JP4479668B2 - バリスタ及び発光装置 - Google Patents

Description

本発明は、バリスタ、及び、当該バリスタを備える発光装置に関する。

この種の電子部品として、電子素子と、当該電子素子に電気的に接続されたバリスタとを備えたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された発光装置では、電子素子としての半導体発光素子にバリスタが並列接続されており、半導体発光素子はバリスタによってＥＳＤ（Electrostatic Discharge：静電気放電）サージから保護されている。
特開２００１−１５８１５号公報

ところで、電子素子には、半導体発光素子やＦＥＴ(Field Effect Transistor：電界効果トランジスタ)等のように、その動作中に熱を発するものがある。電子素子が高温になると、素子自身の特性劣化を招き、その動作に影響が出る。このため、発生した熱を効率よく放散させる必要がある。

そこで本発明は、熱を効率よく放散することが可能なバリスタ及び発光装置を提供することを目的とする。

本発明に係るバリスタは、バリスタ素体と、互いに対向すると共に端面がバリスタ素体の外表面に露出するように該バリスタ素体内に配置された第１及び第２の内部電極と、第１の内部電極の端面と物理的且つ電気的に接続されるようにバリスタ素体の表面に形成された第１の外部電極と、第２の内部電極の端面と物理的且つ電気的に接続されるようにバリスタ素体の表面に形成された第２の外部電極とを備え、第１及び第２の内部電極の重なり方向の厚みが、第１の内部電極と第２の内部電極との間隔以上に設定されていることを特徴とする。

本発明に係るバリスタでは、第１及び第２の内部電極の端面がバリスタ素体の外表面に露出すると共に、第１及び第２の内部電極の重なり方向の厚みが第１の内部電極と第２の内部電極との間隔以上に設定されているので、バリスタに伝えられた熱を第１及び第２の内部電極から効率よく放散することができる。

好ましくは、第１の内部電極の端面が、第１の外部電極から露出する領域を含み、第２の内部電極の端面が、第２の外部電極から露出する領域を含む。この場合、第１及び第２の内部電極からバリスタの外部へ熱をより効率的に放散することができる。

好ましくは、バリスタ素体は、互いに対向する２つの外表面を有し、第１及び第２の内部電極の端面は、２つの外表面にそれぞれ露出している。このような構成とすることにより、第１及び第２の内部電極の端面が、バリスタ素体の外表面に比較的大きな面積にて露出されることとなり、より効率的に熱を放散させることができる。

本発明に係る発光装置は、半導体発光素子と、バリスタとを備える発光装置であって、バリスタは、バリスタ素体と、互いに対向すると共に端面がバリスタ素体の外表面に露出するように該バリスタ素体内に配置された第１及び第２の内部電極と、第１の内部電極の端面と物理的且つ電気的に接続されるようにバリスタ素体の表面に形成された第１の外部電極と、第２の内部電極の端面と物理的且つ電気的に接続されるようにバリスタ素体の表面に形成された第２の外部電極とを備え、第１及び第２の内部電極の重なり方向の厚みが、第１の内部電極と第２の内部電極との間隔以上に設定されており、半導体発光素子が、バリスタに並列接続されるように第１及び第２の外部電極に物理的且つ電気的に接続されていることを特徴とする。

本発明の発光装置では、半導体発光素子に物理的に接続されたバリスタの第１及び第２の外部電極が対応する内部電極と物理的に接続されているので、半導体発光素子において発生した熱が第１及び第２の外部電極を介して第１及び第２の内部電極に伝わる。そして、第１及び第２の内部電極の端面がバリスタ素体の外表面に露出すると共に、第１及び第２の内部電極の重なり方向の厚みが第１の内部電極と第２の内部電極との間隔以上に設定されているので、バリスタに伝えられた熱を第１及び第２の内部電極から効率よく放散することができる。

本発明によれば、熱を効率よく放散することが可能なバリスタ及び発光装置を提供することができる。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

