JP2008238361A - 研磨パッド - Google Patents

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Abstract

【課題】 吸湿又は吸水時に寸法安定性を高く維持することができ、かつ研磨速度が大きい研磨パッド及びその製造方法を提供することを目的とする。また、該研磨パッドを用いた半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 微細気泡を有するポリウレタン発泡体からなる研磨層を有する研磨パッドにおいて、前記ポリウレタン発泡体は、
(1)イソシアネート単量体、高分子量ポリオールα、及び低分子量ポリオールを含有してなるイソシアネート末端プレポリマーA、
(2)多量化ジイソシアネート、及び数平均分子量200〜1000のポリエチレングリコールを含有してなるイソシアネート末端プレポリマーB、及び
(3)鎖延長剤、
との反応硬化体を含むことを特徴とする研磨パッド。
【選択図】 図1

Description

本発明はレンズ、反射ミラー等の光学材料やシリコンウエハ、ハードディスク用のガラス基板、アルミ基板、及び一般的な金属研磨加工等の高度の表面平坦性を要求される材料の平坦化加工を安定、かつ高い研磨効率で行うことが可能な研磨パッドに関するものである。本発明の研磨パッドは、特にシリコンウエハ並びにその上に酸化物層、金属層等が形成されたデバイスを、さらにこれらの酸化物層や金属層を積層・形成する前に平坦化する工程に好適に使用される。
高度の表面平坦性を要求される材料の代表的なものとしては、半導体集積回路(IC、LSI)を製造するシリコンウエハと呼ばれる単結晶シリコンの円盤があげられる。シリコンウエハは、IC、LSI等の製造工程において、回路形成に使用する各種薄膜の信頼できる半導体接合を形成するために、酸化物層や金属層を積層・形成する各工程において、表面を高精度に平坦に仕上げることが要求される。このような研磨仕上げ工程においては、一般的に研磨パッドはプラテンと呼ばれる回転可能な支持円盤に固着され、半導体ウエハ等の加工物は研磨ヘッドに固着される。そして双方の運動により、プラテンと研磨ヘッドとの間に相対速度を発生させ、さらに砥粒を含む研磨スラリーを研磨パッド上に連続供給することにより、研磨操作が実行される。
研磨パッドの研磨特性としては、研磨対象物の平坦性(プラナリティー)及び面内均一性に優れ、研磨速度が大きいことが要求される。研磨対象物の平坦性、面内均一性については研磨層を高弾性率化することによりある程度は改善できる。また、研磨速度については、気泡を含有する発泡体にしてスラリーの保持量を多くすることにより向上できる。
上記特性を満たす研磨パッドとして、ポリウレタン発泡体からなる研磨パッドが提案されている(特許文献1、2)。該ポリウレタン発泡体は、イソシアネート末端プレポリマーと鎖延長剤(硬化剤)とを反応させることにより製造されており、イソシアネートプレポリマーの高分子ポリオール成分としては、耐加水分解性、弾性特性、耐摩耗性等の観点から、ポリエーテル(数平均分子量が500〜1600であるポリテトラメチレングリコール)やポリカーボネートが好適な材料として使用されている。
しかし、上記研磨層は、吸湿又は吸水時にハードセグメントの凝集力が低下して研磨層の寸法安定性が低下しやすかった。ひどい場合には、研磨パッドに反りやうねりが発生し、それにより平坦化特性や面内均一性等の研磨特性が次第に低下してくるという問題があった。
特許文献3には、スラリーの保持性を向上させることを目的として、温度23℃の水に72時間浸漬した場合の体積膨潤率が20%以下である研磨パッド用重合体組成物が開示されている。しかし、上記研磨パッド用重合体組成物は、研磨パッド用重合体として熱可塑性重合体を用いており、吸湿又は吸水時に研磨パッドの寸法安定性を高く維持することは困難である。
特開2000−17252号公報 特許第3359629号 特開2001−47355号公報
本発明は、吸湿又は吸水時に寸法安定性を高く維持することができ、かつ研磨速度が大きい研磨パッド及びその製造方法を提供することを目的とする。また、該研磨パッドを用いた半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、以下に示す研磨パッドにより上記目的を達成できることを見出し本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、微細気泡を有するポリウレタン発泡体からなる研磨層を有する研磨パッドにおいて、前記ポリウレタン発泡体は、
(1)イソシアネート単量体、高分子量ポリオールα、及び低分子量ポリオールを含有してなるイソシアネート末端プレポリマーA、
(2)多量化ジイソシアネート、及び数平均分子量200〜1000のポリエチレングリコールを含有してなるイソシアネート末端プレポリマーB、及び
(3)鎖延長剤、
との反応硬化体を含むことを特徴とする研磨パッド、に関する。
従来の研磨層は、物理架橋のみにより形成されたハードセグメントを有するポリウレタン発泡体であるため、吸湿又は吸水時にハードセグメントの凝集力が容易に低下すると考えられる。そのため、研磨層が吸湿又は吸水するほど伸びや反り等により寸法変化が大きくなると考えられる。
本発明者らは、ポリウレタン発泡体の原料として、イソシアネート単量体、高分子量ポリオールα、及び低分子量ポリオールを含有してなるイソシアネート末端プレポリマーAと、多量化ジイソシアネート、及び数平均分子量200〜1000のポリエチレングリコールを含有してなるイソシアネート末端プレポリマーBとを併用し、これらと鎖延長剤との反応によりポリマー中に化学架橋を規則的に導入する(三次元架橋構造を規則的に形成する)ことにより、吸湿又は吸水時におけるハードセグメントの凝集力を高め、研磨層の寸法安定性を高く維持することができることを見出した。また、前記2種のプレポリマーを用いることにより化学架橋ネットワークを広げることができ、さらにプレポリマーBのポリオール成分として数平均分子量200〜1000のポリエチレングリコールを用いているため、水に対するポリウレタンの親和性が向上し、高吸水性のポリウレタン発泡体を得ることができる。その結果、スラリーの保持性が向上し、研磨速度を高めることができる。
前記高分子量ポリオールαは、数平均分子量500〜5000のポリエーテルポリオールであり、前記イソシアネート単量体は、トルエンジイソシアネート及びジシクロへキシルメタンジイソシアネートであることが好ましい。また、前記多量化ジイソシアネートは、イソシアヌレートタイプ及び/又はビュレットタイプの多量化ヘキサメチレンジイソシアネートであることが好ましい。これらを用いることにより、ハンドリング性よくポリウレタン発泡体を製造することができ、かつ本発明の効果がより優れたものとなる。
イソシアネート末端プレポリマーBの添加量は、イソシアネート末端プレポリマーA100重量部に対して5〜30重量部であることが好ましい。イソシアネート末端プレポリマーBの添加量が5重量部未満の場合には、ポリマー中の化学架橋の割合が不十分になるため、吸湿又は吸水時におけるハードセグメントの凝集力が不足し、研磨層の寸法安定性を高く維持することが困難になる傾向にある。また、高吸水性のポリウレタン発泡体を得にくくなる傾向にある。一方、30重量部を超える場合には、ポリマー中の化学架橋の割合が過剰になり、研磨層の硬度が高くなりすぎるため被研磨材の面内均一性が低下したり、ポリウレタン発泡体の耐摩耗性が低下して研磨パッドの寿命が短くなる傾向にある。また、被研磨材の表面にスクラッチが発生しやすくなる。
また、ポリウレタン発泡体は、平均気泡径が20〜70μmであり、カットレートが2μm/min以下であることが好ましい。平均気泡径が上記範囲から逸脱する場合は、研磨速度が低下したり、研磨後の被研磨材のプラナリティ(平坦性)が低下する傾向にある。また、カットレートが2μm/minを超える場合には、研磨パッドの寿命が短くなりすぎるため好ましくない。
また、ポリウレタン発泡体は、吸水時の寸法変化率が0.8%以下であり、吸水時の曲げ弾性率の変化率が40%以下であることが好ましい。前記数値の範囲外の場合には、研磨層が吸湿又は吸水した際に寸法変化が大きくなり、平坦化特性や面内均一性等の研磨特性が次第に低下してくる傾向にある。
また、ポリウレタン発泡体は、アスカーD硬度が45〜65度であることが好ましい。アスカーD硬度が45度未満の場合には、被研磨材の平坦性が低下する傾向にある。一方、65度より大きい場合は、平坦性は良好であるが、被研磨材の面内均一性が低下する傾向にある。また、被研磨材の表面にスクラッチが発生しやすくなる。
また、ポリウレタン発泡体は、シリコン系界面活性剤を0.05〜10重量%含有することが好ましい。シリコン系界面活性剤の量が0.05重量%未満の場合には、微細気泡の発泡体が得られない傾向にある。一方、10重量%を超える場合には、界面活性剤の可塑効果により高硬度のポリウレタン発泡体を得にくい傾向にある。
また本発明は、イソシアネート末端プレポリマーを含む第1成分と鎖延長剤を含む第2成分とを混合し、硬化してポリウレタン発泡体を作製する工程を含む研磨パッドの製造方法において、
