JP2008192704A - バリスタ素子 - Google Patents

Abstract

【課題】 熱を効率よく放散させることが可能なバリスタ素子を提供すること。
【解決手段】 積層型チップバリスタＶ１は、バリスタ素体１０と、第１及び第２の内部電極１２，１４と、熱伝導体１６と、絶縁膜１７と、第１及び第２の外部電極１８，２０とを備える。バリスタ素体１０は、第１及び第２の外表面２２，２４を有する。第１及び第２の内部電極１２，１４は、少なくともその一部同士が互いに対向すると共に一端面１２ａ，１４ａが第１の外表面２２に露出している。熱伝導体１６は、その一端面１６ａが第１の外表面２２に露出している。絶縁膜１７は、第１及び第２の内部電極１２，１４の一端面１２ａ，１４ａの所定領域及び熱伝導体１６の一端面１６ａを覆うように第１の外表面２２上に配置されている。第１の外部電極は第１の内部電極１２に接続され、第２の外部電極は第２の内部電極１４に接続されている。
【選択図】 図２

Description

本発明は、バリスタ素子に関する。

従来から、電子素子と、当該電子素子に電気的に接続されたバリスタ素子とを備えたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された発光装置では、電子素子としての半導体発光素子にバリスタ素子が並列接続されており、半導体発光素子はバリスタによってＥＳＤ（Electro Static Discharge：静電気放電）サージから保護されている。
特開２００１−１５８１５号公報

ところで、電子素子には、半導体発光素子やＦＥＴ（Field Effect Transistor：電界効果トランジスタ）等のように、その動作中に熱を発するものがある。電子素子が高温になると、電子素子自身の特性劣化を招き、その動作に影響が出る。このため、発生した熱を効率よく放散させる必要がある。

本発明は、熱を効率よく放散させることが可能なバリスタ素子を提供することを目的とする。

本発明に係るバリスタ素子は、第１及び第２の外表面を有するバリスタ素体と、少なくともその一部同士が互いに対向するようにバリスタ素体内に配された第１及び第２の内部電極と、第１の内部電極に電気的に接続されると共に、第１の外表面に形成された第１の外部電極と、第２の内部電極に電気的に接続されると共に、第１の外表面に形成された第２の外部電極と、バリスタ素体内を通ると共に第１の外表面から第２の外表面へと向かうように配置され、一端が第１の外表面に露出している熱伝導体と、少なくとも第１の外表面に露出している熱伝導体の一端を覆うように第１の外表面に配置された絶縁膜とを備えることを特徴とする。

本発明に係るバリスタ素子では、熱伝導体が第１の外表面から第２の外表面へと向かうようにバリスタ素体の内部に配置されている。そのため、その動作中に発熱する例えば半導体発光素子やＦＥＴ等の電子素子をバリスタ素体の第１の外表面に配した場合に、電子素子において発生した熱が熱伝導路を通じてバリスタ素体の第２の外表面へと伝達されるようになる。その結果、バリスタ素子の第１の外表面から第２の外表面へと、熱を効率よく放散させることが可能となる。

また、熱伝導体が第１及び第２の内部電極と平行となるように延在していることが好ましい。このようにすると、熱伝導体による熱伝導が各内部電極によって妨げられにくくなるので、熱をより効率よく放散させることが可能となる。

また、第１の外表面と第２の外表面とが互いに対向しており、熱伝導体が第１及び第２の外表面の対向方向に延在していることが好ましい。このようにすると、熱伝導体が略直線状となるので、熱伝導体を形成しやすくなる。

また、バリスタ素体は、第１の外表面と第２の外表面とを連結するように伸びると共に互いに対向する第１の側面及び第２の側面を有し、熱伝導体が第１及び第２の側面の対向方向に延在していることが好ましい。このようにすると、熱伝導体が略平板状となるので、熱伝導体をより形成しやすくなる。

