TWI399761B - Varistors and light - emitting devices - Google Patents

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TWI399761B
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Description

變阻器及發光裝置
本發明係關於一種變阻器及具備其之發光裝置。
作為變阻器，具有包括以下者：素體，其係具有顯現出電壓非線性特性之變阻器素體與夾持該變阻器素體之一部分而配置於變阻器素體之內部之一對內部電極；一對端子電極，其形成於上述素體之外表面，且分別連接於所對應之內部電極(例如，參照日本國之公開公報，特開2002-246207號公報)。
而且，使變阻器並聯地連接於半導體發光元件或FET(Field Effect Transistor：場效電晶體)等電子元件，藉此可保護電子元件不受ESD(Electrostatic Discharge，靜電放電)突波之影響。該電子元件於動作中發熱。若電子元件達到高溫，則會導致元件本身之特性劣化，從而對其動作造成影響。因此，必需有效地放出所產生之熱。
本發明係為解決上述問題所完成者，其目的在於提供一種能夠有效地放出熱之變阻器及發光裝置。
本發明人考慮：將金屬設置成與變阻器素體接觸，將傳遞至變阻器之熱自金屬放出，藉此能夠有效地自變阻器放出熱。然而，當使金屬與變阻器素體外側之一個面接觸時，兩者間之接合強度較弱，存在變阻器素體與金屬剝離之情形。於該情形時，無法有效地自金屬放出傳遞至變阻 器之熱。因此，為解決該問題，發明人發明了強化金屬與變阻器素體之間之接合強度之變阻器及發光裝置。
本發明之變阻器之特徵在於包括：變阻器部，其具有顯現出電壓非線性特性之變阻器素體與夾持該變阻器素體且以至少一部分相互對向之方式配置之內部電極；外部電極，其連接於內部電極，且成為外部元件之連接端；及散熱部，其對變阻器部熱連接；變阻器素體以半導體陶瓷為主成分，散熱部包含金屬及金屬氧化物之複合材料。
又，本發明之變阻器之特徵在於包括：變阻器部，其具有顯現出電壓非線性特性之變阻器素體、配置於該變阻器素體內部之電極部、及配置於變阻器素體之表面且至少一部分與電極部相互對向之電極部；及散熱部，其對變阻器部熱連接；變阻器素體以半導體陶瓷為主成分，散熱部包含金屬及金屬氧化物之複合材料。
於該變阻器中，散熱部與以半導體陶瓷為主成分之變阻器素體同樣地，包含金屬氧化物。藉由使變阻器素體與散熱部之構成成分共同，抑制於鍛燒等時在變阻器部與散熱部之間產生裂紋，充分確保變阻器部與散熱部之接合強度。藉此，利用散熱部之金屬來有效地放出自外部元件傳遞至變阻器部之熱。
又，較好的是，金屬係於散熱部之自與上述變阻器部接觸之面遍及不與變阻器部接觸之面導通。於該情形時，散熱部之散熱效率更高。
又，較好的是，金屬氧化物包含ZnO。於該情形時，能 夠更可靠地抑制於鍛燒等時在變阻器部與散熱部之間產生裂紋，充分確保變阻器部與散熱部之接合強度。
又，較好的是，金屬氧化物包含被塗佈金屬之Al2 O3 。於該情形時，於散熱部容易形成由金屬構成之散熱路徑，能夠提高散熱效率。
又，較好的是，金屬以Ag為主成分。由於Ag擴散至作為變阻器素體之主成分之ZnO之晶界中，故而能夠進一步提高變阻器部與散熱部之接合強度。
又，較好的是，藉由同時鍛燒而形成變阻器部與散熱部。於該情形時，能夠使製造步驟簡化。
