CN101276664A

CN101276664A - 可变电阻和发光装置

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Publication number: CN101276664A
Application number: CNA2008100902467A
Authority: CN
Inventors: 佐藤弘幸; 斋藤洋; 田中隆一; 沼田真; 武内吾郎
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2007-03-30
Filing date: 2008-03-31
Publication date: 2008-10-01
Anticipated expiration: 2028-03-31
Also published as: TW200903529A; KR20080089218A; CN101276664B; JP4888225B2; TWI399761B; JP2008277716A; KR100979087B1

Abstract

在可变电阻V1中，放热部14包含与作为可变电阻素体15的主成分的ZnO相同的成分作为金属氧化物，并使可变电阻素体15与放热部14的构成成分共同。另外，在烧制时，放热部14中包含的Ag在面14a和面15b的界面附近，在作为可变电阻素体15的主成分的ZnO的粒界中扩散。因此，可变电阻中V1在烧制时(或脱粘合剂时)，在可变电阻部11和放热部14之间几乎不产生裂纹，从而能够充分地确保可变电阻部11和放热部14的接合强度。因此，传至可变电阻部11的热量，在放热部14的面中从14a遍及至面14b、面14c、面14d而形成的导通路径中传送，并被高效率地放出。

Description

可变电阻和发光装置

技术领域

本发明涉及可变电阻(varistor)和具有该可变电阻的发光装置。

背景技术

作为可变电阻，包括：表现电压非直线特性的可变电阻素体；具有夹持该可变电阻素体的一部分而配置在可变电阻素体内部的一对内部电极的素体；和在该素体的外表面上形成的、分别与对应的内部电极连接的一对端子电极(例如，参照作为日本国的公开公报的特开2002-246207号公报)。

而且，通过将可变电阻与半导体发光元件或FET(Field EffectTransistor：电场效应晶体管)等电子元件并联连接，能够保护电子元件不受ESD(Electrostatic Discharge：静电放电)急变(surge)的破坏。这种电子元件在动作中产热。如果电子元件处于高温中，则导致元件本身的特性劣化，对其动作带来影响。因此，需要高效率地放出产生的热量。

发明内容

本发明就是为了解决上述课题而作出的发明，其目的在于提供一种能够高效率地放出热量的可变电阻和发光装置。

本发明的发明人考虑，通过以与可变电阻素体接触的方式设置金属，将传至可变电阻的热量由金属放出，能够高效率地从可变电阻放出热量。然而，当使金属与可变电阻素体外侧的一个表面接触时，两者间的接合强度弱，存在可变电阻素体和金属剥离的情况。在这种情况下，不能高效率地从金属放出传至可变电阻的热量。因此，为了解决这个问题，发明人发明了增强金属和可变电阻素体之间的接合强度的可变电阻和发光装置。

本发明涉及一种可变电阻，其特征在于，包括：可变电阻部，具有表现电压非直线特性的可变电阻素体，和夹持该可变电阻素体、以至少一部分相对的方式配置的内部电极；与内部电极连接的、作为外部元件的连接端的外部电极；和对可变电阻部进行热连接的放热部，可变电阻素体以半导体陶瓷为主成分，放热部由金属和金属氧化物的复合材料构成。

另外，本发明涉及一种可变电阻，其特征在于，包括：可变电阻部，具有表现电压非直线特性的可变电阻素体、配置在该可变电阻素体内部的电极部、和配置在可变电阻素体表面的、至少一部分与电极部相对的电极部；对可变电阻部进行热连接的放热部；可变电阻素体以半导体陶瓷为主成分，放热部由金属和金属氧化物的复合材料构成。

在该可变电阻中，放热部与以半导体陶瓷为主成分的可变电阻素体同样，包含金属氧化物。通过使可变电阻素体和放热部的构成成分共同，能够抑制在烧制等时，在可变电阻部和放热部之间产生裂纹，从而充分确保可变电阻部和放热部的接合强度。由此，从外部元件传至可变电阻部上的热量能够利用放热部的金属高效率地放出。