図１〜図４を参照して、本実施形態に係るバリスタ１１の構成を説明する。図１は、本実施形態に係るバリスタを示す概略斜視図である。図２は、本実施形態に係るバリスタを示す概略平面図である。図３は、本実施形態に係るバリスタの断面構成を説明するための模式図である。図４は、図２におけるIV−IV線に沿った断面構成を示す模式図である。

バリスタ１１は、図１及び図２に示されるように、略直方体形状とされたバリスタ素体２１と、第１の内部電極３１，３３及び第２の内部電極４１と、複数（本実施形態においては、一対）の第１の外部電極５１，５３と、複数（本実施形態においては、一対）の第２の外部電極５２，５４と、を備えている。

バリスタ素体２１は、例えば、縦が１．０ｍｍ程度に設定され、横が０．５ｍｍ程度に設定され、厚みが０．３ｍｍ程度に設定されている。バリスタ素体２１は、外表面として、互いに対向する主面２２及び主面２３と、主面２２及び主面２３に垂直で互いに対向する側面２４及び側面２５と、主面２２，２３及び側面２４，２５に垂直で互いに対向する端面２６及び端面２７とを有する。

バリスタ素体２１は、電圧非直線特性（以下、「バリスタ特性」と称する）を発現する材料からなる。バリスタ素体２１は、例えばＺｎＯを主成分とし、更に副成分として希土類金属元素、Ｃｏ、IIIｂ族元素（Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、アルカリ金属元素（Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ）及びアルカリ土類金属元素（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）等の金属単体やこれらの酸化物を含んでいる。バリスタ素体２１は、バリスタ特性を発現する複数のバリスタ層を積層することにより構成することができる。

第１の内部電極３１，３３及び第２の内部電極４１は、図３及び図４にも示されるように、バリスタ素体２１内に配置されている。第１の内部電極３１，３３及び第２の内部電極４１は、板状に形成されており、厚み方向から見て長方形状を呈している。第１の内部電極３１と第２の内部電極４１とが、バリスタ素体２１の一部を挟んでバリスタ素体２１の側面２４と平行に配置されている。第２の内部電極４１と第１の内部電極３３とが、バリスタ素体２１の一部を挟んでバリスタ素体２１の側面２４と平行に配置されている。なお、図３は、バリスタ１１を主面２２，２３と平行な面にて切断した際の断面構成を示している。

第１の内部電極３１と第１の内部電極３３とは、側面２４に垂直な方向から見て、全体的に重なり合うように配置されている。第１の内部電極３１，３３と第２の内部電極４１とは、側面２４に垂直な方向から見て互いに一部が重なり合うように、一対の端面２６，２７が対向する方向にずれて配置されている。本実施形態では、第１の内部電極３１，３３は端面２６寄りに位置し、第２の内部電極４１は端面２７寄りに位置する。

第１の内部電極３１，３３の端面３１ａ，３３ａと、第２の内部電極４１の端面４１ａとは、主面２２に露出している。第１の内部電極３１，３３の端面３１ｂ，３３ｂと、第２の内部電極４１の端面４１ｂとは、主面２３に露出している。すなわち、第１の内部電極３１，３３及び第２の内部電極４１は、互いに対向すると共に端面３１ａ，３１ｂ，３３ａ，３３ｂ，４１ａ，４１ｂが対応する主面２２，２３に露出するようにバリスタ素体２１内に配置されることとなる。

第１の内部電極３１，３３及び第２の内部電極４１は導電材を含んでいる。第１の内部電極３１，３３及び第２の内部電極４１に含まれる導電材としては、特に限定されないが、Ａｇ、ＰｄまたはＡｇ−Ｐｄ合金からなることが好ましい。

