KR20170109796A - 압전 소자용 써미스터 및 이를 포함하는 압전 소자 패키지 - Google Patents

압전 소자용 써미스터 및 이를 포함하는 압전 소자 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR20170109796A
KR20170109796A KR1020160033841A KR20160033841A KR20170109796A KR 20170109796 A KR20170109796 A KR 20170109796A KR 1020160033841 A KR1020160033841 A KR 1020160033841A KR 20160033841 A KR20160033841 A KR 20160033841A KR 20170109796 A KR20170109796 A KR 20170109796A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thermistor
disposed
layer
conductive vias
cover portion
Prior art date
Application number
KR1020160033841A
Other languages
English (en)
Inventor
김용성
김익섭
배수림
김영기
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020160033841A priority Critical patent/KR20170109796A/ko
Priority to CN201610620210.XA priority patent/CN107221397B/zh
Publication of KR20170109796A publication Critical patent/KR20170109796A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/008—Thermistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
    • H01C7/041—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient formed as one or more layers or coatings
    • H01L41/047—
    • H01L41/083—
    • H01L41/113—
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/802—Drive or control circuitry or methods for piezoelectric or electrostrictive devices not otherwise provided for

Abstract

본 발명은 제1 및 제2 써미스터층이 교대로 적층된 적층 구조를 포함하는 바디; 상기 제1 써미스터층에 배치되며, 상기 제2 써미스터층을 관통하는 제1 및 제2 도전성 비아와 각각 연결된 제1 및 제2 전극; 및 상기 제2 써미스터층에 배치되며, 상기 제1 및 제2 전극과 상기 적층 방향으로 오버랩되는 영역을 갖는 제3 전극;를 포함하는 압전 소자용 써미스터에 관한 것이다.

