JP2002059358A - 研磨用パッドおよびそれを用いた研磨装置ならびに研磨方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】被研磨物表面へのダスト付着性を少なくし、ス
クラッチ傷の低減を果たし、更に平坦化特性をも両立さ
せること、さらに、凹凸加工する前の半導体ウェハー自
身の微細な凹凸、すなわちｗａｖｉｎｅｓｓや、ｎａｎ
ｏｔｏｐｏｌｏｇｙなどと表現される欠陥を簡単な研磨
方法で取り除くことをその課題とする。 【解決手段】親水性であって、かつ実質的に水に不溶の
シート状物を含有する熱硬化性高分子マトリクス樹脂か
らなることを特徴とする研磨パッド。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は加工砥粒を含む研磨
液を供給しながらおよび／または砥粒を含まない研磨液
を供給しながら、被加工物を回転する弾性パッドに押し
つけ、相対運動を行わせながら、被加工物表面を鏡面に
仕上げるための、もしくは被加工物表面の凹凸の凸の部
分を研磨材で優先的に研磨するための、化学機械研磨
（ＣＭＰ）などに用いられる研磨パッドおよびそれを用
いた研磨装置ならびに研磨方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】高度に集積度を増した半導体を製造する
に当たり多層配線を実現するためには、絶縁膜の表面を
完全に平坦化する必要がある。これまでに、この平坦化
法の代表的な技術として、ＳＯＧ （Spin-On-Glass ）
法や、エッチバック法（P.Elikins,K.Reinhardt,and R.
Layer,"A planarization process for double metalCMO
Susing Spin-on Glass as a sacrificial layer,"Proce
eding of 3rd InternationalIEEE VMIC Conf.,100(198
6)）、そして、リフトオフ法（K.Ehara,T.Morimoto,S.M
uramoto,and S.Matsuo,"Planar Interconnection Techn
ology for LSI FabricationUtilizing Lift-off Proces
s",J.Electrochem Soc.,Vol.131,No.2,419(1984).）な
どが検討されてきた。

【０００３】ＳＯＧ 法に関して、これはＳＯＧ 膜の流
動性を利用した平坦化法であるが、これ自身で完全平坦
化を実施することは不可能である。また、エッチバック
法は、もっとも多く使われている技術であるが、レジス
トと絶縁膜とを同時にエッチングすることによるダスト
発生の問題があり、ダスト管理の点で容易な技術ではな
い。そして、リフトオフ法は、使用するステンシル材が
リフトオフ時に完全に溶解しないためにリフトオフでき
ないなどの問題を生じ、制御性や歩留りが不完全なた
め、実用化に至っていない。

【０００４】そこでＣＭＰ法が近年注目されてきた。こ
れは被加工物を回転する弾性パッドに押しつけ、相対運
動を行わせながら、被加工物表面の凹凸の凸の部分を研
磨パッドで優先的に研磨する方法であり、プロセスの簡
易性から今では広く利用されている。

【０００５】また近年は、凹凸加工する前の半導体ウェ
ハー自身が持つ微細な凹凸、すなわち、ｗａｖｉｎｅｓ
ｓや、ｎａｎｏｔｏｐｏｌｏｇｙなどと表現される従来
問題がなかった表面欠陥が問題になり、両面研磨法、ア
ルカリを流しながら研磨する方法などが行われている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら懸かるＣ
ＭＰ法において、被研磨物表面に発生する、スクラッチ
傷、ダストの付着、グローバル平坦性不良等の問題が挙
げられる。例えば層間絶縁膜等の被研磨面にこのような
ダストの付着やスクラッチ傷が発生すると、後工程でこ
の上にＡｌやＣｕ系金属等による配線を形成した場合
に、段切れ等が発生し、エレクトロマイグレーション耐
性の劣化等の信頼性の低下が発生するおそれがある。ま
たＨＤＤ（Ｈａｒｄ ＤｉｓｋＤｒｉｖｅ）用非磁性基
板等の研磨において、ドロップアウト等、再生信号欠落
が発生する原因となる。スクラッチ傷の発生は、研磨粒
子の分散不良による凝集塊に起因するものと考えられて
いる。特に、金属膜のＣＭＰに用いられる、研磨粒子と
してアルミナを採用した研磨スラリは分散性が悪く、ス
クラッチ傷を完全に防止するに至っていない。ダストの
付着に関してはその原因さえよくわかっていないのが現
状である。常識的にはグローバル平坦性を良くするため
には硬質の研磨パッドが望ましいが、逆にダストの付着
やスクラッチ傷が起こり易くなるために、両者を両立す
ることはできないと考えられている。例えば、特表平８
−５００６２２号公報や、特開２０００−３４４１６号
公報などにおいてそのための試みがなされているが、ダ
スト付着・スクラッチ傷と平坦化特性を両立するに至っ
ていない。

【０００７】本発明は上述した問題点の中で特に被研磨
物表面へのダスト付着性を少なくし、スクラッチ傷の低
減を果たし、さらに平坦化特性をも両立させることをそ
の課題とする。

【０００８】さらに、凹凸加工する前の半導体ウェハー
自身の微細な凹凸、すなわち、ｗａｖｉｎｅｓｓや、ｎ
ａｎｏｔｏｐｏｌｏｇｙなどと表現される欠陥を簡単な
研磨方法で取り除くことを課題とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、下記の構成を有する。すなわち、 （１）親水性であって、かつ実質的に水に不溶のシート
状物を含有する熱硬化性高分子マトリクス樹脂からなる
ことを特徴とする研磨パッド。

【００１０】（２）シート状物の含量が３ｗｔ％以上で
あることを特徴とする前記（１）記載の研磨パッド。

【００１１】（３）シート状物が実質的に空隙を有さな
い状態で含有されていることを特徴とする前記（１）ま
たは（２）記載の研磨パッド。

【００１２】（４）公定水分率が３％以上であるシート
状物を用いることを特徴とする前記（１）ないし（３）
のいずれかに記載の研磨パッド。

【００１３】（５）公定水分率が５％以上であるシート
状物を用いることを特徴とする前記（１）ないし（４）
のいずれかに記載の研磨パッド。

【００１４】（６）シート状物が、不織布状、織物状、
編み物状、フエルト状、多孔膜状、フィルム状、および
スポンジ状の少なくとも１つから選ばれてなるものであ
ることを特徴とする前記（１）ないし（５）のいずれか
に記載の研磨パッド。