另外，优选为金属从放热部中与所述可变电阻部接触的面遍及导通到不与可变电阻部接触的面。在这种情况下，由放热部放热的效率更高。

另外，优选为金属氧化物包含ZnO。在这种情况下，能够更可靠地抑制在烧制等时可变电阻部和放热部之间产生裂纹，从而充分确保可变电阻部和放热部的接合强度。

另外，优选为金属氧化物包含金属涂覆的Al₂O₃。在这种情况下，在放热部中容易形成由金属产生的放热路径，从而能够提高放热效率。

另外，优选为金属以Ag为主成分。由于Ag在作为可变电阻素体主成分的ZnO的粒界中扩散，因此能够更加提高可变电阻部和放热部的接合强度。

另外，优选为可变电阻部和放热部通过同时烧制而形成。在这种情况，能够使制造工序简单。

此外，本发明涉及一种发光装置，其特征在于，其为具有发光元件和可变电阻的发光装置，可变电阻包括：可变电阻部，具有表现电压非直线特性的可变电阻素体，和夹持该可变电阻素体、以至少一部分相对的方式配置的内部电极；与内部电极连接的、作为发光元件的连接端的外部电极；和以与可变电阻部接触的方式配置的放热部，可变电阻素体以ZnO为主成分，放热部由金属和金属氧化物的复合材料构成。

在该发光装置中，放热部与以ZnO为主成分的可变电阻素体同样，包含金属氧化物。通过使可变电阻素体和放热部的构成成分共同，能够抑制在烧制等时，在可变电阻部和放热部之间产生裂纹，从而充分确保可变电阻部和放热部的接合强度。由此，通过外部电极从发光元件传至可变电阻部的热量，能够利用放热部的金属高效率地放出。

采用本发明涉及的可变电阻和发光装置，能够高效率地放出热量。

附图说明

图1为表示本发明的第一实施方式涉及的可变电阻的概略立体图；

图2为图1所示的可变电阻的概略截面图；

图3为表示本发明的第二实施方式涉及的可变电阻的概略截面图；

图4为表示本发明的第三实施方式涉及的可变电阻的概略截面图；

图5为表示本发明的第四实施方式涉及的可变电阻的概略截面图；

图6为表示本发明的第五实施方式涉及的可变电阻的概略立体图；

图7为表示本发明的一个实施方式涉及的发光装置的概略截面图；

图8为表示本发明的第六实施方式涉及的可变电阻的概略截面图；

图9为表示本发明的第七实施方式涉及的可变电阻的概略截面图；

具体实施方式

以下，参照附图，详细说明本发明涉及的可变电阻和发光装置的优选实施方式。

(第一实施方式)

图1为本发明的第一实施方式涉及的可变电阻的概略立体图。图2为其概略截面图。如图1和图2所示，可变电阻V1具有可变电阻部11、一对外部电极12、13、和放热部14，形成大致的长方体形状。

可变电阻部11具有可变电阻素体15、第一内部电极16、第二内部电极17、和第三内部电极18。可变电阻素体15形成大致的长方体形状，具有相对的面15a和面15b、与面15a和面15b垂直的相对的面15c和15d、和与面15c和面15d相邻的相对的二个面。

该可变电阻素体15为叠层多个可变电阻层而形成的叠层体。各可变电阻层为表现电压非直线特性的部，以ZnO为主成分，包含Pr或Bi作为副成分。这些副成分在可变电阻层中作为金属单体或氧化物存在。在实际的可变电阻V1中，多个可变电阻层之间的边界被一体化，达到不能辨认的程度。

第一内部电极16和第二内部电极17配置在可变电阻素体15的面15a上。第一内部电极16和第二内部电极17，从与面15a垂直的方向看，为长方形，互相隔开间隔，对称地配置。第一内部电极16不在可变电阻素体15的面15c和与面15c邻近的二个侧面上露出，从面15a的边缘仅延伸至规定距离内侧的位置。同样，第二内部电极17，不在可变电阻素体15的面15d和与面15d邻近的二个侧面上露出，从面15a的边缘延仅伸至规定距离内侧的位置。

另外，第一内部电极16和第二内部电极17由以玻璃为主成分的瓷釉19覆盖，相互电绝缘。在瓷釉19上，在与第一内部电极16和第二内部电极17对应的位置形成开口19a、19b。这样，第一内部电极16和第二内部电极17的表面的一部分成为从瓷釉19露出的状态。

