JP2006086274A - 積層バリスタ，積層バリスタの実装構造及びバリスタモジュール - Google Patents

Abstract

【課題】 放熱能力に優れた積層バリスタを提供する。
【解決手段】 複数の第１導体層１３と複数の第２導体層１４がバリスタ層１２を介して交互に、且つ、横方向で対向するように配された直方体形状の積層チップ１１の上面１１ｂに放熱導体部１７が設けられ、該放熱導体部１７が各第２導体層１４の上縁に接続されているため、近傍に配置されたＩＣ等の発熱性デバイスからの熱が第１電極部１５及び第２電極部１６を通じて各第１導体層１３及び各第２導体層１４に伝わると、また、バリスタ層１２に電流が流れるときに発熱が生じると、これら熱は各第２導体層１４から放熱導体部１７に直接的に、且つ、高効率に伝わって該放熱導体部１７から外部に効果的に放出される。
【選択図】 図１

Description

本発明は、積層チップ内に複数の導体層（内部電極）を対向して備える積層バリスタと、積層バリスタを基板に実装して成る積層バリスタの実装構造と、複数の積層バリスタを導体板に設けて構成されたバリスタモジュールに関する。

積層バリスタは、直方体形状を成すチップ内に複数の内部電極がバリスタ層を介して対向するように配されている。複数の内部電極は平面形状が長方形状を成していて、各内部電極の長さ方向の端縁はチップの長さ方向の一方の面と他方の面に交互に引き出されている。一方の面に引き出された一部の内部電極の端縁は一方の外部電極に接続され、且つ、他方の面に引き出された残りの内部電極の端縁は他方の外部電極に接続されている。この積層バリスタは静電気のような異常電圧から回路及び回路構成素子を保護する機能を有する。
特開２００３−６８５０８号公報

積層バリスタは、その機能上、ＩＣ等の発熱性デバイスの近傍に配置されるため、該発熱性デバイスからの熱が伝わり易い。換言すれば、積層バリスタに放熱機能を持たせれば、放熱専用の部品を設ける必要がなくなる。

また、バリスタ層の粒子径にバラツキがあると粒界が少ない部分に局部的に電流が流れて発熱を生じ、該発熱によってバリスタ層に局部的な破壊が生じて本来の機能が低下する。つまり、発熱が生じた場合でも該熱を効果的に放熱できれば本来の機能が低下することを防止できる。

本発明は前記事情に鑑みて創作されたもので、その目的とするところは、放熱能力に優れた積層バリスタ，積層バリスタの実装構造及びバリスタモジュールを提供することにある。

前記目的を達成するため、本発明に係る積層バリスタは、複数の第１導体層と複数の第２導体層がバリスタ層を介して交互に、且つ、対向して配された直方体形状の積層チップと、積層チップの１つの面に設けられ、第１導体層と導通する少なくとも１つの第１電極部と、積層チップの前記１つの面に第１電極部と非接触で設けられ、第２導体層と導通する少なくとも１つの第２電極部と、積層チップの前記１つの面とは異なる少なくとも１つの面に設けられ、第１導体層と第２導体層の少なくとも一方と導通する少なくとも１つの放熱導体部とを備える。

また、本発明に係る積層バリスタの実装構造は、複数の第１導体層と複数の第２導体層がバリスタ層を介して交互に、且つ、対向して配された直方体形状の積層チップと、積層チップの１つの面に設けられ、第１導体層と導通する少なくとも１つの第１電極部と、積層チップの前記１つの面に第１電極部と非接触で設けられ、第２導体層と導通する少なくとも１つの第２電極部と、積層チップの前記１つの面とは異なる少なくとも１つの面に設けられ、第１導体層と第２導体層の少なくとも一方と導通する少なくとも１つの放熱導体部とを備える少なくとも１つの積層バリスタを、積層バリスタの第１電極部が実装面上の第１のランドに接続し第２電極部が実装面上の第２のランドに接続するように基板に実装して成る。

前記の積層バリスタと積層バリスタの実装構造によれば、発熱性デバイスからの熱が各電極部を通じて各導体層に伝わると、また、バリスタ層に電流が流れるときに発熱が生じると、これら熱は第１導体層と第２導体層の少なくとも一方から放熱導体部に直接的に伝わって該放熱導体部から外部に放出されることになる。

一方、本発明に係るバリスタモジュールは、所定形状の導体板と、複数の第１導体層と複数の第２導体層がバリスタ層を介して交互に、且つ、対向して配された直方体形状の積層チップと、積層チップの１つの面に設けられ、第１導体層と導通する少なくとも１つの第１電極部と、積層チップの前記１つの面に第１電極部と非接触で設けられ、第２導体層と導通する少なくとも１つの第２電極部とを備える複数の積層バリスタとを具備し、各積層バリスタを各々の積層チップの前記１つの面とは異なる面が導体板と向き合い、且つ、第１導体層と第２導体層の少なくとも一方が導体板と導通するように導体板に所定配列で設けて構成されている。

前記のバリスタモジュールにあっては、導体板を利用して複数の積層バリスタを基板に一括で実装することができる。また、発熱性デバイスからの熱が各電極部を通じて各導体層に伝わると、また、バリスタ層に電流が流れるときに発熱が生じると、これら熱は第１導体層と第２導体層の少なくとも一方から放熱導体部に直接的に伝わって該放熱導体部から外部に放出されることになる。

本発明によれば、放熱能力に優れた積層バリスタ，積層バリスタの実装構造及びバリスタモジュールを提供できる。

本発明の前記目的とそれ以外の目的と、構成特徴と、作用効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなる。

以下、図面を参照して、本発明に係る積層バリスタ，積層バリスタの実装方法及びバリスタモジュールの実施形態を説明する。

図１〜図４は積層バリスタの第１実施形態を示す。

因みに、図１（Ａ）は積層バリスタの上面側から見た斜視図、図１（Ｂ）は積層バリスタの下面側から見た斜視図、図２（Ａ）は図１（Ａ）のｂ１−ｂ１線断面図、図２（Ｂ）は図１（Ａ）のｂ２−ｂ２線断面図、図３（Ａ）は図２（Ａ）のｂ３−ｂ３線断面図、図３（Ｂ）は図２（Ａ）のｂ４−ｂ４線断面図、図４（Ａ）は図１（Ａ）から第１電極部，第２電極部及び放熱導体部を除外した図、図４（Ｂ）は図１（Ｂ）から第１電極部，第２電極部及び放熱導体部を除外した図である。

この積層バリスタ１０は、直方体形状を成す積層チップ１１を備える。この積層チップ１１は、複数（図中は４つ）の第１導体層１３と複数（図中は５つ）の第２導体層１４がバリスタ層１２を介して交互に、且つ、横方向で対向するように配された構成を有する。

各第１導体層１３は第２導体層１４よりも一回り小さな長方形を成し、その下縁中央に所定幅の引出部１３ａを有している。各引出部１３ａの端縁は積層チップ１１の下面１１ａで露出している。この引出部１３ａは後述の第１電極部１５と接続可能であればその形状及び形成位置に特段の制限はない。また、各第１導体層１３の上縁は積層チップ１１の上面１１ｂから離れた内側位置にあり、各第１導体層１３の両側縁は積層チップ１１の導体層積層方向と直交する方向の２側面から離れた内側位置にある。

各第２導体層１４は積層チップ１１の導体層積層方向の側面とほぼ同じ長方形を成す。また、各第２導体層１４はその下縁中央に引出部１３ａの上下長さとほぼ同じ深さを有し、且つ、引出部１３ａよりも幅が大きな切欠部１４ａを有し、その両側に所定幅の引出部１４ｂを計２個有している。各引出部１４ｂの端縁は積層チップ１１の下面１１ａに引出部１３ａの端縁と非接触で露出している。この引出部１４ｂは後述の第２電極部１６と接続可能であればその形状及び形成位置に特段の制限はない。さらに、各第２導体層１４の上縁は積層チップ１１の上面１１ｂで露出しており、各第２導体層１４の両側縁は積層チップ１１の導体層積層方向と直交する方向の２側面で露出している。さらに、積層チップ１１の導体層積層方向の２側面には第２導体層１４がそれぞれ位置している。