また、熱伝導体は、第１及び第２の側面に露出している部分を有していることが好ましい。

また、熱伝導体は、その他端が第２の外表面に露出していることが好ましい。このようにすると、熱伝導体の両端が外表面にそれぞれ露出しているため、電子素子からの熱が熱伝導体へと伝達されやすくなり、熱を更に効率よく放散させることが可能となる。

また、第１及び第２の内部電極の対向方向における熱伝導体の幅が、第１及び第２の内部電極の対向方向における第１及び第２の内部導体の幅よりも大きいことが好ましい。このようにすると、より多くの熱が熱伝導体を伝導するようになるので、熱をより効率よく放散させることが可能となる。

また、熱伝導体の熱伝導率は、バリスタ素体の熱伝導率よりも高いことが好ましい。このようにすると、より多くの熱が熱伝導体を伝導するようになるので、熱をより効率よく放散させることが可能となる。

また、熱伝導体は、第１及び第２の内部電極と同一の材質によって構成されていることが好ましい。このようにすると、熱伝導体を第１及び第２の内部電極と同一工程で形成することができるので、バリスタ素体の製造工程を簡略化することが可能となる。

本発明によれば、熱を効率よく放散させることが可能なバリスタ素子を提供することができる。

本発明の好適な実施形態について、図面を参照して説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。以下の各実施形態は、本発明を積層型チップバリスタに適用した例である。

（第１実施形態）
図１〜図６を参照して、第１実施形態に係る積層型チップバリスタＶ１の構成について説明する。図１は、第１実施形態に係る積層型チップバリスタを示す斜視図である。図２は、第１実施形態に係る積層型チップバリスタを示す平面図である。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線端面図である。図４は、図２のＩＶ−ＩＶ線端面図である。図５は、第１実施形態に係る積層型チップバリスタを構成するバリスタ素体の分解斜視図である。図６は、第１実施形態に係る積層型チップバリスタのうち外部電極及び接続端子を除いて示す斜視図である。

積層型チップバリスタＶ１は、バリスタ素体１０と、一対の第１及び第２の内部電極１２，１４と、複数（第１実施形態においては５個）の熱伝導体１６を二組（熱伝導体群１６Ａ，１６Ｂ）と、絶縁膜１７と、一対の第１及び第２の外部電極１８，２０と、複数（第１実施形態においては１２個）の接続端子２１を備えている。

バリスタ素体１０は、略直方体形状を呈しており、互いに対向する第１及び第２の外表面２２，２４と、第１及び第２の外表面２２，２４に垂直で互いに対向する第１及び第２の側面２６，２７と、第１及び第２の外表面２２，２４及び第１及び第２の側面に垂直で互いに対向する第３及び第４の側面２８，２９とを有している。バリスタ素体１０では、例えば長手方向の長さを１．０ｍｍ程度、幅を１．０ｍｍ程度、厚みを０．３ｍｍ程度に設定することができる。

バリスタ素体１０は、電圧非直線性（以下、「バリスタ特性」と称する）を発現する複数のバリスタ層Ａ１０〜Ａ１３（図５参照）がシート積層工法によって積層された積層体として構成されている。実際の積層型チップバリスタＶ１では、バリスタ層Ａ１０〜Ａ１３同士の間の境界が視認できない程度に一体化されている。バリスタ層Ａ１０〜Ａ１３は、ＺｎＯ（酸化亜鉛）を主成分として含むと共に、副成分として希土類金属元素、Ｃｏ、ＩＩＩｂ族元素（Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、アルカリ金属元素（Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）及びアルカリ土類金属元素（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）等の金属単体やこれらの酸化物を含む素体からなる。バリスタ層Ａ１０〜Ａ１３の厚みは、それぞれ１０μｍ〜１００μｍ程度とすることができる。

第１及び第２の内部電極１２，１４は、共に略矩形状の薄肉板状体となっている。第１及び第２の内部電極１２，１４は、その一端面１２ａ，１４ａが第１の外表面２２に臨むように第１の外表面２２に引き出されており、その他端面１２ｂ，１４ｂが第２の外表面２４に臨むように第２の外表面２４に引き出されている。すなわち、第１及び第２の内部電極１２，１４の各端面１２ａ，１２ｂ，１４ａ，１４ｂが、第１及び第２の外表面２２，２４にそれぞれ露出することとなる。

