JP3455208B2 - 半導体ウエハ研磨パッド、半導体ウエハの研磨方法、研磨パッド用研磨シート、及び研磨シート用発泡体ブロック - Google Patents

半導体ウエハ研磨パッド、半導体ウエハの研磨方法、研磨パッド用研磨シート、及び研磨シート用発泡体ブロック

Info

Publication number
JP3455208B2
JP3455208B2 JP2002117767A JP2002117767A JP3455208B2 JP 3455208 B2 JP3455208 B2 JP 3455208B2 JP 2002117767 A JP2002117767 A JP 2002117767A JP 2002117767 A JP2002117767 A JP 2002117767A JP 3455208 B2 JP3455208 B2 JP 3455208B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
layer
foam
polishing pad
semiconductor wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2002117767A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003218074A (ja
Inventor
哲生 下村
雅彦 中森
孝敏 山田
毅 木村
一幸 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyobo Co Ltd
Toyo Tire Corp
Original Assignee
Toyo Tire and Rubber Co Ltd
Toyobo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2002117767A priority Critical patent/JP3455208B2/ja
Application filed by Toyo Tire and Rubber Co Ltd, Toyobo Co Ltd filed Critical Toyo Tire and Rubber Co Ltd
Priority to KR1020087006776A priority patent/KR100877385B1/ko
Priority to KR1020087006780A priority patent/KR100877389B1/ko
Priority to CN02822514A priority patent/CN100592474C/zh
Priority to PCT/JP2002/010310 priority patent/WO2003043071A1/ja
Priority to KR1020087006777A priority patent/KR100877386B1/ko
Priority to KR1020047007185A priority patent/KR100845481B1/ko
Priority to KR1020087006773A priority patent/KR100877383B1/ko
Priority to KR1020087006778A priority patent/KR100877542B1/ko
Priority to KR1020087006782A priority patent/KR100877390B1/ko
Priority to US10/494,249 priority patent/US7651761B2/en
Priority to KR1020087006779A priority patent/KR100877388B1/ko
Publication of JP2003218074A publication Critical patent/JP2003218074A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3455208B2 publication Critical patent/JP3455208B2/ja
Priority to US11/466,878 priority patent/US8318825B2/en
Priority to US11/466,909 priority patent/US7488236B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板を平坦
化するための研磨方法に関するものであり、特に、半導
体ウエハないし半導体ウエハ上に微細なパターンが形成
されたデバイスのパターンの微小な凹凸を平坦化する研
磨工程に使用われる半導体ウエハ研磨パッド、研磨パッ
ド用研磨シート、及び研磨シート用発泡体ブロックに関
するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体ウエハは仕上げ加工工程
や、デバイス化での多層配線プロセスにおいて、いわゆ