第三内部电极18夹持多层的可变电阻层，配置在可变电阻素体15内的大致中央部分，使其分别与第一内部电极16和第二内部电极17相对。第三内部电极18与第一内部电极16和第二内部电极17相互电绝缘。

外部电极12、13在瓷釉19的外表面上互相离开对称地形成，使得与第一内部电极16和第二内部电极17对应。外部电极12、13也在瓷釉19的开口19a、19b的内部延伸，与从瓷釉19露出的第一内部电极16和第二内部电极17接触。这样，外部电极12与第一内部电极16电连接并且物理连接；外部电极13与第二内部电极17电连接并且物理连接连接。该外部电极12、13作为半导体发光元件61(参照图7)那样的外部元件的连接端而发挥作用。

放热部14与可变电阻素体15同样，形成大致长方体形状，具有相对的面14a和面14b、与面14a和面14b垂直的相对的面14c和面14d、和与面14c和面14d相邻的相对的二个面。放热部14的面14a与可变电阻素体15的面15b接合。

放热部14由金属和金属氧化物的复合材料形成。作为这里所述的金属，例如，可以使用Ag、Ag-Pd、Pd等，但从热传导率方面出发，优选使用Ag。另外，作为金属氧化物，可以使用Al₂O₃、ZnO、SiO₂和ZrO₂。Al₂O₃使用将该金属氧化物的颗粒利用无电解电镀进行过Ag涂覆的物质。另外，金属氧化物不是必需包含全部上述Al₂O₃、ZnO、SiO₂和ZrO₂，也可以包含至少1种以上。

这样的放热部14在面14a与可变电阻素体15的面15b接触的状态下，通过与可变电阻部11同时烧制而形成。放热部14的内部，利用作为金属的Ag，从与可变电阻部11接触的面14a遍及导通至不与可变电阻部11接触的面14b、面14c、面14d。该导通路径利用Ag涂覆的Al₂O₃更可靠地确立。

接着，说明上述的可变电阻V1的制造过程。

首先，按照规定的比例混合作为可变电阻素体15的主成分的ZnO和作为副成分的金属Pr或Bi，调制可变电阻材料。接着，将有机粘合剂，有机溶剂，有机增塑剂等加入该可变电阻材料中，得到浆料。

将该浆料涂布在膜上后干燥，得到生片。接着，在生片上形成与第一内部电极16～第三内部电极18对应的电极部分。这些电极部分通过将在以Ag颗粒为主成分的金属粉末中混合了有机粘合剂和有机溶剂的导电性糊印刷在可变电阻素体上干燥而形成。

接着，按照规定的顺序，重叠形成有电极部分的生片和未形成电极部分的生片，形成片叠层体。将得到的片叠层体切断成芯片单位，得到与可变电阻部11对应的生体。然后，通过在180℃～400℃的温度下实施0.5小时～24小时左右的加热处理，对生体进行脱粘合剂处理。

接着，准备由Ag、Al₂O₃、ZnO、SiO₂和ZrO₂的复合材料构成的放热部14。将上述生体与放热部14的面14a重合，将其在空气中或O₂气氛下，在800℃以上的温度下同时烧制。由此形成可变电阻部11和放热部14的接合体。得到接合体后，印刷瓷釉19，以覆盖第一内部电极16和第二内部电极17，再印刷与外部电极12、13对应的电极部分，以塞住瓷釉19的开口部19a、19b。

该电极部通过将在以Au颗粒或Ag颗粒为主成分的金属粉末中混合了有机粘合剂和有机溶剂的导电性糊印刷在瓷釉19上并干燥而形成。另外，通过将其在O₂气氛下，在800℃以上的温度下同时烧制，形成外部电极12、13，从而完成图1和图2所示的可变电阻V1。

在该可变电阻V1中，放热部14包含与作为可变电阻素体15的主成分的ZnO相同的成分作为金属氧化物，使可变电阻素体15和放热部14的构成成分共同。另外，在烧制时，放热部14中所包含的Ag在面14a和面15b的界面附近，在作为可变电阻素体15的主成分的ZnO的粒界中扩散。由此将可变电阻部11和放热部14强固地接合。