【００１５】（７）シート状物の外側にさらに空隙を有
することを特徴とする前記（１）ないし（６）のいずれ
かに記載の研磨パッド。

【００１６】（８）無機微粒子を含むことを特徴とする
前記（１）ないし（７）のいずれかに記載の研磨パッ
ド。

【００１７】（９）シート状物が、２枚以上の積層体か
らなることを特徴とする前記（１）ないし（８）記載の
研磨パッド。

【００１８】（１０）積層体の層ごとの厚みが１μｍ以
上であることを特徴とする前記（９）に記載の研磨パッ
ド。

【００１９】（１１）層ごとにマトリックス樹脂の樹脂
含有率および／または種類が異なることを特徴とする前
記（９）または（１０）に記載の研磨パッド。

【００２０】（１２）層ごとにシート状物の厚みおよび
／または種類が異なることを特徴とする前記（９）ない
し（１１）のいずれかに記載の研磨パッド。

【００２１】（１３）水溶性物質をさらに含むことを特
徴とした前記（１）ないし（１２）のいずれかに記載の
研磨パッド。

【００２２】（１４）水溶性物質を０．０１ｗｔ％から
１０ｗｔ％含むことを特徴とする前記（１３）記載の研
磨パッド。

【００２３】（１５）前記（１）ないし（１４）のいず
れかに記載の研磨用パッドを用いることを特徴とする研
磨装置。

【００２４】（１６）前記（１）ないし（１４）のいず
れかに記載の研磨用パッドを用いることを特徴とする研
磨方法。

【００２５】（１７）前記（１）ないし（１４）のいず
れかに記載の研磨用パッドを用いて加工したことを特徴
とする半導体ウェハおよび半導体チップの製造方法。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下本発明についてさらに詳細に
説明する。

【００２７】本発明は、親水性であって、かつ実質的に
水に不溶のシート状物を積層したことによって、従来ト
レードオフの関係にあった、ダスト付着やスクラッチ傷
を起こさず、研磨パッド自体を高硬度化でき、曲げ弾性
率を従来技術からなる研磨パッドに比べ、飛躍的に大き
くすることができるため、きわめて良い平坦化特性を実
現できる。

【００２８】親水性であって、かつ実質的に水に不溶の
シート状物を積層することで、研磨パッド表面の濡れ性
が良くなり、詳細なメカニズムはわからないが被研磨物
表面へのダスト付着が少なくなる。それに伴い、スクラ
ッチ傷を低減できると考えている。このとき親水性有機
物からなるシート状物は水に不溶なため、研磨に用いら
れる遊離砥粒を含むと含まざるとに関わらず、その分散
液の性状に対し変化を与えることがないため、良好に研
磨が行える。

【００２９】実質的に水に不溶であるとは、２５℃の水
に対する溶解度が１％以下のものを指す。

【００３０】親水性とは基本的に樹脂の中に水を吸水す
る性質の表現であって、マクロな樹脂間の空隙に水を抱
え込むことを意味したものではない。すなわち親水性を
評価するときには、水に２４時間浸漬した後の水中から
取り上げた試験片を密封容器に取り１４００Ｇから１４
５０Ｇの遠心力を３０秒かけ水分を振り切った状態で吸
湿重量を測定した。重量増加率は以下の式（１）に従っ
て求めたものである。

【００３１】 重量増加率（％）＝｛（吸湿重量−乾燥重量）／乾燥重量｝×１００（式１） ここで親水性とは、５０℃の水に２４時間浸漬したとき
の重量増加率が２．０％以上の特性を指す。本発明で
は、重量増加率は５．０％程度以上がさらに好ましい。
高くなりすぎると今度は、研磨の最中にも研磨パッドの
膨潤が起こり、研磨パッド表面の平坦性が損なわれるこ
とで、研磨速度のばらつきが大きくなり好ましくない。
さらに体積膨潤率が大きい場合は研磨パッド自身の強度
が研磨中に大きく劣化するため良くない。最大でも、重
量増加率は１５％以下が好ましく、通常は１０％以下が
好ましい。

【００３２】さらに定量的表現として、公定水分率で表
現する。これは、湿度６５％、温度２０℃での水分率を
表し、以下の式で求められる。

【００３３】 公定水分率（％）＝｛（吸湿重量-乾燥重量）／乾燥重量｝×１００（式２） また、水吸収率とは、２５℃の水中に浸漬したときの１
０分後の水分率であって 水吸収率（％）＝｛（吸湿重量-乾燥重量）／乾燥重量｝×１００（式３） で表す。

【００３４】水吸収の速度は速い方が望ましく、１０分
以内に飽和に達することが望ましいが、その変化が２４
時間で９０％起これば、この樹脂を適用することはでき
る。ただし、水吸収率が１００００％を越えるとパッド
自体の変形が起こりまたは、研摩面の歪みが大きくなり
すぎるため使用できない。好ましく６０００％以内であ
り、さらに好ましくは３０００％以内である。

【００３５】公定水分率は、１％程度以上のものから使
用できるが、好ましくは３％以上のものが使用される。
さらにダスト付着を抑えるためには、５％以上が好まし
く、７％以上のものでは、粒子およびまたは繊維状物の
混合量を低下することができるためさらに好適に使用で
きる。

【００３６】親水性で実質的に水に不溶のシート状物の
混合量は、上記公定水分率、水吸収率によって左右され
るが、基本的に公定水分率、水吸収率が大きい場合は少
なくでき、小さい場合は多くする必要が生じるが、３重
量％以上であることが好ましい。混合量が３重量％未満
では十分効果を発揮できないが、これ以上であればダス
トの付着やスクラッチ傷を少なくできる。混合比率が少
ないとその効果は小さく、多いとその効果は大きくなる
が、パッドの物性が悪化する場合が多い。すなわち、パ
ッドの持つ硬度は下がり、曲げ強度が弱く脆性破壊しや
すくなる。このため、好適には５から６０重量％のもの
が使われ、さらに好適には、２０から５０重量％のもの
が用いられる。有機高分子マトリクスとして用いられる
樹脂の比重によっても左右されるが、配合比は適宜調整
することができる。

【００３７】親水性で実質的に水に不溶のシート状物と
は、不織布状、織物状、編み物状、フエルト状、多孔膜
状、スポンジ状、フィルム状から選ばれる少なくとも１
つからなるものであることが好ましい。不織布状とは、
繊維を交絡させた広義の布を指すが、歪んでいたり、凹
凸があっても良い。不織布状、織物状、編み物状、フエ
ルト状のものも、繊維状物から得られる。繊維状物と
は、長軸と短軸の比が１０を越えるような、長細い形状
のものを指す。多孔膜状、スポンジ状とは、２次元的お
よびまたは３次元的に開孔した、空隙率が大きい広義の
膜を意味し、フィルム状とは、実質開孔部がないものを
意味する。