前記工程は、イソシアネート末端プレポリマーを含む第1成分にシリコン系ノニオン界面活性剤をポリウレタン発泡体中に0.05〜10重量%になるように添加し、さらに前記第1成分を非反応性気体と撹拌して前記非反応性気体を微細気泡として分散させた気泡分散液を調製した後、前記気泡分散液に鎖延長剤を含む第2成分を混合し、硬化してポリウレタン発泡体を作製する工程であり、
前記イソシアネート末端プレポリマーは、
(1)イソシアネート単量体、高分子量ポリオールα、及び低分子量ポリオールを含有してなるイソシアネート末端プレポリマーA、及び
(2)多量化ジイソシアネート、及び数平均分子量200〜1000のポリエチレングリコールを含有してなるイソシアネート末端プレポリマーB、
であることを特徴とする研磨パッドの製造方法、に関する。
さらに本発明は、前記研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法、に関する。
本発明の研磨パッドは、微細気泡を有するポリウレタン発泡体からなる研磨層を有する。本発明の研磨パッドは、前記研磨層のみであってもよく、研磨層と他の層(例えばクッション層など)との積層体であってもよい。
ポリウレタン樹脂は耐摩耗性に優れ、原料組成を種々変えることにより所望の物性を有するポリマーを容易に得ることができるため、研磨層の形成材料として特に好ましい材料である。
前記ポリウレタン樹脂は、イソシアネート単量体、高分子量ポリオールα、及び低分子量ポリオールを含有してなるイソシアネート末端プレポリマーA、多量化ジイソシアネート、及び数平均分子量200〜1000のポリエチレングリコールを含有してなるイソシアネート末端プレポリマーB、及び鎖延長剤との反応硬化体を含むものである。
イソシアネート単量体としては、ポリウレタンの分野において公知の化合物を特に限定なく使用できる。例えば、2,4−トルエンジイソシアネート、2,6−トルエンジイソシアネート、2,2’−ジフェニルメタンジイソシアネート、2,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート、1,5−ナフタレンジイソシアネート、p−フェニレンジイソシアネート、m−フェニレンジイソシアネート、p−キシリレンジイソシアネート、m−キシリレンジイソシアネート等の芳香族ジイソシアネート、エチレンジイソシアネート、2,2,4−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、1,6−ヘキサメチレンジイソシアネート等の脂肪族ジイソシアネート、1,4−シクロヘキサンジイソシアネート、4,4’−ジシクロへキシルメタンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシアネート等の脂環式ジイソシアネート等が挙げられる。これらは1種で用いても、2種以上を混合しても差し支えない。これらのうち、トルエンジイソシアネートとジシクロへキシルメタンジイソシアネートとを併用することが好ましい。
一方、本発明における多量化ジイソシアネートとは、3つ以上のジイソシアネートが付加することにより多量化したイソシアネート変性体又はそれらの混合物である。前記イソシアネート変性体としては、例えば、1)トリメチロールプロパンアダクトタイプ、2)ビュレットタイプ、3)イソシアヌレートタイプなどが挙げられるが、特にイソシアヌレートタイプやビュレットタイプであることが好ましい。
本発明において、多量化ジイソシアネートを形成するジイソシアネートとしては、脂肪族ジイソシアネートを用いることが好ましく、特に1,6−ヘキサメチレンジイソシアネートを用いることが好ましい。また、多量化ジイソシアネートは、ウレタン変性、アロファネート変性、及びビュレット変性等の変性化したものであってもよい。
高分子量ポリオールαとしては、ポリテトラメチレンエーテルグリコールに代表されるポリエーテルポリオール、ポリブチレンアジペートに代表されるポリエステルポリオール、ポリカプロラクトンポリオール、ポリカプロラクトンのようなポリエステルグリコールとアルキレンカーボネートとの反応物などで例示されるポリエステルポリカーボネートポリオール、エチレンカーボネートを多価アルコールと反応させ、次いで得られた反応混合物を有機ジカルボン酸と反応させたポリエステルポリカーボネートポリオール、及びポリヒドキシル化合物とアリールカーボネートとのエステル交換反応により得られるポリカーボネートポリオールなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
高分子量ポリオールαの数平均分子量は特に限定されるものではないが、得られるポリウレタン樹脂の粘弾性特性の観点から500〜5000であることが好ましく、より好ましくは1000〜2000である。数平均分子量が500未満であると、これを用いたポリウレタン樹脂は十分な弾性特性を有さず、脆いポリマーとなる。そのためこのポリウレタン樹脂から製造される研磨パッドは硬くなりすぎ、ウエハ表面のスクラッチの原因となる。また、摩耗しやすくなるため、パッド寿命の観点からも好ましくない。一方、数平均分子量が5000を超えると、これを用いたポリウレタン樹脂は軟らかくなりすぎるため、このポリウレタン樹脂から製造される研磨パッドは平坦化特性に劣る傾向にある。
イソシアネート末端プレポリマーBのポリオール成分であるポリエチレングリコールの数平均分子量は200〜1000であることが必要であり、好ましくは250〜650である。数平均分子量が200未満であると、架橋間距離が短くなるため水を保持しにくくなり、高吸水性のポリウレタン発泡体を得ることができない。その結果、スラリーの保持性が悪くなり、研磨速度を高めることができない。一方、数平均分子量が1000を超えると、架橋間距離が長くなるため吸水性が高くなり、吸水時の寸法変化が大きくなる。
低分子量ポリオールは、イソシアネート末端プレポリマーAの必須原料である。低分子量ポリオールとしては、例えば、エチレングリコール、1,2−プロピレングリコール、1,3−プロピレングリコール、1,2−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、2,3−ブタンジオール、1,6−ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、1,4−シクロヘキサンジメタノール、3−メチル−1,5−ペンタンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、1,4−ビス(2−ヒドロキシエトキシ)ベンゼン、トリメチロールプロパン、グリセリン、1,2,6−ヘキサントリオール、ペンタエリスリトール、テトラメチロールシクロヘキサン、メチルグルコシド、ソルビトール、マンニトール、ズルシトール、スクロース、2,2,6,6−テトラキス(ヒドロキシメチル)シクロヘキサノール、ジエタノールアミン、N−メチルジエタノールアミン、及びトリエタノールアミン等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。なお、イソシアネート末端プレポリマーBの原料として低分子量ポリオールを適宜用いてもよい。
また、イソシアネート末端プレポリマーA及びBの原料として、エチレンジアミン、トリレンジアミン、ジフェニルメタンジアミン、及びジエチレントリアミン等の低分子量ポリアミンを併用することもできる。また、モノエタノールアミン、2−(2−アミノエチルアミノ)エタノール、及びモノプロパノールアミン等のアルコールアミンを併用することもできる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
低分子量ポリオールや低分子量ポリアミン等の配合量は特に限定されず、製造される研磨パッド(研磨層)に要求される特性により適宜決定されるが、イソシアネート末端プレポリマーAの原料である全活性水素基含有化合物の10〜25モル%であることが好ましい。
イソシアネート末端プレポリマーBを作製する際には、NCO Indexが3〜5になるように多量化ジイソシアネート及びポリエチレングリコールを配合することが好ましく、より好ましくはNCO Indexが3〜4である。
一方、イソシアネート末端プレポリマーAを作製する際のNCO Indexは特に制限されず、通常1.5〜2.5程度である。