第１の外部電極５１と第２の外部電極５２とは、図２に示されるように、バリスタ素体２１の主面２２にそれぞれ形成されており、主面２２に垂直な方向から見て長方形状を呈している。第１の外部電極５１は、その長手方向が側面２４，２５が対向する方向となるように形成されている。第１の外部電極５１は、主面２２に垂直な方向から見て、第２の内部電極４１の端面２６側の端と端面２６との間の領域に位置している。第２の外部電極５２は、その長手方向が側面２４，２５が対向する方向となるように形成されている。第２の外部電極５２は、主面２２に垂直な方向から見て、第１の内部電極３１，３３の端面２７側の端と端面２７との間の領域に位置している。

第１の外部電極５１は、第１の内部電極３１，３３の端面３１ａ，３３ａにおける端面２６寄りの領域を覆うようにも形成されており、第１の内部電極３１，３３に電気的且つ物理的に接続されている。第１の外部電極５１は、第２内部電極４１には接続されておらず、第２内部電極４１と電気的に絶縁されている。

第２の外部電極５２は、第２の内部電極４１の端面４１ａにおける端面２７寄りの領域を覆うようにも形成されており、第２の内部電極４１に電気的且つ物理的に接続されている。第２の外部電極５２は、第１の内部電極３１，３３には接続されておらず、第１の内部電極３１，３３と電気的に絶縁されている。

第１の外部電極５３と第２の外部電極５４とは、バリスタ素体２１の主面２３にそれぞれ形成されており、主面２３に垂直な方向から見て長方形状を呈している。第１の外部電極５３は、その長手方向が側面２４，２５が対向する方向となるように形成されている。第１の外部電極５３は、主面２３に垂直な方向から見て、第２の内部電極４１の端面２６側の端と端面２６との間の領域に位置している。第２の外部電極５４は、その長手方向が側面２４，２５が対向する方向となるように形成されている。第２の外部電極５４は、主面２３に垂直な方向から見て、第１の内部電極３１，３３の端面２７側の端と端面２７との間の領域に位置している。

第１の外部電極５３は、第１の内部電極３１，３３の端面３１ｂ，３３ｂにおける端面２６寄りの領域を覆うようにも形成されており、第１の内部電極３１，３３に電気的且つ物理的に接続されている。第１の外部電極５３は、第２内部電極４１には接続されておらず、第２内部電極４１と電気的に絶縁されている。

第２の外部電極５４は、第２の内部電極４１の端面４１ｂにおける端面２７寄りの領域を覆うようにも形成されており、第２の内部電極４１に電気的且つ物理的に接続されている。第２の外部電極５４は、第１の内部電極３１，３３には接続されておらず、第１の内部電極３１，３３と電気的に絶縁されている。

第１の内部電極３１，３３の端面３１ａ，３３ａは、第１の外部電極５１に覆われない領域、すなわち第１の外部電極５１から露出する領域を含んでいる。第１の内部電極３１，３３の端面３１ｂ，３３ｂは、第１の外部電極５３に覆われない領域、すなわち第１の外部電極５３から露出する領域を含んでいる。

第２の内部電極４１の端面４１ａは、第２の外部電極５２に覆われない領域、すなわち第２の外部電極５２から露出する領域を含んでいる。第２の内部電極４１の端面４１ｂは、第２の外部電極５４に覆われない領域、すなわち第２の外部電極５４から露出する領域を含んでいる。

第１及び第２の外部電極５１〜５４は、例えば、印刷法あるいはめっき法により形成することができる。印刷法を用いる場合は、Ａｕ粒子あるいはＰｔ粒子を主成分とする金属粉末に、有機バインダ及び有機溶剤を混合した導電性ペーストを用意し、当該導電性ペーストをバリスタ素体２１上に印刷し、焼付あるいは焼成することにより形成する。めっき法を用いる場合は、真空めっき法（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等）により、ＡｕあるいはＰｔを蒸着させることにより第１及び第２の外部電極５１〜５４を形成する。