因此，在可变电阻V1中，烧制时(或者脱粘合剂时)，在可变电阻部11和放热部14之间几乎不会产生裂纹，从而能够充分地确保可变电阻部11和放热部14的接合强度。因此，通过外部电极12、13从外部元件传至可变电阻部11的热量，在利用Ag颗粒和Al₂O₃的涂覆部分在放热部14中从面14a遍及至面14b、面14c、面14d而形成的导通路径中传递，并被高效率地放出。

另外，在可变电阻V1中，同时烧制可变电阻部11和放热部14。这可以实现制造工序的简单化，对提高可变电阻V1的制造效率和降低成本有帮助。

(第二实施方式)

对本发明的第二实施方式涉及的可变电阻进行说明。图3为表示本发明的第二实施方式涉及的可变电阻的概略截面图。图3所示的可变电阻V2，在内部电极的构成上，与第一实施方式涉及的可变电阻V1不同。

即，可变电阻V2没有第三内部电极18(参照图2)，而代之以具有一端侧彼此相对地配置在可变电阻素体15内的第一内部电极21和第二内部电极22。另外，第一内部电极21和第二内部电极22分别利用贯通导体23与外部电极12、13连接。

在该可变电阻V2中，可变电阻素体15也以ZnO为主成分。放热部14由作为金属的Ag和包含作为可变电阻素体15的主成分的ZnO的金属氧化物的复合材料形成。因此，与第一实施方式同样，能够充分地确保可变电阻部11和放热部14的接合强度，通过外部电极12、13从外部元件传至可变电阻部11的热量，在放热部14中从面14a遍及至面14b、面14c、面14d而形成的导通路径中传递，并被高效率地放出。

(第三实施方式)

对本发明的第三实施方式涉及的可变电阻进行说明。图4为表示本发明的第三实施方式涉及的可变电阻的概略截面图。图4所示的可变电阻V3在放热部14中，在不与可变电阻部11接触的面14b侧也形成瓷釉31，在这点上与第二实施方式涉及的可变电阻V2不同。

在该可变电阻V3中，可变电阻素体15也以ZnO为主成分。放热部14由作为金属的Ag和包含作为可变电阻素体15的主成分的ZnO的金属氧化物的复合材料形成。因此，能够充分地确保可变电阻部11和放热部14的接合强度，通过外部电极12、13从外部元件传至可变电阻部11的热量，在放热部14中从面14a遍及至面14b、面14c、面14d而形成的导通路径中传递，并被高效率地放出。

(第四实施方式)

对本发明的第四实施方式涉及的可变电阻进行说明。图5为表示本发明的第四实施方式涉及的可变电阻的概略截面图。图5所示的可变电阻V4，在不与可变电阻部11接触的面14b侧形成的瓷釉31的外表面上，还形成有外部电极41、42，在这点上与第三实施方式涉及的可变电阻V3不同。

在可变电阻V4中，在可变电阻部11侧形成一个外部电极12、第一内部电极21、和在放热部14上形成的一个外部电极41通过贯通电极43连接。另外，在可变电阻部11侧形成的另一个外部电极13、第二内部电极22、和在放热部14侧形成的另一个外部电极42通过贯通电极44连接。另外，在通过放热部14的贯通电极43，44的周围，分别形成有具有电绝缘性的层45。

在该可变电阻V4中，可变电阻素体15也以ZnO为主成分，放热部14由作为金属的Ag和包含作为可变电阻素体15的主成分的ZnO的金属氧化物的复合材料形成。因此，能够充分地确保可变电阻部11和放热部14的接合强度，通过外部电极12、13从外部元件传至可变电阻部11的热量，在放热部14中从面14a遍及至面14c、面14d而形成的导通路径中传递，并被高效率地放出。

另外，在可变电阻V4中，可以将在可变电阻部11侧形成的外部电极12、13作为外部元件的连接端，也可以将在放热部14侧形成的外部电极41、42作为外部元件的连接端。

(第五实施方式)