ポリウレタン発泡体をプレポリマー法により製造する場合において、プレポリマーの硬化には鎖延長剤を使用する。鎖延長剤は、少なくとも2個以上の活性水素基を有する有機化合物であり、活性水素基としては、水酸基、第1級もしくは第2級アミノ基、チオール基(SH)等が例示できる。具体的には、4,4’−メチレンビス(o−クロロアニリン)(MOCA)、2,6−ジクロロ−p−フェニレンジアミン、4,4’−メチレンビス(2,3−ジクロロアニリン)、3,5−ビス(メチルチオ)−2,4−トルエンジアミン、3,5−ビス(メチルチオ)−2,6−トルエンジアミン、3,5−ジエチルトルエン−2,4−ジアミン、3,5−ジエチルトルエン−2,6−ジアミン、トリメチレングリコール−ジ−p−アミノベンゾエート、ポリテトラメチレンオキシド−ジ−p−アミノベンゾエート、4,4’−ジアミノ−3,3’,5,5’−テトラエチルジフェニルメタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジイソプロピル−5,5’−ジメチルジフェニルメタン、4,4’−ジアミノ−3,3’,5,5’−テトライソプロピルジフェニルメタン、1,2−ビス(2−アミノフェニルチオ)エタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジエチル−5,5’−ジメチルジフェニルメタン、N,N’−ジ−sec−ブチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジエチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、m−キシリレンジアミン、N,N’−ジ−sec−ブチル−p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、及びp−キシリレンジアミン等に例示されるポリアミン類、あるいは、上述した低分子量ポリオールや低分子量ポリアミンを挙げることができる。これらは1種で用いても、2種以上を混合しても差し支えない。
本発明におけるイソシアネート末端プレポリマーA、イソシアネート末端プレポリマーB、及び鎖延長剤の比は、各々の分子量や研磨パッドの所望物性などにより種々変え得る。イソシアネート末端プレポリマーBの添加量は、イソシアネート末端プレポリマーA100重量部に対して5〜30重量部であることが好ましく、より好ましくは10〜20重量部である。また、所望する研磨特性を有する研磨パッドを得るためには、鎖延長剤の活性水素基(水酸基、アミノ基)数に対する前記プレポリマーのイソシアネート基数は、0.8〜1.2であることが好ましく、さらに好ましくは0.99〜1.15である。イソシアネート基数が前記範囲外の場合には、硬化不良が生じて要求される比重及び硬度が得られず、研磨特性が低下する傾向にある。
ポリウレタン発泡体は、溶融法、溶液法など公知のウレタン化技術を応用して製造することができるが、コスト、作業環境などを考慮した場合、溶融法で製造することが好ましい。
本発明のポリウレタン発泡体の製造は、プレポリマー法により行われる。プレポリマー法にて得られるポリウレタン樹脂は、物理的特性が優れており好適である。
なお、イソシアネート末端プレポリマーA及びBは、分子量が800〜5000程度のものが加工性、物理的特性等が優れており好適である。
前記ポリウレタン発泡体の製造は、イソシアネート末端プレポリマーA及びBを含む第1成分、及び鎖延長剤を含む第2成分を混合して硬化させるものである。
ポリウレタン発泡体の製造方法としては、中空ビーズを添加させる方法、機械的発泡法、化学的発泡法などが挙げられる。なお、各方法を併用してもよいが、特にポリアルキルシロキサンとポリエーテルとの共重合体であるシリコン系界面活性剤を使用した機械的発泡法が好ましい。該シリコン系界面活性剤としては、SH−192、L−5340(東レダウコーニングシリコン製)等が好適な化合物として例示される。
なお、必要に応じて、酸化防止剤等の安定剤、滑剤、顔料、充填剤、帯電防止剤、その他の添加剤を加えてもよい。
研磨パッド(研磨層)を構成する微細気泡タイプの熱硬化性ポリウレタン発泡体を製造する方法の例について以下に説明する。かかるポリウレタン発泡体の製造方法は、以下の工程を有する。
1)気泡分散液を作製する発泡工程
イソシアネート末端プレポリマーA及びBを含む第1成分にシリコン系界面活性剤をポリウレタン発泡体中に0.05〜10重量%になるように添加し、非反応性気体の存在下で撹拌し、非反応性気体を微細気泡として分散させて気泡分散液とする。前記プレポリマーが常温で固体の場合には適宜の温度に予熱し、溶融して使用する。
2)硬化剤(鎖延長剤)混合工程
上記の気泡分散液に鎖延長剤を含む第2成分を添加、混合、撹拌して発泡反応液とする。
3)注型工程
上記の発泡反応液を金型に流し込む。
4)硬化工程
金型に流し込まれた発泡反応液を加熱し、反応硬化させる。
前記微細気泡を形成するために使用される非反応性気体としては、可燃性でないものが好ましく、具体的には窒素、酸素、炭酸ガス、ヘリウムやアルゴン等の希ガスやこれらの混合気体が例示され、乾燥して水分を除去した空気の使用がコスト的にも最も好ましい。
非反応性気体を微細気泡状にしてシリコン系界面活性剤を含む第1成分に分散させる撹拌装置としては、公知の撹拌装置は特に限定なく使用可能であり、具体的にはホモジナイザー、ディゾルバー、2軸遊星型ミキサー(プラネタリーミキサー)等が例示される。撹拌装置の撹拌翼の形状も特に限定されないが、ホイッパー型の撹拌翼の使用にて微細気泡が得られ好ましい。
なお、発泡工程において気泡分散液を作成する撹拌と、混合工程における鎖延長剤を添加して混合する撹拌は、異なる撹拌装置を使用することも好ましい態様である。特に混合工程における撹拌は気泡を形成する撹拌でなくてもよく、大きな気泡を巻き込まない撹拌装置の使用が好ましい。このような撹拌装置としては、遊星型ミキサーが好適である。発泡工程と混合工程の撹拌装置を同一の撹拌装置を使用しても支障はなく、必要に応じて撹拌翼の回転速度を調整する等の撹拌条件の調整を行って使用することも好適である。
ポリウレタン発泡体の製造方法においては、発泡反応液を型に流し込んで流動しなくなるまで反応した発泡体を、加熱、ポストキュアすることは、発泡体の物理的特性を向上させる効果があり、極めて好適である。金型に発泡反応液を流し込んで直ちに加熱オーブン中に入れてポストキュアを行う条件としてもよく、そのような条件下でもすぐに反応成分に熱が伝達されないので、気泡径が大きくなることはない。硬化反応は、常圧で行うことが気泡形状が安定するために好ましい。
ポリウレタン発泡体において、第3級アミン系等の公知のポリウレタン反応を促進する触媒を使用してもかまわない。触媒の種類、添加量は、混合工程後、所定形状の型に流し込む流動時間を考慮して選択する。
ポリウレタン発泡体の製造は、各成分を計量して容器に投入し、撹拌するバッチ方式であっても、また撹拌装置に各成分と非反応性気体を連続して供給して撹拌し、発泡反応液を送り出して成形品を製造する連続生産方式であってもよい。
また、ポリウレタン発泡体の原料となるプレポリマーを反応容器に入れ、その後鎖延長剤を投入、撹拌後、所定の大きさの注型に流し込みブロックを作製し、そのブロックを鉋状、あるいはバンドソー状のスライサーを用いてスライスする方法、又は前述の注型の段階で、薄いシート状にしても良い。また、原料となる樹脂を溶解し、Tダイから押し出し成形して直接シート状のポリウレタン発泡体を得ても良い。
前記ポリウレタン発泡体の平均気泡径は、20〜70μmであることが好ましく、より好ましくは30〜60μmである。また、前記ポリウレタン発泡体は、カットレートが2μm/min以下であることが好ましく、より好ましくは1.5μm/min以下である。また、前記ポリウレタン発泡体は、吸水時の寸法変化率が0.8%以下であることが好ましく、より好ましくは0.7%以下である。また、前記ポリウレタン発泡体は、吸水時の曲げ弾性率の変化率が40%以下であることが好ましく、より好ましくは35%以下である。なお、前記各物性の測定方法は実施例の記載による。
前記ポリウレタン発泡体は、アスカーD硬度が45〜65度であることが好ましく、より好ましくは50〜60度である。
本発明の研磨パッド(研磨層)の被研磨材と接触する研磨表面は、スラリーを保持・更新するための凹凸構造を有する。発泡体からなる研磨層は、研磨表面に多くの開口を有し、スラリーを保持・更新する働きを持っているが、研磨表面に凹凸構造を形成することにより、スラリーの保持と更新をさらに効率よく行うことができ、また被研磨材との吸着による被研磨材の破壊を防ぐことができる。凹凸構造は、スラリーを保持・更新する形状であれば特に限定されるものではなく、例えば、XY格子溝、同心円状溝、貫通孔、貫通していない穴、多角柱、円柱、螺旋状溝、偏心円状溝、放射状溝、及びこれらの溝を組み合わせたものが挙げられる。また、これらの凹凸構造は規則性のあるものが一般的であるが、スラリーの保持・更新性を望ましいものにするため、ある範囲ごとに溝ピッチ、溝幅、溝深さ等を変化させることも可能である。
前記凹凸構造の作製方法は特に限定されるものではないが、例えば、所定サイズのバイトのような治具を用い機械切削する方法、所定の表面形状を有した金型に樹脂を流しこみ、硬化させることにより作製する方法、所定の表面形状を有したプレス板で樹脂をプレスし作製する方法、フォトリソグラフィを用いて作製する方法、印刷手法を用いて作製する方法、炭酸ガスレーザーなどを用いたレーザー光による作製方法などが挙げられる。
研磨層の厚みは特に限定されるものではないが、通常0.8〜4mm程度であり、1.5〜2.5mmであることが好ましい。前記厚みの研磨層を作製する方法としては、前記微細発泡体のブロックをバンドソー方式やカンナ方式のスライサーを用いて所定厚みにする方法、所定厚みのキャビティーを持った金型に樹脂を流し込み硬化させる方法、及びコーティング技術やシート成形技術を用いた方法などが挙げられる。