る化学的機械的研磨法(Chemical Mechanical Polishin
g )により鏡面研磨や、層間絶縁膜や導電膜の平坦化が
行われている。この様な研磨では、ウエハ全面内での研
磨量の均一性、凹凸段差の凸部の選択的研磨や、凹凸部
の研磨後の平坦性などの特性が求められる。これらの要
求に対して、下記に挙げられるような構成の研磨パッド
物が従来開発、検討されており、公知である。
【0003】(1)弾性ポリウレタン層に研磨層である
合成皮革層が積層されたもの(米国特許3,504,4
57号) (2)発泡ポリウレタン層にポリウレタン含浸不織布を
貼り合わせた構成のもの(特開平6−21028号公
報) (3)研磨表面が設けられており、研磨表面に隣接し選
択した厚さ及び剛性の剛性要素が設けられており、剛性
要素へ実質的に一様な力を付与するために剛性要素に隣
接して弾性要素が設けられており、剛性要素及び弾性要
素が研磨表面へ弾性的屈曲力を付与して研磨表面に制御
した屈曲を誘起させ、それが加工物の表面の全体的な形
状に適合し且つ加工物表面の局所的な形状に関して制御
した剛性を維持することを特徴とする研磨用パッド(特
開平6−077185号公報) (4)縦弾性係数EAの大きい表層Aと、縦弾性係数E
Bの小さい下層Bとを有し、両層A、Bとの間に上記B
層よりも少なくとも縦弾性係数の大きい中間層Mを設け
たことを特徴とする研磨布(特開平10−156724
号公報) (5)研磨層と、研磨層より弾性の高い中間層と、柔ら
かい下地層の構成で、中間層が分割されているパッド
(特開平11−48131号公報)
【発明が解決しようとする課題】前述の各種研磨パッド
は次のような問題点を有している。
【0004】(a)米国特許3,504,457号に記
載の研磨パッドは、全面の均一性に関しては、弾性ポリ
ウレタン層がウエハにかかる荷重を均一にする役目を果
たしているが、最表層研磨層に柔らかい合成皮革を使用
しているため、スクラッチ等の問題は無いが、微小領域
での平坦化特性が良くない。
【0005】(b)特開平6−21028号公報に記載
の研磨パッドは、不織布層が米国特許3,504,45
7号に記載の研磨パッドにおける弾性ポリウレタン層と
同等の役目を果たし、均一性を得ている。また、研磨層
も硬質の発泡ポリウレタン層を有している為、合成皮革
に比べて平坦化特性も優れているが、近年、微小領域で
の平坦化特性の要求レベルの向上に対応することはでき
ず、また金属膜の研磨においては、要求レベルに達して
いない。硬質ウレタン層の硬度を更に上げることにより
平坦化特性の向上を図ることは可能であるが、そうする
とスクラッチの多発を招き実用的ではない。
【0006】(c)特開平6−77185号公報に記載
の研磨パッドは、表層の研磨層でスクラッチの起きない
適度の硬度を持たせ、硬度が上げられないために低下す
る平坦化特性を第2層の剛性層で改善させる構成を有す
るものである。これは、特開平6−21028号公報に
記載の研磨パッドの問題点を解決するものであるが、研
磨層の厚さが0.003インチ以下に限定されており、
この厚さでは実際に使用した場合、研磨層も削れてしま
い、製品寿命が短いという欠点がある。
【0007】(d)特開平10−156724号公報に
記載の研磨パッドは、基本的思想は特開平6−7718
5号公報の技術と同様であり、各層の弾性率の範囲を限
定して、より効率的な範囲を得ようとしているが、該技
術の中では実質的に何ら実現する手段の記載がなく、研
磨パッドを製作することは困難である。
【0008】(e)特開平11−48131号公報の研
磨パッドは、基本的思想は特開平6−77185号公報
の技術と同様であるが、ウエハ面内の均一性をより向上
するために中間剛性層をある所定の大きさに分割してい
る。しかし、この技術によれば、分割する工程にコスト
がかかり、安価な研磨パッドを供給することは出来な
い。
【0009】また、これらの先行文献に記載された研磨
パッドにおいては、実施に使用する研磨機に研磨パッド
を両面テープ等の粘着剤を用いて貼り付けることが一般
的であるが、このときの接着強度に関しては従来殆ど検
討がなされていない。さらに、現在一般的に広く使われ
ている研磨パッドにおいては、研磨パッドの使用後、研
磨機から剥離する場合、非常に大きな力が必要で、研磨
パッドの張替え作業は極めて重労働となっている。
【0010】本発明は、半導体ウエハないし半導体ウエ
ハ上に微細なパターンが形成されたデバイスの該パター
ンの微小な凹凸を平坦化する研磨工程に使われる研磨パ
ッドであって、研磨時に高い研磨レートを有する研磨パ
ッド並びに半導体ウエハの研磨方法を提供することにあ
る。また、研磨パッド用研磨シート、及び研磨シート用
発泡体ブロックを提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、半導体ウ
エハ研磨パッドにおいて研磨層を独立気泡タイプのポリ
ウレタン樹脂にて構成した場合、気泡数及び気泡径は研
磨レートに大きく影響を与えることを見出し、本発明を
完成した。
【0012】本発明の半導体ウエハ研磨パッドは、研磨