第１の内部電極３１と第２の内部電極４１とは、上述したように、バリスタ素体２１の一部を介して互いに重なり合う。同様に、第２の内部電極４１と第１の内部電極３３とも、バリスタ素体２１の一部を介して互いに重なり合う。したがって、バリスタ素体２１における第１の内部電極３１と第２の内部電極４１とに重なる領域、及び、第２の内部電極４１と第１の内部電極３３とに重なる領域が、バリスタ特性を発現する領域として機能する。バリスタ素体２１は、全てがバリスタ特性を発現する材料にて構成される必要なく、少なくとも第１の内部電極３１と第２の内部電極４１とに重なる領域及び第２の内部電極４１と第１の内部電極３３とに重なる領域がバリスタ特性を発現する材料にて構成されていればよい。

本実施形態に係るバリスタ１１では、第１の内部電極３１，３３及び第２の内部電極４１の重なり方向の厚みが、以下のように設定されている。第１の内部電極３１と第２の内部電極４１との間隔及び第２の内部電極４１と第１の内部電極３３との間隔をそれぞれ間隔ｔ１とする。間隔ｔ１は、第１の内部電極３１と第２の内部電極４１とが対向する方向（側面２４，２５が対向する方向）での第１の内部電極３１と第２の内部電極４１との距離、及び、第２の内部電極４１と第１の内部電極３３とが対向する方向（側面２４，２５が対向する方向）での第２の内部電極４１と第１の内部電極３３との距離である。第１及び第２の内部電極３１，３３，４１の重なり方向の厚みをそれぞれ厚みｔ２とする。厚みｔ２は、第１及び第２の内部電極３１，３３，４１それぞれにおいて互いに対向する主面間の距離である。この場合、厚みｔ２は、間隔ｔ１以上に設定されている。第１及び第２の内部電極３１，３３，４１の重なり方向は、第１の内部電極３１と第２の内部電極４１とが対向する方向と一致する。

以上のように、本実施形態においては、第１の内部電極３１，３３の端面３１ａ，３１ｂ，３３ａ，３３ｂ及び第２の内部電極４１の端面４１ａ，４１ｂがバリスタ素体２１の主面２２，２３に露出すると共に、第１及び第２の内部電極３１，３３，４１の重なり方向の厚みが第１の内部電極３１，３３と第２の内部電極４１との間隔以上に設定されているので、バリスタ１１に伝えられた熱を第１及び第２の内部電極３１，３３，４１から効率よく放散することができる。

本実施形態においては、第１の内部電極３１，３３の端面３１ａ，３１ｂ，３３ａ，３３ｂが、第１の外部電極５１，５３から露出する領域を含み、第２の内部電極４１の端面４１ａ，４１ｂが、第２の外部電極５２，５４から露出する領域を含んでいる。これにより、第１及び第２の内部電極３１，３３，４１からバリスタ１１の外部へ熱をより効率的に放散することができる。

本実施形態においては、第１の内部電極３１，３３の端面３１ａ，３１ｂ，３３ａ，３３ｂと第２の内部電極４１の端面４１ａ，４１ｂとが、対向する２つの主面２２，２３に露出している。これにより、第１の内部電極３１，３３の端面３１ａ，３１ｂ，３３ａ，３３ｂ及び第２の内部電極４１の端面４１ａ，４１ｂが、バリスタ素体２１の主面２２，２３に比較的大きな面積にて露出されることとなり、より効率的に熱を放散させることができる。

ところで、間隔ｔ１は、１０μｍ以上であることが好ましい。間隔ｔ１を１０μｍ以上とすることにより、バリスタ１１におけるバリスタ電圧を一定電圧以上にすることができる。また、間隔ｔ１は、３００μｍ以下であることが好ましい。間隔ｔ１を３００μｍ以下とすることにより、より確実にバリスタ電圧を得ることができる。間隔ｔ１を３００μｍより大きくした場合、焼成温度をより高くする必要があると共に製造が困難となる。

バリスタ素体２１における側面２４と側面２５との間隔（横方向の寸法）を間隔Ｗとして、第１及び第２の内部電極３１，３３，４１の重なり方向の厚みの和をΣｔ２とすると、１０μｍ≦Σｔ２≦Ｗ−３０μｍであることが好ましい。このようにすることにより、有効な放熱特性を発現させることができる。