また、前記研磨層の厚みバラツキは100μm以下であることが好ましい。厚みバラツキが100μmを越えるものは、研磨層に大きなうねりを持ったものとなり、被研磨材に対する接触状態が異なる部分ができ、研磨特性に悪影響を与える。また、研磨層の厚みバラツキを解消するため、一般的には、研磨初期に研磨層表面をダイヤモンド砥粒を電着、融着させたドレッサーを用いてドレッシングするが、上記範囲を超えたものは、ドレッシング時間が長くなり、生産効率を低下させるものとなる。
研磨層の厚みのバラツキを抑える方法としては、所定厚みにスライスした研磨シート表面をバフィングする方法が挙げられる。また、バフィングする際には、粒度などが異なる研磨材で段階的に行うことが好ましい。
本発明の研磨パッドは、前記研磨層とクッションシートとを貼り合わせたものであってもよい。
前記クッションシート(クッション層)は、研磨層の特性を補うものである。クッションシートは、CMPにおいて、トレードオフの関係にあるプラナリティとユニフォーミティの両者を両立させるために必要なものである。プラナリティとは、パターン形成時に発生する微小凹凸のある被研磨材を研磨した時のパターン部の平坦性をいい、ユニフォーミティとは、被研磨材全体の均一性をいう。研磨層の特性によって、プラナリティを改善し、クッションシートの特性によってユニフォーミティを改善する。本発明の研磨パッドにおいては、クッションシートは研磨層より柔らかいものを用いることが好ましい。
前記クッションシートとしては、例えば、ポリエステル不織布、ナイロン不織布、アクリル不織布などの繊維不織布やポリウレタンを含浸したポリエステル不織布のような樹脂含浸不織布、ポリウレタンフォーム、ポリエチレンフォームなどの高分子樹脂発泡体、ブタジエンゴム、イソプレンゴムなどのゴム性樹脂、感光性樹脂などが挙げられる。
研磨層とクッションシートとを貼り合わせる手段としては、例えば、研磨層とクッションシートとを両面テープで挟みプレスする方法が挙げられる。
前記両面テープは、不織布やフィルム等の基材の両面に接着層を設けた一般的な構成を有するものである。クッションシートへのスラリーの浸透等を防ぐことを考慮すると、基材にフィルムを用いることが好ましい。また、接着層の組成としては、例えば、ゴム系接着剤やアクリル系接着剤等が挙げられる。金属イオンの含有量を考慮すると、アクリル系接着剤は、金属イオン含有量が少ないため好ましい。また、研磨層とクッションシートは組成が異なることもあるため、両面テープの各接着層の組成を異なるものとし、各層の接着力を適正化することも可能である。
本発明の研磨パッドは、プラテンと接着する面に両面テープが設けられていてもよい。該両面テープとしては、上述と同様に基材の両面に接着層を設けた一般的な構成を有するものを用いることができる。基材としては、例えば不織布やフィルム等が挙げられる。研磨パッドの使用後のプラテンからの剥離を考慮すれば、基材にフィルムを用いることが好ましい。また、接着層の組成としては、例えば、ゴム系接着剤やアクリル系接着剤等が挙げられる。金属イオンの含有量を考慮すると、アクリル系接着剤は、金属イオン含有量が少ないため好ましい。
半導体デバイスは、前記研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を経て製造される。半導体ウエハとは、一般にシリコンウエハ上に配線金属及び酸化膜を積層したものである。半導体ウエハの研磨方法、研磨装置は特に制限されず、例えば、図1に示すように研磨パッド(研磨層)1を支持する研磨定盤2と、半導体ウエハ4を支持する支持台(ポリシングヘッド)5とウエハへの均一加圧を行うためのバッキング材と、研磨剤3の供給機構を備えた研磨装置などを用いて行われる。研磨パッド1は、例えば、両面テープで貼り付けることにより、研磨定盤2に装着される。研磨定盤2と支持台5とは、それぞれに支持された研磨パッド1と半導体ウエハ4が対向するように配置され、それぞれに回転軸6、7を備えている。また、支持台5側には、半導体ウエハ4を研磨パッド1に押し付けるための加圧機構が設けてある。研磨に際しては、研磨定盤2と支持台5とを回転させつつ半導体ウエハ4を研磨パッド1に押し付け、スラリーを供給しながら研磨を行う。スラリーの流量、研磨荷重、研磨定盤回転数、及びウエハ回転数は特に制限されず、適宜調整して行う。
これにより半導体ウエハ4の表面の突出した部分が除去されて平坦状に研磨される。その後、ダイシング、ボンディング、パッケージング等することにより半導体デバイスが製造される。半導体デバイスは、演算処理装置やメモリー等に用いられる。
以下、本発明を実施例を上げて説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
[測定、評価方法]
(数平均分子量の測定)
数平均分子量は、GPC(ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ)にて測定し、標準ポリスチレンにより換算した。
GPC装置:島津製作所製、LC−10A
カラム:Polymer Laboratories社製、(PLgel、5μm、500Å)、(PLgel、5μm、100Å)、及び(PLgel、5μm、50Å)の3つのカラムを連結して使用
流量:1.0ml/min
濃度:1.0g/l
注入量:40μl
カラム温度:40℃
溶離液:テトラヒドロフラン
(平均気泡径の測定)
作製したポリウレタン発泡体を厚み1mm以下になるべく薄くミクロトームカッターで平行に切り出したものを平均気泡径測定用試料とした。試料をスライドガラス上に固定し、SEM(S−3500N、日立サイエンスシステムズ(株))を用いて100倍で観察した。得られた画像を画像解析ソフト(WinRoof、三谷商事(株))を用いて、任意範囲の全気泡径を測定し、平均気泡径を算出した。
(比重の測定)
JIS Z8807−1976に準拠して行った。作製したポリウレタン発泡体を4cm×8.5cmの短冊状(厚み:任意)に切り出したものを比重測定用試料とし、温度23℃±2℃、湿度50%±5%の環境で16時間静置した。測定には比重計(ザルトリウス社製)を用い、比重を測定した。
(硬度の測定)
JIS K6253−1997に準拠して行った。作製したポリウレタン発泡体を2cm×2cm(厚み:任意)の大きさに切り出したものを硬度測定用試料とし、温度23℃±2℃、湿度50%±5%の環境で16時間静置した。測定時には、試料を重ね合わせ、厚み6mm以上とした。硬度計(高分子計器社製、アスカーD型硬度計)を用い、硬度を測定した。
(カットレートの測定)
作製したポリウレタン発泡体シート(φ380mm、厚さ1.25mm)を研磨装置(MAT社製、MAT−BC15)のプラテンに貼り合わせた。ドレッサー(三菱マテリアル社製、スポットタイプ)を用い、強制ドライブ回転数115rpm、プラテン回転数70rpm、ドレス荷重7ポンド、吸水量200ml/min、及びドレス時間1.5hrの条件にてポリウレタン発泡体シートの表面をドレスした。ドレス終了後、ポリウレタン発泡体シートから幅10mm×長さ380mmの短冊状のサンプルを切り出した。該サンプルの中心部から20mmごとに厚さを測定した(片側9点、トータル18点)。そして、ドレスされていない中心部との厚さの差(磨耗量)を各測定位置において算出し、その平均値を算出した。カットレートは下記式により算出される。
カットレート(μm/min)=磨耗量の平均値/(1.5×60)
(吸水時の寸法変化率の測定)
JIS K7312に準拠して行った。作製したポリウレタン発泡体を幅20mm×長さ50mm×厚み1.27mmの大きさに切り出したものをサンプルとした。該サンプルを25℃の蒸留水中に48時間浸漬し、浸漬前後の長さを下記式に代入して寸法変化率を算出した。
寸法変化率(%)=〔(浸漬後の長さ−浸漬前の長さ)/浸漬前の長さ〕×100
(吸水率の測定)
作製したポリウレタン発泡体を幅20mm×長さ50mm×厚み1.27mmの大きさに切り出したものをサンプルとした。該サンプルを25℃の蒸留水中に48時間浸漬し、浸漬前後の重さを下記式に代入して吸水率を算出した。吸水率は4.5%以上であることが好ましい。
吸水率(%)=〔(浸漬後の重さ−浸漬前の重さ)/浸漬前の重さ〕×100
(吸水時の曲げ弾性率の変化率の測定)
作製したポリウレタン発泡体を幅1mm×長さ3mm×厚み2mmの大きさに切り出したものをサンプルとした。測定装置(インストロン社製、5864卓上型試験機システム)を用い、下記条件で曲げ弾性率を測定した。
・曲げ強度測定用治具:支点間距離22mm
・クロスヘッド速度:0.6mm/min
・移動変位量:6.0mm
また、前記サンプルを25℃の蒸留水中に48時間浸漬した。その後、前記と同様の方法で曲げ弾性率を測定した。吸水時の曲げ弾性率の変化率は下記式により算出した。
変化率(%)=〔(ドライ時の曲げ弾性率−浸漬後の曲げ弾性率)/ドライ時の曲げ弾性率〕×100
(研磨特性の評価)