Description

압전 소자용 써미스터 및 이를 포함하는 압전 소자 패키지{THERMISTOR FOR PIEZOELECTRIC DEVICE AND PIEZOELECTRIC DEVICE PACKAGE INCLUDING THE SAME}
본 발명은 압전 소자용 써미스터 및 이를 포함하는 압전 소자 패키지에 관한 것이다.
수정 진동자는 SiO2로 구성된 석영(Quartz)을 얇은 조각 형태로 제조되는 수정편과 수정 진동자의 양면에 Au 또는 Ag와 같은 도전성 물질로 이루어진 여진 전극을 포함한다.
여진 전극에 전압을 가하면 전기 일그러짐 효과에 의해 변형력이 더해져서 진동이 일어난다. 진동이 일어나면 압전 효과에 의해 전극에 전압이 유발되고, 그 진동수는 수정의 역학적 성질이나 크기에 따라 정해지며, 일반적으로 온도 등의 변화에 대해 안정하고 Q값도 매우 높다.
이러한 성질을 이용하여 이동 통신 기기에 있어서 주파수를 제어하기 위해 수정 진동자가 사용된다.
수정 진동자의 경우, 넓은 사용 온도 범위에서 외부 온도 변화에 대하여 일정한 안정적인 주파수를 유지해야 하는데, 수정 진동자와 온도에 따른 주파수를 보정하는 보상 회로를 수정 진동자에 구비하여 수정 진동자와 주파수간의 편차를 줄임으로써 보다 안정적이고 정확한 특성을 갖는 수정 진동자를 구현해낼 수 있다.
따라서 외부 온도 변화에 대해 안정적인 주파수를 유지하면서 소형화를 유지할 수 있는 압전 소자 패키지가 필요한 실정이다.
대한민국 특허공개공보 제2005-0034100호
본 발명은 써미스터와 압전 소자용 패키지를 일체로 형성할 수 있는 압전 소자용 써미스터 및 이를 포함하는 압전 소자 패키지를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시 형태에 따른 압전 소자용 써미스터는 제1 및 제2 써미스터층이 교대로 적층된 적층 구조를 포함하는 바디; 상기 제1 써미스터층에 배치되며, 상기 제2 써미스터층을 관통하는 제1 및 제2 도전성 비아와 각각 연결된 제1 및 제2 전극; 및 상기 제2 써미스터층에 배치되며, 상기 제1 및 제2 전극과 상기 적층 방향으로 오버랩되는 영역을 갖는 제3 전극;를 포함한다.
본 발명의 다른 실시 형태에 따른 압전 소자 패키지는 압전 소자용 써미스터 및 상기 압전 소자용 써미스터의 상부에 배치되는 수정 진동자를 포함하고, 상기 압전 소자용 써미스터는, 제1 및 제2 써미스터층이 교대로 적층된 적층 구조를 포함하는 바디; 상기 제1 써미스터층에 배치되며, 상기 제2 써미스터층을 관통하는 제1 및 제2 도전성 비아와 각각 연결된 제1 및 제2 전극; 및 상기 제2 써미스터층에 배치되며, 상기 제1 및 제2 전극과 상기 적층 방향으로 오버랩되는 영역을 갖는 제3 전극;를 포함한다.
본 발명의 압전 소자용 써미스터 및 이를 포함하는 압전 소자 패키지는 써미스터와 압전 소자용 패키지를 일체로 형성할 수 있어, 압전 소자 패키지의 박형화가 가능하고, 압전소자에서 발행하는 열을 가장 예민하게 감지할 수 있다는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 압전 소자용 써미스터의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 압전 소자용 써미스터의 바디의 분해 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3은 도 1의 I-I`에 따른 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 압전 소자용 써미스터의 하부 커버부의 하면의 평면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 5는 바디의 측면의 모서리에 측면 전극이 배치된 본 발명의 일 실시 형태에 따른 압전 소자용 써미스터의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 6 내지 15는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 압전 소자용 써미스터의 제조 방법을 개략적으로 도시한 것이다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 압전 소자 패키지의 분해 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 17은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 압전 소자 패키지의 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결될 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다고 언급된 때에는 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 또한, 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 발명에 참조된 도면에서 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 부호가 사용될 것이며, 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