又，本發明之發光裝置之特徵在於：其係具有發光元件與變阻器者，且變阻器包括：變阻器部，其具有顯現出電壓非線性特性之變阻器素體與夾持該變阻器素體且以至少一部分相互對向之方式配置之內部電極；外部電極，其連接於內部電極，且成為發光元件之連接端；及散熱部，其配置成與變阻器部接觸；且變阻器素體以ZnO為主成分，散熱部包含金屬及金屬氧化物之複合材料。
於該發光裝置中，散熱部與以ZnO為主成分之變阻器素體同樣地，包含金屬氧化物。藉由使變阻器素體與散熱部之構成成分共同，能夠抑制於鍛燒等時在變阻器部與散熱部之間產生裂紋，充分確保變阻器部與散熱部之接合強度。藉此，利用散熱部之金屬來有效地放出自發光元件經由外部電極而傳遞至變阻器部之熱。
根據本發明之變阻器及發光裝置，能夠有效地放出熱。
以下，參照圖式，詳細說明本發明之變阻器及發光裝置之較佳實施形態。
[第1實施形態]
圖1係本發明之第1實施形態之變阻器之概略立體圖。又，圖2係圖1之概略剖面圖。如圖1及圖2所示，變阻器V1具有變阻器部11、一對外部電極12、13、以及散熱部14，且形成為大致長方體形狀。
變阻器部11具有變阻器素體15、第1內部電極16、第2內部電極17、以及第3內部電極18。變阻器素體15形成為大致長方體形狀，且具有彼此相對向之面15a及面15b、與面15a及面15b垂直且彼此相對向之面15c及15d、以及與面15c及面15d相鄰且彼此相對向之兩個面。
該變阻器素體15係積層複數個變阻器層而形成之積層體。各變阻器層係表現出電壓非線性特性之部分，以ZnO為主成分，且包含Pr或Bi作為副成分。該等副成分作為金屬單體或氧化物而存在於變阻器層中。再者，於實際之變阻器V1中，複數個變阻器層之間之邊界以無法辨認之程度而一體化。
第1內部電極16及第2內部電極17配置於變阻器素體15之面15a。自與面15a垂直之方向觀察，第1內部電極16及第2內部電極17呈長方形，且彼此隔開間隔而對稱地配置。第1內部電極16不露出至變阻器素體15之面15c、及與面15c相鄰之兩個側面，而延伸至與面15a之緣部僅相距特定距 離之內側之位置為止。同樣，第2內部電極17不露出至變阻器素體15之面15d、及與面15d相鄰之兩個側面，而延伸至與面15a之緣部延僅相距特定距離之內側之位置為止。
又，第1內部電極16及第2內部電極17藉由以玻璃為主成分之瓷釉19所覆蓋，上述第1內部電極16及第2內部電極17彼此電性絕緣。於瓷釉19上，於與第1內部電極16及第2內部電極17相對應之位置形成有開口部19a、19b。藉此，第1內部電極16及第2內部電極17之表面之一部分成為自瓷釉19露出之狀態。
第3內部電極18夾持複數層之變阻器層，且以分別與第1內部電極16及第2內部電極17相對向之方式，配置於變阻器素體15內之大致中央部分。第3內部電極18與第1內部電極16及第2內部電極17彼此電性絕緣。
外部電極12、13以與第1內部電極16及第2內部電極17相對應之方式，彼此隔開而對稱地形成於瓷釉19之外表面。外部電極12、13亦延伸至瓷釉19之開口部19a、19b之內部，與自瓷釉19露出之第1內部電極16及第2內部電極17接觸。藉此，外部電極12與第1內部電極16電性且物理性地連接，外部電極13與第2內部電極17電性且物理性地連接。該外部電極12、13作為如半導體發光元件61(參照圖7)之外部元件之連接端而發揮作用。