研磨装置としてSPP600S(岡本工作機械社製)を用い、作製した研磨パッドを用いて、研磨特性の評価を行った。研磨速度は、8インチのシリコンウエハに熱酸化膜を1μm製膜したものを1枚につき0.5μm研磨し、このときの時間から算出した。ウエハ100枚目、300枚目及び500枚目における研磨速度を表1に示す。酸化膜の膜厚測定には、干渉式膜厚測定装置(大塚電子社製)を用いた。研磨条件としては、スラリーとして、シリカスラリー(SS12、キャボット社製)を研磨中に流量150ml/min添加した。研磨荷重としては350g/cm、研磨定盤回転数35rpm、ウエハ回転数30rpmとした。
平坦化特性の評価では、8インチシリコンウエハに熱酸化膜を0.5μm堆積させた後、所定のパターニングを行った後、p−TEOSにて酸化膜を1μm堆積させ、初期段差0.5μmのパターン付きウエハを作製し、このウエハを前述条件にて研磨を行った。
平坦化特性としては削れ量を測定した。幅270μmのラインが30μmのスペースで並んだパターンと幅30μmのラインが270μmのスペースで並んだパターンにおいて、上記の2種のパターンのライン上部の段差が2000Å以下になるときの270μmのスペースの削れ量を測定した。スペースの削れ量が少ないと削れて欲しくない部分の削れ量が少なく平坦性が高いことを示す。ウエハ100枚目、300枚目及び500枚目における削れ量を表1に示す。
面内均一性の評価は、8インチシリコンウエハに熱酸化膜が1μm堆積したものを用いて上記研磨条件にて2分間研磨を行い、図2に示すようにウエハ上の特定位置25点の研磨前後の膜厚測定値から研磨速度最大値と研磨速度最小値を求め、その値を下記式に代入することにより算出した。ウエハ100枚目、300枚目及び500枚目における面内均一性を表1に示す。なお、面内均一性の値が小さいほどウエハ表面の均一性が高いことを表す。
面内均一性(%)={(研磨速度最大値−研磨速度最小値)/(研磨速度最大値+研磨速度最小値)}×100
実施例1
容器にトルエンジイソシアネート(2,4−体/2,6−体=80/20の混合物)1229重量部、4,4’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート272重量部、数平均分子量1018のポリテトラメチレンエーテルグリコール1901重量部、ジエチレングリコール198重量部を入れ、70℃で4時間反応させてイソシアネート末端プレポリマーAを得た。
また、容器に多量化1,6−ヘキサメチレンジイソシアネート(住化バイエルウレタン社製、スミジュールN−3300、イソシアヌレートタイプ)100重量部、及び数平均分子量300のポリエチレングリコール19.5重量部を入れ(NCO Index:4.0)、100℃で3時間反応させてイソシアネート末端プレポリマーB1を得た。
前記プレポリマーA100重量部、前記プレポリマーB1(12重量部)、及びシリコン系界面活性剤(東レダウコーニングシリコン製、SH−192)3.4重量部を重合容器内に加えて混合し、70℃に調整して減圧脱泡した。その後、撹拌翼を用いて、回転数900rpmで反応系内に気泡を取り込むように激しく約4分間撹拌を行った。そこへ予め120℃に溶融した4,4’−メチレンビス(o−クロロアニリン)31.3重量部を添加した。該混合液を約70秒間撹拌した後、パン型のオープンモールド(注型容器)へ流し込んだ。この混合液の流動性がなくなった時点でオーブン内に入れ、100℃で16時間ポストキュアを行い、ポリウレタン発泡体ブロックを得た。
約80℃に加熱した前記ポリウレタン発泡体ブロックをスライサー(アミテック社製、VGW−125)を使用してスライスし、ポリウレタン発泡体シートを得た。次に、バフ機(アミテック社製)を使用して、厚さ1.27mmになるまで該シートの表面バフ処理をし、厚み精度を整えたシートとした。このバフ処理をしたシートを直径61cmの大きさで打ち抜き、溝加工機(テクノ社製)を用いて表面に溝幅0.25mm、溝ピッチ1.50mm、溝深さ0.40mmの同心円状の溝加工を行い研磨シート(研磨層)を得た。この研磨シートの溝加工面と反対側の面にラミ機を使用して、両面テープ(積水化学工業社製、ダブルタックテープ)を貼りつけた。更に、コロナ処理をしたクッションシート(東レ社製、ポリエチレンフォーム、トーレペフ、厚み0.8mm)の表面をバフ処理し、それを前記両面テープにラミ機を使用して貼り合わせた。さらに、クッションシートの他面にラミ機を使用して両面テープを貼り合わせて研磨パッドを作製した。
実施例2
容器に多量化1,6−ヘキサメチレンジイソシアネート(住化バイエルウレタン社製、スミジュールN−3300、イソシアヌレートタイプ)100重量部、及び数平均分子量600のポリエチレングリコール38.9重量部を入れ(NCO Index:4.0)、100℃で3時間反応させてイソシアネート末端プレポリマーB2を得た。
実施例1において、プレポリマーB1(12重量部)の代わりにプレポリマーB2(14重量部)を用いた以外は実施例1と同様の方法で研磨パッドを作製した。
実施例3
容器に多量化1,6−ヘキサメチレンジイソシアネート(住化バイエルウレタン社製、スミジュールN−3300、イソシアヌレートタイプ)100重量部、及び数平均分子量1000のポリエチレングリコール64.8重量部を入れ(NCO Index:4.0)、100℃で3時間反応させてイソシアネート末端プレポリマーB3を得た。
実施例1において、プレポリマーB1(12重量部)の代わりにプレポリマーB3(16.5重量部)を用い、シリコン系界面活性剤の添加量を3.4重量部から3.5重量部に変更し、4,4’−メチレンビス(o−クロロアニリン)の添加量を31.3重量部から30.8重量部に変更した以外は実施例1と同様の方法で研磨パッドを作製した。
比較例1
実施例1において、プレポリマーB1を添加せず、SH−192の添加量を3.4重量部から3.0重量部に変更し、4,4’−メチレンビス(o−クロロアニリン)の添加量を31.3重量部から26.6重量部に変更した以外は実施例1と同様の方法で研磨パッドを作製した。
Figure 2008238361
表1の結果から明らかなように、本発明の研磨パッドは、高吸水性でありながら吸湿又は吸水時の寸法安定性が高く、研磨速度、平坦化特性、及び面内均一特性に優れ、該特性のバラツキも抑制されていることがわかる。特に、本発明の研磨パッドは研磨速度が大きいことがわかる。
CMP研磨で使用する研磨装置の一例を示す概略構成図 ウエハ上の膜厚測定位置25点を示す概略図
符号の説明
1:研磨パッド(研磨層)
2:研磨定盤
3:研磨剤(スラリー)
4:被研磨材(半導体ウエハ)
5:支持台(ポリシングヘッド)
6、7:回転軸

Claims (9)

  1. 微細気泡を有するポリウレタン発泡体からなる研磨層を有する研磨パッドにおいて、前記ポリウレタン発泡体は、
    (1)イソシアネート単量体、高分子量ポリオールα、及び低分子量ポリオールを含有してなるイソシアネート末端プレポリマーA、
    (2)多量化ジイソシアネート、及び数平均分子量200〜1000のポリエチレングリコールを含有してなるイソシアネート末端プレポリマーB、及び
    (3)鎖延長剤、
    との反応硬化体を含むことを特徴とする研磨パッド。
  2. 高分子量ポリオールαは、数平均分子量500〜5000のポリエーテルポリオールであり、イソシアネート単量体は、トルエンジイソシアネート及びジシクロへキシルメタンジイソシアネートである請求項1記載の研磨パッド。
  3. 多量化ジイソシアネートは、イソシアヌレートタイプ及び/又はビュレットタイプの多量化ヘキサメチレンジイソシアネートである請求項1又は2記載の研磨パッド。
  4. イソシアネート末端プレポリマーBの添加量は、イソシアネート末端プレポリマーA100重量部に対して5〜30重量部である請求項1〜3のいずれかに記載の研磨パッド。
  5. ポリウレタン発泡体は、平均気泡径が20〜70μmであり、カットレートが2μm/min以下である請求項1〜4のいずれかに記載の研磨パッド。
  6. ポリウレタン発泡体は、吸水時の寸法変化率が0.8%以下であり、吸水時の曲げ弾性率の変化率が40%以下である請求項1〜5のいずれかに記載の研磨パッド。
  7. ポリウレタン発泡体は、シリコン系界面活性剤を0.05〜10重量%含有する請求項1〜6のいずれかに記載の研磨パッド。
  8. イソシアネート末端プレポリマーを含む第1成分と鎖延長剤を含む第2成分とを混合し、硬化してポリウレタン発泡体を作製する工程を含む研磨パッドの製造方法において、
    前記工程は、イソシアネート末端プレポリマーを含む第1成分にシリコン系ノニオン界面活性剤をポリウレタン発泡体中に0.05〜10重量%になるように添加し、さらに前記第1成分を非反応性気体と撹拌して前記非反応性気体を微細気泡として分散させた気泡分散液を調製した後、前記気泡分散液に鎖延長剤を含む第2成分を混合し、硬化してポリウレタン発泡体を作製する工程であり、
    前記イソシアネート末端プレポリマーは、
    (1)イソシアネート単量体、高分子量ポリオールα、及び低分子量ポリオールを含有してなるイソシアネート末端プレポリマーA、及び