압전 소자용 써미스터
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 압전 소자용 써미스터(100)의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 압전 소자용 써미스터(100)는 하부 커버부(10), 바디(30) 및 상부 커버부(50)을 포함한다.
하부 커버부(10)는 바디(30)를 지지하기 위해 세라믹 재료로 형성될 수 있다. 예를 하부 커버부(10)는 알루미나(Al2O3)로 형성될 수 있다.
하부 커버부(10)가 알루미나로 형성되는 경우, 바디(30)의 부족강 강도를 보강하는 역할을 수행할 수 있다.
하부 커버부(10)는 바디(30)와 동일한 써미스터 조성물로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
하부 커버부(10)의 상부에는 바디(30)가 배치된다. 바디(30)는 써미스터 조성물, 복수의 전극 및 도전성 비아를 포함한다.
바디(30)의 상부에는 상부 커버부(50)가 배치된다. 상부 커버부(50)는 바디(30)를 보호하기 위해 세라믹 재료로 형성될 수 있다. 예를 상부 커버부(50)는 바디(30)보다 강도가 높은 알루미나(Al2O3)로 형성될 수 있다. 상부 커버부(50)는 바디(30)와 동일한 써미스터 조성물로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상부 커버부(50)의 상면에는 제1 및 제2 수정 진동자용 전극(141, 142)이 배치될 수 있다.
바디(30)와 하부 커버부(10)의 사이 또는 바디(30)와 상부 커버부(50)의 사이 중 적어도 한 곳에는 버퍼층(20, 40)이 배치될 수 있다.
하부 또는 상부 커버부(10, 50)가 알루미나(Al2O3)로 형성되는 경우, 압전 소자용 써미스터의 제조 공정 중에 바디(30)와 하부 또는 상부 커버부(10, 50)의 사이에서 써미스터 조성물 또는 알루미나(Al2O3)의 확산이 일어날 수 있다.
버퍼층(20, 40)은 알루미나(Al2O3)와 써미스터 조성물을 포함하여 형성되기 때문에, 전술한 바디(30)와 하부 또는 상부 커버부(10, 50)의 사이에서 써미스터 조성물 또는 알루미나(Al2O3)의 확산 거동을 방지하여, 압전 소자용 써미스터(100)의 특성 저하를 방지할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 압전 소자용 써미스터(100)의 바디(30)의 분해 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2를 참조하여, 바디(30)의 구조를 살펴보도록 한다.
바디(30)는 하부층(101)과 상부층(104)의 사이에 제1 써미스터층(102)과 제2 써미스터층(103)을 교대로 적층하여 형성될 수 있다.
하부층(101) 및 상부층(104)은 별도의 전극이 형성되지 아니한 써미스터층을 의미한다.
써미스터층은 NTC(Negative Temperature Coefficient) 써미스터 조성물을 이용하여 형성될 수 있다. NTC 써미스터란 온도가 증가하면 저항값이 감소하는 특성을 가진 써미스터를 의미한다.
NTC 써미스터 조성물의 주성분은 NTC 써미스터에 전도도를 부여하는 세라믹 반도체의 역할을 수행할 수 있으며, 전도도를 부여하는 원리는 다음과 같다.
NTC 써미스터는 소성 과정에서 생성된 AB2O4 결정 구조의 스피넬(Spinel) 상 중에서 B-Site(Octahedral)의 양이온 간의 전하 평형상태를 NTC 써미스터용 조성물의 조성으로 조정하여 전자 호핑(hopping) 위치를 생성한다.
즉, NTC 써미스터는 전자 호핑이 발생할 수 있는 위치(site)를 생성하여 주변의 온도로부터 전자 호핑에 필요한 에너지를 얻어 온도 상승에 따른 전자 호핑의 증가로 저항이 감소하는 R-T(저항-온도)의 비선형 특성을 구현한다.
필요에 따라, 하부층(101) 및 상부층(104)은 형성되지 않을 수 있으며, 제1 및 제2 써미스터층(102, 103)으로 대체될 수 있다.