次に、図５及び図６を参照して、本実施形態に係る発光装置ＬＥの構成について説明する。図５及び図６は、本実施形態に係る発光装置の断面構成を説明するための模式図である。図５は、発光装置ＬＥを第１の内部電極３１を含む平面にて切断した際の断面構成を示している。図６は、発光装置ＬＥを第２の内部電極４１を含む平面にて切断した際の断面構成を示している。

発光装置ＬＥは、上述した構成を有するバリスタ１１と、当該バリスタ１１と電気的に接続された半導体発光素子６１とを備えている。

半導体発光素子６１は、ＧａＮ（窒化ガリウム）系半導体の発光ダイオード（ＬＥＤ：Light-Emitting Diode）であり、基板６２と、当該基板６２上に形成された層構造体ＬＳとを備えている。ＧａＮ系の半導体ＬＥＤは、周知であり、その説明を簡略化する。基板６２は、サファイアからなる光学的に透明且つ電気絶縁性を有する基板である。層構造体ＬＳは、積層された、ｎ型（第１導電型）の半導体領域６３と、発光層６４と、ｐ型（第２導電型）の半導体領域６５とを含んでいる。半導体発光素子６１は、ｎ型の半導体領域６３とｐ型の半導体領域６５との間に印加される電圧に応じて発光する。

ｎ型の半導体領域６３は、ｎ型の窒化物半導体を含んで構成されている。本実施形態では、ｎ型の半導体領域６３は、基板６２上にＧａＮがエピタキシャル成長されて成り、例えばＳｉといったｎ型ドーパントが添加されてｎ型の導電性を有している。また、ｎ型の半導体領域６３は、発光層６４よりも屈折率が小さく且つバンドギャップが大きくなるような組成を有していてもよい。この場合、ｎ型の半導体領域６３は、発光層６４に対して下部クラッドとしての役割を果たす。

発光層６４は、ｎ型の半導体領域６３上に形成され、ｎ型の半導体領域６３及びｐ型の半導体領域６５から供給されたキャリア（電子及び正孔）が再結合することにより発光領域において光を発生する。発光層６４は、例えば、障壁層と井戸層とが複数周期にわたって交互に積層された多重量子井戸（ＭＱＷ：Multiple Quantum Well）構造とすることができる。この場合、障壁層及び井戸層がＩｎＧａＮからなり、Ｉｎ（インジウム）の組成を適宜選択することによって障壁層のバンドギャップが井戸層のバンドギャップより大きくなるように構成される。発光領域は、発光層６４において、キャリアが注入される領域に生じる。

ｐ型の半導体領域６５は、ｐ型の窒化物半導体を含んで構成されている。本実施形態では、ｐ型の半導体領域６５は、発光層６４上にＡｌＧａＮがエピタキシャル成長されて成り、例えばＭｇといったｐ型ドーパントが添加されてｐ型の導電性を有している。また、ｐ型の半導体領域６５は、発光層６４よりも屈折率が小さく且つバンドギャップが大きくなるような組成を有していてもよい。この場合、ｐ型の半導体領域６５は、発光層６４に対して上部クラッドとしての役割を果たす。

ｎ型の半導体領域６３上には、カソード電極６６が形成されている。カソード電極６６は、導電性材料からなり、ｎ型の半導体領域６３との間にオーミック接触が実現されている。ｐ型の半導体領域６５上には、アノード電極６７が形成されている。アノード電極６７は、導電性材料からなり、ｐ型の半導体領域６５との間にオーミック接触が実現されている。カソード電極６６及びアノード電極６７には、バンプ電極６８が形成されている。

上述した構成の半導体発光素子６１では、アノード電極６７（バンプ電極６８）とカソード電極６６（バンプ電極６８）との間に所定の電圧が印加されて電流が流れると、発光層６４の発光領域において発光が生じることとなる。