散熱部14與變阻器素體15同樣地形成為大致長方體形狀，且具有彼此相對向之面14a及面14b、與面14a及面14b垂直且相對向之面14c及面14d、以及與面14c及面14d相鄰 且相對向之兩個面。散熱部14之面14a接合於變阻器素體15之面15b。
散熱部14由金屬與金屬氧化物之複合材料所形成。作為此處所謂之金屬，例如可使用Ag、Ag-Pd、Pd等，但考慮到熱傳導率之方面，較好的是使用Ag。又，作為金屬氧化物，可使用AL2 O3 、ZnO、SiO2 及ZrO2 。Al2 O3 使用例如藉由無電解電鍍而對該金屬氧化物之粒子進行Ag塗佈者。再者，金屬氧化物不一定必需包含全部上述Al2 O3 、ZnO、SiO2 及ZtO2 ，亦可包含至少一種以上之該等物質。
此種散熱部14係於面14a與變阻器素體15之面15b接觸之狀態下，藉由與變阻器部11同時鍛燒而形成。散熱部14之內部藉由作為金屬之Ag，自與變阻器部11接觸之面14a遍及導通至不與變阻器部11接觸之面14b、面14c、面14d。藉由經Ag塗佈之Al2 O3 而更可靠地確立該導通路徑。
接著，說明上述變阻器V1之製造過程。
首先，按照特定之比例來混合作為變阻器素體15之主成分之ZnO、與作為副成分之Pr或Bi之金屬，以調製變阻器材料。其次，將有機黏合劑、有機溶劑、及有機增塑劑等添加至該變阻器材料中，獲得漿料。
將該漿料塗佈於薄膜上之後進行乾燥，獲得生片。繼而，於生片上形成與第1內部電極16～第3內部電極18相對應之電極部分。該等電極部分係藉由將導電性糊印刷於變阻器素體上，並使該導電性糊乾燥而形成，該導電性糊係將有機黏合劑及有機溶劑混合於以Ag粒子為主成分之金屬 粉末而形成者。
其次，按照特定之順序，將形成有電極部分之生片與未形成電極部分之生片重疊，從而形成片積層體。繼而，將所獲得之片積層體切斷為晶片單位，獲得與變阻器部11相對應之生胚體。其後，以180℃~400℃之溫度，對生胚體實施0.5小時～24小時左右之加熱處理，藉此進行脫黏合劑處理。
其次，準備由Ag、Al2 O3 、ZnO、SiO2 及ZfO2 之複合材料形成之散熱部14。繼而，使上述生胚體與散熱部14之面14a重合，於空氣中或O2 環境下，以800℃以上之溫度同時對上述生胚體與散熱部14之面14a進行鍛燒。藉此，形成變阻器部11與散熱部14之接合體。獲得接合體之後，以覆蓋第1內部電極16及第2內部電極17之方式印刷瓷釉19，進而，以塞住瓷釉19之開口部19a、19b之方式，印刷與外部電極12、13相對應之電極部分。
該電極部係藉由將導電性糊印刷至瓷釉19上，並使該導電性糊乾燥而形成，上述導電性糊係將有機黏合劑與有機溶劑混合於以Au粒子或Ag粒子為主成分之金屬粉末而形成者。繼而，於O2 環境下，以800℃以上之溫度同時對上述導電性糊與瓷釉19進行鍛燒，藉此形成外部電極12、13，從而完成圖1及圖2所示之變阻器V1。
於該變阻器V1中，散熱部14包含與作為變阻器素體15之主成分之ZnO相同之成分作為金屬氧化物，使變阻器素體15與散熱部14之構成成分共同。又，於鍛燒時，散熱部14 中所含之Ag於面14a與面15b之界面附近，擴散至作為變阻器素體15之主成分之ZnO之晶界中。藉此，牢固地接合變阻器部11與散熱部14。
因此，於變阻器V1中，鍛燒時(或者脫黏合劑時)，在變阻器部11與散熱部14之間幾乎不會產生裂紋，從而能夠充分地確保變阻器部11與散熱部14之接合強度。因此，自外部元件經由外部電極12、13而傳遞至變阻器部11之熱量，藉由Ag粒子與Al2 O3 之塗佈部分而於導通路徑中傳遞，並被高效率地放出，上述導通路徑係自散熱部14中之面14a遍及面14b、面14c、面14d而形成者。