제1 써미스터층(102)에는 제1 및 제2 전극(121, 122)이 도전성 페이스트로 인쇄하여 형성될 수 있다.
제1 및 제2 전극(121, 122)은 각각 제1 및 제2 도전성 비아(111, 112)와 전기적으로 연결될 수 있으며, 제1 및 제2 전극(121, 122)은 서로 이격되어 형성된다.
제2 써미스터층(102)에는 제3 전극(123)이 도전성 페이스트로 인쇄하여 형성할 수 있다.
제3 전극(123)은 제1 및 제2 도전성 비아(111, 112)와 이격되어 형성된다. 또한, 제3 전극(123)은 제3 및 제4 도전성 비아(113, 114)와도 이격되어 형성된다.
제1 써미스터층(102)과 제2 써미스터층(103)의 적층 갯수는 필요에 따라 조절할 수 있다. 예를 들어, 하나의 제1 써미스터층(102)과 하나의 제2 써미스터층(103)을 적층하는 것도 가능하며, 도 2와 같이 3개의 제1 써미스터층(102)과 2개의 제2 써미스터층(103)을 교번하여 적층하는 것도 가능하다.
압전 소자용 써미스터(100)의 신뢰성 및 특성을 향상시키기 위해, 바디(30)의 최상층 및 최하층은 제1 써미스터층(102)일 수 있다.
즉, 바디(30)의 최상층 및 최하층을 제1 써미스터층(102)으로 형성함으로써, 제1 및 제2 도전성 비아(111, 112)와 연결성을 확보할 수 있다.
바디(30)는 내부에는 적층 방향으로 제1 내지 제4 도전성 비아(111, 112, 113, 114)가 관통한다.
제1 및 제2 도전성 비아(111, 112)는 제1 및 제2 써미스터층(102, 103)을 관통하여, 제1 및 제2 전극(121, 122)와 각각 연결된다.
후술하는 바와 같이, 제1 및 제2 도전성 비아(111, 112)는 하부 커버부(10) 및 바디(30)의 일부까지 관통하며, 제2 및 제3 도전성 비아(111, 112)는 하부 커버부(10), 바디(30) 및 상부 커버부(50)를 관통한다.
제1 내지 제4 도전성 비아(111, 112, 113, 114)는 비아의 내부에 도전성 물질을 충전하여 형성된다.
제1 및 제2 비아(111, 112)는 하부층(101)부터 상부층(104)의 아래층까지 관통하여 형성될 수 있으며, 제3 및 제4 비아(113, 114)는 바디(30)를 관통하도록 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 3은 도 1의 I-I`에 따른 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3을 참조하면, 제1 전극(121)과 제3 전극(123), 제2 전극(122)과 제3 전극(123)은 상부에서 투사하였을 때, 적층 방향으로 오버랩되는 영역(O)을 가지게 된다.
써미스터의 특성은 써미스터층을 사이에 두고 상하부에 위치하는 전극의 오버랩되는 부분의 비저항, 후막의 면적 및 두께에 의해 결정된다.
Figure pat00001
R은 저항, ρ는 비저항, t는 전극의 오버랩되는 부분의 두께, W는 전극의 오버랩되는 부분의 폭, L은 전극의 오버랩되는 부분의 길이를 의미한다.
즉, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 압전 소자용 써미스터(100)는 제1 전극(121)과 제3 전극(123), 제2 전극(122)과 제3 전극(123)은 상부에서 투사하였을 때, 적층 방향으로 오버랩되는 영역(O)의 면적이나 써미스터층의 두께를 조절하여 써미스터의 특성을 조절할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 압전 소자용 써미스터의 하부 커버부의 하면의 평면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 4를 참조하면, 압전 소자용 써미스터(100)의 하부 커버부(10)의 하면에는 제1 내지 제4 외부 전극(151, 152, 153, 154)이 배치될 수 있다.
제1 외부 전극(151)은 제1 전극(121)과 제1 도전성 비아(111)를 통해 전기적으로 연결되고, 제2 외부 전극(152)은 제2 전극(122)과 제2 도전성 비아(112)를 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
제3 외부 전극(153)과 제4 외부 전극(154)은 제1 및 제2 수정 진동자용 전극(141, 142)과 각각 제3 도전성 비아(113)과 제4 도전성 비아(114)를 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 내지 제4 외부 전극(151, 152, 153, 154)은 하부 커버부(10)의 하면의 모서리부에 배치될 수 있다.