第１の内部電極１２は、バリスタ層Ａ１２上において、第１の側面２６寄りとなるよう、第１の側面２６側から所定の間隔を有して配置されている。第２の内部電極１４は、バリスタ層Ａ１４上において、第２の側面２７寄りとなるよう、第２の側面２７側から所定の間隔を有して配置されている。このため、第１の内部電極１２と第２の内部電極１４とは、バリスタ層Ａ１０〜Ａ１３の積層方向（以下、単に「積層方向」と称する）から見て、バリスタ層Ａ１０を挟んでその一部同士が互いに対向するようになっている。従って、積層方向から見て第１の内部電極１２と第２の内部電極１４とが重なるバリスタ層Ａ１０，Ａ１２における領域が、バリスタ特性を発現する領域として機能する。

第１及び第２の内部電極１２，１４は、導電材を含んでいる。第１及び第２の内部電極１２，１４に含まれる導電材としては、特に限定されないが、Ａｇ、Ｐｄ又はＡｇ−Ｐｄ合金からなることが好ましい。第１及び第２の内部電極１２，１４では、その厚みを例えば２μｍ〜１００μｍ程度とすることができる。

熱伝導体群１６Ａは、バリスタ素体１０の第３の側面２８寄りに配置されている。熱伝導体群１６Ｂは、バリスタ素体１０の第４の側面２９寄りに配置されている。そのため、熱伝導体群１６Ａ，１６Ｂは、第１及び第２の内部電極１２，１４を間に位置させるようにバリスタ素体１０内に設けられている。

各熱伝導体１６は、それぞれ略矩形状の薄肉板状体となっている。熱伝導体１６は、バリスタ層Ａ１１上の全面に配置されている熱伝導体１６は、その一端面１６ａが第１の外表面２２に臨むように第１の外表面２２に引き出されており、その他端面１６ｂが第２の外表面２４に臨むように第２の外表面２４に引き出されている。熱伝導体１６は、その一側面１６ｃが第１の側面２６に臨むように第１の側面２６に引き出されており、その他側面１６ｄが第２の側面２７に臨むように第２の側面２７に引き出されている。

すなわち、熱伝導体１６は、第１の外表面２２から第２の外表面２４へと向かう方向（第１の外表面２２と第２の外表面２４との対向方向）に延在し、第１の側面２６から第２の側面２７へと向かう方向（第１の側面２６と第２の側面２７との対向方向）に延在すると共に、第１及び第２の内部電極１２，１４に対して平行に延在するようにバリスタ素体１０内に形成されている。そのため、熱伝導体１６の各端面１６ａ〜１６ｄは、第１及び第２の外表面２２，２４並びに第１及び第２の側面２６，２７にそれぞれ露出している。

熱伝導体１６は、例えばＰｄ又はＡｇ−Ｐｄ合金や窒化アルミ（ＡｌＮ）、ＢＮ、ＴｉＮ、ＴａＣ、Ｓｉ_３Ｎ_４等のセラミックス等、バリスタ素体１０の熱伝導率（第１実施形態では、バリスタ素体１０の主成分であるＺｎＯの熱伝導率）よりも高い熱伝導率を有する材質を用いることができるが、第１及び第２の内部電極１２，１４と同一の材質によって構成されていると製造工程を簡便にすることができるため好ましい。熱伝導体１６の厚みは、例えば１０μｍ〜３００μｍ程度に設定することができるが、内部電極１２，１４の厚みよりも大きくなるように設定されていると好ましい。

