部材との径方向の最大隙間が0.2mm以下となる状態に配置された先端干渉部と、を備えたことを特徴とする温度センサ。 - 請求項1において、上記固定部は、上記シースピンの外周に配置されたリブからなることを特徴とする温度センサ。
- 請求項1において、上記伸長部の先端から上記感温素子の中心までの軸方向長さをL1、上記保持部の先端から上記伸長部の先端までの軸方向長さをL2、上記クリアランス部の軸方向長さをL3としたとき、L3≧0.3×(L1+L2)であることを特徴とする温度センサ。
- 請求項1〜3のいずれか一項において、上記先端干渉部は、上記内側部材との径方向の最大隙間が0.08mm以下となる状態に配置されたことを特徴とする温度センサ。
- 請求項1〜4のいずれか一項において、上記先端干渉部は、10kHz以下の周波数域における上記内側部材の振動の節以外に位置していることを特徴とする温度センサ。
- 請求項1〜5のいずれか一項において、上記外側部材は、上記内側部材の外周を覆うように設けられたガードチューブを有し、上記伸長部は、上記ガードチューブの一部によって構成されていることを特徴とする温度センサ。
- 請求項6において、上記内側部材は、上記ガードチューブを介して上記固定部に保持されていることを特徴とする温度センサ。
- 請求項7において、上記ガードチューブは、先端部と後端部とに、他の部位よりも直径の小さい小径部を設けてなることを特徴とする温度センサ。
- 請求項6〜8のいずれか一項において、上記ガードチューブと上記固定部とは、全周溶接されていることを特徴とする温度センサ。
- 請求項1〜9のいずれか一項において、上記保持部は、上記固定部の後端部と同等の軸方向位置若しくは上記固定部の後端部よりも後端側に形成されていることを特徴とする温度センサ。
- 請求項1〜10のいずれか一項において、上記外側部材の後端部と上記内側部材とは、上記保持部において互いに全周溶接されていることを特徴とする温度センサ。
- 請求項1〜11のいずれか一項において、上記温度センサは、上記感温素子を覆うように形成された金属カバーを有することを特徴とする温度センサ。
- 請求項12において、上記感温素子と上記金属カバーとの間には、上記感温素子を保持固定する固定部材が充填されていることを特徴とする温度センサ。
- 請求項1〜13のいずれか一項において、上記温度センサは、上記シースピンの外周を覆うと共に上記感温素子を覆うように形成された金属チューブを有し、該金属チューブは、上記シースピンと上記固定部との間に介在していることを特徴とする温度センサ。
- 請求項14において、上記感温素子と上記金属チューブとの間には、上記感温素子を保持固定する固定部材が充填されていることを特徴とする温度センサ。
- 請求項1〜15のいずれか一項において、上記感温素子は、サーミスタ素子からなることを特徴とする温度センサ。
- 請求項1〜16のいずれか一項において、上記内側部材及び上記外側部材の少なくとも一部は、耐酸化性金属からなることを特徴とする温度センサ。
- 請求項1〜17のいずれか一項において、上記感温素子は、ガラス封止材によって封止されていることを特徴とする温度センサ。
- 請求項1〜18のいずれか一項において、上記先端干渉部は、上記内側部材の外周面と平行な平行部分を有することを特徴とする温度センサ。
- 請求項1〜19のいずれか一項において、上記先端干渉部は、上記内側部材の外周面と接触する部分を有することを特徴とする温度センサ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008017956A JP4569638B2 (ja) | 2007-01-31 | 2008-01-29 | 温度センサ |
US12/525,146 US8864375B2 (en) | 2007-01-31 | 2008-01-31 | Temperature sensor |
CN2008800038410A CN101632007B (zh) | 2007-01-31 | 2008-01-31 | 温度传感器 |
PCT/JP2008/051478 WO2008093766A1 (ja) | 2007-01-31 | 2008-01-31 | 温度センサ |
EP08704229.7A EP2128578B1 (en) | 2007-01-31 | 2008-01-31 | Temperature sensor |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007021834 | 2007-01-31 | ||
JP2007106162 | 2007-04-13 | ||
JP2008017956A JP4569638B2 (ja) | 2007-01-31 | 2008-01-29 | 温度センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008281548A true JP2008281548A (ja) | 2008-11-20 |
JP4569638B2 JP4569638B2 (ja) | 2010-10-27 |
Family
ID=39674073
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008017956A Active JP4569638B2 (ja) | 2007-01-31 | 2008-01-29 | 温度センサ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8864375B2 (ja) |
EP (1) | EP2128578B1 (ja) |
JP (1) | JP4569638B2 (ja) |
CN (1) | CN101632007B (ja) |
WO (1) | WO2008093766A1 (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100713 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100726 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130820 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4569638 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130820 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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