半導体発光素子６１は、第１及び第２の外部電極５３，５４にバンプ接続されている。すなわち、カソード電極６６は、バンプ電極６８を介して第２の外部電極５４に電気的且つ物理的に接続されている。アノード電極６７は、バンプ電極６８を介して第１の外部電極５３に電気的且つ物理的に接続されている。これにより、第１の内部電極３１と第２の内部電極４１とが重なる領域及び第２の内部電極４１と第１の内部電極３３とが重なる領域により構成されるバリスタ部が半導体発光素子６１に並列接続されることとなる。よって、バリスタ１１により、半導体発光素子６１をＥＳＤサージから保護することができる。

このように半導体発光素子６１と接続されたバリスタ１１の第１及び第２の外部電極５１，５２は、バリスタ１１の入出力端子電極として機能する。同じく第１及び第２の外部電極５３，５４は、半導体発光素子６１に電気的に接続されるパッド電極として機能する。

発光装置ＬＥにおいて、半導体発光素子６１のバンプ電極６８とバリスタ１１の第１及び第２の外部電極５３，５４とは、物理的に接続されていることから、熱的に接続されることとなる。そして、第１の外部電極５３と第１の内部電極３１，３３とは物理的に接続されており、第１の外部電極５３と第１の内部電極３１，３３とも熱的に接続されている。第２の外部電極５４と第２の内部電極４１とは物理的に接続されており、第２の外部電極５４と第２の内部電極４１とも熱的に接続している。よって、半導体発光素子６１において発生した熱は、バンプ電極６８及び各外部電極５３，５４を介して、第１及び第２の内部電極３１，３３，４１へ伝わることとなる。

以上のように、本実施形態に係る発光装置ＬＥにおいては、半導体発光素子６１に物理的に接続されたバリスタ１１の第１及び第２の外部電極５３，５４が対応する第１または第２の内部電極３１，３３，４１と物理的に接続されているので、半導体発光素子６１において発生した熱が第１及び第２の外部電極５３，５４を介して第１及び第２の内部電極３１，３３，４１に伝わる。そして、第１及び第２の内部電極３１，３３，４１の端面３１ａ，３１ｂ，３３ａ，３３ｂ，４１ａ，４１ｂがバリスタ素体２１の主面２２，２３に露出すると共に、第１及び第２の内部電極３１，３３，４１の重なり方向の厚みが第１の内部電極３１，３３と第２の内部電極４１との間隔以上に設定されているので、半導体発光素子１において発生した熱を、バリスタ１１（第１及び第２の内部電極３１，３３，４１）から効率よく放散することができる。

以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

本実施形態においては、電子素子として半導体発光素子を用いた例を示しているが、これに限られない。本発明は、半導体発光素子以外にも、動作中に発熱する電子素子（例えば、ＦＥＴ、バイポーラトランジスタ等）に適用することができる。

本実施形態では、バリスタ１１が一対の第１の内部電極３１，３３と一つの第２の内部電極４１を備えているが、これに限られない。例えば、バリスタ１１が第１の内部電極３１及び第２の内部電極４１をそれぞれ一つずつ備えていてもよく、また、それぞれ複数ずつ備えていてもよい。

本実施形態では、半導体発光素子６１としてＧａＮ系の半導体ＬＥＤやＺｎＯ系半導体の発光ダイオードを用いているが、これに限られない。半導体発光素子６１として、例えば、ＧａＮ系以外の窒化物系半導体ＬＥＤ（例えば、ＩｎＧａＮＡｓ系の半導体ＬＥＤ等）や窒化物系以外の化合物半導体ＬＥＤやレーザーダイオード（ＬＤ：Laser Diode）を用いてもよい。