    (2)多量化ジイソシアネート、及び数平均分子量200〜1000のポリエチレングリコールを含有してなるイソシアネート末端プレポリマーB、
    であることを特徴とする研磨パッドの製造方法。
  9. 請求項1〜7のいずれかに記載の研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010240769A (ja) * 2009-04-03 2010-10-28 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド及びその製造方法
WO2011001755A1 (ja) * 2009-06-29 2011-01-06 Dic株式会社 研磨パッド用2液型ウレタン樹脂組成物、ポリウレタン研磨パッド、及びポリウレタン研磨パッドの製造方法
US9079288B2 (en) 2010-10-26 2015-07-14 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Polishing pad and method for producing same
US9132524B2 (en) 2010-10-26 2015-09-15 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Polishing pad and method for producing same
CN112692725A (zh) * 2019-10-23 2021-04-23 Skc索密思株式会社 抛光垫用组合物及抛光垫
JP2021070154A (ja) * 2019-10-30 2021-05-06 エスケイシー・カンパニー・リミテッドSkc Co., Ltd. 架橋度が調整された研磨パッドおよびその製造方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8304467B2 (en) * 2005-05-17 2012-11-06 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Polishing pad
CN101704309B (zh) * 2005-07-15 2014-12-03 东洋橡胶工业株式会社 层叠片及其制造方法
JP4884726B2 (ja) * 2005-08-30 2012-02-29 東洋ゴム工業株式会社 積層研磨パッドの製造方法
JP4884725B2 (ja) * 2005-08-30 2012-02-29 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
CN102152233B (zh) * 2006-08-28 2013-10-30 东洋橡胶工业株式会社 抛光垫
JP5008927B2 (ja) 2006-08-31 2012-08-22 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
MY144784A (en) * 2006-09-08 2011-11-15 Toyo Tire & Rubber Co Method for manufacturing a polishing pad
US8257153B2 (en) 2007-01-15 2012-09-04 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Polishing pad and a method for manufacturing the same
JP4593643B2 (ja) * 2008-03-12 2010-12-08 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP5393434B2 (ja) 2008-12-26 2014-01-22 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド及びその製造方法
KR20120112476A (ko) * 2009-12-22 2012-10-11 제이에스알 가부시끼가이샤 화학 기계 연마 패드 및 이를 이용한 화학 기계 연마 방법
JP5528169B2 (ja) * 2010-03-26 2014-06-25 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドおよびその製造方法、ならびに半導体デバイスの製造方法
US8865765B2 (en) 2011-01-12 2014-10-21 The William M. Yarbrough Foundation Method for treating eczema
JP5629749B2 (ja) * 2012-12-28 2014-11-26 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドの製造方法
JP5661129B2 (ja) * 2013-01-29 2015-01-28 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP2014205215A (ja) * 2013-04-12 2014-10-30 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドの製造方法
CN103333313B (zh) * 2013-06-09 2015-11-18 合肥宏光研磨科技有限公司 一种聚氨酯抛光材料的制造方法
KR102277418B1 (ko) * 2019-05-21 2021-07-14 에스케이씨솔믹스 주식회사 가교 밀도가 향상된 연마패드 및 이의 제조방법
CN113084695B (zh) * 2021-03-12 2022-05-13 安徽禾臣新材料有限公司 一种电子显示屏精抛用缓冲抛光垫及其生产方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004001169A (ja) * 2001-12-12 2004-01-08 Toyobo Co Ltd 半導体ウエハ研磨用研磨パッド
JP2005068174A (ja) * 2003-08-21 2005-03-17 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッドの製造方法及び研磨パッド

Family Cites Families (82)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE618837A (ja) * 1961-06-12
US4410668A (en) 1982-01-29 1983-10-18 Ppg Industries, Inc. Elastomeric coating compositions
JPH0291279A (ja) 1988-09-29 1990-03-30 Achilles Corp 合成皮革及びその製造方法
JP3137260B2 (ja) 1989-06-12 2001-02-19 凸版印刷株式会社 ラジアルラインスロットアンテナ
JP2925736B2 (ja) 1991-08-07 1999-07-28 ピーピージー インダストリーズ インコーポレーテッド 独立して架橋しうるポリウレタンを有する含浸された繊維の束
GB9216631D0 (en) 1992-08-05 1992-09-16 Ici Plc Reaction system for preparing microcellular elastomers
MY114512A (en) 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
JPH06220151A (ja) 1993-01-22 1994-08-09 Sanyo Chem Ind Ltd 研磨材用ポリウレタン樹脂
JPH0871378A (ja) 1994-09-09 1996-03-19 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 中空糸膜ポッティング用ウレタン樹脂
US5670599A (en) 1995-03-08 1997-09-23 Air Products And Chemicals, Inc. Ultra low voc polyurethane coatings
US5614575A (en) 1995-04-24 1997-03-25 Rpg. Inc. Sprayable polyurethane compositions
US5587502A (en) 1995-06-02 1996-12-24 Minnesota Mining & Manufacturing Company Hydroxy functional alkoxysilane and alkoxysilane functional polyurethane made therefrom