積層チップ１１の下面１１ａには、同下面１１ａに露出している各第１導体層１３の引出部１３ａの端縁と接続する第１電極部１５が、引出部１３ａの露出幅とほぼ一致した幅で積層チップ１１の導体層積層方向に帯状に形成されている。

また、積層チップ１１の下面１１ａには、同下面１１ａに露出している各第２導体層１４の引出部１４ａの端縁と接続する２個の第２電極部１６が、引出部１４ａの露出幅とほぼ一致した幅で積層チップ１１の導体層積層方向に帯状に、且つ、第１電極部１５と非接触で形成されている。

さらに、積層チップ１１の上面１１ｂには、同上面１１ｂに露出している各第２導体層１４の上縁と接続する放熱導体部１７が、上面１１ｂの全体を覆うように形成されている。後述の製法説明から明かなように、この放熱導体部１７は導体被膜から成る。

前記の積層バリスタ１０は、積層チップ１１の下面１１ａに設けられた１個の第１電極部１５に各第１導体層１３の引出部１３ａの端縁が接続し、且つ、積層チップ１１の下面１１ａに設けられた２個の第２電極部１６に各第２導体層１４の引出部１４ａの端縁が接続しており、各第２導体層１４の上縁が積層チップ１１の上面１１ｂに設けられた放熱導体部１７に接続されているため、積層チップ１１の下面１１ａに設けられた第１電極部１５と第２電極部１６との間に所定の静電容量を得ることができる。

ここで、前記積層バリスタ１０の製造方法の一例を図５〜図９を引用して説明する。

製造に際しては、まず、図５に示すシートＳ１及びＳ２を用意する。シートＳ１は酸化亜鉛等の半導体セラミック粉末を含有したセラミックスラリーを所定厚さで塗工し乾燥して得たグリーンシート上に、銀やニッケル等の金属粉末を含有した導体ペーストをスクリーン等を用いて印刷し乾燥して第２導体層１４用の導体パターンＰ１を形成することによって作成されている。また、シートＳ２は酸化亜鉛等の半導体セラミック粉末を含有したセラミックスラリーを所定厚さで塗工し乾燥して得たグリーンシート上に、銀やニッケル等の金属粉末を含有した導体ペーストをスクリーン等を用いて印刷し乾燥して第１導体層１３用の導体パターンＰ２を形成することによって作成されている。

因みに、図面ではシートＳ１及びＳ２として図示の便宜上３２個取りのものを示してあるが、実際の取り数はこれよりも多い。

続いて、前記のシートＳ１及びＳ２を図５に示す順序で積層し圧着して、図６に示す積層シートＬＳ１を得る。

続いて、積層シートＬＳ１を図６にＬｘ及びＬｙで示すラインに沿って切断し、図７に示す積層チップＬＣ１を得る。

この積層チップＬＣ１は、第１導体層１３用の４つの未焼成導体層ＣＯＬ１と、第２導体層１４用の４つの未焼成導体層ＣＯＬ２が、未焼成バリスタ層ＣＥＬ１を介して交互に、且つ、横方向で対向するように配された構成を有している。各未焼成導体層ＣＯＬ１の引出部ＣＯＬ１ａの端縁は積層チップＬＣ１の下面ＬＣ１ａで露出している。また、各未焼成導体層ＣＯＬ２の引出部ＣＯＬ２ａの端縁は積層チップＬＣ１の下面ＬＣ１ａで露出しており、各未焼成導体層ＣＯＬ２の上縁は積層チップＬＣ１の上面ＬＣ１ｂで露出している。

続いて、図８に示すように、前記の積層チップＬＣ１の導体層積層方向の一側面（未焼成バリスタ層が露出している側面）に、前記同様の導体ペーストを未焼成導体層ＣＯＬ２と同一形状で塗布し乾燥して、残り１つの第２導体層１４用の未焼成導体層ＣＯＬ３を形成する。この未焼成導体層ＣＯＬ３は、未焼成導体層ＣＯＬ２と同じ形状で、その下縁中央に切欠部ＣＯＬ３ａを有し、その両側に引出部ＣＯＬ３ｂを有する。

続いて、図９に示すように、前記の積層チップＬＣ１の下面中央に前記同様の導体ペーストを帯状に塗布し乾燥して第１電極部１５用の未焼成電極部ＣＯＬ４を形成すると共に、積層チップＬＣ１の下面両側に前記同様の導体ペーストを帯状に塗布し乾燥して第２電極部１６用の未焼成電極部ＣＯＬ５を形成する。さらに、積層チップＬＣ１の上面全体に前記同様の導体ペーストを塗布し乾燥して放熱導体部１７用の未焼成導体部ＣＯＬ６を形成する。

続いて、図９に示した積層チップＬＣ１を多数個一括で焼成する。以上で積層バリスタ１０が製造される。

前述の製法では、図７に示した積層チップＬＣ１に、残り１つの第２導体層１４用の未焼成導体層ＣＯＬ３と、第１電極部１５用の未焼成電極部ＣＯＬ４と、第２電極部１６用の未焼成電極部ＣＯＬ５と、放熱導体部１７用の未焼成導体部ＣＯＬ６を形成してこれらを積層チップＬＣ１と同時焼成するものを示したが、図７に示した積層チップＬＣ１のみを焼成してからこの焼成後の積層チップＬＣ１に、未焼成導体層ＣＯＬ３と未焼成電極部ＣＯＬ４と未焼成電極部ＣＯＬ５と未焼成導体部ＣＯＬ６を順次形成して焼成処理を行うようにしても構わない。

また、前述の製法では、残り１つの第２導体層１４と第１電極部１５と第２電極部１６と放熱導体部１７をペースト塗布及び焼成による厚膜形成法によって形成するものを示したが、これらの少なくとも１つを電解メッキやスパッタリング等の薄膜形成法によって形成するようにしても構わない。

前記の積層バリスタ１０は、図１０に示すように、第１電極部１５と第２電極部１６にそれぞれ対応したランドＲ１及びＲ２を有する基板ＳＢに、積層チップ１１の下面１１ａが基板実装面と向き合い、且つ、１個の第１電極部１５がランドＲ１に接続し２個の第２電極部１６がランドＲ２に接続するように実装することができる。

因みに、図１０に示した基板ＳＢでは、ランドＲ１とＲ２の一方がプラス電極で他方がグランド電極となっていて、ランドＲ１への配線はスルーホールＳＨ１を通じて基板裏面に引き回され、他方となるランドＲ２の配線はスルーホールＳＨ２を通じて基板裏面に引き回されている。

前述の積層バリスタ１０と該積層バリスタ１０を基板ＳＢに実装したもの（実装構造）にあっては、近傍に配置されたＩＣ等の発熱性デバイスからの熱が基板ＳＢ及びランドＲ１，Ｒ２から第１電極部１５及び第２電極部１６を通じて各第１導体層１３及び各第２導体層１４に伝わると、また、バリスタ層１２に電流が流れるときに発熱が生じると、これら熱は各第２導体層１４から放熱導体部１７に直接的に、且つ、高効率に伝わって該放熱導体部１７から外部に効果的に放出される。

また、放熱導体部１７が積層チップ１１の上面全体を覆うように設けられているので、熱を外部に放出するための面積を十分に確保して、前記の熱放出をより効果的に行うことができる。

さらに、積層チップ１１の導体層積層方向の２側面に第２導体層１４がそれぞれ露出し、しかも、各第２導体層１４の両側縁が積層チップ１１の導体層積層方向と直交する方向の２側面で露出しているので、これらの露出部分に放熱導体部と同様の働きをさせて前記の熱放出作用を促進することができる。

尚、前述の積層バリスタ１０は導体被膜から成る放熱導体部１７を備えるが、図１１（Ａ）に示すように、アルミニウム等の高熱伝導性金属から成る導体板（ヒートシンク）ＲＰ１を導体被膜（１７）に接続したものを放熱導体部としてもよい。