【００３８】これらを構成する繊維の直径（球以外の場
合最大径を指す）は、１００μｍ以下が好ましく、５０
μｍ以下がさらに好適に使われ、２から２０μｍ程度が
好適に使われる。極細繊維では２μｍを切る直径のもの
もあり、これらを用いるのが便利である。直径が大きい
と、マトリックスからの離脱が多くなり、研磨パッドと
しての耐久性が減じやすく好ましくない。繊維状物は中
空糸状あってもかまわない。またその断面形状は円、楕
円、星形などの合成繊維あるいは新合繊として提案され
ているいかなる形状のものであってもかまわない。多孔
膜状、スポンジ状のものは、孔と孔の間が細い柱で連結
されるが、通常その直径は１０ｎｍから１ｍｍ程度まで
存在する。しかし、その大きさにはこだわることはな
い。全体積の中で空隙を占める割合、すなわち空隙率が
２５％を越える高いものを用い、厚さ方向に圧縮して成
形することで、厚み方向のばらつきを抑えることができ
好適に用いられる。またフィルム状のものは、積層体の
個々の層を分離する層（分離層）を形成するのに好適に
用いられる。特に１μｍを切るような超薄フィルムにつ
いては、不織布状、織物状、編み物状、フエルト状、多
孔膜状、スポンジ状のシート状物と同様に使用できる。
なお、上記における空隙率は、嵩比重と実比重の比から
求めたものである。

【００３９】本発明においてはシート状物が実質的に空
隙を有さない状態で含有されていることが好ましい。こ
の空隙は、５０倍の光学顕微鏡による観察に基づくもの
である。空隙を有する場合は、シート状物表面がシート
状物固有の色であり、マトリックス樹脂に由来した着色
は見られない。

【００４０】これらシート状物は１枚で用いられるか、
もしくは複数枚積層され、ひとつの研磨パッドを形成す
る。このため、本発明による研磨パッドは、曲げに対す
る強度が極めて高く、極めて割れを生じることが少な
い。厚みの大きいシート状物を用いることで１枚で研磨
パッドを形成することももちろん可能である。１枚当た
り１μｍ程度およびまたはこれより厚みがある層を形成
し、複数層重ね合わせた方が、研磨特性の安定性は高
く、なおかつ研摩面の状態を精巧に制御できる研磨パッ
ドを形成しやすくなる。通常は５μｍ以上が使われ最適
には１００から３００μｍが用いられる。各層の厚みや
材質が同じである必要はなく、１層ごとにマトリクス樹
脂の樹脂含有率および／または種類を変えたり、層ごと
にシート状物の厚みおよび／または種類を変えること
で、研磨パッドを精密に設計できる。

【００４１】例えば、発泡ポリウレタンや、ゴムシート
などからなるクッション層を用いて、研磨層部分、クッ
ション層部分、分離層部分をセットにしてそれを複数層
積層することで、研磨パッドを研磨定盤に１度貼りつけ
れば、従来の何倍もの長期にわたってパッド交換を行わ
なくても良い長寿命研磨パッドを提供できる。分離層を
設けることで研磨層部分が研磨液に接触したり、研摩面
から浸潤してきた研磨分散液に接触することもなく、ド
レッシングによって形成されたバージン面をもって研磨
できるため、極めて高い研磨安定性を得ることができ
る。また、層間絶縁膜、メタル研磨が交互に必要な場合
も、用途に最適の例えば層間絶縁膜研磨には非常に硬い
層を用い、メタル研磨用には柔らかい層が使えるように
順序を決めて成型することもできる。このように本発明
によれば、製造のためのスループット向上にも繋がり、
トータルコストダウンにも有効である。

【００４２】研磨パッドを構成する樹脂、有機高分子マ
トリクスとしては、ポリウレタン系、エポキシ系、フェ
ノール系、メラミン系、ユリア系、ポリイミド系などの
熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。これらの樹脂の
混合体（アロイ化も含む）や、共重合、グラフト、変性
品などの改質技術をも用いることができる。本発明にお
いて研磨パッドを構成する樹脂は、所望の硬度、弾性
率、耐摩耗性を基礎に、適宜選択すればよい。この場合
も、上記熱可塑性樹脂を用いたときと同様に無機微粒子
を混合することができる。すなわち、具体的には無機微
粒子としてシリカ、セリア、アルミナ、ジルコニア、チ
タン、タングステン、炭酸バリウム、硫酸バリウム、カ
ーボンブラック、モンモリロナイトなどの粘土、ゼオラ
イトなどの結晶などを用いることができる。またこれら
の混合も可能である。マトリックスとのなじみを改善す
るためにあらかじめ表面を改質処理することも可能であ
る。粒子径としては、３ｎｍ程度から、５０μｍ程度の
ものが使えるが、大きすぎるとスクラッチを起こす危険
が増大する。このため、さらに好ましくは、２０μｍ以
下、より好ましくは５μｍ以下のものがよい。シリカ、
セリア、アルミナ、ジルコニア、チタン、タングステ
ン、炭酸バリウム、硫酸バリウム、カーボンブラック、
モンモリロナイトなどの粘土、ゼオライトなどの結晶な
どの微粒子混合重量％としては、１％程度でも効果があ
り、８０％程度まで混合できる。高濃度混合した場合
は、研磨パッドの硬度を上げる効果だけでなく、砥粒を
内包したいわゆる固定砥粒研磨パッドとして有効にな
る。この場合には粒子径が小さいと効果が少なく、粒子
径３０ｎｍ以上が好ましく、研磨速度向上の面から１０
０ｎｍ以上がさらに好ましい。これら微粒子の粒径や混
合量を変えることで、被研磨物の特性に合わせた研磨パ
ッドを製造できる。

【００４３】熱可塑性樹脂の場合は一般に熱硬化性樹脂
に比べ柔らかいため、研磨平坦化特性を十分に発揮でき
ない場合がある。また、研磨時に発生する熱の影響も受
けやすいため、研磨速度のばらつきが大きくなりやす
い。

【００４４】本発明の研磨パッド成型後のＤ硬度は６５
を越えることが望ましい。６５以下であると柔らかくな
りすぎて、ディッシングやエロージョンが起きやすくな
るため、好ましくない。さらに研磨速度を大きくするた
めにも、７０以上が好ましく、さらには８０以上が好ま
しい。本発明では、さらに硬度を上げてＤ硬度が９０を
越えてもスクラッチ傷やダスト付着の問題は起こらず、
利用可能である。このため、従来なし得なかった良好な
研磨平坦化特性を発揮できる。