又，於變阻器V1中，同時對變阻器部11與散熱部14進行鍛燒。此有助於實現製造工序之簡單化，提高變阻器V1之製造效率並有助於降低成本。
[第2實施形態]
現對本發明之第2實施形態之變阻器進行說明。圖3係表示本發明之第2實施形態之變阻器之概略剖面圖。圖3所示之變阻器V2之內部電極之構成，與第1實施形態之變阻器V1不同。
亦即，變阻器V2不具有第3內部電極18(參照圖2)，取而代之，具有以一端側彼此相對向之方式而配置於變阻器素體15內之第1內部電極21及第2內部電極22。繼而，第1內部電極21及第2內部電極22藉由貫通導體23而分別連接於外部電極12、13。
於該變阻器V2中，變阻器素體15亦以ZnO為主成分，散 熱部14由作為金屬之Ag與包含作為變阻器素體15之主成分之ZnO的金屬氧化物之複合材料而形成。因此，與第1實施形態同樣，能夠充分地確保變阻器部11與散熱部14之接合強度，自外部元件經由外部電極12、13而傳遞至變阻器部11之熱量，於導通路徑中傳遞，並被高效率地放出，上述導通路徑係自散熱部14之面14a遍及面14b、面14c、面14d而形成者。
[第3實施形態]
現對本發明之第3實施形態之變阻器進行說明。圖4係表示本發明之第3實施形態之變阻器之概略剖面圖。圖4所示之變阻器V3中之散熱部14與第2實施形態之變阻器V2更為不同之處在於：於不與變阻器部11接觸之面14b側亦形成有瓷釉31。
於該變阻器V3中，變阻器素體15亦以ZnO為主成分，散熱部14由作為金屬之Ag與包含作為變阻器素體15之主成分之ZnO的金屬氧化物之複合材料而形成。因此，能夠充分地確保變阻器部11與散熱部14之接合強度，自外部元件經由外部電極12、13而傳至變阻器部11之熱量，於導通路徑中傳遞，並被高效率地放出，上述導通路徑係自散熱部14之面14a遍及面14b、面14c、面14d而形成者。
[第4實施形態]
現對本發明之第4實施形態之變阻器進行說明。圖5係表示本發明之第4實施形態之變阻器之概略剖面圖。圖5所示之變阻器V4與第3實施形態之變阻器V3更為不同之處在 於：在形成於不與變阻器部11接觸之面14b側之瓷釉31之外表面上，更形成有外部電極41、42。
於變阻器V4中，藉由貫通電極43來連接形成於變阻器部11側之一方之外部電極12、第1內部電極21、以及形成於散熱部14側之一方之外部電極41，進而，藉由貫通電極44來連接形成於變阻器部11側之他方之外部電極13、第2內部電極22、以及形成於散熱部14側之他方之外部電極42。又，於經過散熱部14之貫通電極43、44之周圍，分別形成有具有電絕緣性之層45。
於該變阻器V4中，變阻器素體15亦以ZnO為主成分，散熱部14由作為金屬之Ag與包含作為變阻器素體15之主成分之ZnO的金屬氧化物之複合材料而形成。因此，能夠充分地確保變阻器部11與散熱部14之接合強度，自外部元件經由外部電極12、13而傳遞至變阻器部11之熱量，於導通路徑中傳遞，並被高效率地放出，上述導通路徑係自散熱部14之面14a遍及面14c、面14d而形成者。
再者，於變阻器V4中，可將形成於變阻器部11側之外部電極12、13作為外部元件之連接端，亦可將形成於散熱部14側之外部電極41、42作為外部元件之連接端。
[第5實施形態]