この導体板には平板状のものの他、図１１（Ｂ）に示すような積層チップ１１の一部を受け入れる凹部ＲＰ２ａを有するもの（ＲＰ２）や、図１１（Ｃ）に示すような複数のフィンＲＰ３ａを有するもの（ＲＰ３）も使用できる。また、図１１（Ｄ）に示すように導体板ＲＰ１を各第２導体層１４の上縁と接続するように設ければ前記導体被膜（１７）を排除した構成（１０’）とすることもできる。

また、２以上の積層バリスタ１０を基板ＳＢ上に並べて実装する場合には、図１２に示すように、アルミニウム等の高熱伝導性金属から成る共用の導体板（ヒートシンク）ＲＰ１１を複数の積層バリスタ１０の導体被膜（１７）に接続してもよい。この共有の導体板ＲＰ１１には、基板ＳＢ上に並べて実装された２以上の積層バリスタ１０の配置形態に対応した形状のものが用いられる。

この共有の導体板には平板状のものの他、図１３に示すような積層チップ１１の一部を受け入れる複数の凹部ＲＰ１２ａを有するもの（ＲＰ１２）や、図１４に示すような複数のフィンＲＰ１３ａを有するもの（ＲＰ１３）も使用できる。さらに、図１５に示すように導体板ＲＰ１１を複数の積層バリスタ１０の各第２導体層１４の上縁と接続するように設ければ前記導体被膜（１７）を排除した構成の積層バリスタ１０’を用いることもできる。

さらに、２以上の積層バリスタ１０を基板上に並べて実装するときには、図１６に示すようなバリスタモジュールを予め作成しておけば基板に対する実装を簡単に行うことができる。

図１６に示したバリスタモジュールは、アルミニウム等の高熱伝導性金属から成る導体板（ヒートシンク）ＲＰ２１の一面に、複数の積層バリスタ１０を各々の導体被膜（１７）が接続するように所定配列で設けて構成されている。依って、基板への実装時には、導体板ＲＰ２１を利用して複数の積層バリスタ１０を基板に一括で実装することができる。実装後における熱放出作用については先に説明した通りである。

この導体板には平板状のものの他、図１７に示すような積層チップ１１の一部を受け入れる複数の凹部ＲＰ２２ａを所定配列で有するもの（ＲＰ２２）や、図１８に示すような複数のフィンＲＰ２３ａを反対側の面に有するもの（ＲＰ２３）も使用できる。また、図１９に示すように複数の積層バリスタ１０をその各第２導体層１４の上縁が導体板ＲＰ２１の一面と接続するように設ければ前記導体被膜（１７）を排除した構成の積層バリスタ１０’を用いることもできる。

さらに、前述の積層バリスタ１０は各第２導体層１４の上縁を積層チップ１１の上面１１ｂで露出させてこれを放熱導体部１７に接続しているが、図２０に示すように、各第２導体層１４’の上縁を積層チップ１１の上面１１ｂから離れた内側に位置させ、且つ、各第１導体層１３’の上縁を積層チップ１１の上面１１ｂで露出させてこれを放熱導体部１７に接続しても、前記同様の放熱効果を得ることができる。

以下に、図１〜図４に示した積層バリスタ１０と代替可能な積層バリスタの他の実施形態を図２１〜図４０を引用して説明する。

図２１は積層バリスタの第２実施形態を示す。

因みに、図２１中の符号２０は積層バリスタ、２１は積層チップ、２１ａは積層チップの下面、２１ｂは積層チップの上面、２２はバリスタ層、２３は第１導体層、２３ａは引出部、２４は第２導体層、２４ａは引出部、２５は第１電極部、２６は第２電極部、２７は放熱導体部である。

この積層バリスタ２０が前記積層バリスタ１０と異なるところは、第１電極部２５と第２電極部２６を各々１個ずつとし、各導体層２３，２４の引出部２３ａ，２４ａをそれぞれ１個とした点にある。

この積層バリスタ２０によれば、各第２導体層２４の熱を直接的に、且つ、高効率で放熱導体部２７に伝えることにより、前記積層バリスタ１０と同様の放熱効果を得ることができる。

図２２（Ａ）は積層バリスタの第３実施形態を示す。

因みに、図２２（Ａ）中の符号３０は積層バリスタ、３１は積層チップ、３１ａは積層チップの下面、３１ｂは積層チップの上面、３２はバリスタ層、３３は第１導体層、３４は第２導体層、３５は第１電極部、３６は第２電極部、３７は放熱導体部である。

この積層バリスタ３０が前記積層バリスタ１０と異なるところは、積層チップ３１の導体層積層方向の一方の側面に位置する第２導体層を排除して該一方の側面にバリスタ層３２を露出させた点にある。

この積層バリスタ３０によれば、各第２導体層３４の熱を直接的に、且つ、高効率で放熱導体部３７に伝えることにより、前記積層バリスタ１０と同様の放熱効果を得ることができる。

また、この積層バリスタ３０にあっては、積層チップ３１の導体層積層方向の一方の側面にバリスタ層３２が露出するので、図２２（Ｂ）に示すように導体被膜から成る放熱導体部３７に一方の側面に回り込む部分３７ａを連続して設けることができ、これにより、放熱導体部３７の放熱面積を拡大して熱放出をより効果的に行うことができる。この場合には、放熱導体部３７の回り込み部分３７ａに前記の導体板（ヒートシンク）を接続することも可能である。

図２３（Ａ）は積層バリスタの第４実施形態を示す。

因みに、図２３（Ａ）中の符号４０は積層バリスタ、４１は積層チップ、４１ａは積層チップの下面、４１ｂは積層チップの上面、４２はバリスタ層、４３は第１導体層、４４は第２導体層、４５は第１電極部、４６は第２電極部、４７は放熱導体部である。

この積層バリスタ４０が前記積層バリスタ１０と異なるところは、積層チップ４１の導体層積層方向の両方の側面に位置する第２導体層を排除して該両側面にバリスタ層４２を露出させた点にある。

この積層バリスタ４０によれば、各第２導体層４４の熱を直接的に、且つ、高効率で放熱導体部４７に伝えることにより、前記積層バリスタ１０と同様の放熱効果を得ることができる。

また、この積層バリスタ４０にあっては、積層チップ４１の導体層積層方向の両方の側面にバリスタ層４２が露出するので、図２３（Ｂ）に示すように導体被膜から成る放熱導体部４７に両方の側面に回り込む部分４７ａを連続して設けることができ、これにより、放熱導体部４７の放熱面積を拡大して熱放出をより効果的に行うことができる。この場合には、放熱導体部４７の回り込み部分４７ａの少なくとも一方に前記の導体板（ヒートシンク）を接続することも可能である。

さらに、この積層バリスタ４０にあっては、積層チップ４１の導体層積層方向の両方の側面にバリスタ層４２が露出するので、図２３（Ｃ）に示すように第１電極部４５と第２電極部４６のそれぞれに両方向に側面に回り込む部分４５ａ，４６ａを設けることができ、これにより、積層バリスタ４０を半田等の接合材を用いて基板に実装する際の接合材の付着面積を拡大して接続強度を向上させることができる。

図２４（Ａ）は積層バリスタの第５実施形態を示す。

因みに、図２４（Ａ）中の符号５０は積層バリスタ、５１は積層チップ、５１ａは積層チップの下面、５１ｂは積層チップの上面、５２はバリスタ層、５３は第１導体層、５３ａは引出部、５４は第２導体層、５４ａは切欠部、５４ｂは引出部、５５は第１電極部、５６は第２電極部、５７は放熱導体部である。

この積層バリスタ５０が前記積層バリスタ１０と異なるところは、積層チップ５１の上面から放熱導体部を排除し、積層チップ５１の導体層積層方向と直交する方向の２側面に導体被膜から成る放熱導体部５７を側面全体を覆うようにそれぞれ形成して第２導体層５４の側縁に接続した点と、各放熱導体部５７の下縁を第２電極部５６に接続した点にある。