絶縁膜１７は、第１の外表面２２の大部分を覆うように、第１の外表面２２に配置されている（図６参照）。絶縁膜１７は、開口部１７ａ，１７ｂを有している。開口部１７ａは、第１の内部導体１２の一端面１２ａのうち第１の側面２６寄りの領域に対応する位置に設けられている。開口部１７ｂは、第２の内部導体１４の一端面１４ａのうち第２の側面２７寄りの領域に対応する位置に設けられている。そのため、第１の内部導体１２の一端面１２ａのうち第１の側面２６寄りの領域及び第２の内部導体１４の一端面１４ａのうち第２の側面２７寄りの領域は、開口部１７ａ，１７ｂから露出し、絶縁膜１７によって覆われていない。一方、第１及び第２の内部導体１２，１４の一端面１２ａ，１４ａのうち開口部１７ａ，１７ｂから露出している領域以外の領域並びに熱伝導体１６の一端面１６ａは、絶縁膜１７によって覆われている。

絶縁膜１７は、例えば酸化ビスマス系、酸化亜鉛系、リン酸系、ホウケイ酸系等のガラスによって構成されており、開口部１７ａ，１７ｂに対応する開口パターンを有する所定のパターンにてガラスペーストを第１の外表面２２にスクリーン印刷することで形成される。絶縁膜の厚さは、例えば１μｍ〜１００μｍ程度とすることができる。なお、絶縁膜１７としては、ガラスの他に、例えば樹脂等を用いることができる。

第１及び第２の外部電極１８，２０は、第１の外表面２２に垂直な方向から見て、第３及び第４の側面２８，２９の対向方向に延びる略矩形状を呈している。第１及び第２の外部電極１８，２０は、第１及び第２の内部電極１２，１４と一対一に対応するようにこれらの各端面１２ａ，１４ａと物理的且つ電気的に接続されている。

具体的には、第１の外部電極１８は、絶縁膜１７上及び絶縁膜１７の開口部１７ａから露出している第１の外表面２２上に形成されている。そのため、第１の外部電極１８は、第１の外表面２２に露出していると共に絶縁膜１７によって覆われていない（絶縁膜１７の開口部１７ａに対応している）第１の内部電極１２の一端面１２ａのうち第１の側面２６寄りの領域を覆うように、該領域と物理的且つ電気的に接続されている。なお、絶縁膜１７には、第１の外部電極１８の延在方向において開口部１７ａ以外の開口部が設けられていないので、第１の外部電極１８は、第１の外表面２２に露出している第２の内部電極１４の一端面１４ａ及び熱伝導体１６の一端面１６ａとは物理的にも電気的にも接続されないようになっている。

第２の外部電極２０は、絶縁膜１７上及び絶縁膜の開口部１７ｂから露出している第１の外表面２２上に形成されている。そのため、第２の外部電極２０は、第１の外表面２２に露出していると共に絶縁膜１７によって覆われていない（絶縁膜１７の開口部１７ｂに対応している）第２の内部電極１４の一端面１４ａのうち第２の側面２７寄りの領域を覆うように、該領域と物理的且つ電気的に接続されている。なお、絶縁膜１７には、第２の外部電極２０の延在方向において開口部１７ｂ以外の開口部が設けられていないので、第２の外部電極２０は、第１の外表面２２に露出している第１の内部電極１２の一端面１２ａ及び熱伝導体１６の一端面１６ａとは物理的にも電気的にも接続されないようになっている。

各接続端子２１は、第１の外表面２２に垂直な方向から見て略方形状を呈しており、互いに物理的に接続されないように絶縁膜１７上にそれぞれ形成されている。各接続端子２１は、第１の外表面２２に垂直な方向から見て、第１の内部電極１２の一端面１２ａにおける所定領域、第２の内部電極１４の一端面１４ａにおける所定領域及び熱伝導体１６の一端面１６ａにおける所定領域をそれぞれ覆うように絶縁膜１７上に配置されており、これらと熱的に接続されている。

