JP2008277716A - バリスタ及び発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】バリスタV1では、放熱部14は、バリスタ素体15の主成分であるZnOと同じ成分を金属酸化物として含んでおり、バリスタ素体15と放熱部14との構成成分は共通化されている。また、焼成の際、放熱部14に含まれるAgは、面14aと面15bとの界面付近においてバリスタ素体15の主成分であるZnOの粒界に拡散する。このため、バリスタV1では、焼成時(或いは脱バインダ時)にバリスタ部11と放熱部14との間にクラックが発生することは殆どなく、バリスタ部11と放熱部14との接合強度が十分に確保される。したがって、バリスタ部11に伝わった熱は、放熱部14における面14aから面14b,面14c,面14dに渡って形成される導通経路を伝って効率良く放熱される。
【選択図】図2
Description
図1は、本発明の第1実施形態に係るバリスタの概略斜視図である。また、図2は、その概略断面図である。図1及び図2に示すように、バリスタV1は、バリスタ部11と、一対の外部電極12,13と、放熱部14とを備え、略直方体形状をなしている。
本発明の第2実施形態に係るバリスタについて説明する。図3は、本発明の第2実施形態に係るバリスタを示す概略断面図である。図3に示すバリスタV2は、内部電極の構成において第1実施形態に係るバリスタV2と異なっている。
本発明の第3実施形態に係るバリスタについて説明する。図4は、本発明の第3実施形態に係るバリスタを示す概略断面図である。図4に示すバリスタV3は、放熱部14において、バリスタ部11と接触していない面14b側にもグレーズ31を形成している点で第2実施形態に係るバリスタV2と更に異なっている。
本発明の第4実施形態に係るバリスタについて説明する。図5は、本発明の第4実施形態に係るバリスタを示す概略断面図である。図5に示すバリスタV4は、バリスタ部11と接触していない面14b側に形成したグレーズ21の外表面に更なる外部電極41,42を形成している点で第3実施形態に係るバリスタV3と更に異なっている。
本発明の第5実施形態に係るバリスタについて説明する。図6は、本発明の第5実施形態に係るバリスタを示す概略斜視図である。図6に示すバリスタV5は、バリスタ部50の構成が上記各実施形態と異なっている。すなわち、バリスタV5は、バリスタ素体51内に、第1内部電極52及び第2内部電極53と、第1放熱部54及び第2放熱部55とを備えている。また、バリスタ素体51の一方の面51aに外部電極56,57を備えている。
続いて、本発明の一実施形態に係る発光装置について説明する。図7は、本発明の一実施形態に係る発光装置を示す概略断面図である。図7に示す発光装置LEは、例えば上述したバリスタV1と、当該バリスタV1と電気的に接続された半導体発光素子61とを備えている。
本発明の第6実施形態に係るバリスタについて説明する。図8は、本発明の第6実施形態に係るバリスタを示す概略断面図である。図8に示すバリスタV6は、第1内部電極、第2内部電極、及び第3内部電極がそれぞれ複数配置されている点で、第1実施形態に係るバリスタV1と異なっている。
本発明の第7実施形態に係るバリスタについて説明する。図9は、本発明の第7実施形態に係るバリスタを示す概略断面図である。図9に示すバリスタV7は、第1内部電極及び第2内部電極がそれぞれ複数配置されている点で第2実施形態に係るバリスタV2と異なっている。
Claims (8)
- 電圧非直線特性を発現するバリスタ素体と、当該バリスタ素体を挟んで少なくとも一部が互いに対向するように配置された内部電極とを有するバリスタ部と、
前記内部電極に接続され、外部素子の接続端となる外部電極と、
前記バリスタ部に対して熱的に接続された放熱部と、を備え、
前記バリスタ素体は、半導体セラミックスを主成分とし、前記放熱部は、金属及び金属酸化物の複合材料からなることを特徴とするバリスタ。 - 電圧非直線特性を発現するバリスタ素体、当該バリスタ素体の内部に配置される電極部、及び前記バリスタ素体の表面に配置され、少なくとも一部が前記電極部と互いに対向する電極部を有するバリスタ部と、
前記バリスタ部に対して熱的に接続された放熱部と、を備え、
前記バリスタ素体は、半導体セラミックスを主成分とし、前記放熱部は、金属及び金属酸化物の複合材料からなることを特徴とするバリスタ。 - 前記金属は、前記放熱部における前記バリスタ部に接触している面から前記バリスタ部に接触していない面に渡って導通していることを特徴とする請求項1記載のバリスタ。
- 前記金属酸化物は、ZnOを含んでいることを特徴とする請求項1又は2記載のバリスタ。
- 前記金属酸化物は、金属コーティングされたAl2O3を含んでいることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載のバリスタ。
- 前記金属は、Agを主成分とすることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載のバリスタ。
- 前記バリスタ部と前記放熱部とは、同時焼成によって形成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項記載のバリスタ。
- 発光素子とバリスタとを備えた発光装置であって、
前記バリスタは、
電圧非直線特性を発現するバリスタ素体と、当該バリスタ素体を挟んで少なくとも一部が互いに対向するように配置された内部電極とを有するバリスタ部と、
前記内部電極に接続され、前記発光素子の接続端となる外部電極と、
前記バリスタ部に接触するように配置された放熱部と、を備え、
前記バリスタ素体は、ZnOを主成分とし、前記放熱部は、金属及び金属酸化物の複合材料からなることを特徴とする発光装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007134429A JP4888225B2 (ja) | 2007-03-30 | 2007-05-21 | バリスタ及び発光装置 |
US12/055,671 US7932806B2 (en) | 2007-03-30 | 2008-03-26 | Varistor and light emitting device |
TW97110858A TWI399761B (zh) | 2007-03-30 | 2008-03-26 | Varistors and light - emitting devices |
KR1020080028293A KR100979087B1 (ko) | 2007-03-30 | 2008-03-27 | 배리스터 및 발광장치 |
CN2008100902467A CN101276664B (zh) | 2007-03-30 | 2008-03-31 | 可变电阻和发光装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007092821 | 2007-03-30 | ||
JP2007092821 | 2007-03-30 | ||
JP2007134429A JP4888225B2 (ja) | 2007-03-30 | 2007-05-21 | バリスタ及び発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008277716A true JP2008277716A (ja) | 2008-11-13 |
JP4888225B2 JP4888225B2 (ja) | 2012-02-29 |
Family
ID=39995966
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007134429A Expired - Fee Related JP4888225B2 (ja) | 2007-03-30 | 2007-05-21 | バリスタ及び発光装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4888225B2 (ja) |
KR (1) | KR100979087B1 (ja) |
CN (1) | CN101276664B (ja) |
TW (1) | TWI399761B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009016616A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-01-22 | Tdk Corp | サージ吸収素子及び発光装置 |