この積層バリスタ５０によれば、各第２導体層５４の熱を直接的に、且つ、高効率で放熱導体部５７に伝えることにより、前記積層バリスタ１０と同様の放熱効果を得ることができる。

また、このセラミックバリスタ５０にあっては、図２４（Ｂ）に示すように、各第２導体層５４’の上縁を積層チップ５１の上面５１ｂから離れた内側に位置させても同様の放熱効果を得ることができる。

さらに、このセラミックバリスタ５０にあっては、図２４（Ｃ）に示すように、各放熱導体部５７’をその下縁が第２電極部５６と接続しないように設けても同様の放熱効果を得ることができる。

さらに、図２４（Ｃ）に示すような放熱導体部５７’の形態を採用する場合には、図２４（Ｄ）に示すように、第１導体層５３’の一方の側縁を積層チップ１１の導体層積層方向と直交する方向の一方の側面から露出させて一方の放熱導体部５７’に接続し、且つ、第２導体層５４’の一方の側縁を積層チップ１１の導体層積層方向と直交する方向の他方の側面のみで露出させて他方の放熱導体部５７’に接続してもよい。このようにすれば、各第１導体層５３’の熱を直接的に、且つ、高効率で一方の放熱導体部５７’に伝え、各第２導体層５４’の熱を直接的に、且つ、高効率で他方の放熱導体部５７’に伝えることができ、バリスタ自体の熱をより一層効果的に外部に放出することができる。

この第５実施形態の積層バリスタ５０にあっては放熱導体部５７，５７’の少なくとも一方に前記の導体板（ヒートシンク）を接続することも可能である。

図２５（Ａ）及び図２５（Ｂ）は積層バリスタの第６実施形態を示す。

因みに、図２５（Ａ）及び図２５（Ｂ）中の符号６０は積層バリスタ、６１は積層チップ、６１ａは積層チップの下面、６１ｂは積層チップの上面、６２はバリスタ層、６３は第１導体層、６３ａは引出部、６４は第２導体層、６４ａは切欠部、６４ｂは引出部、６５は第１電極部、６６は第２電極部、６７は放熱導体部である。

この積層バリスタ６０が前記積層バリスタ１０と異なるところは、積層チップ６１の導体層積層方向の２側面に位置する第２導体層を排除して両側面にバリスタ層６２を露出させた点と、各第２導体層６４の両側縁が積層チップ６１の導体層積層方向と直交する方向の２側面から離れた内側位置にある点にある。

この積層バリスタ６０によれば、各第２導体層６４の熱を直接的に、且つ、高効率で放熱導体部６７に伝えることにより、前記積層バリスタ１０と同様の放熱効果を得ることができる。

また、この積層バリスタ６０にあっては、積層チップ６１の導体層積層方向の両方の側面と導体層積層方向と直交する方向の両方の側面にバリスタ層４２が露出するので、図２５（Ｃ）に示すように導体被膜から成る放熱導体部６７に４つの側面に回り込む部分６７ａを連続して設けたり、図２５（Ｄ）に示すように導体被膜から成る放熱導体部６７に２つまたは３つの側面に回り込む部分６７ａを連続して設けたり、図２５（Ｅ）に示すように導体被膜から成る放熱導体部６７に１つの側面に回り込む部分６７ａを連続して設けることができ、これにより、放熱導体部６７の放熱面積を拡大して熱放出をより効果的に行うことができる。

さらに、図２５（Ｅ）に示すような放熱導体部６７の形態を採用する場合には、図２５（Ｆ）に示すように、第１電極部６５と第２電極部６６のそれぞれに回り込み部分６７ａが存しない側面に大きく回り込む部分６５ａ，６６ａを設け、且つ、放熱導体部６７’の上面部分を回り込み部分６７ａが存しない側面から離反させることにより、第１電極部６５と第２電極部６６の回り込み部分６５ａ，６６ａが基板実装面と向き合うような横向き姿勢で実装可能な積層バリスタを構成することもできる。

この第６実施形態の積層バリスタ６０にあっては 図２３（Ｃ）で説明したような回り込み部分を各電極部に設けることで、基板実装時における接続強度を向上させることも可能である。また、放熱導体部６７，６７’の回り込み部分６７ａに前記の導体板（ヒートシンク）を接続することも可能である。

図２６（Ａ）及び図２６（Ｂ）は積層バリスタの第７実施形態を示す。

因みに、図２６（Ａ）及び図２６（Ｂ）中の符号７０は積層バリスタ、７１は積層チップ、７１ａは積層チップの下面、７１ｂは積層チップの上面、７２はバリスタ層、７３は第１導体層、７３ａは引出部、７４は第２導体層、７４ａは切欠部、７４ｂは引出部、７５は第１電極部、７６は第２電極部、７７は放熱導体部である。

この積層バリスタ７０が前記積層バリスタ１０と異なるところは、積層チップ７１の導体層積層方向の２側面に位置する第２導体層を排除して両側面にバリスタ層７２を露出させた点と、積層チップ７１の導体層積層方向の２側面の全体（切欠部７７ａを除く）を覆うように導体被膜から成る放熱導体部７７をそれぞれ形成した点と、放熱導体部７７の下縁を第２電極部７６に接続した点と、各第２導体層７４の上縁が積層チップ７１の上面から離れた内側位置にあり、且つ、各第２導体層６４の両側縁が積層チップ６１の導体層積層方向と直交する方向の２側面から離れた内側位置にある点にある。

この積層バリスタ７０によれば、各第２導体層７４の熱を第２電極部７６を介して直接的に、且つ、高効率で放熱導体部７７に伝えることにより、前記積層バリスタ１０と同様の放熱効果を得ることができる。

また、前記の放熱導体部７７は、図２６（Ｃ）に示すように積層チップ７１の導体層積層方向の１側面のみに設けられていてもよく、図２６（Ｄ）に示すように積層チップ７１の導体層積層方向の２側面と導体層積層方向と直交する方向の１側面に設けられていてもよく、図２６（Ｅ）に示すように積層チップ７１の導体層積層方向の２側面と導体層積層方向と直交する方向の２側面に設けられていてもよい。

この第７実施形態の積層バリスタ７０にあっては放熱導体部７７の少なくとも１側面に前記の導体板（ヒートシンク）を接続することも可能である。

図２７（Ａ）及び図２７（Ｂ）は積層バリスタの第８実施形態を示す。

因みに、図２７（Ａ）及び図２７（Ｂ）中の符号８０は積層バリスタ、８１は積層チップ、８１ａは積層チップの下面、８１ｂは積層チップの上面、８２はバリスタ層、８３は第１導体層、８３ａは引出部、８４は第２導体層、８４ａは切欠部、８４ｂは引出部、８５は第１電極部、８６は第２電極部、８７は放熱導体部である。 この積層バリスタ８０が前記積層バリスタ１０と異なるところは、積層チップ８１の導体層積層方向の２側面に位置する第２導体層を排除して両側面にバリスタ層８２を露出させた点と、積層チップ８１の上面８１ｂの全体と導体層積層方向と直交する２側面の全体を覆うように導体被膜から成る放熱導体部８７を形成した点と、放熱導体部８７の側面部分を第２導体層８４の側縁に接続すると共に側面部分の下縁を第２電極部８６に接続した点にある。

この積層バリスタ８０によれば、各第２導体層８４の熱を直接的に、且つ、高効率で放熱導体部８７に伝えることにより、前記積層バリスタ１０と同様の放熱効果を得ることができる。

また、この積層バリスタ８０にあっては、図２７（Ｃ）に示すように、放熱導体部８７’をその側面部分の下縁が第２電極部５６と接続しないように設けても同様の放熱効果を得ることができる。

さらに、この積層バリスタ８０にあっては、放熱導体部８７の側面部分の下縁が第２電極部８６に接続されているので、図２７（Ｄ）に示すように、各第２導体層８４’の上縁を積層チップ８１の上面８１ｂから離れた内側に位置させ、且つ、各第２導体層８４’の引出電極を排除しても同様の放熱効果を得ることができる。この場合の各第２電極部８６と各第２導体層８４’との導通は放熱導体部８７の側面部分を介して行うことができる。