具体的には、各接続端子２１のうち第３の側面２８寄りに配置されていると共に第１及び第２の側面２６，２７の対向方向に並ぶ３つの接続端子２１（接続端子群２１Ａ）は、第１の外表面２２に垂直な方向から見て、熱伝導体群１６Ａを構成する各熱伝導体１６の一端面１６ａにおける所定領域をそれぞれ覆うように絶縁膜１７上に配置されており、熱伝導体群１６Ａを構成する各熱伝導体１６と熱的に接続されている。各接続端子２１のうち第４の側面２９寄りに配置されていると共に第１及び第２の側面２６，２７の対向方向に並ぶ３つの接続端子２１（接続端子群２１Ｂ）は、第１の外表面２２に垂直な方向から見て、熱伝導体群１６Ｂを構成する各熱伝導体１６の一端面１６ａにおける所定領域をそれぞれ覆うように絶縁膜１７上に配置されており、熱伝導体群１６Ｂを構成する各熱伝導体１６と熱的に接続されている。

第１及び第２の外部電極１８，２０並びに端子電極２１は、例えば、印刷法又はめっき法により形成することができる。印刷法を用いる場合には、Ａｕ粒子あるいはＰｔ粒子を主成分とする金属粉末に、有機バインダ及び有機溶剤を混合した導電性ペーストを用意し、その導電性ペーストをバリスタ素体１０上に印刷し、焼付け又は焼成することにより形成することができる。めっき法を用いる場合には、真空めっき法（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等）により、ＡｕあるいはＰｔを蒸着させることにより形成することができる。

続いて、図７及び図８を参照して、上述の構成を有する積層型チップバリスタＶ１が半導体発光素子３０に接続された発光装置ＬＥについて説明する。図７は、第１実施形態に係る積層型チップバリスタを用いた発光装置の分解斜視図である。図８は、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線端面図である。

発光装置ＬＥは、積層型チップバリスタＶ１、半導体発光素子３０及び積層型チップバリスタＶ１が載置される基板４０を備えている。

半導体発光素子３０は、例えばＧａＮ（窒化ガリウム）系半導体の発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）である。半導体発光素子３０は、図示しないアノード電極とカソード電極との間に所定の電圧が印加されて電流が流れると、発光領域において発光する。

半導体発光素子３０には、積層型チップバリスタＶ１におけるバリスタ素体１０の第１の外表面２２に対向する対向面３２に、第１〜第３のバンプ電極３４〜３６がそれぞれ複数形成されている。各第１のバンプ電極３４は、半導体発光素子３０における図示しないアノード電極と接続されており、第１の外部電極１８に対応する位置にそれぞれ配置されている。各第２のバンプ電極３５は、半導体発光素子３０における図示しないカソード電極と接続されており、第２の外部電極２０に対応する位置にそれぞれ配置されている。これらの第１及び第２のバンプ電極３４，３５は、はんだリフローによって第１又は第２の外部電極２０と物理的且つ電気的に接続されることとなる。このように、半導体発光素子３０が複数の第１及び第２のバンプ電極３４，３５によって第１及び第２の外部電極１８，２０と接続されているので、半導体発光素子３０と積層型チップバリスタＶ１との接合強度の向上が図られている。

なお、第１及び第２の外部電極１８，２０とこれらに対応するバンプ電極３２とは、電気的にも接続されている。そのため、第１の内部電極１２と、第２の内部電極１４と、バリスタ層Ａ１０，Ａ１２における第１及び第２の内部電極１２，１４が重なる領域とにより構成されるバリスタが、半導体発光素子３０に並列接続されることとなる。よって、積層型チップバリスタＶ１により、半導体発光素子３０をＥＳＤ（Electro Static Discharge：静電気放電）サージから保護することができる。このとき、積層型チップバリスタＶ１の第１及び第２の外部電極１８，２０は、積層型チップバリスタＶ１の入出力端子電極として機能する。

一方、各バンプ電極３６は、半導体発光素子３０における電極部分でない本体部分と接続されており、各接続端子２１と一対一に対応する位置にそれぞれ配置されている。各バンプ電極３６は、はんだリフローによって各接続端子２１と物理的且つ熱的に接続されることとなる。このため、各バンプ電極３６は、半導体発光素子３０において発生される熱を第１及び第２の内部電極１２，１４並びに熱伝導体１６へと伝達する。