对本发明的第五实施方式涉及的可变电阻进行说明。图6为表示本发明的第五实施方式涉及的可变电阻的概略立体图。图6所示的可变电阻V5在可变电阻部50的构成上与上述各实施方式不同。即，可变电阻V5在可变电阻素体51内具有第一内部电极52和第二内部电极53、以及第一放热部54和第二放热部55。另外，在可变电阻素体51的一个面51a上具有外部电极56、57。

第一内部电极52和第二内部电极53分别具有平板部52a、53a；和从平板部52a、53a的一个端部向可变电阻素体51的一个面51a和另一个面51b突出的连接片52b、53b。第一内部电极52和第二内部电极53夹持多层可变电阻层，以使连接片52b、53b位于相反侧的方式而配置。平板部52a、53a的大部分为相对的状态。连接片52b、53b的一个前端部分伸出，使得在可变电阻素体51的面51a上露出；另一个前端部伸出，使得在面51b上露出。

第一放热部54和第二放热部55形成壁厚比第一内部电极52和第二内部电极53厚的板状，以夹持第一内部电极52和第二内部电极53的方式大致平行地配置。第一放热部54的宽度方向的面54a、54b分别在可变电阻素体51的面51a和面51b上露出；长度方向的端面54c、54d分别在与可变电阻素体51的面51a和面51b垂直的相对的面51c和面51d上露出。

同样，第二放热部55的宽度方向的面55a、55b分别在可变电阻素体51的面51a和面51b上露出；长度方向的端面55c、55d分别在与可变电阻素体51的面51a和面51b垂直的相对的面51c和面51d上露出。

外部电极56、57以与第一内部电极52、第二内部电极53、第一放热部54和第二放热部55交叉的方式，在可变电阻素体51的面51a上，沿着面51c侧的边缘和面51d侧的边缘分别形成。外部电极56与第二内部电极53的连接片53b、第一放热部54、和第二放热部55电连接并物理连接；外部电极57与第一内部电极52的连接片52b、第一放热部54、和第二放热部55电连接并物理连接。

另外，在可变电阻素体51的面51a上，在外部电极56、57之间，例如，按3行×4列的矩阵状配置衬垫电极(pad electrode)58。在衬垫电极58中，与外侧的列(第1列和第4列)相当的衬垫电极58与第一放热部54和第二放热部55接触。

在可变电阻V5中，可变电阻素体51也以ZnO为主成分，第一放热部54和第二放热部55由作为金属的Ag和包含作为可变电阻素体51的主成分的ZnO的金属氧化物的复合材料形成。因此，能够充分地确保可变电阻部50与第一放热部54和第二放热部55的接合强度，通过外部电极56、57和衬垫电极58从外部元件传至可变电阻部50的热量，在第一放热部54中从面54a遍及至面54b、面54c、面54d上形成的导通路径上、和第二放热部55中从面55a遍及至面55b、面55c，面55d形成的导通路径中传递，并被高效率地放出。

(发光装置)

接着，说明本发明的一个实施方式涉及的发光装置。图7为表示本发明的一个实施方式涉及的发光装置的概略截面图。图7所示的发光装置LE具有例如上述的可变电阻V1和与该可变电阻V1电连接的半导体发光元件61。

半导体发光元件61为GaN(氮化镓)类半导体发光二极管(LED：Light-Emitting Diode)，具有基板62和在该基板62上形成的层构造体LS。GaN类半导体LED是众所周知的，因而简化其说明。基板62为由蓝宝石构成的光学上透明且具有电绝缘性的基板。层构造体LS包含叠层的n型(第一导电型)的半导体区域63、发光层64、和p型(第二导电型)的半导体区域65。半导体发光元件61通过加在n型的半导体区域63和p型的半导体区域65之间的电压而发光。

n型的半导体区域63包含n型的氮化物半导体而构成。在本实施方式中，n型的半导体区域63由GaN在基板62上外延成长而构成，添加有例如Si之类的n型掺杂剂，具有n型导电性。另外，n型的半导体区域63也可以具有使折射率比发光层64小、且带间隙大的组成。在这种情况下，n型的半导体区域63对发光层64发挥作为下部包层(clad)的作用。