JP2015501545A (ja) * | 2011-10-28 | 2015-01-15 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag | Esd保護デバイスおよびesd保護デバイスとledとを備えたデバイス |
JP2017504974A (ja) * | 2014-01-29 | 2017-02-09 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag | 保護機能を有するチップとその製造のための方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101382363B1 (ko) * | 2012-08-28 | 2014-04-08 | 주식회사 아모센스 | 바리스터 기판을 갖는 엘이디 패키지의 제조 방법 및 이에 의한 바리스터 기판을 갖는 엘이디 패키지 |
KR20170109796A (ko) * | 2016-03-22 | 2017-10-10 | 삼성전기주식회사 | 압전 소자용 써미스터 및 이를 포함하는 압전 소자 패키지 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63285907A (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックバリスタ |
JPH05275567A (ja) * | 1992-03-26 | 1993-10-22 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用セラミックス回路基板の製造方法 |
JP2004006686A (ja) * | 2002-03-26 | 2004-01-08 | Sanyo Electric Co Ltd | ZnO半導体層の形成方法、半導体素子の製造方法及び半導体素子 |
JP2005244220A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Lumileds Lighting Us Llc | 基体にesd保護を組み入れた発光ダイオード用基体 |
JP2006339559A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Led部品およびその製造方法 |
JP2007012993A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Rohm Co Ltd | チップ型半導体発光素子 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3475910B2 (ja) * | 2000-05-24 | 2003-12-10 | 株式会社村田製作所 | 電子部品、電子部品の製造方法および回路基板 |
JP2002252136A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-09-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層電子部品 |
JP3924563B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2007-06-06 | Tdk株式会社 | 積層型チップバリスタ |
JP2006086274A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層バリスタ,積層バリスタの実装構造及びバリスタモジュール |
JP4915052B2 (ja) * | 2005-04-01 | 2012-04-11 | パナソニック株式会社 | Led部品およびその製造方法 |
JP4146849B2 (ja) * | 2005-04-14 | 2008-09-10 | Tdk株式会社 | 発光装置 |
-
2007
- 2007-05-21 JP JP2007134429A patent/JP4888225B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-03-26 TW TW97110858A patent/TWI399761B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-03-27 KR KR1020080028293A patent/KR100979087B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-03-31 CN CN2008100902467A patent/CN101276664B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63285907A (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックバリスタ |
JPH05275567A (ja) * | 1992-03-26 | 1993-10-22 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用セラミックス回路基板の製造方法 |
JP2004006686A (ja) * | 2002-03-26 | 2004-01-08 | Sanyo Electric Co Ltd | ZnO半導体層の形成方法、半導体素子の製造方法及び半導体素子 |
JP2005244220A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Lumileds Lighting Us Llc | 基体にesd保護を組み入れた発光ダイオード用基体 |
JP2006339559A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Led部品およびその製造方法 |
JP2007012993A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Rohm Co Ltd | チップ型半導体発光素子 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009016616A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-01-22 | Tdk Corp | サージ吸収素子及び発光装置 |
JP2015501545A (ja) * | 2011-10-28 | 2015-01-15 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag | Esd保護デバイスおよびesd保護デバイスとledとを備えたデバイス |
JP2017504974A (ja) * | 2014-01-29 | 2017-02-09 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag | 保護機能を有するチップとその製造のための方法 |
US9865381B2 (en) | 2014-01-29 | 2018-01-09 | Epcos Ag | Chip with protection function and method for producing same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200903529A (en) | 2009-01-16 |
KR20080089218A (ko) | 2008-10-06 |
CN101276664B (zh) | 2011-06-22 |
JP4888225B2 (ja) | 2012-02-29 |
TWI399761B (zh) | 2013-06-21 |
CN101276664A (zh) | 2008-10-01 |
KR100979087B1 (ko) | 2010-08-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110624 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110907 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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