예를 들어, 제1 내지 제4 외부 전극(151, 152, 153, 154)은 제1 내지 제4 도전성 비아(111, 112, 113, 114)로부터 하부 커버부(10)의 하면의 모서리부까지 연장되어 배치될 수 있다.
제3 외부 전극(153) 또는 제4 외부 전극(154)은 마킹(155)이 형성될 수 있다.
마킹(155)은 제3 및 제4 외부 전극(153, 154)이 사각형인 경우, 사각형의 모서리를 일부 제거하여 형성될 수 있다.
마킹(155)은 실장시에 써미스터와 전기적으로 연결되는 전극과 수정 진동자와 전기적으로 연결되는 전극을 육안으로 구별 가능하도록 하는 역할을 수행할 수 있다.
도 5는 압전 소자용 써미스터(100)의 측면의 모서리에 측면 전극(156)이 배치된 본 발명의 일 실시 형태에 따른 압전 소자용 써미스터(100)의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 5를 참조하면, 하부 커버부(10)으로부터 바디(30)의 일부까지, 측면의 모서리를 따라 측면 전극(156)이 배치될 수 있다.
측면 전극(156)은 제1 내지 제4 외부 전극(151, 152, 153, 154)와 각각 연결될 수 있다. 측면 전극(156)은 압전 소자용 써미스터(100)의 실장시에 실장 강도를 증가시키는 역할을 수행할 수 있다.
또한, 제1 및 2 전극(121, 122)이 도전성 비아(111, 112)가 아닌 측면전극(156)을 통해 제1 및 제2 외부 전극(151, 152)과 전기적으로 연결되는 것도 가능하다.
압전 소자용 써미스터의 제조 방법
도 6 내지 15는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 압전 소자용 써미스터의 제조 방법을 개략적으로 도시한 것이다.
도 6 내지 15를 참조하여 압전 소자용 써미스터의 제조 방법을 설명하도록 한다.
먼저, 도 6과 같이, 하부 커버부(10)을 형성한다. 하부 커버부(10)은 알루미나(Al2O3)일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. 하부 커버부(10)에는 비아를 레이저 등을 이용하여 형성하고, 비아 내부에 도전성 물질을 충전하여 제1 내지 제4 도전성 비아(111, 112, 113, 114)를 형성할 수 있다.
다음으로, 도 7과 같이, 버퍼층(20)을 하부 커버부(10)의 상부에 배치한다.
하부 커버부(10)가 알루미나(Al2O3)로 형성되는 경우, 압전 소자용 써미스터의 제조 공정 중에 바디(30)와 하부 커버부(10)의 사이에서 써미스터 조성물 또는 알루미나(Al2O3)의 확산이 일어날 수 있다.
따라서, 버퍼층(20)은 알루미나(Al2O3)와 써미스터 조성물을 포함하여 형성하여, 전술한 바디(30)와 하부 커버부(10)의 사이에서 써미스터 조성물 또는 알루미나(Al2O3)의 확산 거동을 방지하여 압전 소자용 써미스터(100)의 특성 저하를 방지할 수 있다.
버퍼층(20)도 하부 커버층(10)과 같은 방법으로 제1 내지 제4 도전성 비아(111, 112, 113, 114)를 형성할 수 있다.
버퍼층(20)을 형성한 후, 도 8과 같이, 써미스터 조성물을 이용하여 하부층(101)을 형성한다. 하부층(101)도 버퍼층(20)과 마찬가지로 제1 내지 제4 도전성 비아(111, 112, 113, 114)를 형성할 수 있다.
이하, 하부층(101)을 포함한 제1 및 제2 써미스터층(102, 103)과 상부층(104)은 써미스터 조성물을 이용하여 형성되는 써미스터층을 이용하여 형성된다.
도 9와 같이, 하부층(101)의 상부에 제1 써미스터층(102)을 형성한다.
제1 써미스터층(102)에 제1 내지 제4 도전성 비아(111, 112, 113, 114)를 형성하고, 제1 및 제2 전극(121, 122)을 도전성 페이스트를 이용하여 형성할 수 있다. 제1 전극(121) 및 제2 전극(122)은 서로 이격되도록 형성할 수 있다.
다음으로, 도 10과 같이, 제1 써미스터층(102)의 상부에 제2 써미스터층(103)을 형성한다. 제2 써미스터층(103)에 제1 내지 제4 도전성 비아(111, 112, 113, 114)를 형성하고, 제3 전극(123)을 도전성 페이스트를 이용하여 형성할 수 있다. 제3 전극(123)은 제1 내지 4 도전성 비아(111, 112, 113, 114)와 이격되도록 형성할 수 있다.
그 후, 도 11과 같이, 다시 제1 써미스터층(102)을 제2 써미스터층(103)의 상부에 형성한다.
도 10 및 11의 단계를 반복하여, 바디(30)에 적층되는 제1 및 제2 써미스터층(102, 103)의 적층수를 조절할 수 있다.