本実施形態では、第１及び第２の内部電極３１，３３，４１の端面３１ａ，３１ｂ，３３ａ，３３ｂ，４１ａ，４１ｂがバリスタ素体２１の二つの主面２２，２３に露出しているが、これに限られない。例えば、第１及び第２の内部電極３１，３３，４１の端面３１ａ，３１ｂ，３３ａ，３３ｂ，４１ａ，４１ｂが、二つの主面２２，２３のいずれか一方の主面にのみ露出していてもよい。また、主面２２，２３は、熱伝達に優れた材料にて覆われていてもよい。

本実施形態では、バリスタ１１が、一対の第１の外部電極５１，５３及び一対の第２の外部電極５２，５４を備えているが、これに限られない。例えば、バリスタ１１は、第１及び第２の外部電極５１，５２と第１及び第２の外部電極５３，５４とのいずれか一方の第１及び第２の外部電極を備えていればよい。この場合、第１及び第２の外部電極は、入出力端子電極及びパッド電極として機能する。

第１の外部電極５１，５３と第２の内部電極４１との電気的な絶縁が確保されるのであれば、主面２２，２３に垂直に方向から見て、第１の外部電極５１，５３と第２の内部電極４１とは、互いに一部が重なっていてもよい。同様に、第２の外部電極５２，５４と第１の内部電極３１，３３との電気的な絶縁が確保されるのであれば、主面２２，２３に垂直に方向から見て、第２の外部電極５２，５４と第１の内部電極３１，３３とは、互いに一部が重なっていてもよい。

第１の内部電極３１，３３の重なり方向の厚みと第２の内部電極４１の重なり方向の厚みとが、異なっていてもよい。また、第１の内部電極３１と第２の内部電極４１との間隔と、第１の内部電極３３と第２の内部電極４１との間隔とが、異なっていてもよい。

本実施形態に係るバリスタを示す概略斜視図である。 本実施形態に係るバリスタを示す概略平面図である。 本実施形態に係るバリスタの断面構成を説明するための模式図である。 図２におけるIV−IV線に沿った断面構成を示す模式図である。 本実施形態に係る発光装置の断面構成を説明するための模式図である。 本実施形態に係る発光装置の断面構成を説明するための模式図である。

符号の説明

ＬＥ…発光装置、１１…バリスタ、２１…バリスタ素体、２２，２３…主面、２４，２５…側面、２６，２７…端面、３１，３３…第１の内部電極、４１…第２の内部電極、５１，５３…第１の外部電極、５２，５４…第２の外部電極、ｔ１…第１の内部電極と第２の内部電極との間隔、ｔ２…第１及び第２の内部電極の厚み、６１…半導体発光素子。

Claims (1)

1. 半導体発光素子と、バリスタとを備える発光装置であって、
   前記バリスタは、
   互いに対向する２つの外表面を有すると共に、ＺｎＯを主成分とするバリスタ素体と、
   前記２つの外表面が対向する方向と直交する方向に互いに対向すると共に端面全体が前記２つの外表面にそれぞれ露出するように該バリスタ素体内に配置された第１及び第２の内部電極と、
   前記第１の内部電極の前記２つの外表面にそれぞれ露出した前記端面と物理的且つ電気的に接続されるように前記２つの外表面上にそれぞれ形成された第１の外部電極と、
   前記第２の内部電極の前記２つの外表面にそれぞれ露出した前記端面と物理的且つ電気的に接続されるように前記２つの外表面上にそれぞれ形成された第２の外部電極とを備え、
   前記第１及び前記第２の内部電極の重なり方向の厚みが、前記第１の内部電極と前記第２の内部電極との間隔以上に設定されており、
   前記第１の内部電極の前記端面は、前記第１の外部電極に覆われる領域と、前記第１の外部電極から露出する領域と、を含み、
   前記第２の内部電極の前記端面は、前記第２の外部電極に覆われる領域と、前記第２の外部電極から露出する領域と、を含み、
   前記半導体発光素子は、前記２つの外表面のうち一方の外表面に対向するように前記バリスタ素体上に配され、前記バリスタに並列接続されるように前記第１及び第２の外部電極に物理的且つ電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。

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