【００４５】本発明の研磨パッドにおいて使用される実
質的に水に不溶な親水性有機物からなるシート状物につ
いては、たとえば、セルロース系やデンプン系、キチン
などの多糖類、タンパク質、ポリアクリル酸やポリメタ
クリル酸などのアクリル系、アラミド系、ポリアミド
系、ポリビニルアルコール系、エチレン−ビニルアルコ
ール共重合系、ポリビニルポリピロリドンなどの樹脂も
しくはその樹脂を主成分とする架橋体や共重合体を用い
ることができる。絹、羊毛、綿、麻などの天然繊維や、
ポリビニルピロリドン／ポリビニルイミダゾール共重合
体、高吸水性樹脂、パルプ、レーヨン、紙、セルロース
エステル系イオン交換用の各種荷電付与したセルロース
なども市販されており有効に利用できる。また、本来疎
水性である樹脂にスルホン基、アミノ基、カルボキル
基、水酸基を導入したものも使用可能である。

【００４６】疎水性とは、上述式２で求められる重量増
加率が２％未満のものを指す。また、４００ｐｐｍ以下
にナトリウムイオンの混入を抑えたものを用いることが
好ましい。さらに好ましくは５０ｐｐｍ以下、より好ま
しくは１０ｐｐｍ以下である。

【００４７】また、本発明の研磨パッドにおいてはその
他に水溶性物質を含んでいても良い。市販されているも
のにも各種ポリアルキレングルコール、ポリビニルビニ
リドン、ポリビニアルコール、ポリ酢酸ビニル、キトサ
ン、ポリビニルピロリドン、ポリビニルイミダゾール、
水溶性多糖類などがあり、これら高分子を利用すること
ができる。これ以外にも、各種無機塩などの低分子物質
を混合することもできる。研磨パッドを成形する際に、
本発明においては実質的に水に不溶な親水性有機物から
なるシート状物、すなわち親水性高分子を含むため、こ
れらを乾燥した上で使用するが水分の完全除去は難し
く、成形の際に加熱によって蒸気が発生する。このた
め、粒子および／または繊維状物以外の部分で空隙を形
成することができる。またフェノール樹脂のように硬化
の際に水を生成するものがあるため、これを利用して粒
子および／または繊維状物以外の部分で空隙を形成する
ことができる。空隙の大きさを制御するために例えば成
形時にこれら水蒸気をうまく抜いて硬化させることがで
きるが、さらに微妙に制御が必要な場合に少量の水溶性
物質を混合することでそれが可能になる。

【００４８】すなわち、本発明においては、シート状物
の外側にさらに空隙を有するものであることが好まし
い。これら空隙が研磨スラリー中の遊離砥粒の保持性を
上げたり、研磨屑の除去に効果があり、結果として研磨
速度向上に有利に働く。

【００４９】またこの水溶性物質が研磨液の分散液に溶
解することその粘度を変化させることができるため、例
えば水溶性の多糖類のひとつであるキサンタンガムを混
合した場合、それが溶け出すことで研磨液がビンガム流
体様の性質を持つようになり、おそらく凹凸付き半導体
ウェハの凹部において研磨粒子の拡散が抑えられること
などから研磨したときの平坦性、特にグローバル平坦性
を改善する効果が得られる。これらの効果を発現するた
めには研磨パッドの重量当たり水溶性物質を０．０１ｗ
ｔ％〜１０ｗｔ％とすることが好ましい。なお、水溶性
物質を０．０１ｗｔ％程度添加した場合でも効果がある
が、好ましくは０．１ｗｔ％以上、５ｗｔ％以下の添加
量が有効的に用いられる。１０ｗｔ％を越えると、研磨
分散液の性質が変化しすぎるため、好ましくない。分散
液粘度に影響の少ない低分子物質を用いればさらに多量
に混合できるが、コスト面から考えても実際的でない。

【００５０】研磨パッドの成形方法としては、親水性で
実質的に水に不溶のシート状物に、熱硬化性高分子マト
リックスと さらに場合によっては無機微粒子およびま
たは水溶性物質をあらかじめコンパウンド化して含浸の
後、熱圧縮成型することもできるし、この場合溶剤を用
いて粘度を調節した上で含浸し、乾燥後に熱圧縮成形す
ることもできる。シート状物を用いるため、マトリクス
樹脂（架橋前駆体）のみを加圧含浸し、この上に無機微
粒子を均一に分散すること、およびまたは水溶性物質を
同様に均一に巻くことによって作った層を、積層化した
後加熱圧縮成型することができる。層の数を多くするこ
とによってできあがった研磨パッドの物性ばらつきを少
なくできる。

【００５１】マトリックスがポリウレタンのように２液
系のものはあらかじめ主剤または硬化剤を混合後に、シ
ート状物に加圧含浸させ成形することができる。その後
研削加工を施し研磨パッドの形状に仕上げることも可能
である。具体的には各マトリックスと親水性でかつ水不
溶性の高分子の相溶性や個々の耐熱性、重合特性、溶融
粘度などの物性に依存するが、その組み合わせは適宜選
択することができる。

【００５２】研磨パッドの曲げ弾性率は、以上説明した
とおり従来の研磨パッドよりも大きくすることができ
る。平坦化特性を良好にするため、０．５ＧＰａ以上が
望ましく、さらに望ましくは２ＧＰａ以上である。本発
明の研磨パッドにおいては、ダスト付着やスクラッチ傷
の問題がないため、さらに大きい５ＧＰａ以上がさらに
好ましい。ただし、大きすぎると研磨パッドの装着に困
難になるため、１００ＧＰａ以下が好ましい。

【００５３】研磨面への供給とそこからの排出を促進す
るなどの目的で、表面に溝や孔が設けられていることが
好ましい。溝の形状としては、同心円、渦巻き、放射、
碁盤目など種々の形状が採用できる。溝の断面形状とし
ては四角、三角、半円などの形状が採用できる。溝の深
さは０．１ｍｍから該研磨層の厚さまでの範囲で、溝の
幅は０．１〜５ｍｍの範囲で、溝のピッチは２〜１００
ｍｍの範囲で選ぶことができる。孔は研磨層を貫通して
いても良いし、貫通していなくても良い。孔の直径は
０．２〜５ｍｍの範囲で選ぶことができる。また、孔の
ピッチは２〜１００ｍｍの範囲で選ぶことができる。こ
れらの形状は、研磨液がうまく研磨面へ供給されるこ
と、研磨液の保持性を高めること、またそこから研磨屑
を伴って良好に排出することおよびまたは促進すること
などを満たせば良い。研磨パッド自体の形状は、円板
状、ドーナツ状、ベルト状など様々な形に加工できる。
厚みも、０．１ｍｍ程度から、５０ｍｍ程度もしくはこ
れ以上の厚みの物も製造可能である。積層構造の繰り返
しを多くすることで、長寿命研磨パッドを製造できる。
円板状、ドーナツ状に加工した場合の直径についても、
被研磨物の大きさを基準として、１／５から５倍程度の
物まで製造されるが、あまり大きいと加工効率が低下し
てしまうため好ましくない。

