|
US4566175A
(en)
*
|
1982-08-30 |
1986-01-28 |
Texas Instruments Incorporated |
Method of making insulated gate field effect transistor with a lightly doped drain using oxide sidewall spacer and double implantations
|
|
US4669177A
(en)
*
|
1985-10-28 |
1987-06-02 |
Texas Instruments Incorporated |
Process for making a lateral bipolar transistor in a standard CSAG process
|
|
USRE38296E1
(en)
|
1987-04-24 |
2003-11-04 |
Hitachi, Ltd. |
Semiconductor memory device with recessed array region
|
|
JPS6461943A
(en)
|
1987-09-02 |
1989-03-08 |
Seiko Epson Corp |
Semiconductor device and manufacture thereof
|
|
JPH046875A
(ja)
|
1990-04-24 |
1992-01-10 |
Mitsubishi Materials Corp |
シリコンウェーハ
|
|
US5618739A
(en)
*
|
1990-11-15 |
1997-04-08 |
Seiko Instruments Inc. |
Method of making light valve device using semiconductive composite substrate
|
|
FR2681472B1
(fr)
*
|
1991-09-18 |
1993-10-29 |
Commissariat Energie Atomique |
Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur.
|
|
JPH05235312A
(ja)
*
|
1992-02-19 |
1993-09-10 |
Fujitsu Ltd |
半導体基板及びその製造方法
|
|
FR2715501B1
(fr)
*
|
1994-01-26 |
1996-04-05 |
Commissariat Energie Atomique |
Procédé de dépôt de lames semiconductrices sur un support.
|
|
US5524339A
(en)
*
|
1994-09-19 |
1996-06-11 |
Martin Marietta Corporation |
Method for protecting gallium arsenide mmic air bridge structures
|
|
US5567654A
(en)
*
|
1994-09-28 |
1996-10-22 |
International Business Machines Corporation |
Method and workpiece for connecting a thin layer to a monolithic electronic module's surface and associated module packaging
|
|
JP3743519B2
(ja)
*
|
1994-10-18 |
2006-02-08 |
コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ |
シリコン−酸化物薄層の製造方法
|
|
US6011607A
(en)
|
1995-02-15 |
2000-01-04 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., |
Active matrix display with sealing material
|
|
JP3983316B2
(ja)
*
|
1995-03-20 |
2007-09-26 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
液晶表示装置の作製方法
|
|
FR2748851B1
(fr)
*
|
1996-05-15 |
1998-08-07 |
Commissariat Energie Atomique |
Procede de realisation d'une couche mince de materiau semiconducteur
|
|
FR2748850B1
(fr)
*
|
1996-05-15 |
1998-07-24 |
Commissariat Energie Atomique |
Procede de realisation d'un film mince de materiau solide et applications de ce procede
|
|
JP4103968B2
(ja)
|
1996-09-18 |
2008-06-18 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
絶縁ゲイト型半導体装置
|
|
US6159825A
(en)
|
1997-05-12 |
2000-12-12 |
Silicon Genesis Corporation |
Controlled cleavage thin film separation process using a reusable substrate
|
|
JPH1145862A
(ja)
|
1997-07-24 |
1999-02-16 |
Denso Corp |
半導体基板の製造方法
|
|
US6388652B1
(en)
|
1997-08-20 |
2002-05-14 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Electrooptical device
|
|
US6686623B2
(en)
|
1997-11-18 |
2004-02-03 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Nonvolatile memory and electronic apparatus
|
|
JPH11163363A
(ja)
|
1997-11-22 |
1999-06-18 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
半導体装置およびその作製方法
|
|
JP2000012864A
(ja)
|
1998-06-22 |
2000-01-14 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
半導体装置の作製方法
|
|
JP3385972B2
(ja)
|
1998-07-10 |
2003-03-10 |
信越半導体株式会社 |
貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ
|
|
US6271101B1
(en)
|
1998-07-29 |
2001-08-07 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Process for production of SOI substrate and process for production of semiconductor device
|
|
JP4476390B2
(ja)
|
1998-09-04 |
2010-06-09 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
|
JP2000124092A
(ja)
|
1998-10-16 |
2000-04-28 |
Shin Etsu Handotai Co Ltd |
水素イオン注入剥離法によってｓｏｉウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたｓｏｉウエーハ
|
|
KR20000040104A
(ko)
|
1998-12-17 |
2000-07-05 |
김영환 |
실리콘 온 인슐레이터 웨이퍼의 제조방법
|
|
US6337288B1
(en)
*
|
1999-06-28 |
2002-01-08 |
Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc. |
Process for the production of electronic parts
|
|
JP4780828B2
(ja)
*
|
2000-11-22 |
2011-09-28 |
三井化学株式会社 |
ウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法
|
|
FR2818010B1
(fr)
*
|
2000-12-08 |
2003-09-05 |
Commissariat Energie Atomique |
Procede de realisation d'une couche mince impliquant l'introduction d'especes gazeuses