KR100485847B1 (ko) 1997-04-04 2005-04-28 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 개선된 연마용 패드 및 이에 관한 방법
WO1999007515A1 (en) 1997-08-06 1999-02-18 Rodel Holdings, Inc. Improved polishing pads and methods relating thereto
JP2000017252A (ja) 1998-06-29 2000-01-18 Dainippon Ink & Chem Inc 研磨材組成物及びその研磨材
JP3516874B2 (ja) 1998-12-15 2004-04-05 東洋ゴム工業株式会社 ポリウレタン発泡体の製造方法及び研磨シート
CN1137013C (zh) 1999-01-21 2004-02-04 罗德尔控股公司 改进的抛光垫及其抛光方法
JP2000248034A (ja) 1999-03-02 2000-09-12 Mitsubishi Chemicals Corp 研磨材用ポリウレタン系樹脂組成物及びその発泡体
JP3316756B2 (ja) 1999-06-04 2002-08-19 富士紡績株式会社 研磨パッド用ウレタン成形物の製造方法及び研磨パッド用ウレタン成形物
JP3880028B2 (ja) 1999-08-06 2007-02-14 Jsr株式会社 研磨パッド用重合体組成物及びそれを用いた研磨パッド
JP3558273B2 (ja) 1999-09-22 2004-08-25 東洋ゴム工業株式会社 ポリウレタン発泡体の製造方法及び研磨シート
JP4296655B2 (ja) 1999-10-12 2009-07-15 東レ株式会社 半導体基板用研磨パッド
JP2001277101A (ja) 2000-03-28 2001-10-09 Rodel Nitta Co 研磨布
WO2001096434A1 (fr) 2000-06-13 2001-12-20 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Procede de production de mousse de polyurethanne, mousse de polyurethanne et feuille abrasive
US20020016139A1 (en) 2000-07-25 2002-02-07 Kazuto Hirokawa Polishing tool and manufacturing method therefor
JP2003011066A (ja) 2000-07-25 2003-01-15 Ebara Corp 研磨工具及びその製造方法
JP2002059358A (ja) 2000-08-24 2002-02-26 Toray Ind Inc 研磨用パッドおよびそれを用いた研磨装置ならびに研磨方法
US6477926B1 (en) 2000-09-15 2002-11-12 Ppg Industries Ohio, Inc. Polishing pad
US6679769B2 (en) 2000-09-19 2004-01-20 Rodel Holdings, Inc Polishing pad having an advantageous micro-texture and methods relating thereto
US6641471B1 (en) 2000-09-19 2003-11-04 Rodel Holdings, Inc Polishing pad having an advantageous micro-texture and methods relating thereto
JP3826702B2 (ja) 2000-10-24 2006-09-27 Jsr株式会社 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド
US6706383B1 (en) 2001-11-27 2004-03-16 Psiloquest, Inc. Polishing pad support that improves polishing performance and longevity
KR100784656B1 (ko) 2000-12-08 2007-12-12 가부시키가이샤 구라레 열가소성 폴리우레탄 발포체, 이의 제조방법 및 이로부터제조된 연마 패드
BR0206681A (pt) 2001-01-24 2006-01-17 Huntsman Int Llc Sistema de reação adequado para a produção de moldes expandidos pelo processo rim, e, artigo de espuma moldado por ld-s-rim reforçado por esteira
JP3455187B2 (ja) 2001-02-01 2003-10-14 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド用ポリウレタン発泡体の製造装置
JP2002239905A (ja) 2001-02-21 2002-08-28 Allied Material Corp Cmp用パッドコンディショナー及びその製造方法
JP3359629B1 (ja) * 2001-04-09 2002-12-24 東洋紡績株式会社 ポリウレタン組成物からなる研磨パッド
WO2002083757A1 (fr) 2001-04-09 2002-10-24 Toyo Boseki Kabushiki Kaisha Composition de polyurethanne et tampon a polir
JP2003062748A (ja) 2001-08-24 2003-03-05 Inoac Corp 研磨用パッド
JP2003089051A (ja) 2001-09-17 2003-03-25 Tokyo Seimitsu Co Ltd 研磨装置
JP3851135B2 (ja) 2001-10-17 2006-11-29 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッド
US7651761B2 (en) * 2001-11-13 2010-01-26 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Grinding pad and method of producing the same
JP2003145414A (ja) 2001-11-13 2003-05-20 Toyobo Co Ltd 研磨パッド及びその製造方法
JP3455208B2 (ja) 2001-11-13 2003-10-14 東洋紡績株式会社 半導体ウエハ研磨パッド、半導体ウエハの研磨方法、研磨パッド用研磨シート、及び研磨シート用発泡体ブロック
JP3325562B1 (ja) 2001-12-07 2002-09-17 東洋ゴム工業株式会社 発泡ポリウレタン研磨パッドの製造方法
US6866565B2 (en) 2002-01-29 2005-03-15 Ebara Corporation Polishing tool and polishing apparatus
JP2003224094A (ja) 2002-01-29 2003-08-08 Ebara Corp 研磨工具
KR100467765B1 (ko) 2002-02-04 2005-01-24 에스케이씨 주식회사 고경도 및 우수한 내마모성을 갖는 폴리우레탄 탄성체제조용 조성물
JP2004167680A (ja) 2002-05-20 2004-06-17 Toyobo Co Ltd 研磨パッド
JP3571334B2 (ja) 2002-05-20 2004-09-29 東洋紡績株式会社 研磨パッド
US6824854B2 (en) * 2002-07-29 2004-11-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Carpets treated for soil resistance
JP4101584B2 (ja) 2002-08-09 2008-06-18 東洋ゴム工業株式会社 研磨シート用ポリウレタン発泡体及びその製造方法、研磨パッド用研磨シート、並びに研磨パッド
KR100697904B1 (ko) * 2002-09-25 2007-03-20 피피지 인더스트리즈 오하이오 인코포레이티드 평탄화를 위한 연마 패드
US7094811B2 (en) 2002-10-03 2006-08-22 Bayer Corporation Energy absorbing flexible foams produced in part with a double metal cyanide catalyzed polyol