【００５４】本発明で得られた研磨パッドは、クッショ
ン性を有するクッションシートと積層して複合研磨パッ
ドとして使用することも可能である。半導体基板は局所
的な凹凸とは別にもう少し大きなうねりが存在してお
り、このうねりを吸収する層として硬い研磨パッドの下
（研磨定盤側）にクッションシートをおいて研磨する場
合が多い。クッションシートとしては、発泡ウレタン
系、ゴム系のものを組み合わせて使うことができる。も
ちろん使用しなくても良い。

【００５５】本発明の研磨パッドは、例えば半導体チッ
プ製造に使用される場合、まず第１に、凹凸加工する前
の半導体ウェハー（ベアウェハ、およびまたは酸化膜付
きウェハ）の研磨に採用し、ウェハー自身が持つ微細な
凹凸、すなわち、ｗａｖｉｎｅｓｓや、ｎａｎｏｔｏｐ
ｏｌｏｇｙなどと表現される表面欠陥をなくすことが好
ましい。このあと、リソグラフィー等での表面パターン
の加工を施し、ＣＭＰ研磨を行う。この片方に本発明を
適用することで、極めて平坦度の高いウェハを加工でき
るが、この両方の工程を本発明からなる研磨装置を用い
て行うことで、さらに極めて平坦度の高い加工が可能に
なり、半導体チップの多層化、高集積度化、配線の微細
化の要求を容易に満たすことが可能になる。また本発明
の研磨パッドは、４００ｐｐｍ以下にナトリウムイオン
の混入を抑えたものを用いることが好ましい。さらに好
ましくは５０ｐｐｍ以下、さらに好ましくは１０ｐｐｍ
以下である。

【００５６】曲げ弾性率、Ｄ硬度、ダスト付着量、酸化
膜研磨速度、平坦化特性の評価、ディッシングの評価
は、以下のようにして行った。

【００５７】（曲げ弾性率の測定）研磨パッドから、厚
さ１．０ｍｍ〜１．５ｍｍの範囲、１×８．５ｃｍの長
方形の試験片を作成した。この試験片について、 ＯＲ
ＩＥＮＴＥＣ社製材料試験機（テンシロン ＲＴＭ−１
００）を用いて、ＪＩＳ−７２０３に従って曲げ弾性率
の測定を行った。曲げ弾性率は以下の式に従って求め
た。

【００５８】曲げ弾性率＝｛（支点間距離）³ ×（荷重
−撓み曲線のはじめの直線部分の任意に選んだ点の荷重
（ｋｇｆ））｝／｛４×（試験片の幅）×（試験片の厚
さ） ³ ×荷重Ｆにおける撓み｝ 厚さ１．０ｍｍ〜１．５ｍｍの範囲に入るサンプル（大
きさは１ｃｍ角以上）を、Ｄ硬度９０以上の表面硬度を
有する平面上に置き、ＪＩＳ規格（硬さ試験）Ｋ６２５
３に準拠した、デュロメーター・タイプＤ（実際には、
高分子計器（株）製”アスカーＤ型硬度計”）を用い、
５点測定しその平均値をＤ硬度とした。測定は室温（２
５℃）で行った。

【００５９】（ダスト付着量の測定）厚さ１．２ｍｍ、
直径３８ｃｍの円形の研磨パッドを作成し、表面に、幅
２．０ｍｍ、深さ０．５ｍｍ、ピッチ１５ｍｍのいわゆ
るＸ−Ｙグルーブ加工（格子状溝加工）を施した。この
パッドを研磨機（ラップマスターＳＦＴ社製、“Ｌ/Ｍ
−１５Ｅ”）の定盤にクッション層として、ロデール社
製Ｓｕｂａ４００を貼り、その上に両面接着テープ（３
Ｍ社製、“４４２Ｊ”）で張り付けた。旭ダイヤモンド
工業（株）のコンディショナー（“ＣＭＰ−Ｍ”、直径
１４．２ｃｍ）を用い、押しつけ圧力０．０４ＭＰａ、
定盤回転数２５ｒｐｍ、コンディショナー回転数２５ｒ
ｐｍで同方向に回転させ、純水を１０ｍｌ／ｍｉｎで供
給しながら５分間研磨パッドのコンディショニングを行
った。研磨機に純水を１００ｍｌ／ｍｉｎ流しながら研
磨パッド上を２分間洗浄し次ぎに、酸化膜付きウェハ
（４インチダミーウェハＣＺＰ型、信越化学工業
（株））を研磨機に設置し、説明書記載使用濃度のキャ
ボット社製スラリー分散液（“ＳＣ−１”）を１００ｍ
ｌ／ｍｉｎで研磨パッド上に供給しながら、押しつけ圧
力０．０４ＭＰａ、定盤回転数４５ｒｐｍ、コンディシ
ョナー回転数４５ｒｐｍで同方向に回転させ、５分間研
磨を実施した。ウェハ表面を乾かさないようにし、すぐ
さま純水をかけながら、ポリビニルアルコールスポンジ
でウェハ表面を洗浄し、乾燥圧縮空気を吹き付けて乾燥
した。その後ウェーハ表面ゴミ検査装置（トプコン社
製、“ＷＭ−３”）を用いて、直径が０．５μｍ以上の
表面ダスト数を測定した。本試験方法では、４００個以
下であれば半導体生産上問題を生じることが無く合格で
ある。また研磨後のウエハー表面のスクラッチ数は、自
動X-Yステージを具備したキーエンス社製デジタルマイ
クロスコープ（ＶＨ６３００）でカウントした。１０個
以下を合格領域とした。