以上のように、第１実施形態においては、熱伝導体１６が、第１の外表面２２から第２の外表面２４へと向かう方向に延在すると共に第１及び第２の内部電極１２，１４に対して平行に延在するようにバリスタ素体１０の内部に形成されている。この熱伝導体１６は、バリスタ素体１０の熱伝導率（第１実施形態では、バリスタ素体１０の主成分であるＺｎＯの熱伝導率）よりも高い熱伝導率を有する材質となっている。そして、熱伝導体１６の一端面１６ａが第１の外表面２２に露出し、熱伝導体１６の他端面１６ｂが第２の外表面２４に露出している。そのため、半導体発光素子３０において発生した熱が、熱伝導体１６の一端面１６ａと半導体発光素子３０とを物理的且つ熱的に接続している絶縁膜１７、接続端子２１及びバンプ電極３６を介して、熱伝導体１６を通じて第１の外表面２２から第２の外表面２４へと伝達されるようになる（図８の矢印Ｈ１参照）。その結果、半導体発光素子３０の熱を、積層型チップバリスタＶ１によって効率よく基板４０へと放散させることが可能となる。

また、第１実施形態においては、熱伝導体１６が、バリスタ層Ａ１１上の全面に配置されている。そのため、熱伝導体１６をバリスタ層Ａ１１上に形成する際にパターニングする必要がなくなっている。その結果、積層型チップバリスタＶ１の製造工程を簡便にすることが可能となる。また、通常、複数の熱伝導体１６並びに複数の第１及び第２の内部電極１２，１４がパターニングされたバリスタ層Ａ１０〜Ａ１３を積層した積層体を切断することで複数の積層型チップバリスタＶ１を製造するので、このように熱伝導体１６をバリスタ層Ａ１１上の全面に配置することで、積層の際にバリスタ層Ａ１１の位置合わせ等を考慮する必要がなくなる。その結果、積層型チップバリスタＶ１の大量生産に適したものとなっている。

また、第１実施形態においては、第１の内部導体１２の一端面１２ａのうち第１の側面２６寄りの領域及び第２の内部導体１４の一端面１４ａのうち第２の側面２７寄りの領域を除いて、第１及び第２の内部導体１２，１４の一端面１２ａ，１４ａ及び熱伝導体１６の一端面１６ａが絶縁膜１７によって覆われている。そのため、熱伝導体１６と第１及び第２の外部電極１８，２０とが電気的に接続されることがなくなっている。その結果、熱伝導体１６の一端面１６ａが第１の外表面２２に露出している場合でも、第１及び第２の外部電極１８，２０のパターニング形状の自由度を確保することが可能となる。

（第２実施形態）
次に、図９〜図１２を参照して、第２実施形態に係る積層型チップバリスタＶ２の構成を説明する。図９は、第２実施形態に係る積層型チップバリスタを示す斜視図である。図１０は、第１実施形態に係る積層型チップバリスタを示す平面図である。図１１は、図１０のＸＩ−ＸＩ線端面図である。図１２は、図１０のＸＩＩ−ＸＩＩ線端面図である。第２実施形態に係る積層型チップバリスタＶ２では、第１及び第２の内部電極１２，１４の配置並びに熱伝導体１６の配置の点で、上述した第１実施形態に係る積層型チップバリスタＶ１と相違する。

第２実施形態に係る積層型チップバリスタＶ２は、バリスタ素体１０内に、第１及び第２の内部電極１２，１４、及び、５個の熱伝導体１６を二組（熱伝導体群１６Ａ，１６Ｂ）備える。第１及び第２の内部電極１２，１４は、バリスタ素体１０の第４の側面２９寄りに配置されており、第１の内部電極１２は、第２の内部電極１４よりも外側に配置されている。熱伝導体群１６Ａ，１６Ｂは、バリスタ素体１０の第３の側面２８寄りに配置されており、熱伝導体群１６Ａは、熱伝導体群１６Ｂよりも外側に配置されている。