層が独立気泡タイプの樹脂製発泡体であり、前記樹脂製
発泡体の樹脂成分がポリウレタン樹脂のみであり、さら
前記研磨層の独立気泡の気泡数が200個/mm2
上600個/mm2 以下であり、且つ、平均気泡径が3
0μm以上60μm以下であり、さらに前記研磨層の硬
さがD型ゴム硬度計にて45以上65未満であることを
特徴とする。
【0013】なお、本発明において独立気泡とは、円
形、楕円、又はこれらに類似する形状を有する気泡であ
って、2以上の気泡が結合してなる気泡以外のものをい
う。
【0014】研磨層を構成する独立気泡タイプの樹脂製
発泡体の樹脂成分がポリウレタン樹脂のみである発泡体
において、気泡数は200個/mm2 から600個/m
2 の範囲において高い研磨レートが得られる。気泡数
が200個/mm2 未満の場合、スラリーを保持する窪
み(気泡部分)が少なくなり、研磨において有効となる
半導体ウエハと研磨パッドの間のスラリー量が低下し、
結果として研磨レートの低下を引き起こすものと考えら
れる。また、気泡数が600個/mm2 より多いの場
合、該パッドの気泡直径は10μm以下と小さくなり、
気泡の中に研磨屑やスラリー凝集物が詰まってスラリー
保持の役割を十分に果たせなくなるものと考えられる。
【0015】また、研磨層の独立気泡の平均気泡径が3
0μm未満である場合、もしくは60μmを超える場合
のいずれの場合においても研磨レートは低下する。
【0016】本発明においては、気泡数及び平均気泡径
は研磨層を任意の位置にて裁断して得られる表面の気泡
数及び気泡径を測定して求めたものである。
【0017】本発明における気泡数及び気泡径の制御方
法としては、中空状微粒子を添加する場合、添加する微
粒子の粒子径及び添加量により制御できる。また、機械
的に気泡を成形する場合、攪拌する時の攪拌翼の回転
数、形状、及び時間の制御や、気泡成形の助剤として加
える界面活性剤の添加量を変えることにより制御するこ
とができる。
【0018】
【0019】ポリウレタン樹脂は必要な硬度に加えて可
とう性をも有するため、研磨対象物に与える微小な傷、
即ちスクラッチが低減される。
【0020】独立気泡タイプのポリウレタン樹脂発泡体
とは、100%完全に独立気泡のみで構成されている必
要はなく、一部に連続した気泡が存在してもよい。独立
気泡率は、90%以上であればよい。なお、独立気泡率
は下記の方法により算出する。
【0021】独立気泡率は、得られた発泡体研磨層をミ
クロトームで断面を切り出し、その断面の顕微鏡画像を
画像処理装置イメージアナライザーV10(東洋紡績社
製)にて表し、単位面積あたりの全気泡数および独立気
泡数を数え、下記式により算出する。
【0022】独立気泡率(%)=(独立気泡数/全気泡
数)×100本発明の研磨パッドは、0.05wt%〜
5wt%のシリコーン系界面活性剤が添加されることを
特徴とする。
【0023】研磨パッドは独立気泡タイプの発泡体であ
るため、シリコーン系界面活性剤量が0.05wt%未
満の場合には安定した独立気泡タイプの発泡体を得るこ
とが困難である。また、5wt%より多い場合、該界面
活性剤を添加することにより研磨パッドの強度が低下
し、研磨において平坦化特性が悪化する。
【0024】本発明は、研磨層を有する研磨パッドを回
転させつつ半導体ウエハに当接させ、前記研磨層と前記
半導体ウエハの間に研磨剤を供給しつつ研磨する半導体
ウエハの研磨方法であって、前記研磨層は独立気泡タイ
プの樹脂製発泡体であり、前記樹脂製発泡体の樹脂成分
がポリウレタン樹脂のみであり、さらに前記研磨層の
立気泡の気泡数が200個/mm2 以上600個/mm
2 以下であり、且つ、平均気泡径が30μm以上60μ
m以下であり、さらに前記研磨層の硬さがD型ゴム硬度
計にて45以上65未満であることを特徴とする。
【0025】上記の研磨方法により、半導体ウエハない
し半導体ウエハ上に微細なパターンが形成されたデバイ
スの該パターンの微小な凹凸を、高い研磨レートにて平
坦化することができる。本発明の研磨パッド用研磨シー
ト(以下、研磨シートという。)は、独立気泡タイプの
樹脂製発泡体からなり、前記樹脂製発泡体の樹脂成分が
ポリウレタン樹脂のみであり、さらに前記樹脂製発泡体
の独立気泡の気泡数が200個/mm 2 以上600個/
mm 2 以下であり、且つ、平均気泡径が30μm以上6
0μm以下であり、さらに前記樹脂製発泡体の硬さがD
型ゴム硬度計にて45以上65未満であることを特徴と
する。本発明の研磨シートは、前記研磨層となるもので
ある。前記ポリウレタン樹脂は、0.05wt%〜5w
t%のシリコーン系界面活性剤を含有することが好まし
い。前記シリコーン系界面活性剤は、ポリアルキルシロ
キサンとポリエーテルの共重合体であることが好まし
い。前記樹脂製発泡体の圧縮率が0.5%以上5%以下
であることが好ましい。また、本発明の研磨シート用発
泡体ブロック(以下、発泡ポリウレタンブロックとい
う。)は、独立気泡タイプの樹脂製発泡体からなり、前
記樹脂製発泡体の樹脂成分がポリウレタン樹脂のみであ