現對本發明之第5實施形態之變阻器進行說明。圖6係表示本發明之第5實施形態之變阻器之概略立體圖。圖6所示之變阻器V5中之變阻器部50之構成與上述各實施形態不同。亦即，變阻器V5於變阻器素體51內具有第1內部電極 52與第2內部電極53、以及第1散熱部54與第2散熱部55。又，於變阻器素體51之一方之面51a上具有外部電極56、57。
第1內部電極52及第2內部電極53分別具有平板部52a、53a，以及自平板部52a、53a之一方之端部朝變阻器素體51之一方之面51a及他方之面51b突出的連接片52b、53b。第1內部電極52及第2內部電極53以使連接片52b、53b彼此位於相反側之方式，而配置成夾持複數層之變阻器層，平板部52a、53a之大部分為彼此相對向之狀態。連接片52b、53b之一方之前端部分，以露出至變阻器素體51之面51a之方式伸出；另一方之前端部分以露出至面51b之方式伸出。
第1散熱部54及第2散熱部55形成為厚於第1內部電極52及第2內部電極53之板狀，且以夾持第1內部電極52及第2內部電極53之方式而大致平行地配置。第1散熱部54之寬度方向之面54a、54b分別露出至變阻器素體51之面51a及面51b，長度方向之端面54c、54d分別露出至與變阻器素體51中之面51a及面51b垂直且彼此相對向的面51c及面51d。
同樣，第2散熱部55之寬度方向之面55a、55b分別露出至變阻器素體51之面51a及面51b，長度方向之端面55c、55d分別露出至與變阻器素體51中之面51a及面51b垂直且相對向的面51c及面51d。
外部電極56、57以與第1內部電極52、第2內部電極53、 第1散熱部54及第2散熱部55交叉之方式，於變阻器素體51之面51a上，沿面51c側之緣部及面51d側之緣部而分別形成。外部電極56與第2內部電極53之連接片53b、第1散熱部54、及第2散熱部55電性且物理性地連接，外部電極57與第1內部電極52之連接片52b、第1散熱部54、及第2散熱部55電性且物理性地連接。
再者，於變阻器素體51之面51a上，在外部電極56、57之間，襯墊電極58排列為例如3列×4行之矩陣狀。襯墊電極58中，與外側之行(第1行及第4行)相當之襯墊電極58連接於第1散熱部54及第2散熱部55。
於該變阻器V5中，變阻器素體51亦以ZnO為主成分，第1散熱部54及第2散熱部55由作為金屬之Ag與包含作為變阻器素體51之主成分之ZnO之金屬氧化物的複合材料而形成。因此，能夠充分地確保變阻器部50與第1散熱部54及第2散熱部55之接合強度，自外部元件經由外部電極56、57及襯墊電極58而傳遞至變阻器部50之熱量，於自第1散熱部54之面54a遍及面54b、面54c、面54d而形成之導通路徑中，以及自第2散熱部55之面55a遍及面55b、面55c、面55d而形成之導通路徑中傳遞，並被高效率地放出。
[發光裝置]
繼而，對本發明之一實施形態之發光裝置進行說明。圖7係表示本發明之一實施形態之發光裝置之概略剖面圖。圖7所示之發光裝置LE具有例如上述之變阻器V1、及與該變阻器V1電性連接之半導體發光元件61。
半導體發光元件61係GaN(氮化鎵)系半導體發光二極體(LED: Light-Emitting Diode)，其具有基板62、與形成於該基板62之層構造體LS。GaN系之半導體LED已眾所周知，因而簡化其說明。基板62係由藍寶石形成之光學性透明且具有電絕緣性之基板。層構造體LS包含積層之n型(第1導電型)之半導體區域63、發光層64、以及p型(第2導電型)之半導體區域65。半導體發光元件61藉由施加於n型之半導體區域63與p型之半導體區域65之間之電壓而發光。