다음으로, 도 12처럼 제1 써미스터층(102)이 최하층 및 최상층에 위치하도록 적층한 후, 제1 써미스터층(102)의 상부에 상부층(104)을 형성하여, 바디(30)를 제작한다.
상부층(104)에는 제3 및 제4 도전성 비아(113, 114)가 형성된다. 상부층(104)보다 높은 층에서는 더 이상 제1 및 제2 전극(121, 122)가 없으므로 더 이상 제1 및 제2 도전성 비아(112)가 형성될 필요가 없을 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
그 후, 도 13과 같이, 바디(30)의 상부에는 버퍼층(40)이 형성된다. 상부 커버부(50)가 알루미나(Al2O3)로 형성되는 경우, 압전 소자용 써미스터의 제조 공정 중에 바디(30)와 상부 커버부(50)의 사이에서 써미스터 조성물 또는 알루미나(Al2O3)의 확산이 일어날 수 있다.
따라서, 버퍼층(40)은 알루미나(Al2O3)와 써미스터 조성물을 포함하여 형성하여, 전술한 바디(30)와 상부 커버부(50)의 사이에서 써미스터 조성물 또는 알루미나(Al2O3)의 확산 거동을 방지하여 압전 소자용 써미스터(100)의 특성 저하를 방지할 수 있다.
버퍼층(40)은 상부층(104)과 마찬가지로 3 및 제4 도전성 비아(113, 114)가 형성된다.
마지막으로, 도 15처럼, 상부 커버부(50)를 형성하고, 그 위에 제1 및 제2 수정 진동자용 전극(141, 142)을 도전성 페이스트를 이용하여 형성한다.
제2 수정 진동자용 전극(142)은 제4 도전성 비아(114)로부터 연결 전극(143)을 연장하여 제1 수정 진동자용 전극(141)과 이격되도록 형성할 수 있다.
상부 커버부(50)의 둘레 부분에는 밀폐 고리(180)를 형성할 수 있다.
밀폐 고리(180)는 캡 리드와 용접에 의해 접착될 수 있도록, 금속을 이용하여 형성될 수 있다.
전술한 제조 방법 중 도전성 비아를 각 단계마다 형성하는 방법을 설명하였으나 이에 제한되는 것은 아니다.
예를 들어, 각 층을 모두 적층한 후에 레이저 등을 이용하여 비아를 형성하고, 비아에 도전성 물질을 충전하는 것도 가능하다.
압전 소자 패키지
도 16은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 압전 소자 패키지(1000)의 분해 사시도를 개략적으로 도시한 것이며, 도 17은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 압전 소자 패키지(1000)의 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 16 및 17을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 압전 소자 패키지(1000)는 압전 소자용 써미스터(100)의 상부에 실장되는 수정 진동자(200)를 더 포함할 수 있다.
수정 진동자(200)는 도전성 접착제(160)를 통해 제1 및 제2 수정 진동자용 전극(141, 142)에 배치된다.
수정 진동자(200)는 SiO2로 구성된 석영(Quartz)을 절단하여 수정편(210)을 제작한 뒤, 그 상면과 하면에 제1 및 제2 여진 전극(221, 222)을 형성함으로써 제조될 수 있다.
수정 진동자(200)의 제1 및 제2 여진 전극(221, 222)은 제1 및 제2 수정 진동자용 전극(141, 142)을 통해 제3 및 제4 외부 전극(153, 154)와 전기적으로 연결될 수 있다.
캡 리드(170)는 수정 진동자(200)를 덮도록 상부 커버부(50)의 상부에 배치될 수 있다.
캡 리드(170)는 상부 커버부(50)의 둘레 부분에 배치되는 금속 페이스트인 밀폐 고리(180)와 캡 리드(170)의 하단부에 배치되는 금속 접합층을 금속-금속 접합하여 수정 진동자(200)를 용접 밀폐시킬 수 있다.
캡 리드(170)는 외부의 충격과 공기로부터 수정 진동자(200)를 보호하여 압전 소자 패키지의 신뢰성 및 특성을 유지할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
10: 하부 커버부 20: 버퍼층
30: 바디 40: 버퍼층
50: 상부 커버부
100: 압전 소자용 써미스터
101: 하부층 102: 제1 써미스터층
103: 제2 써미스터층 104: 상부층
111, 112, 113, 114: 도전성 비아
121, 122, 123: 전극
141, 142: 수정 진동자용 전극
143: 연결 전극
151, 152, 153, 154: 외부 전극
155: 측면 전극 156: 마킹
170: 캡 리드 180: 밀폐 고리
200: 수정 진동자 210: 수정체
221, 222: 여진 전극