【００６０】（酸化膜研磨速度の測定）ウェハ（４イン
チダミーウェハＣＺＰ型、信越化学工業（株））表面の
酸化膜の厚みを、あらかじめ大日本スクリーン社製“ラ
ムダエース”（ＶＭ−２０００）を用いて決められた点
１９６ポイント測定した。研磨機（ラップマスターＳＦ
Ｔ社製、“Ｌ/Ｍ-１５Ｅ”）の定盤にクッション層とし
て、ロデール社製“Ｓｕｂａ４００”を貼り、その上に
両面接着テープ（３Ｍ社製、“４４２Ｊ”）で試験すべ
き研磨パッドを張り付けた。旭ダイヤモンド工業（株）
のコンディショナー（“ＣＭＰ−Ｍ”、直径１４．２ｃ
ｍ）を用い、押しつけ圧力０．０４ＭＰａ、定盤回転数
２５ｒｐｍ、コンディショナー回転数２５ｒｐｍで同方
向に回転させ、純水を１０ｍｌ／ｍｉｎで供給しながら
５分間研磨パッドのコンディショニングを行った。研磨
機に純水を１００ｍｌ／ｍｉｎ流しながら研磨パッド上
を２分間洗浄し次ぎに、酸化膜厚みを測定し終わった酸
化膜付きウェハを研磨機に設置し、説明書記載使用濃度
のキャボット社製スラリー分散液（“ＳＣ−１”）を１
００ｍｌ／ｍｉｎで研磨パッド上に供給しながら、押し
つけ圧力０．０４ＭＰａ、定盤回転数５０ｒｐｍ、コン
ディショナー回転数５０ｒｐｍで同方向に回転させ、５
分間研磨を実施した。ウェハ表面を乾かさないように
し、すぐさま純水をかけながら、ポリビニルアルコール
スポンジでウェハ表面を洗浄し、乾燥圧縮空気を吹き付
けて乾燥した。この研磨後のウェハ表面の酸化膜の厚み
を大日本スクリーン社製“ラムダエース”（ＶＭ−２０
００）を用いて決められた点１９６ポイント測定し、各
々の点での研磨速度を計算し、その平均値を酸化膜研磨
速度とした。 （平坦化特性の評価） まず、以下の手順でグローバル段差評価用テストウェハ
を準備した。グローバル段差評価用テストウェハ：酸化
膜付き４インチシリコンウェハ（酸化膜厚：２μｍ）に
１０ｍｍ角のダイを配置する。フォトレジストを使用し
てマスク露光をおこない、ＲＩＥによって１０ｍｍ角の
ダイの中に２０μｍ幅、高さ０．７μｍのラインと２３
０μｍのスペースで左半分にラインアンドスペースで配
置し、２３０μｍ幅、高さ０．７μｍのラインを２０μ
のスペースで右半分にラインアンドスペースで配置す
る。直径３８ｃｍの円形の研磨層を作製し、表面に幅
２．０ｍｍ、深さ０．５ｍｍ、ピッチ１５ｍｍのいわゆ
るＸ−Ｙグルーブ加工（格子状溝加工）を施した。この
研磨パッドを研磨機（ラップマスターＳＦＴ社製、Ｌ／
Ｍ―１５Ｅ）の定盤にクッッション層として、ロデール
社製“Ｓｕｂａ４００”を貼り、その上に両面接着テー
プ（３Ｍ社製、“４４２Ｊ”）で貼り付けた。旭ダイヤ
モンド工業（株）のコンディショナー（“ＣＭＰ−
Ｍ”、直径１４．２ｃｍ）を用い、押しつけ圧力０．０
４ＭＰａ、定盤回転数２５ｒｐｍ、コンディショナー回
転数２５ｒｐｍで同方向に回転させ、純水を１０ｃｃ／
分で供給しながら５分間研磨パッドのコンディショニン
グを行った。研磨機に純水を１００ｃｃ／分流しながら
研磨パッド上を２分間洗浄し次に、グローバル段差評価
用テストウェハを研磨機に設置し、説明書記載使用濃度
のキャボット社製スラリー（“ＳＣ−１”）を１００ｍ
ｌ／ｍｉｎで研磨パッド上に供給しながら、押しつけ圧
力０．０４ＭＰａ、定盤回転数４５ｒｐｍ（ウェハの中
心での線速度は３０００（ｃｍ／分））、半導体ウェハ
保持試料台を回転数４５ｒｐｍで同方向に回転させ、所
定時間研磨を実施した。半導体ウェハ表面を乾かさない
ようにし、すぐさま純水をかけながら、ポリビニルアル
コールスポンジでウェハ表面を洗浄し、乾燥圧縮空気を
吹き付けて乾燥した。グローバル段差評価用テストウェ
ハのセンタ１０ｍｍダイ中の２０μｍラインと２３０μ
ラインの酸化膜厚みを大日本スクリーン社製ラムダエー
ス（“ＶＭ−２０００”）を用いて測定し、それぞれの
厚みの差をグローバル段差として評価した。研磨層の加
工形態については、その他形状のものも上記と同様の手
順で行った。２０μｍ幅配線領域と２３０μｍ幅配線領
域のグローバル段差は研磨時間は５分で４０ｎｍ以下で
あれば合格とした。 （ディッシングの評価）タングステン配線ディッシング
評価用テストウェーハ：酸化膜付き４インチシリコンウ
ェーハ（酸化膜厚：２μｍ）に１００μｍ幅で深さが
０．７μｍの溝をスペースが１００μｍ間隔で形成す
る。この上にスパッタ法でタングステンを厚み２μｍ形
成して、タングステン配線ディッシング評価用テストウ
ェーハを作成した。直径３８ｃｍの円形の研磨層を作製
し、表面に幅２．０ｍｍ、深さ０．５ｍｍ、ピッチ１５
ｍｍのいわゆるＸ−Ｙグルーブ加工（格子状溝加工）を
施した。この研磨パッドを研磨機（ラップマスターＳＦ
Ｔ社製、Ｌ／Ｍ―１５Ｅ）の定盤にクッション層とし
て、ロデール社製“Ｓｕｂａ４００”を貼り、その上に
両面接着テープ（３Ｍ社製、“４４２Ｊ”）で貼り付け
た。旭ダイヤモンド工業（株）のコンディショナー
（“ＣＭＰ−Ｍ”、直径１４．２ｃｍ）を用い、押しつ
け圧力０．０４ＭＰａ、定盤回転数２５ｒｐｍ、コンデ
ィショナー回転数２５ｒｐｍで同方向に回転させ、純水
を１０ｍｌ／ｍｉｎで供給しながら５分間研磨パッドの
コンディショニングを行った。研磨機に純水を１００ｍ
ｌ／ｍｉｎ流しながら研磨パッド上を２分間洗浄し次
に、タングステン配線ディシング評価用テストウェハを
研磨機に設置し、説明書記載使用濃度のキャボット社製
スラリー（“ＳＥＭＩ―ＳＰＥＲＳＥ Ｗ―Ａ４０
０”）とキャボット社製酸化剤（“ＳＥＭＩ―ＳＰＥＲ
ＳＥ ＦＥ―４００”）を１：１で混合したスラリー溶
液を１００ｍｌ／ｍｉｎで研磨パッド上に供給しなが
ら、押しつけ圧力０．０４ＭＰａ、定盤回転数４５ｒｐ
ｍ（ウェハの中心での線速度は３０００（ｃｍ／
分））、半導体ウェハ保持試料台を回転数４５ｒｐｍで
同方向に回転させ、２分間研磨を実施した。半導体ウェ
ハ表面を乾かさないようにし、すぐさま純水をかけなが
ら、ポリビニルアルコールスポンジでウェハ表面を洗浄
し、乾燥圧縮空気を吹き付けて乾燥した。タングステン
表面のディッシング状態をキーエンス社製超深度形状測
定顕微鏡“ＶＫ―８５００”で測定した。なお、研磨層
の表面加工形態については、その他の形状のものも上記
と同様の手順で行った。タングステン配線の中央深さを
測り、０．０４μｍ以下であれば合格とした。