n型之半導體區域63包含n型之氮化物半導體而構成。於本實施形態中，n型之半導體區域63係GaN於基板62上磊晶成長而成，且添加有例如Si等n型摻雜劑而具有n型之導電性。又，n型之半導體區域63亦可具有使折射率小於發光層64之折射率、且使能帶隙變大之組成。於該情形時，n型之半導體區域63對發光層64發揮作為下部包層之作用。
發光層64藉由形成於n型之半導體區域63上、且自n型之半導體區域63及p型之半導體區域65供給之載子(電子及電洞)進行再結合，而於發光區域中產生光。可將發光層64設為例如於複數個週期中交替地積層有障壁層與阱層之多重量子阱(MQW: Multiple Quantum Well)結構。於該情形時，障壁層及阱層由InGaN形成，藉由適當選擇In(銦)之組成，使障壁層之能帶隙大於阱層之能帶隙。發光區域於發光層64中，產生於注入有載子之區域。
p型之半導體區域65包含p型之氮化物半導體而構成。於 本實施形態中，p型之半導體區域65係AlGaN於發光層64上磊晶成長而成，且添加有例如Mg等p型摻雜劑而具有p型之導電性。又，p型之半導體區域65亦可具有使折射率小於發光層64之折射率、且使能帶隙變大之組成。於該情形時，p型之半導體區域65對發光層64發揮作為上部包層之作用。
於n型之半導體區域63上形成有陰極電極66。陰極電極66由導電性材料形成，於與n型之半導體區域63之間實現歐姆接觸。於p型之半導體區域65上形成有陽極電極67。陽極電極67由導電性材料形成，於與p型之半導體區域65之間實現歐姆接觸。於陰極電極66及陽極電極67上形成有凸塊電極68。
於上述構成之半導體發光元件61中，當在陽極電極67(凸塊電極68)與陰極電極66(凸塊電極68)之間施加特定之電壓，以使電流流動時，發光層64之發光區域會發光。
半導體發光元件61藉由凸塊而連接於外部電極12、13。亦即，陰極電極66經由凸塊電極68而電性且物理性地連接於外部電極12。陽極電極67經由凸塊電極68而電性且物理性地連接於外部電極13。藉此，變阻器V1並聯地連接於半導體發光元件61。因此，藉由變阻器V1來保護半導體發光元件61不受ESD突波之影響。
如上所述，於變阻器V1中，散熱部14包含與作為變阻器素體15之主成分之ZnO相同之成分作為金屬氧化物，變阻器素體15與散熱部14之構成成分共同。又，於鍛燒時，散 熱部14中所含之Ag於面14a與面15b之界面附近，擴散至作為變阻器素體15之主成分之ZnO之晶界中。藉此，牢固地接合變阻器部11與散熱部14。
因此，於發光裝置LE中，自半導體發光元件61經由外部電極12、13而傳遞至變阻器部11之熱量，藉由Ag粒子及Al2 O3 之塗佈部而於導通路徑中傳遞，並被高效率地放出，上述導通路徑係自散熱部14之面14a遍及面14b、面14c、面14d而形成者。
[第6實施形態]
現對本發明之第6實施形態之變阻器進行說明。圖8係表示本發明之第6實施形態之變阻器之概略剖面圖。圖8所示之變阻器V6與第1實施形態之變阻器V1不同之處在於：分別配置有複數個第1內部電極、第2內部電極及第3內部電極。
亦即，變阻器V6與變阻器V1同樣，具有於變阻器素體15之面15a上彼此隔出間隔而對稱配置之第1內部電極81A及第2內部電極82A，並且具有第3內部電極83A，該第3內部電極83A夾持複數層之變阻器層，且以分別與第1內部電極81A及第2內部電極82A彼此相對向之方式，配置於變阻器素體15內之大致中央部分。