さらに、この積層バリスタ８０にあっては、放熱導体部８７の側面部分の下縁が第２電極部８６に接続されているので、図２７（Ｅ）に示すように、各第２導体層８４”の側縁を積層チップ８１の積層方向と直交する方向の２側面から離れた内側に位置させ、且つ、各第２導体層８４”の引出電極を排除しても同様の放熱効果を得ることができる。この場合の各第２電極部８６と各第２導体層８４”との導通は放熱導体部８７の上面部分及び側面部分を介して行うことができる。

この第８実施形態の積層バリスタ８０にあっては放熱導体部８７，８７’の少なくとも１側面に前記の導体板（ヒートシンク）を接続することも可能である。

図２８（Ａ）〜図２８（Ｃ）は積層バリスタの第９実施形態を示す。

因みに、図２８（Ａ）〜図２８（Ｃ）中の符号９０は積層バリスタ、９１は積層チップ、９１ａは積層チップの下面、９１ｂは積層チップの上面、９２はバリスタ層、９３は第１導体層、９３ａは引出部、９４は第２導体層、９４ａは切欠部、９４ｂは引出部、９５は第１電極部、９６は第２電極部、９７は放熱導体部である。

この積層バリスタ９０が前記積層バリスタ１０と異なるところは、積層チップ９１の導体層積層方向の２側面に位置する第２導体層を排除して両側面にバリスタ層９２を露出させた点と、積層チップ９１の上面９１ｂの全体と導体層積層方向の２側面の全体（切欠部９７ａを除く）を覆うようにして導体被膜から成る放熱導体部９７を形成した点と、放熱導体部９７の側面部分の下縁を第２電極部９６に接続した点と、各第２導体層９４の両側縁が積層チップ９１の導体層積層方向と直交する方向の２側面から離れた内側位置にある点にある。

この積層バリスタ９０によれば、各第２導体層９４の熱を直接的に、且つ、高効率で放熱導体部９７に伝えることにより、前記積層バリスタ１０と同様の放熱効果を得ることができる。

また、この積層バリスタ９０にあっては、放熱導体部９７の側面部分の下縁が第２電極部８６に接続されているので、図２８（Ｄ）に示すように、各第２導体層９４’の上縁を積層チップ９１の上面９１ｂから離れた内側に位置させても、各第２導体層９４’の熱を第２電極部９６を介して放熱導体部９７に伝えて同様の放熱効果を得ることができる。

さらに、この積層バリスタ９０にあっては、放熱導体部９７の側面部分の下縁が第２電極部９６に接続されているので、図２８（Ｅ）に示すように、放熱電極部９７の側面部分の一方に切欠部９７ａを大きく形成し、この切欠部９７ａの内側に第１電極部９５からの回り込み部分９５ａを設ければ、第１電極部９５の回り込み部分９５ａが基板実装面と向き合うような横向き姿勢で実装可能な積層バリスタを構成することもできる。

この第９実施形態の積層バリスタ９０にあっては放熱導体部９７，９７’の少なくとも１側面に前記の導体板（ヒートシンク）を接続することも可能である。

図２９（Ａ）〜図２９（Ｃ）は積層バリスタの第１０実施形態を示す。

因みに、図２９（Ａ）〜図２９（Ｃ）中の符号１００は積層バリスタ、１０１は積層チップ、１０１ａは積層チップの下面、１０１ｂは積層チップの上面、１０２はバリスタ層、１０３は第１導体層、１０３ａは引出部、１０４は第２導体層、１０４ａは切欠部、１０４ｂは引出部、１０５は第１電極部、１０６は第２電極部、１０７は放熱導体部である。

この積層バリスタ１００が前記積層バリスタ１０と異なるところは、積層チップ１０１の導体層積層方向の２側面に位置する第２導体層を排除して両側面にバリスタ層１０２を露出させた点と、積層チップ１０１の上面１０１ｂの全体と導体層積層方向の２側面の全体（切欠部１０７ａを除く）と導体層積層方向と直交する方向の２側面の全体を覆うようにして導体被膜から成る放熱導体部１０７を形成した点と、放熱導体部１０７の側面部分の下縁を第２電極部１０６に接続した点にある。

この積層バリスタ１００によれば、各第２導体層１０４の熱を直接的に、且つ、高効率で放熱導体部１０７に伝えることにより、前記積層バリスタ１０と同様の放熱効果を得ることができる。

また、この積層バリスタ１００にあっては、放熱導体部１０７の側面部分の下縁が第２電極部８６に接続されているので、図２９（Ｄ）に示すように、放熱電極部１０７の側面部分の一方に切欠部１０７ａを大きく形成し、この切欠部１０７ａの内側に第１電極部１０５からの回り込み部分１０５ａを設ければ、第１電極部１０５の回り込み部分１０５ａが基板実装面と向き合うような横向き姿勢で実装可能な積層バリスタを構成することもできる。

この第１０実施形態の積層バリスタ１００にあっては放熱導体部１０７，１０７’の少なくとも１側面に前記の導体板（ヒートシンク）を接続することも可能である。

図３０〜図３２は積層バリスタの第１１実施形態を示す。この積層バリスタ２００は、図１〜図４に示した積層バリスタ１０の電極部の数を増加したものであり、基本構成は図１〜図４に示した積層バリスタ１０と変わりない。

因みに、図３０（Ａ）は積層バリスタの上面側から見た斜視図、図３０（Ｂ）は積層バリスタの下面側から見た斜視図、図３１（Ａ）は図３０（Ａ）のｃ１−ｃ１線断面図、図３１（Ｂ）は図３０（Ａ）のｃ２−ｃ２線断面図、図３２（Ａ）は図３１（Ａ）のｃ３−ｃ３線断面図、図３２（Ｂ）は図３１（Ａ）のｃ４−ｃ４線断面図である。

この積層バリスタ２００は、直方体形状を成す積層チップ２０１を備える。この積層チップ２０１は、複数（図中は４つ）の第１導体層２０３と複数（図中は５つ）の第２導体層２０４がバリスタ層２０２を介して交互に、且つ、横方向で対向して配された構成を有する。

各第１導体層２０３は第２導体層２０４よりも一回り小さな横長長方形を成し、その下縁に所定幅の３個の引出部２０３ａを等間隔で有している。各引出部２０３ａの端縁は積層チップ２０１の下面２０１ａで露出している。この引出部２０３ａは後述の第１電極部２０５と接続可能であればその形状及び形成位置に特段の制限はない。また、各第１導体層２０３の上縁は積層チップ２０１の上面２０１ｂから離れた内側位置にあり、各第１導体層２０３の両側縁は積層チップ２０１の導体層積層方向と直交する方向の２側面から離れた内側位置にある。

各第２導体層２０４は積層チップ２０１の導体層積層方向の側面とほぼ同じ長方形を成す。また、各第２導体層２０４はその下縁に引出部２０３ａの上下長さと同じ深さを有し、且つ、引出部２０３ａよりも幅が大きな３個の切欠部２０４ａを等間隔で有し、切欠部２０４ａを挟むようにして所定幅の引出部２０４ｂを計４個有している。各引出部２０４ｂの端縁は積層チップ２０１の下面２０１ａに引出部２０３ａの端縁と非接触で露出している。この引出部２０４ｂは後述の第２電極部２０６と接続可能であればその形状及び形成位置に特段の制限はない。さらに、各第２導体層２０４の上縁は積層チップ２０１の上面２０１ｂで露出しており、各第２導体層２０４の両側縁は積層チップ２０１の導体層積層方向と直交する方向の２側面で露出している。さらに、積層チップ２０１の導体層積層方向の２側面には第２導体層２４がそれぞれ位置している。