各接続端子２１のうち最も第３の側面２８寄りに配置されていると共に第１及び第２の側面２６，２７の対向方向に並ぶ３つの接続端子２１（接続端子群２１Ａ）は、第１の外表面２２に垂直な方向から見て、熱伝導体群１６Ａを構成する各熱伝導体１６の一端面１６ａにおける所定領域をそれぞれ覆うように絶縁膜１７上に配置されており、熱伝導体群１６Ａを構成する各熱伝導体１６と熱的に接続されている。各接続端子２１のうち第３の側面２８寄りで且つ接続端子群２１Ａよりも第４の側面２９寄りに配置されていると共に第１及び第２の側面２６，２７の対向方向に並ぶ３つの接続端子２１（接続端子群２１Ｂ）は、熱伝導体群１６Ｂを構成する各熱伝導体１６の一端面１６ａにおける所定領域をそれぞれ覆うように絶縁膜１７上に配置されており、熱伝導体群１６Ｂを構成する各熱伝導体１６と熱的に接続されている。

以上のように、第２実施形態に係る積層型チップバリスタＶ２でも、第１実施形態に係る積層型チップバリスタＶ１と同様の作用効果を奏する。

（第３実施形態）
次に、図１３及び図１４を参照して、第３実施形態に係る積層型チップバリスタＶ３の構成を説明する。図１３は、第３実施形態に係る積層型チップバリスタを示す斜視図である。図１４は、（ａ）が図１３のＸＩＶＡ−ＸＩＶＡ線端面図であり、（ｂ）が図１３のＸＩＶＢ−ＸＩＶＢ線端面図である。第３実施形態に係る積層型チップバリスタＶ２では、熱伝導体１６の形状の点で、上述した第１実施形態に係る積層型チップバリスタＶ１と相違する。

第３実施形態に係る積層型チップバリスタＶ３は、バリスタ素体１０内に、第１及び第２の内部電極１２，１４、及び、５個の熱伝導体１６を二組（熱伝導体群１６Ａ，１６Ｂ）備える。第１及び第２の内部電極１２，１４は、共に略Ｔ字形状の薄肉板状体となっている。第１及び第２の内部電極１２，１４では、その略Ｔ字形状となっている一方の先端部分の端面１２ａ，１４ａが第１の外表面２２に臨むように第１の外表面２２に引き出されており、第１の外表面２２に露出していると共に、その略Ｔ字形状となっている他方の先端部分の端面１２ｂ，１４ｂが第２の外表面２４に臨むように第２の外表面２４に引き出されており、第２の外表面２４に露出している。第１及び第２の外部電極１８，２０は、第１の外表面２２から露出している第１及び第２の内部電極１２，１４の端面１２ａ，１４ａとそれぞれ物理的且つ電気的に接続されている。

以上のように、第３実施形態に係る積層型チップバリスタＶ３でも、第１実施形態に係る積層型チップバリスタＶ１と同様の作用効果を奏する。

以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記した実施形態に限定されるものではない。例えば、第１の外表面２２と第２の外表面２４とが互いに対向するものでなくてもよい。このときも、熱伝導体１６が第１の外表面２２から第２の外表面２４へと向かう方向に延在するように配設されることで、熱伝導体１６を通じて第１の外表面２２から第２の外表面２４へと半導体発光素子３０の熱を効率よく放散することが可能となる。

また、積層型チップバリスタＶ１〜Ｖ３におけるバリスタ素体１０の形成方法としては、シート積層工法の他、印刷積層工法も用いることができる。

また、半導体発光素子３０だけでなく、動作中に熱を発するような電子素子の熱の放散を行うために、本発明に係る積層型チップバリスタをその電子素子と接続するようにしてもよい。