又，於變阻器素體15內，在較第3內部電極83A更靠近散熱部14側，以與第1內部電極81A、第2內部電極82A、及第3內部電極83A同樣之位置關係，配置有第1內部電極81B~81D、第2內部電極82B~82D、及第3內部電極 83B~83C。第1內部電極81A~81D藉由貫通電極84而彼此電性連接，第2內部電極82A~82D藉由貫通電極85而彼此電性連接。
於該變阻器V6中，變阻器素體15亦以ZnO為主成分，散熱部14由作為金屬之Ag與包含作為變阻器素體15之主成分ZnO之金屬氧化物的複合材料而形成。因此，能夠充分地確保變阻器部11與散熱部14之接合強度，自外部元件經由外部電極12、13而傳遞至變阻器部11之熱量，於導通路徑中傳遞，並被高效率地放出，上述導通路徑係自散熱部14之面14a遍及面14c、面14d而形成者。
[第7實施形態]
現對本發明之第7實施形態之變阻器進行說明。圖9係表示本發明之第7實施形態之變阻器之概略剖面圖。圖9所示之變阻器V7與第2實施形態之變阻器V2不同之處在於：分別配置有複數個第1內部電極及第2內部電極。
亦即，變阻器V7與變阻器V2同樣不具備第3內部電極18(參照圖2)，取而代之，具有以一端側彼此相對向地配置於變阻器素體15內之第1內部電極91A及第2內部電極92A。又，於變阻器素體15內，在較第1內部電極91A更靠近散熱部14側，以與第1內部電極91A及第2內部電極92A同樣之位置關係，配置有第1內部電極91B、91C及第2內部電極92B、92C。繼而，第1內部電極91A~91C藉由貫通電極93而連接於外部電極12，第2內部電極92A~92C藉由貫通電極94而連接於外部電極13。
於該變阻器V7中，變阻器素體15亦以ZnO作為主成分，散熱部14由作為金屬之Ag與包含作為變阻器素體15之主成分之ZnO的金屬氧化物之複合材料而形成。因此，能夠充分地確保變阻器部11與散熱部14之接合強度，自外部元件經由外部電極12、13而傳遞至變阻器部11之熱量，於導通路徑中傳遞，並被高效率地放出，上述導通路徑係自散熱部14之面14a遍及面14b、面14c、面14d而形成者。
本發明並不限於上述實施形態。於上述各實施形態中，作為變阻器素體15之主成分之半導體陶瓷，例示了ZnO，但此種半導體陶瓷除了可使用ZnO以外，還可使用SrTiO3 、BaTiO3 、及SiC等。
又，亦可藉由接著來接合變阻器部11與散熱部14。於變阻器V1~V7中，可連接InGaNAs系之半導體LED等GaN系以外之氮化物系半導體LED，亦可連接氮化物系以外之半導體LED或LD(Laser Diode，雷射二極體)等。不限於LED，亦可連接場效電晶體(FET)、雙極電晶體等於動作中發熱之各種電子元件。
11、50‧‧‧變阻器部
12、13、41、42、56、57‧‧‧外部電極
14‧‧‧散熱部
14a~14d、15a~15d、51a~51d、54a、54b、55a、55b‧‧‧面
15‧‧‧變阻器素體
16、21、52、81A~81D、91A~91C‧‧‧第1內部電極
17、22、53、82A~82D、92A~92C‧‧‧第2內部電極
18、83A~83C‧‧‧第3內部電極
19、31‧‧‧瓷釉
19a、19b‧‧‧開口部
23‧‧‧貫通導體
43、44、93、94‧‧‧貫通電極
45‧‧‧具有電絕緣性之層
52a、53a‧‧‧平板部
52b、53b‧‧‧連接片
54‧‧‧第1散熱部