積層チップ２０１の下面２０１ａには、同下面２０１ａに露出している各第１導体層２０３の引出部２０３ａの端縁と接続する３個の第１電極部２０５が、引出部２０３ａの露出幅とほぼ一致した幅で積層チップ２０１の導体層積層方向に帯状に形成されている。

また、積層チップ２０１の下面２０１ａには、同下面２０１ａに露出している各第２導体層２０４の引出部２０４ａの端縁と接続する４個の第２電極部２０６が、引出部２０４ａの露出幅とほぼ一致した幅で積層チップ２０１の導体層積層方向に帯状に、且つ、第１電極部２０５と非接触で形成されている。

さらに、積層チップ２０１の上面２０１ｂには、同上面２０１ｂに露出している各第２導体層２０４の上縁と接続する放熱導体部２０７が、上面２０１ｂの全体を覆うように形成されている。後述の製法説明から明かなように、この放熱導体部２０７は導体被膜から成る。

前記の積層バリスタ２００は、積層チップ２０１の下面２０１ａに設けられた３個の第１電極部２０５に各第１導体層２０３の引出部２０３ａの端縁が接続し、且つ、積層チップ２０１の下面２０１ａに設けられた４個の第２電極部２０６に各第２導体層２０４の引出部２０４ａの端縁が接続しており、各第２導体層２０４の上縁が積層チップ２０１の上面２０１ｂに設けられた放熱導体部２０７に接続されているため、積層チップ２０１の下面２０１ａに設けられた第１電極部２０５と第２電極部２０６との間に所定の静電容量を得ることができる。

ここで、前記積層バリスタ２００の製造方法の一例を図３３〜図３７を引用して説明する。

製造に際しては、まず、図３３に示すシートＳ１１及びＳ１２を用意する。シートＳ１１は酸化亜鉛等の半導体セラミック粉末を含有したセラミックスラリーを所定厚さで塗工し乾燥して得たグリーンシート上に、銀やニッケル等の金属粉末を含有した導体ペーストをスクリーン等を用いて印刷し乾燥して第２導体層２０４用の導体パターンＰ１１を形成することによって作成されている。また、シートＳ１２は酸化亜鉛等の半導体セラミック粉末を含有したセラミックスラリーを所定厚さで塗工し乾燥して得たグリーンシート上に、銀やニッケル等の金属粉末を含有した導体ペーストをスクリーン等を用いて印刷し乾燥して第１導体層２０３用の導体パターンＰ１２を形成することによって作成されている。

因みに、図面ではシートＳ１１及びＳ１２として図示の便宜上８個取りのものを示してあるが、実際の取り数はこれよりも多い。

続いて、前記のシートＳ１１及びＳ１２を図３３に示す順序で積層し圧着して、図３４に示す積層シートＬＳ２を得る。

続いて、積層シートＬＳ２を図３４にＬｘ及びＬｙで示すラインに沿って切断し、図３５に示す積層チップＬＣ１１を得る。

この積層チップＬＣ１１は、第１導体層２０３用の４つの未焼成導体層ＣＯＬ１１と、第２導体層２０４用の４つの未焼成導体層ＣＯＬ１２が、未焼成バリスタ層ＣＥＬ１１を介して交互に、且つ、横方向で対向するように配された構成を有している。各未焼成導体層ＣＯＬ１１の引出部ＣＯＬ１１ａの端縁は積層チップＬＣ１１の下面ＬＣ１１ａで露出している。また、各未焼成導体層ＣＯＬ１２の引出部ＣＯＬ１２ａの端縁は積層チップＬＣ１１の下面ＬＣ１１ａで露出しており、各未焼成導体層ＣＯＬ１２の上縁は積層チップＬＣ１１の上面ＬＣ１１ｂで露出している。

続いて、図３６に示すように、前記の積層チップＬＣ１１の導体層積層方向の一側面（未焼成バリスタ層が露出している側面）に、前記同様の導体ペーストを未焼成導体層ＣＯＬ１２と同一形状で塗布し乾燥して、残り１つの第２導体層２０４用の未焼成導体層ＣＯＬ１３を形成する。この未焼成導体層ＣＯＬ１３は、未焼成導体層ＣＯＬ１２と同じ形状で、その下縁に３個の切欠部ＣＯＬ１３ａを等間隔で有し、切欠部ＣＯＬ３ａを挟むようにして４個の引出部ＣＯＬ１３ｂを等間隔で有する。

続いて、図３７に示すように、前記の積層チップＬＣ１１の下面に前記同様の導体ペーストを帯状に塗布し乾燥して第１電極部２０５用の未焼成電極部ＣＯＬ１４を３個形成すると共に、積層チップＬＣ１１の下面に前記同様の導体ペーストを帯状に塗布し乾燥して第２電極部２０６用の未焼成電極部ＣＯＬ１５を４個形成する。さらに、積層チップＬＣ１１の上面全体に前記同様の導体ペーストを塗布し乾燥して放熱導体部２０７用の未焼成導体層ＣＯＬ１６を形成する。

続いて、図３７に示した積層チップＬＣ１１を多数個一括で焼成する。以上で積層バリスタ２００が製造される。

前述の製法では、図３５に示した積層チップＬＣ１１に、残り１つの第２導体層２０４用の未焼成導体層ＣＯＬ１３と、第１電極部２０５用の未焼成電極部ＣＯＬ１４と、第２電極部２０６用の未焼成電極部ＣＯＬ１５と、放熱導体部２０７用の未焼成導体部ＣＯＬ１６を形成してこれらを積層チップＬＣ１１と同時焼成するものを例示したが、図３５に示した積層チップＬＣ１１のみを焼成してからこの焼成後の積層チップＬＣ１１に、未焼成導体層ＣＯＬ１３と未焼成電極部ＣＯＬ１４と未焼成電極部ＣＯＬ１５と未焼成導体層ＣＯＬ１６を順次形成して焼成処理を行うようにしても構わない。

また、前述の製法では、残り１つの第２導体層２０４と第１電極部２０５と第２電極部２０６と放熱導体部２０７をペースト塗布及び焼成による厚膜形成法によって形成するものを示したが、これらの少なくとも１つを電解メッキやスパッタリング等の薄膜形成法によって形成するようにしても構わない。

前記の積層バリスタ２００は、図３８に示すように、第１電極部２０５と第２電極部２０６にそれぞれ対応したランドＲ１１ａ〜Ｒ１１ｃ及びＲ１２を有する基板ＳＢに、積層チップ２０１の下面が基板実装面と向き合い、且つ、３個の第１電極部２０５がランドＲ１１ａ〜Ｒ１１ｃに接続し４個の第２電極部２０６がランドＲ１２に接続するように実装される。

因みに、図３８に示した基板ＳＢでは、ランドＲ１１ａ〜Ｒ１１ｃとＲ１２の一方がプラス電極で他方がグランド電極となっていて、ランドＲ１１ａ〜Ｒ１１ｃへの配線はスルーホールＳＨ１１ａ〜ＳＨ１１ｃを通じて基板裏面に引き回され、他方となるランドＲ１２の配線はスルーホールＳＨ１２を通じて基板裏面に引き回されている。

前述の積層バリスタ２００と該積層バリスタ２００を基板ＳＢに実装したもの（実装構造）にあっては、近傍に配置されたＩＣ等の発熱性デバイスからの熱が基板ＳＢ及びランドＲ１１ａ〜Ｒ１１ｃ，Ｒ１２から第１電極部２１５及び第２電極部２１６を通じて各第１導体層１３及び各第２導体層１４に伝わると、また、バリスタ層２０２に電流が流れるときに発熱が生じると、これら熱は各第２導体層２０４から放熱導体部２０７に直接的に、且つ、高効率で伝わって該放熱導体部２０７から外部に効果的に放出される。

また、放熱導体部２０７が積層チップ２０１の上面全体を覆うように設けられているので、熱を外部に放出するための面積を十分に確保して、前記の熱放出をより効果的に行うことができる。