【００６１】以下、実施例によってさらに詳細に説明す
る。

【００６２】

【実施例】実施例および比較例において得られた評価結
果は、表１に示した。

【００６３】実施例１ ワットマン社製１７ｃｈｒ濾紙（公定水分率１１％）２
枚を重ね、液状フェノール樹脂（住友デュレズ製、ＰＲ
−５３７１７）を、乾燥重量比で６０ｗｔ％になるよう
含浸、乾燥させ、１７０℃２０分３．５ＭＰａ加圧下で
１．７ｍｍ厚に成形した。得られた樹脂板で研磨パッド
を作成した。得られた樹脂板で研磨パッドを作成した。
断面を光学顕微鏡で観察したが、濾紙中には空隙が見ら
れなかった。

【００６４】実施例２ 厚み０．２ｍｍのクラフト紙（公定水分率１０％）６枚
を重ね、液状フェノール樹脂（住友デュレズ製、ＰＲ−
５３７１７）を、乾燥重量比で５５ｗｔ％になるよう含
浸、乾燥させ、１７０℃２０分３．５ＭＰａ加圧下で
１．７ｍｍ厚に成形した。得られた樹脂板で研磨パッド
を作成した。断面を光学顕微鏡で観察したが、クラフト
紙中には空隙が見られなかった。

【００６５】実施例３ ２液系ポリウレタン樹脂Ｃ−４４２１（日本ポリウレタ
ン（株）製 ）５１重量％とＮ−４２７６（日本ポリウ
レタン（株）製 ）４９重量％を混練し、セルロースス
ポンジ（東レファインケミカル社製、公定水分率１１
％）が重量比で３０％になるように含浸させ、真空脱泡
後、金型内で硬化させ、厚み１．２ｍｍのポリウレタン
シートを作製した。得られた樹脂板で研磨パッドを作成
した。断面を光学顕微鏡で観察したが、セルローススポ
ンジ中には空隙が見られなかった。

【００６６】実施例４ ナイロン織物（厚み３００μｍ、公定水分率４．５％）
に、“アートファーマー”（三洋化成工業（株）製、Ｔ
Ａ−１３２７）を所定の混合比で混合したものを７０部
混合し、これを４枚重ね合わせて４０ｃｍ角の金型に入
れ、１００℃で脱泡後、１６５℃で加熱し樹脂板を形成
した。得られた樹脂板で研磨パッドを作成した。断面を
光学顕微鏡で観察したが、ナイロン織物中には空隙が見
られなかった。

【００６７】実施例５ 厚み０．２４ｍｍのクラフト紙（公定水分率１０％）
に、“アートファーマー”（三洋化成工業（株）製、Ｔ
Ａ−１３２７）を所定の混合比で混合したものを５５部
混合し、これを５枚重ね合わせて４０ｃｍ角の金型に入
れ、１００℃で脱泡後、１６５℃で加熱し樹脂板を形成
した。得られた樹脂板で研磨パッドを作成した。断面を
光学顕微鏡で観察したが、クラフト紙中には空隙が見ら
れなかった（表１参照）。

【００６８】実施例６ 実施例２と５で作製した成形前のプリプレグを実施例２
のプリプレグが上になるように交互に３枚ずつ重ね、同
様に樹脂板を成形し研磨パッドを作製した。クラフト紙
中には空隙が見られなかった。

【００６９】実施例７ 実施例２と４で作製した成形前のプリプレグを実施例２
のプリプレグが上になるように交互に３枚ずつ重ね、同
様に樹脂板を成形し研磨パッドを作製した。クラフト
紙、ナイロン織物中には空隙が見られなかった。

【００７０】実施例８ 実施例２，実施例５で作製したプリプレグの下に、５μ
ｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムを重ね、こ
の３枚セットを３回繰り返し、同様に９層からなる樹脂
板を成形した。クラフト紙中には空隙が見られなかっ
た。

【００７１】実施例９ ２液系ポリウレタン樹脂Ｃ−４４０３（日本ポリウレタ
ン（株）製 ）６２重量％とＮ−４２７６（日本ポリウ
レタン（株）製 ）３８重量％を混練し、セルロースス
ポンジ（東レファインケミカル社製、公定水分率１１
％）が重量比で２％になるように含浸させ、真空脱泡
後、金型内で硬化させ、厚み１．２ｍｍのポリウレタン
シートを作製した。得られた樹脂板で研磨パッドを作成
した。断面を光学顕微鏡で観察したが、セルローススポ
ンジ中には空隙が見られなかった。

【００７２】実施例１０ 実施例９で直径１μｍシリカ粒子を１０重量％混合して
研磨パッドを作製した。断面を光学顕微鏡で観察した
が、スポンジ中には空隙が見られなかった。

【００７３】実施例１１ 実施例２に、さらに親水性水溶性樹脂としてキサンタン
ガム０．４ｗｔ％を添加して研磨樹脂板を作製した。断
面を光学顕微鏡で観察したが、クラフト紙中には空隙が
見られなかった。

【００７４】実施例１２ 実施例１１において、直径１μｍシリカ粒子を３重量％
混合して研磨パッドを作製した。断面を光学顕微鏡で観
察したが、クラフト紙中には空隙が見られなかった。

【００７５】実施例１３ 実施例１１において、直径１μｍシリカ粒子を１５重量
％混合して研磨パッドを作製した。断面を光学顕微鏡で
観察したが、クラフト紙中には空隙が見られなかった。