54c、54d、55c、55d‧‧‧端面
55‧‧‧第2散熱部
58‧‧‧襯墊電極
61‧‧‧半導體發光元件
62‧‧‧基板
63‧‧‧n型(第1導電型)之半導體區域
64‧‧‧發光層
65‧‧‧p型(第2導電型)之半導體區域
66‧‧‧陰極電極
67‧‧‧陽極電極
68‧‧‧凸塊電極
LE‧‧‧發光裝置
LS‧‧‧層構造體
V1~V7‧‧‧變阻器
圖1係表示本發明之第1實施形態之變阻器之概略立體圖。
圖2係圖1所示之變阻器之概略剖面圖。
圖3係表示本發明之第2實施形態之變阻器之概略剖面圖。
圖4係表示本發明之第3實施形態之變阻器之概略剖面 圖。
圖5係表示本發明之第4實施形態之變阻器之概略剖面圖。
圖6係表示本發明之第5實施形態之變阻器之概略立體圖。
圖7係表示本發明之一實施形態之發光裝置之概略剖面圖。
圖8係表示本發明之第6實施形態之變阻器之概略剖面圖。
圖9係表示本發明之第7實施形態之變阻器之概略剖面圖。
11‧‧‧變阻器部
12、13‧‧‧外部電極
14‧‧‧散熱部
14a~14d、15a~15d‧‧‧面
15‧‧‧變阻器素體
16‧‧‧第1內部電極
17‧‧‧第2內部電極
18‧‧‧第3內部電極
19‧‧‧瓷釉
19a、19b‧‧‧開口部
V1‧‧‧變阻器

Claims (13)

  1. 一種變阻器，其特徵在於包括：變阻器部，其具有顯現出電壓非線性特性之變阻器素體與夾持該變阻器素體且以至少一部分相互對向之方式配置之內部電極；外部電極，其連接於上述內部電極，且成為外部元件之連接端；及散熱部，其對上述變阻器部熱連接；上述變阻器素體以半導體陶瓷為主成分，上述散熱部包含金屬及金屬氧化物之複合材料。
  2. 一種變阻器，其特徵在於包括：變阻器部，其具有顯現出電壓非線性特性之變阻器素體、配置於該變阻器素體內部之電極部、及配置於上述變阻器素體之表面且至少一部分與上述電極部相互對向之電極部；及散熱部，其對上述變阻器部熱連接；上述變阻器素體以半導體陶瓷為主成分，上述散熱部包含金屬及金屬氧化物之複合材料。
  3. 如請求項1或2之變阻器，其中上述金屬係自上述散熱部之與上述變阻器部接觸之面遍及不與上述變阻器部接觸之面而導通。
  4. 如請求項1或2之變阻器，其中上述金屬氧化物包含ZnO。
  5. 如請求項3之變阻器，其中 上述金屬氧化物包含ZnO。
  6. 如請求項1或2之變阻器，其中上述金屬氧化物包含被塗佈金屬之Al2 O3 。
  7. 如請求項3之變阻器，其中上述金屬氧化物包含被塗佈金屬之Al2 O3 。
  8. 如請求項1或2之變阻器，其中上述金屬以Ag為主成分。
  9. 如請求項3之變阻器，其中上述金屬以Ag為主成分。
  10. 如請求項4之變阻器，其中上述金屬以Ag為主成分。
  11. 如請求項5之變阻器，其中上述金屬以Ag為主成分。
  12. 如請求項1或2之變阻器，其中上述變阻器部與上述散熱部係由同時鍛燒所形成。
  13. 一種發光裝置，其特徵在於：其具有發光元件與變阻器；且上述變阻器包括：變阻器部，其具有顯現出電壓非線性特性之變阻器素體與夾持該變阻器素體且以至少一部分相互對向之方式配置之內部電極；外部電極，其連接於上述內部電極，且成為上述發光元件之連接端；及散熱部，其以與上述變阻器部接觸之方式配置； 上述變阻器素體以ZnO為主成分，上述散熱部包含金屬及金屬氧化物之複合材料。
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