TW200416102A (en) 2002-11-27 2004-09-01 Toyo Boseki Polishing pad and method for manufacturing semiconductor device
JP4078643B2 (ja) 2002-12-10 2008-04-23 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドの製造方法、研磨パッド、及び半導体デバイスの製造方法
JP4233319B2 (ja) 2002-12-12 2009-03-04 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドの製造方法及び研磨パッド
TWI313693B (en) 2002-12-17 2009-08-21 Dainippon Ink & Chemicals Two-component curable polyol composition for foamed grindstone, two-component curable composition for foamed grindstone, foamed grindstone, and method for producing foamed grindstone
JP2004235446A (ja) 2003-01-30 2004-08-19 Toyobo Co Ltd 研磨パッド
JP2004277101A (ja) * 2003-03-17 2004-10-07 Kyocera Mita Corp 用紙搬送ガイド及びこれを搭載した画像形成装置
JP4324785B2 (ja) 2003-04-15 2009-09-02 Jsr株式会社 研磨パッドの製造方法
US20040224622A1 (en) 2003-04-15 2004-11-11 Jsr Corporation Polishing pad and production method thereof
JP2005052907A (ja) 2003-08-07 2005-03-03 Diatex Co Ltd 研磨パッド用下地材
JP4189963B2 (ja) 2003-08-21 2008-12-03 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP4265366B2 (ja) 2003-10-17 2009-05-20 日本ポリウレタン工業株式会社 軟質ポリウレタンフォームの製造方法
US20050171224A1 (en) * 2004-02-03 2005-08-04 Kulp Mary J. Polyurethane polishing pad
WO2005088690A1 (ja) 2004-03-11 2005-09-22 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. 研磨パッドおよび半導体デバイスの製造方法
JP4627149B2 (ja) 2004-05-10 2011-02-09 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法
US7018581B2 (en) * 2004-06-10 2006-03-28 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of forming a polishing pad with reduced stress window
EP1647588A3 (en) 2004-10-13 2006-11-02 Rohm and Haas Company Surface promoted Michael Cure Compositions
US20060089095A1 (en) * 2004-10-27 2006-04-27 Swisher Robert G Polyurethane urea polishing pad
KR101107044B1 (ko) 2004-12-10 2012-01-25 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드 및 연마 패드의 제조 방법
JP2006190826A (ja) 2005-01-06 2006-07-20 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法
JP2006231429A (ja) 2005-02-22 2006-09-07 Inoac Corp 研磨パッドおよびその製造方法
KR100909605B1 (ko) * 2005-03-08 2009-07-27 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드 및 그 제조 방법
US8304467B2 (en) 2005-05-17 2012-11-06 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Polishing pad
JP4884726B2 (ja) 2005-08-30 2012-02-29 東洋ゴム工業株式会社 積層研磨パッドの製造方法
JP4884725B2 (ja) 2005-08-30 2012-02-29 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
TWI403387B (zh) 2005-09-22 2013-08-01 Kuraray Co 高分子材料、由它得到之發泡體及使用它之研磨墊
JP5031236B2 (ja) 2006-01-10 2012-09-19 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
CN102152233B (zh) 2006-08-28 2013-10-30 东洋橡胶工业株式会社 抛光垫
JP5008927B2 (ja) 2006-08-31 2012-08-22 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004001169A (ja) * 2001-12-12 2004-01-08 Toyobo Co Ltd 半導体ウエハ研磨用研磨パッド
JP2005068174A (ja) * 2003-08-21 2005-03-17 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッドの製造方法及び研磨パッド

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010240769A (ja) * 2009-04-03 2010-10-28 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド及びその製造方法
WO2011001755A1 (ja) * 2009-06-29 2011-01-06 Dic株式会社 研磨パッド用2液型ウレタン樹脂組成物、ポリウレタン研磨パッド、及びポリウレタン研磨パッドの製造方法
US8545292B2 (en) 2009-06-29 2013-10-01 Dic Corporation Two-component urethane resin composition for polishing pad, polyurethane polishing pad, and method for producing polyurethane polishing pad
US9079288B2 (en) 2010-10-26 2015-07-14 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Polishing pad and method for producing same
US9132524B2 (en) 2010-10-26 2015-09-15 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Polishing pad and method for producing same
CN112692725A (zh) * 2019-10-23 2021-04-23 Skc索密思株式会社 抛光垫用组合物及抛光垫
JP2021070154A (ja) * 2019-10-30 2021-05-06 エスケイシー・カンパニー・リミテッドSkc Co., Ltd. 架橋度が調整された研磨パッドおよびその製造方法
JP7082648B2 (ja) 2019-10-30 2022-06-08 エスケーシー ソルミックス カンパニー,リミテッド 架橋度が調整された研磨パッドおよびその製造方法
JP7527317B2 (ja) 2019-10-30 2024-08-02 エスケー エンパルス カンパニー リミテッド 架橋度が調整された研磨パッドおよびその製造方法

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