Claims (16)

  1. 제1 및 제2 써미스터층이 교대로 적층된 적층 구조를 포함하는 바디;
    상기 제1 써미스터층에 배치되며, 상기 제2 써미스터층을 관통하는 제1 및 제2 도전성 비아와 각각 연결된 제1 및 제2 전극; 및
    상기 제2 써미스터층에 배치되며, 상기 제1 및 제2 전극과 상기 적층 방향으로 오버랩되는 영역을 갖는 제3 전극;를 포함하는 압전 소자용 써미스터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 바디의 최상층 및 최하층은 상기 제1 써미스터층인 압전 소자용 써미스터.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제3 전극은 제1 및 제2 도전성 비아와 이격되어 배치되는 압전 소자용 써미스터.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 바디를 관통하는 상기 제3 및 제4 도전성 비아를 더 포함하는 압전 소자용 써미스터.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 바디의 상부에 배치되는 상부 커버부;
    상기 바디 및 상기 상부 커버부를 관통하는 제3 및 제4 도전성 비아; 및
    상기 상부 커버부의 상면에 배치되며, 상기 제3 및 제4 도전성 비아와 각각 연결되는 제1 및 제2 수정 진동자용 전극;을 더 포함하는 압전 소자용 써미스터.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 바디의 하부에 배치되며, 상기 제1 및 제2 도전성 비아가 관통하는 하부 커버부; 및
    상기 하부 커버부의 하면의 모서리부에 배치되며, 제1 및 제2 도전성 비아와 각각 연결되는 제1 및 제2 외부 전극을 포함하는 압전 소자용 써미스터.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 바디 및 상기 하부 커버부를 관통하는 제3 및 제4 도전성 비아; 및
    상기 하부 커버부의 하면의 모서리부에 배치되며, 제3 및 제4 도전성 비아와 각각 연결되는 제3 및 제4 외부 전극을 포함하는 압전 소자용 써미스터.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 내지 제4 외부 전극은 상기 하부 커버부 및 상기 바디의 측면의 모서리를 따라 배치되는 측면 전극과 각각 연결되는 압전 소자용 써미스터.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 바디의 상부에 배치되는 상부 커버부; 및
    상기 바디의 하부에 배치되는 하부 커버부;를 더 포함하고,
    상기 상부 커버부 및 하부 커버부는 알루미나(Al2O3)인 압전 소장용 써미스터.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 바디와 상기 상부 커버부의 사이 또는 상기 바디와 상기 하부 커버부의 사이에 배치되며, 알루미나(Al2O3) 및 써미스터 조성물을 포함하는 버퍼층을 더 포함하는 압전 소자용 써미스터.
  11. 압전 소자용 써미스터 및 상기 압전 소자용 써미스터의 상부에 배치되는 수정 진동자를 포함하고,
    상기 압전 소자용 써미스터는,
    제1 및 제2 써미스터층이 교대로 적층된 적층 구조를 포함하는 바디;
    상기 제1 써미스터층에 배치되며, 상기 제2 써미스터층을 관통하는 제1 및 제2 도전성 비아와 각각 연결된 제1 및 제2 전극; 및
    상기 제2 써미스터층에 배치되며, 상기 제1 및 제2 전극과 상기 적층 방향으로 오버랩되는 영역을 갖는 제3 전극;를 포함하는 압전 소자 패키지.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 바디의 최상층 및 최하층은 상기 제1 써미스터층인 압전 소자 패키지.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제3 전극은 제1 및 제2 도전성 비아와 이격되어 배치되는 압전 소자 패키지.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 바디의 상부에 배치되는 상부 커버부; 및
    상기 상부 커버부의 상부에 배치되며, 상기 바디 및 상기 상부 커버부를 관통하는 제3 및 4 도전성 비아와 각각 연결된 제1 및 제2 수정 진동자용 전극;을 포함하고,
    상기 수정 진동자는 상기 제1 및 제2 수정 진동자용 전극에 배치되는 압전 소자 패키지.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 바디의 하부에 배치되며, 상기 제1 내지 제4 도전성 비아가 관통하는 하부 커버부; 및
    상기 하부 커버부의 하면에 배치되며, 상기 제1 내지 제4 도전성 비아와 각각 연결되는 제1 내지 제4 외부 전극;을 더 포함하는 압전 소자 패키지.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 상부 커버부의 상부에 배치되어 상기 수정 진동자를 덮는 캡 리드를 더 포함하는 압전 소자 패키지.
KR1020160033841A 2016-03-22 2016-03-22 압전 소자용 써미스터 및 이를 포함하는 압전 소자 패키지 KR20170109796A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160033841A KR20170109796A (ko) 2016-03-22 2016-03-22 압전 소자용 써미스터 및 이를 포함하는 압전 소자 패키지
CN201610620210.XA CN107221397B (zh) 2016-03-22 2016-08-01 压电元件用热敏电阻及包括此的压电元件封装件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160033841A KR20170109796A (ko) 2016-03-22 2016-03-22 압전 소자용 써미스터 및 이를 포함하는 압전 소자 패키지