さらに、積層チップ２０１の導体層積層方向の２側面に第２導体層２０４がそれぞれ露出しており、しかも、各第２導体層２０４の両側縁が積層チップ２０１の導体層積層方向と直交する方向の２側面で露出しているので、これらの露出部分に放熱導体部と同様の働きをさせて前記の熱放出作用を促進することができる。

尚、前述の積層バリスタ２００は導体被膜から成る放熱導体部１０７を備えるが、図１１（Ａ）で説明したように、アルミニウム等の高熱伝導性金属から成る導体板（ヒートシンク）を導体被膜（２０７）に接続したものを放熱導体部としてもよい。

この導体板には平板状のものの他、図１１（Ｂ）で説明したような積層チップ１１の一部を受け入れる凹部を有するものや、図１１（Ｃ）で説明したような複数のフィンを有するものも使用できる。また、図１１（Ｄ）に説明したように導体板を各第２導体層２０４の上縁と接続するように設ければ前記導体被膜（２０７）を排除した構成とすることもできる。

また、２以上の積層バリスタ２００を基板上に並べて実装する場合には、図１２で説明したように、アルミニウム等の高熱伝導性金属から成る共用の導体板（ヒートシンク）を複数の積層バリスタ２００の導体被膜（２０７）に接続してもよい。この共有の導体板には、基板上に並べて実装された２以上の積層バリスタ２００の配置形態に対応した形状のものが用いられる。

この共有の導体板には平板状のものの他、図１３で説明したような積層チップ２０１の一部を受け入れる複数の凹部を有するものや、図１４で説明したような複数のフィンを有するものも使用できる。さらに、図１５で説明したように導体板を複数の積層バリスタ２００の各第２導体層２０４の上縁と接続するように設ければ前記導体被膜（２０７）を排除した構成の積層バリスタを用いることもできる。

さらに、２以上の積層バリスタ２００を基板上に並べて実装するときには、図１６で説明したようなバリスタモジュール、即ち、アルミニウム等の高熱伝導性金属から成る導体板（ヒートシンク）の一面に、複数の積層バリスタ２００を各々の導体被膜（２０７）が接続するように所定配列で設けて構成されたモジュールを予め作成しておけば基板に対する実装を簡単に行うことができる。実装後における熱放出作用については先に説明した通りである。

この導体板には平板状のものの他、図１７で説明したような積層チップ２０１の一部を受け入れる複数の凹部を所定配列で有するものや、図１８で説明したような複数のフィンを反対側の面に有するものも使用できる。また、図１９で説明したように複数の積層バリスタ２００をその各第２導体層２０４の上縁が導体板の一面と接続するように設ければ前記導体被膜（２０７）を排除した構成の積層バリスタを用いることもできる。

さらに、前述の積層バリスタ２００は各第２導体層２０４の上縁を積層チップ２０１の上面２０１ｂで露出させてこれを放熱導体部２０７に接続しているが、図３９に示すように、各第２導体層２０４’の上縁を積層チップ２０１の上面２０１ｂから離れた内側に位置させ、且つ、各第１導体層２１３’の上縁を積層チップ２０１の上面２０１ｂで露出されてこれを放熱導体部２０７に接続しても、前記同様の放熱効果を得ることができる。

さらに、前述の積層バリスタ２００は第１電極部２０５の数と第２電極部２１６の数とが異なるが、図４０に示す積層バリスタ２１０のように同数（２個）の第１電極部２１５と第２電極部２１６を有するものであってもよい。

この他、前記の積層バリスタ２００には、図１〜図４に示した積層バリスタ１０と同様に、図２２〜図２９を引用して説明した積層バリスタの第３実施形態〜第１０実施形態の構造を適宜採用することができる。

積層バリスタの第１実施形態を示す積層バリスタの上面側から見た斜視図と下面側から見た斜視図である。 図１（Ａ）のｂ１−ｂ１線断面図とｂ２−ｂ２線断面図である。 図２（Ａ）のｂ３−ｂ３線断面図とｂ４−ｂ４線断面図である。 図１（Ａ）から第１電極部，第２電極部及び放熱導体部を除外した図と図１（Ｂ）から第１電極部，第２電極部及び放熱導体部を除外した図である。 図１に示した積層バリスタの製法説明図である。 図１に示した積層バリスタの製法説明図である。 図１に示した積層バリスタの製法説明図である。 図１に示した積層バリスタの製法説明図である。 図１に示した積層バリスタの製法説明図である。 図１に示した積層バリスタの実装法説明図である。 放熱導体部の変形例を示す縦断面図である。 ２以上の積層バリスタを基板上に並べて実装する場合における放熱導体部の変形例を示す縦断面図である。 ２以上の積層バリスタを基板上に並べて実装する場合における放熱導体部の他の変形例を示す縦断面図である。 ２以上の積層バリスタを基板上に並べて実装する場合における放熱導体部のさらに他の変形例を示す縦断面図である。 ２以上の積層バリスタを基板上に並べて実装する場合における放熱導体部のさらに他の変形例を示す縦断面図である。 バリスタモジュールを示す斜視図である。 図１６に示したバリスタモジュールの変形例を示す斜視図である。 図１６に示したバリスタモジュールの他の変形例を示す斜視図である。 図１６に示したバリスタモジュールのさらに他の変形例を示す斜視図である。 図１に示した積層バリスタの変形例を示す縦断面図である。 積層バリスタの第２実施形態を示す積層バリスタの縦断面図である。 積層バリスタの第３実施形態を示す積層バリスタの斜視図とその変形例を示す斜視図である。 積層バリスタの第４実施形態を示す積層バリスタの斜視図とその変形例を示す斜視図である。 積層バリスタの第５実施形態を示す積層バリスタの縦断面図とその変形例を示す縦断面図である。 積層バリスタの第６実施形態を示す積層バリスタの斜視図及び縦断面図とその変形例を示す斜視図である。 積層バリスタの第７実施形態を示す積層バリスタの斜視図及び縦断面図とその変形例を示す斜視図である。 積層バリスタの第８実施形態を示す積層バリスタの斜視図及び縦断面図とその変形例を示す縦断面図である。 積層バリスタの第９実施形態を示す積層バリスタの斜視図及び縦断面図とその変形例を示す縦断面図と斜視図である。 積層バリスタの第１０実施形態を示す積層バリスタの斜視図及び縦断面図とその変形例を示す斜視図である。 積層バリスタの第１１実施形態を示す積層バリスタの上面側から見た斜視図と下面側から見た斜視図である。 図３０（Ａ）のｃ１−ｃ１線断面図とｃ２−ｃ２線断面図である。 図３１（Ａ）のｃ３−ｃ３線断面図とｃ４−ｃ４線断面図である。 図３０に示した積層バリスタの製法説明図である。 図３０に示した積層バリスタの製法説明図である。 図３０に示した積層バリスタの製法説明図である。 図３０に示した積層バリスタの製法説明図である。 図３０に示した積層バリスタの製法説明図である。 図３０に示した積層バリスタの実装法説明図である。 図３０に示した積層バリスタの変形例を示す縦断面図である。 図３０に示した積層バリスタの他の変形例を示す縦断面図である。