【００７６】実施例１４ 厚み０．２ｍｍのクラフト紙（公定水分率１０％）に、
液状フェノール樹脂（住友デュレズ製、ＰＲ−５５１２
３）を、乾燥重量比で５５ｗｔ％になるよう含浸、乾燥
させ、これを６枚重ね合わせて１７０℃２０分３．５Ｍ
Ｐａ加圧下で１．２ｍｍ厚に成形した。得られた樹脂板
で研磨パッドを作成した。断面を光学顕微鏡で観察した
が、クラフト紙中には空隙が見られなかった。ただし、
フェノール樹脂部には空隙が見られた。

【００７７】実施例１５ 実施例１４において、樹脂板成形時の圧抜きを調節し、
クラフト紙中、フェノール樹脂中ともに空隙を形成し
た。得られた樹脂板で研磨パッドを作成した。

【００７８】実施例１６ ポリアクリロニトリル繊維織物（東レ製、厚み３００μ
ｍ、公定水分率２％）と、液状フェノール樹脂（住友デ
ュレズ製、ＰＲ−５３７１７）を、乾燥重量で５０ｗｔ
％になるよう含浸、乾燥させ、４枚重ねて１７０℃２０
分３．５ＭＰａ加圧下で１．２ｍｍ厚に成形した。得ら
れた樹脂板で研磨パッドを作成した。断面を光学顕微鏡
で観察したが、ポリアクリロニトリル繊維織物中には空
隙が見られなかた。

【００７９】実施例１７ ポリウレタン繊維織物（厚み３００μｍ、公定水分率１
％）を、液状フェノール樹脂（住友デュレズ製、ＰＲ−
５３７１７）に、乾燥重量で５０ｗｔ％になるよう含
浸、乾燥させ、４枚重ねて１７０℃２０分３．５ＭＰａ
加圧下で１．２ｍｍ厚に成形した。得られた樹脂板で研
磨パッドを作成した。断面を光学顕微鏡で観察したが、
ポリウレタン繊維織物中には空隙が見られなかた。

【００８０】比較例１ ポリエチレンテレフタレート繊維不織布（東レ製、１０
０ｇ／ｍ² 、公定水分率０．４％、繊維径１３μｍ）が
重量比で４０％になるように、ポリプロピレンを溶融含
浸し、５枚合わせて１７０℃２０分３．５ＭＰａ加圧下
で１．４ｍｍ厚に成形した。得られた樹脂板で研磨パッ
ドを作成した。断面を光学顕微鏡で観察したが、ポリエ
チレンテレフタレート繊維不織布中には空隙が見られな
かった。

【００８１】比較例２ ポリエチレンテレフタレート繊維不織布（東レ製、１０
０ｇ／ｍ² 、公定水分率０．４％、繊維径１３μｍ）が
重量比で４０％になるようにポリエチレンを溶融含浸
し、５枚重ね１７０℃２０分３．５ＭＰａ加圧下で１．
４ｍｍ厚に成形した。得られた樹脂板で研磨パッドを作
成した。断面を光学顕微鏡で観察したが、ポリエチレン
テレフタレート繊維不織布中には空隙が見られなかっ
た。

【００８２】

【表１】

【００８３】

【発明の効果】本発明によれば、被研磨物表面へのダス
ト付着性を少なくすることができる。

フロントページの続き Ｆターム(参考） 3C058 AA09 CB01 CB02 CB10 DA12 DA17 4F071 AA08 AA09 AA15X AA28 AA29 AA29X AA32 AA37 AA41 AA42 AA51 AA53 AA54 AA56 AA60 AA70 AB03 AB06 AB18 AB21 AB24 AB26 AB30 AF04 AF05 AH19 DA19 DA20 4J002 AA00W AA00Y AA02X AB00Y AB01W AB04W AB05W AB05Y AD00W BE02W BE02Y BE03W BF02Y BG01W BJ00W BJ00Y CC03X CC16X CC18X CD00X CH01Y CK02X CL00W CL06W CM04X DA036 DA116 DE096 DE136 DE146 DE236 DG046 DJ006 DJ016 GF00 GQ05

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】親水性であって、かつ実質的に水に不溶の
   シート状物を含有する熱硬化性高分子マトリクス樹脂か
   らなることを特徴とする研磨パッド。
2. 【請求項２】シート状物の含量が３ｗｔ％以上であるこ
   とを特徴とする請求項１記載の研磨パッド。
3. 【請求項３】シート状物が実質的に空隙を有さない状態
   で含有されていることを特徴とする請求項１または２記
   載の研磨パッド。
4. 【請求項４】公定水分率が３％以上であるシート状物を
   用いることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに
   記載の研磨パッド。
5. 【請求項５】公定水分率が５％以上であるシート状物を
   用いることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに
   記載の研磨パッド。
6. 【請求項６】シート状物が、不織布状、織物状、編み物
   状、フエルト状、多孔膜状、フィルム状、およびスポン
   ジ状の少なくとも１つから選ばれてなるものであること
   を特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の研磨
   パッド。
7. 【請求項７】シート状物の外側にさらに空隙を有するこ
   とを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の研
   磨パッド。
8. 【請求項８】無機微粒子を含むことを特徴とする請求項
   １ないし７のいずれかに記載の研磨パッド。
9. 【請求項９】シート状物が、２枚以上の積層体からなる
   ことを特徴とする請求項１ないし８記載の研磨パッド。
10. 【請求項１０】積層体の層ごとの厚みが１μｍ以上であ
    ることを特徴とする請求項９に記載の研磨パッド。
11. 【請求項１１】層ごとにマトリックス樹脂の樹脂含有率
    および／または種類が異なることを特徴とする請求項９
    または１０に記載の研磨パッド。
12. 【請求項１２】層ごとにシート状物の厚みおよび／また
    は種類が異なることを特徴とする請求項９ないし１１の
    いずれかに記載の研磨パッド。
13. 【請求項１３】水溶性物質をさらに含むことを特徴とし
    た請求項１ないし１２のいずれかに記載の研磨パッド。
14. 【請求項１４】水溶性物質を０．０１ｗｔ％から１０ｗ
    ｔ％含むことを特徴とする請求項１３記載の研磨パッ
    ド。
15. 【請求項１５】請求項１ないし１４のいずれかに記載の
    研磨用パッドを用いることを特徴とする研磨装置。
16. 【請求項１６】請求項１ないし１４のいずれかに記載の
    研磨用パッドを用いることを特徴とする研磨方法。
17. 【請求項１７】請求項１ないし１４のいずれかに記載の
    研磨用パッドを用いて加工したことを特徴とする半導体
    ウェハおよび半導体チップの製造方法。