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20170109796A true KR20170109796A (ko) 2017-10-10

Family

ID=59928306

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160033841A KR20170109796A (ko) 2016-03-22 2016-03-22 압전 소자용 써미스터 및 이를 포함하는 압전 소자 패키지

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20170109796A (ko)
CN (1) CN107221397B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020144012A1 (de) * 2019-01-08 2020-07-16 Tdk Electronics Ag Thermistor und verfahren zur herstellung des thermistors

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4888225B2 (ja) * 2007-03-30 2012-02-29 Ｔｄｋ株式会社 バリスタ及び発光装置
CN103093909A (zh) * 2011-11-03 2013-05-08 瑞侃电子(上海)有限公司 电路保护器件及其制作方法
CN103152006A (zh) * 2013-03-05 2013-06-12 台晶(宁波)电子有限公司 一种具有热敏电阻的石英晶体谐振器

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020144012A1 (de) * 2019-01-08 2020-07-16 Tdk Electronics Ag Thermistor und verfahren zur herstellung des thermistors
US11869685B2 (en) 2019-01-08 2024-01-09 Tdk Electronics Ag Thermistor and method for producing said thermistor

Also Published As

Publication number Publication date
CN107221397A (zh) 2017-09-29
CN107221397B (zh) 2020-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9667220B2 (en) Temperature controlled acoustic resonator comprising heater and sense resistors
US9209379B2 (en) Piezoelectric vibration element and piezoelectric device
KR102067176B1 (ko) 적층형 전자 부품 및 그 실장 기판
WO2017082104A1 (ja) 圧電たわみセンサ
JP2009124688A (ja) 圧電振動デバイス用パッケージおよび圧電振動デバイス
JP5699809B2 (ja) 圧電振動片
US10135420B2 (en) Quartz crystal blank and quartz crystal resonator unit
JPWO2015170484A1 (ja) 水晶振動装置
KR20170109796A (ko) 압전 소자용 써미스터 및 이를 포함하는 압전 소자 패키지
US9985604B2 (en) Quartz crystal blank and quartz crystal resonator unit
KR101532134B1 (ko) 압전 소자 패키지 및 그 제조 방법
US11251771B2 (en) Piezoelectric device and electronic apparatus
US10418964B2 (en) Quartz crystal blank and quartz crystal resonator unit
JP2013106054A (ja) 圧電デバイス
JP5188932B2 (ja) 圧電発振器
JP6137255B2 (ja) 振動デバイス及び電子機器
CN107221396B (zh) 压电元件用热敏电阻以及包括此的压电元件封装件
JP2014086842A (ja) 圧電振動デバイス
JP2006033413A (ja) 圧電振動デバイス
JP2009111124A (ja) 電子デバイス及び電子デバイス用パッケージ
KR101532133B1 (ko) 압전 소자 패키지 및 그 제조 방법
JP6604071B2 (ja) 圧電振動デバイス
JP7083303B2 (ja) 圧電デバイス及び電子機器
WO2023074615A1 (ja) 温度センサ付き水晶振動デバイス
JP5188933B2 (ja) 圧電発振器