发光层64利用在n型的半导体区域63上形成、从n型的半导体区域63和p型的半导体区域65供给的载波(电子和空穴)再结合，在发光区域中发生光。发光层64例如能够制成在多个周期中交互地叠层障壁层和阱层的多量子阱(MQW：Multiple Quantum Well)的结构。在这种情况下，障壁层和阱层由InGaN构成，通过适当选择In(铟)的组成，使障壁层的带间隙比阱层的带间隙大。发光区域在发光层64中注入载波的区域产生。

p型的半导体区域65包含p型的氮化物半导体而构成。在本实施方式中，p型的半导体区域65通过AlGaN在发光层64上外延成长而构成，添加有例如Mg之类的p型掺杂剂，具有p型的导电性。另外，p型的半导体区域65也可以具有使折射率比发光层64小、且带间隙大的组成。在这种情况下，p型的半导体区域65对发光层64发挥作为上部包层(clad)的作用。

在n型的半导体区域63上形成阴极电极66。阴极电极66由导电性材料构成，在与n型的半导体区域63之间实现欧姆接触。在p型的半导体区域65上形成阳极电极67。阳极电极67由导电性材料构成，在与p型的半导体区域65之间实现欧姆接触。在阴极电极66和阳极电极67上形成凸出电极(bump electrode)68。

在上述构成的半导体发光元件61中，当在阳极电极67(凸出电极68)和阴极电极66(凸出电极68)之间施加规定的电压，使电流流动时，在发光层64的发光区域上产生发光。

半导体发光元件61与外部电极12、13凸出连接。即，阴极电极66通过凸出电极68，与外部电极12电连接且物理连接。阳极电极67通过凸出电极68，与外部电极13电连接且物理连接。这样，可变电阻V1与半导体发光元件61并联连接。因此，利用可变电阻V1可以保护半导体发光元件61不受ESD急变的破坏。

如上所述，在可变电阻V1中，放热部14包含与作为可变电阻素体15的主成分的ZnO相同的成分作为金属氧化物，可变电阻素体15和放热部14的构成成分共同。另外，在烧制时，放热部14中包含的Ag，在面14a和面15b的界面附近，在作为可变电阻素体15的主成分的ZnO的粒界中扩散。由此将可变电阻部11和放热部14强固地接合。

因此，在发光装置LE中，通过外部电极12、13从半导体发光元件61传至可变电阻部11的热量，在由Ag颗粒和Al₂O₃的涂覆部在放热部14中从面14a遍及至面14b、面14c、面14d而形成的导通路径中传递，并被高效率地放出。

(第六实施方式)

对本发明的第六实施方式涉及的可变电阻进行说明。图8为表示本发明涉及的第六实施方式的可变电阻的概略截面图。图8所示的可变电阻V6分别配置有多个第一内部电极、第二内部电极和第三内部电极，在这点上与第一实施方式的可变电阻V1不同。

即，可变电阻V6与可变电阻V1同样，具有在可变电阻素体15的面15a上互相隔出间隔，对称配置的第一内部电极81A和第二内部电极82A，同时，具有夹持多层的可变电阻层、配置在可变电阻素体15内的大致中心部上的第三内部电极83A，使其与第一内部电极81A和第二内部电极82A分别相对。

另外，在可变电阻素体15内，在离开第三内部电极83A的放热部14侧，以和第一内部电极81A、第二内部电极82A、第三内部电极83A同样的位置关系，配置有第一内部电极81B～81D、第二内部电极82B～82D、第三内部电极83B～83C。第一内部电极81A～81D通过贯通电极84相互电连接；第二内部电极82A～82D通过贯通电极85相互电连接。

在该可变电阻V6中，可变电阻素体15也以ZnO为主成分。放热部14由作为金属的Ag和包含作为可变电阻素体15的主成分ZnO的金属氧化物的复合材料形成。因此，能够充分地确保可变电阻部11和放热部14的接合强度。通过外部电极12、13从外部元件传至可变电阻部11的热量，在放热部14中从面14a遍及至面14c、面14d而形成的导通路径中传递，并被高效率地放出。

(第七实施方式)