|
|
JP2002198328A
(ja)
|
2000-12-25 |
2002-07-12 |
Nec Corp |
半導体装置の製造方法および製造装置
|
|
JP2003282885A
(ja)
*
|
2002-03-26 |
2003-10-03 |
Sharp Corp |
半導体装置およびその製造方法
|
|
US7119365B2
(en)
|
2002-03-26 |
2006-10-10 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Semiconductor device and manufacturing method thereof, SOI substrate and display device using the same, and manufacturing method of the SOI substrate
|
|
JP4103447B2
(ja)
|
2002-04-30 |
2008-06-18 |
株式会社Ｉｈｉ |
大面積単結晶シリコン基板の製造方法
|
|
US6908797B2
(en)
|
2002-07-09 |
2005-06-21 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method of manufacturing a semiconductor device
|
|
US6818529B2
(en)
|
2002-09-12 |
2004-11-16 |
Applied Materials, Inc. |
Apparatus and method for forming a silicon film across the surface of a glass substrate
|
|
US7508034B2
(en)
|
2002-09-25 |
2009-03-24 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Single-crystal silicon substrate, SOI substrate, semiconductor device, display device, and manufacturing method of semiconductor device
|
|
JP4837240B2
(ja)
*
|
2002-09-25 |
2011-12-14 |
シャープ株式会社 |
半導体装置
|
|
US7176528B2
(en)
|
2003-02-18 |
2007-02-13 |
Corning Incorporated |
Glass-based SOI structures
|
|
US7399681B2
(en)
|
2003-02-18 |
2008-07-15 |
Corning Incorporated |
Glass-based SOI structures
|
|
US6759277B1
(en)
|
2003-02-27 |
2004-07-06 |
Sharp Laboratories Of America, Inc. |
Crystalline silicon die array and method for assembling crystalline silicon sheets onto substrates
|
|
JP2004356537A
(ja)
*
|
2003-05-30 |
2004-12-16 |
Canon Inc |
半導体装置及びその製造方法
|
|
JP3970814B2
(ja)
*
|
2003-08-05 |
2007-09-05 |
シャープ株式会社 |
半導体装置の製造方法
|
|
US7253040B2
(en)
|
2003-08-05 |
2007-08-07 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Fabrication method of semiconductor device
|
|
JP4610982B2
(ja)
|
2003-11-11 |
2011-01-12 |
シャープ株式会社 |
半導体装置の製造方法
|
|
JP3751972B2
(ja)
*
|
2003-12-02 |
2006-03-08 |
有限会社ボンドテック |
接合方法及びこの方法により作成されるデバイス並びに表面活性化装置及びこの装置を備えた接合装置
|
|
WO2005055293A1
(ja)
|
2003-12-02 |
2005-06-16 |
Bondtech Inc. |
接合方法及びこの方法により作成されるデバイス並びに表面活性化装置及びこの装置を備えた接合装置
|
|
JP5110772B2
(ja)
|
2004-02-03 |
2012-12-26 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体薄膜層を有する基板の製造方法
|
|
JP4540359B2
(ja)
|
2004-02-10 |
2010-09-08 |
シャープ株式会社 |
半導体装置およびその製造方法
|
|
JP4744820B2
(ja)
|
2004-07-12 |
2011-08-10 |
シャープ株式会社 |
半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
|
|
JP2008511137A
(ja)
|
2004-08-18 |
2008-04-10 |
コーニング インコーポレイテッド |
高歪ガラス／ガラス−セラミックを有する絶縁体上半導体構造
|
|
US7247545B2
(en)
|
2004-11-10 |
2007-07-24 |
Sharp Laboratories Of America, Inc. |
Fabrication of a low defect germanium film by direct wafer bonding
|
|
EP1659623B1
(en)
|
2004-11-19 |
2008-04-16 |
S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A. |
Method for fabricating a germanium on insulator (GeOI) type wafer
|
|
JP2006210898A
(ja)
*
|
2004-12-28 |
2006-08-10 |
Shin Etsu Chem Co Ltd |
Ｓｏｉウエーハの製造方法及びｓｏｉウェーハ
|
|
JP4776994B2
(ja)
*
|
2005-07-04 |
2011-09-21 |
浜松ホトニクス株式会社 |
加工対象物切断方法
|
|
FR2888663B1
(fr)
|
2005-07-13 |
2008-04-18 |
Soitec Silicon On Insulator |
Procede de diminution de la rugosite d'une couche epaisse d'isolant
|
|
JP2007053263A
(ja)
*
|
2005-08-18 |
2007-03-01 |
Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd |
薄膜トランジスタ、液晶表示装置およびそれらの製造方法
|
|
KR101299604B1
(ko)
|
2005-10-18 |
2013-08-26 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 그 제조 방법
|
|
WO2007074551A1
(ja)
|
2005-12-27 |
2007-07-05 |
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. |
Ｓｏｉウェーハの製造方法及びｓｏｉウェーハ
|
|
FR2911430B1
(fr)
|
2007-01-15 |
2009-04-17 |
Soitec Silicon On Insulator |
"procede de fabrication d'un substrat hybride"
|
|
WO2008123116A1
(en)
*
|
2007-03-26 |
2008-10-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Soi substrate and method for manufacturing soi substrate
|
|
WO2008123117A1
(en)
*
|
2007-03-26 |
2008-10-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Soi substrate and method for manufacturing soi substrate
|
|
CN101281912B
(zh)
|
2007-04-03 |
2013-01-23 |
株式会社半导体能源研究所 |
Soi衬底及其制造方法以及半导体装置
|
|
SG178762A1
(en)
*
|
2007-04-13 |
2012-03-29 |
Semiconductor Energy Lab |
Display device, method for manufacturing display device, and soi substrate
|