また、第１〜第３実施形態に係る積層型チップバリスタＶ１〜Ｖ３では各熱伝導体群１６Ａ，１６Ｂを構成する熱伝導体１６を５層としていたが、これに限られず、各熱伝導体群１６Ａ，１６Ｂを構成する熱伝導体１６が１層又は２層以上であってもよく、熱伝導体群１６Ａを構成する熱伝導体の数と熱伝導体群１６Ｂを構成する熱伝導体１６の数とが異なっていてもよい。

第１実施形態に係る積層型チップバリスタを示す斜視図である。 第１実施形態に係る積層型チップバリスタを示す平面図である。 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線端面図である。 図２のＩＶ−ＩＶ線端面図である。 第１実施形態に係る積層型チップバリスタを構成するバリスタ素体の分解斜視図である。 第１実施形態に係る積層型チップバリスタのうち外部電極及び接続端子を除いて示す斜視図である。 第１実施形態に係る積層型チップバリスタを用いた発光装置の分解斜視図である。 図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線端面図である。 第２実施形態に係る積層型チップバリスタを示す斜視図である。 第１実施形態に係る積層型チップバリスタを示す平面図である。 図１０のＸＩ−ＸＩ線端面図である。 図１０のＸＩＩ−ＸＩＩ線端面図である。 第３実施形態に係る積層型チップバリスタを示す斜視図である。 （ａ）は図１３のＸＩＶＡ−ＸＩＶＡ線端面図であり、（ｂ）は図１３のＸＩＶＢ−ＸＩＶＢ線端面図である。

符号の説明

１０…バリスタ素体、１２…第１の内部電極、１４…第２の内部電極、１６…熱伝導体、１７…絶縁膜、１８…第１の外部電極、２０…第２の外部電極、２２…第１の外表面、２４…第２の外表面、Ｖ１〜Ｖ３…積層型チップバリスタ。

Claims (9)

1. 第１及び第２の外表面を有するバリスタ素体と、
   少なくともその一部同士が互いに対向するように前記バリスタ素体内に配された第１及び第２の内部電極と、
   前記第１の内部電極に電気的に接続されると共に、前記第１の外表面に形成された第１の外部電極と、
   前記第２の内部電極に電気的に接続されると共に、前記第１の外表面に形成された第２の外部電極と、
   前記バリスタ素体内を通ると共に前記第１の外表面から前記第２の外表面へと向かうように配置され、一端が前記第１の外表面に露出している熱伝導体と、
   少なくとも前記第１の外表面に露出している前記熱伝導体の一端を覆うように前記第１の外表面に配置された絶縁膜とを備えることを特徴とするバリスタ素子。
2. 前記熱伝導体が前記第１及び第２の内部電極と平行となるように延在していることを特徴とする請求項１に記載されたバリスタ素子。
3. 前記第１の外表面と前記第２の外表面とが互いに対向しており、
   前記熱伝導体が前記第１及び第２の外表面の対向方向に延在していることを特徴とする請求項２に記載されたバリスタ素子。
4. 前記バリスタ素体は、前記第１の外表面と前記第２の外表面とを連結するように伸びると共に互いに対向する第１の側面及び第２の側面を有し、
   前記熱伝導体が前記第１及び第２の側面の対向方向に延在していることを特徴とする請求項３に記載されたバリスタ素体。
5. 前記熱伝導体は、前記第１及び第２の側面に露出している部分を有していることを特徴とする請求項４に記載されたバリスタ素体。
6. 前記熱伝導体は、その他端が前記第２の外表面に露出していることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載されたバリスタ素子。
7. 前記第１及び第２の内部電極の対向方向における前記熱伝導体の幅が、前記第１及び第２の内部電極の対向方向における前記第１及び第２の内部導体の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載されたバリスタ素子。
8. 前記熱伝導体の熱伝導率は、前記バリスタ素体の熱伝導率よりも高いことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載されたバリスタ素子。
9. 前記熱伝導体は、前記第１及び第２の内部電極と同一の材質によって構成されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載されたバリスタ素子。

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