符号の説明

１０，１０’…積層バリスタ、１１…積層チップ、１２…バリスタ層、１３，１３’…第１導体層、１４，１４’…第２導体層、１５…第１電極部、１６…第２電極部、１７…放熱導体部、ＳＢ…基板、Ｒ１，Ｒ２…ランド、ＲＰ１，ＲＰ２，ＲＰ３…導体板、ＲＰ２ａ…凹部、ＲＰ３ａ…フィン、ＲＰ１１，ＲＰ１２，ＲＰ１３…導体板、ＲＰ１２ａ…凹部、ＲＰ１３ａ…フィン、ＲＰ２１，ＲＰ２２，ＲＰ２３…導体板、ＲＰ２２ａ…凹部、ＲＰ２３ａ…フィン、２０…積層バリスタ、２１…積層チップ、２２…バリスタ層、２３…第１導体層、２４…第２導体層、２５…第１電極部、２６…第２電極部、２７…放熱導体部、３０…積層バリスタ、３１…積層チップ、３２…バリスタ層、３３…第１導体層、３４…第２導体層、３５…第１電極部、３６…第２電極部、３７…放熱導体部、３７ａ…回り込み部分、４０…積層バリスタ、４１…積層チップ、４２…バリスタ層、４３…第１導体層、４４…第２導体層、４５…第１電極部、４５ａ…回り込み部分、４６…第２電極部、４６ａ…回り込み部分、４７…放熱導体部、４７ａ…回り込み部分、５０…積層バリスタ、５１…積層チップ、５２…バリスタ層、５３，５３’…第１導体層、５４，５４’…第２導体層、５５…第１電極部、５６…第２電極部、５７，５７’…放熱導体部、６０…積層バリスタ、６１…積層チップ、６２…バリスタ層、６３…第１導体層、６４…第２導体層、６５…第１電極部、６６…第２電極部、６７，６７’…放熱導体部、６７ａ…回り込み部分、７０…積層バリスタ、７１…積層チップ、７２…バリスタ層、７３…第１導体層、７４…第２導体層、７５…第１電極部、７６…第２電極部、７７…放熱導体部、８０…積層バリスタ、８１…積層チップ、８２…バリスタ層、８３…第１導体層、８４，８４’，８４”…第２導体層、８５…第１電極部、８６…第２電極部、８７，８７’…放熱導体部、９０…積層バリスタ、９１…積層チップ、９２…バリスタ層、９３…第１導体層、９４，９４’…第２導体層、９５…第１電極部、９６…第２電極部、９７…放熱導体部、１００…積層バリスタ、１０１…積層チップ、１０２…バリスタ層、１０３…第１導体層、１０４…第２導体層、１０５…第１電極部、１０６…第２電極部、１０７…放熱導体部、２００…積層バリスタ、２０１…積層チップ、２０２…バリスタ層、２０３，２０３’…第１導体層、２０４，２０４’…第２導体層、２０５…第１電極部、２０６…第２電極部、２０７…放熱導体部、ＳＢ…基板、Ｒ１１ａ〜Ｒ１１ｃ，Ｒ１２…ランド、２１０…積層バリスタ、２１１…積層チップ、２１２…バリスタ層、２１３…第１導体層、２１４…第２導体層、２１５…第１電極部、２１６…第２電極部、２１７…放熱導体部。

Claims (23)

1. 複数の第１導体層と複数の第２導体層がバリスタ層を介して交互に、且つ、対向して配された直方体形状の積層チップと、
   積層チップの１つの面に設けられ、第１導体層と導通する少なくとも１つの第１電極部と、
   積層チップの前記１つの面に第１電極部と非接触で設けられ、第２導体層と導通する少なくとも１つの第２電極部と、
   積層チップの前記１つの面とは異なる少なくとも１つの面に設けられ、第１導体層と第２導体層の少なくとも一方と導通する少なくとも１つの放熱導体部とを備える、
   ことを特徴とする積層バリスタ。
2. 放熱導体部は、積層チップの前記１つの面とは異なる少なくとも１つの面に形成された導体被膜から成る、
   ことを特徴とする請求項１に記載の積層バリスタ。
3. 放熱導体部は、積層チップの前記１つの面とは異なる少なくとも１つの面に設けられた導体板から成る、
   ことを特徴とする請求項１に記載の積層バリスタ。
4. 放熱導体部は、積層チップの前記１つの面とは異なる少なくとも１つの面に形成された導体被膜と、該導体被膜に接続された導体板とから成る、
   ことを特徴とする請求項１に記載の積層バリスタ。
5. 導体板は、積層チップの一部を受け入れる凹部を有する、
   ことを特徴とする請求項３または４に記載の積層バリスタ。
6. 導体板は、複数のフィンを有する、
   ことを特徴とする請求項３〜５の何れか１項に記載の積層バリスタ。
7. 放熱導体部は、積層チップの前記１つの面と対向する面に設けられている、
   ことを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の積層バリスタ。
8. 放熱導体部は、積層チップの前記１つの面と隣り合う少なくとも１つの面に設けられている、
   ことを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の積層バリスタ。
9. 放熱導体部は、積層チップの前記１つの面と対向する面とこの面と隣り合う少なくとも１つの面に設けられている、
   ことを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の積層バリスタ。
10. 積層チップの前記１つの面と対向する面に存する放熱導体部は、前記１つの面と対向する面全体を覆うように設けられている、
    ことを特徴とする請求項７または９に記載の積層バリスタ。
11. 放熱導体部は１つで、該放熱導体部には第１導体層と第２導体層の一方が導通している、
    ことを特徴とする請求項１〜１０の何れか１項に記載の積層バリスタ。
12. 放熱導体部は２つで、一方の放熱導体部には第１導体層が導通し他方の放熱導体部には第２導体層が導通している、
    ことを特徴とする請求項１〜１０の何れか１項に記載の積層バリスタ。
13. 第１電極部と第２電極部の少なくとも一方は前記１つの面と隣り合う少なくとも１つの面に及ぶ回り込み部分を有する、
    ことを特徴とする請求項１〜１２の何れか１項に記載の積層バリスタ。
14. 複数の第１導体層と複数の第２導体層がバリスタ層を介して交互に、且つ、対向して配された直方体形状の積層チップと、積層チップの１つの面に設けられ、第１導体層と導通する少なくとも１つの第１電極部と、積層チップの前記１つの面に第１電極部と非接触で設けられ、第２導体層と導通する少なくとも１つの第２電極部と、積層チップの前記１つの面とは異なる少なくとも１つの面に設けられ、第１導体層と第２導体層の少なくとも一方と導通する少なくとも１つの放熱導体部とを備える少なくとも１つの積層バリスタを、
    積層バリスタの第１電極部が実装面上の第１のランドに接続し第２電極部が実装面上の第２のランドに接続するように基板に実装して成る、
    ことを特徴とする積層バリスタの実装構造。
15. 放熱導体部は、積層チップの前記１つの面とは異なる少なくとも１つの面に形成された導体被膜から成る、
    ことを特徴とする請求項１４に記載の積層バリスタの実装構造。
16. 放熱導体部は、積層チップの前記１つの面とは異なる少なくとも１つの面に設けられた導体板から成る、
    ことを特徴とする請求項１４に記載の積層バリスタの実装構造。
17. 放熱導体部は、積層チップの前記１つの面とは異なる少なくとも１つの面に形成された導体被膜と、該導体被膜に接続された導体板とから成る、
    ことを特徴とする請求項１４に記載の積層バリスタの実装構造。
18. 導体板は、積層チップの一部を受け入れる凹部を有する、
    ことを特徴とする請求項１６または１７に記載の積層バリスタの実装構造。
19. 導体板は、複数のフィンを有する、
    ことを特徴とする請求項１６〜１８の何れか１項に記載の積層バリスタの実装構造。
20. 基板には複数の積層バリスタが並べて実装されており、導体板には複数の積層バリスタで共用のものが用いられている、
    ことを特徴とする請求項１６〜１９の何れか１項に記載の積層バリスタの実装構造。
21. 所定形状の導体板と、
    複数の第１導体層と複数の第２導体層がバリスタ層を介して交互に、且つ、対向して配された直方体形状の積層チップと、積層チップの１つの面に設けられ、第１導体層と導通する少なくとも１つの第１電極部と、積層チップの前記１つの面に第１電極部と非接触で設けられ、第２導体層と導通する少なくとも１つの第２電極部とを備える複数の積層バリスタとを具備し、
    各積層バリスタを各々の積層チップの前記１つの面とは異なる面が導体板と向き合い、且つ、第１導体層と第２導体層の少なくとも一方が導体板と導通するように導体板に所定配列で設けて構成された、
    ことを特徴とするバリスタモジュール。
22. 導体板は、各積層バリスタの積層チップの一部を受け入れる凹部を有する、
    ことを特徴とする請求項２１に記載のバリスタモジュール。
23. 導体板は、複数のフィンを有する、
    ことを特徴とする請求項２１または２２に記載のバリスタモジュール。

Images