对本发明的第七实施方式涉及的可变电阻进行说明。图9为表示本发明涉及的第七实施方式的可变电阻的概略截面图。图9所示的可变电阻V7分别配置有多个第一内部电极和第二内部电极，在这点上与第二实施方式的可变电阻V2不同。

即，可变电阻V7与可变电阻V2同样，不具备第三内部电极18(参照图2)，而代之以具有一端侧彼此相对地配置在可变电阻素体15内的第一内部电极91A和第二内部电极92A。另外，在可变电阻素体15内，在离开第一内部电极91A的放热部14侧，以和第一内部电极91A和第二内部电极92A同样的位置关系，配置有第一内部电极91B、91C和第二内部电极92B、92C。第一内部电极91A～91C利用贯通电极93与外部电极12连接；第二内部电极92A～92C利用贯通电极94与外部电极13连接。

在该可变电阻V7中，可变电阻素体15也以ZnO作为主成分，放热部14由作为金属的Ag和包含作为可变电阻素体15的主成分的ZnO的金属氧化物的复合材料形成。因此，能够充分地确保可变电阻部11和放热部14的接合强度。通过外部电极12、13从外部元件传至可变电阻部11的热，在放热部14中从面14a遍及至面14b、面14c、面14d而形成的导通路径中传递，并被高效率地放出。

本发明不限于上述实施方式。在上述各实施方式中，作为可变电阻素体15的主成分的半导体陶瓷，例示了ZnO，但作为这种半导体陶瓷，除了ZnO外，也可以使用SrTiO₃、BaTiO₃、SiC等。

另外，可变电阻部11和放热部14也可以利用粘接接合。在可变电阻V1～V7中，可以连接InGaNAs类半导体LED等GaN类以外的氮化物类半导体LED，也可以连接氮化物类以外的半导体LED或LD等。不限于LED，也可以连接电场效应晶体管(FET)、双极晶体管等在动作中产热的各种电子元件。

Claims

1.一种可变电阻，其特征在于，包括：

可变电阻部，具有表现电压非直线特性的可变电阻素体，和夹持该可变电阻素体、以至少一部分相对的方式配置的内部电极；

与所述内部电极连接的、作为外部元件的连接端的外部电极；和

对所述可变电阻部进行热连接的放热部，

所述可变电阻素体以半导体陶瓷为主成分，所述放热部由金属和金属氧化物的复合材料构成。

2.一种可变电阻，其特征在于，包括：

可变电阻部，具有表现电压非直线特性的可变电阻素体、配置在该可变电阻素体内部的电极部、和配置在所述可变电阻素体表面的、至少一部分与所述电极部相对的电极部；和

对所述可变电阻部进行热连接的放热部，

3.如权利要求1或2所述的可变电阻，其特征在于：

所述金属从所述放热部中与所述可变电阻部接触的面遍及导通到不与所述可变电阻部接触的面。

4.如权利要求1或2所述的可变电阻，其特征在于：

所述金属氧化物包含ZnO。

5.如权利要求3所述的可变电阻，其特征在于：

所述金属氧化物包含ZnO。

6.如权利要求1或2所述的可变电阻，其特征在于：

所述金属氧化物包含金属涂覆的Al₂O₃。

7.如权利要求3所述的可变电阻，其特征在于：

所述金属氧化物包含金属涂覆的Al₂O₃。

8.如权利要求1或2所述的可变电阻，其特征在于：

所述金属以Ag为主成分。

9.如权利要求3所述的可变电阻，其特征在于：

所述金属以Ag为主成分。

10.如权利要求4所述的可变电阻，其特征在于：

所述金属以Ag为主成分。

11.如权利要求5所述的可变电阻，其特征在于：

所述金属以Ag为主成分。

12.如权利要求1或2所述的可变电阻，其特征在于：

所述可变电阻部和所述放热部通过同时烧制而形成。

13.一种发光装置，其特征在于：

其为具有发光元件和可变电阻的发光装置，所述可变电阻包括：

与所述内部电极连接的、作为所述发光元件的连接端的外部电极；和

以与所述可变电阻部接触的方式配置的放热部，

所述可变电阻素体以ZnO为主成分，所述放热部由金属和金属氧化物的复合材料构成。