り、さらに前記樹脂製発泡体の独立気泡の気泡数が20
0個/mm 2 以上600個/mm 2 以下であり、且つ、
平均気泡径が30μm以上60μm以下であり、さらに
前記樹脂製発泡体の硬さがD型ゴム硬度計にて45以上
65未満であることを特徴とする。本発明の発泡ポリウ
レタンブロックは、前記研磨層の製造に用いられるもの
である。前記ポリウレタン樹脂は、0.05wt%〜5
wt%のシリコーン系界面活性剤を含有することが好ま
しい。前記シリコーン系界面活性剤は、ポリアルキルシ
ロキサンとポリエーテルの共重合体であることが好まし
い。前記樹脂製発泡体の圧縮率が0.5%以上5%以下
であることが好ましい。
【0026】
【発明の実施の形態】本発明に使用するシリコーン系界
面活性剤は、ポリアルキルシロキサンとポリエーテルの
共重合体の界面活性剤の使用が好ましい。具体的には下
記化学式化1〜化6にて表わされる化合物が例示でき
る。
【0027】
【化1】
【化2】
【化3】
【化4】
【化5】
【化6】 化学式化1〜化4における置換基Xとしては,下記の置
換基が例示される。
【0028】
【化7】
【化8】
【化9】−C36 O(C24 O)a (C36 O)
b R
【化10】−C36 O(CH2 CH(OH)CH2
O)a H
【化11】−C36+ (CH32 CH2 COO-
【化12】−C36 O(C24 O)a SO3 Na
【化13】−C36+ (CH33 ・Cl- 上記に例示の置換基のなかで、水酸基を有しない置換基
が好ましい。ポリエーテルとしては、ポリエチレンオキ
サイド、ポリプロピレンオキサイド、ないしはそれらの
共重合体などが例示できる。なおこれらの界面活性剤は
一例であり、特に限定されるものではない。
【0029】シリコーン系界面活性剤としては、SH−
192,SH−193(東レダウコーニングシリコン
社)、L−5340(日本ユニカー社)等が好適な市販
品として例示される。
【0030】本発明の研磨層に用いられる、ポリウレタ
ン樹脂としては、イソシアネート末端ウレタンプレポリ
マーと鎖延長剤としての有機ジアミン化合物を発泡状態
にて反応硬化させて得られる発泡重合体が好ましい。
【0031】かかるイソシアネート末端ウレタンプレポ
リマーは、ポリイソシアネートとポリウレタンの技術分
野において公知のポリオール化合物とをイソシアネート
基過剰にて反応させて得られる。
【0032】ポリイソシアネートとしては、一例として
2,4−及び/または2,6−ジイソシアネートトルエ
ン、2,2´−、2,4´−及び/または4,4´−ジ
イソシアネートジフェニルメタン、1,5−ナフタレン
ジイソシアネート、p−及びm−フェニレンジイソシア
ネート、ダイメリルジイソシアネート、キシリレンジイ
ソシアネート、ジフェニル−4,4´−ジイソシネー
ト、1,3−及び1,4−テトラメチルキシリデンジイ
ソシアネート、テトラメチレンジイソシアネート、1,
6−ヘキサメチレンジイソシアネート、ドデカメチレン
ジイソシアネート、シクロヘキサン−1, 3−及び1,
4ージイソシアネート、1−イソシアネート−3−イソ
シアネートメチル−3, 5, 5−トリメチルシクロヘキ
サン(=イソホロンジイソシアネート)、ビス−(4−
イソシアネートシクロヘキシル)メタン(=水添MD
I)、2−及び4−イソシアネートシクロヘキシル−2
´−イソシアネートシクロヘキシルメタン、1,3−及
び1,4−ビス−(イソシアネートメチル)−シクロヘ
キサン、ビス−(4−イソシアネート−3−メチルシク
ロヘキシル)メタン、等が挙げられる。
【0033】また、ポリオール化合物としては、例えば
ヒドロキシ末端ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ
エステルカーボネート、ポリエーテル、ポリエーテルカ
ーボネート、ポリエステルアミド等のポリウレタンの技
術分野において、ポリオールとして公知の化合物が挙げ
られるが、これらのうち耐加水分解性の良好なポリエー
テル及びポリカーボネートが好ましく、価格面と溶融粘
度面の観点からはポリエーテルが特に好ましい。
【0034】ポリエーテルポリオールとしては、反応性
水素原子を有する出発化合物と、例えば酸化エチレン、
酸化プロピレン、酸化ブチレン、酸化スチレン、テトラ
ヒドロフラン、エピクロルヒドリンの様な酸化アルキレ
ンの少なくとも1種との反応生成物が挙げられる。反応
性水素原子を有する出発化合物としては、水、ビスフェ
ノールA並びにポリエステルポリオールを製造する際に
使用する以下に記載する二価アルコールが挙げられる。
【0035】ヒドロキシ基を有するポリカーボネートポ
リオールとしては、例えば、1,3−プロパンジオー
ル、1,4−ブタンジオール、1,6−ヘキサンジオー
ル、ジエチレングリコール、ポリエチレングリコール、
ポリプロピレングリコール及び/又はポリテトラメチレ
ングリコールの様なジオールとホスゲン、ジアリルカー
ボネート(例えばジフェニルカーボネート)もしくは環
式カーボネート(例えばプロピレンカーボネート)との
反応生成物が挙げられる。
【0036】ポリエステルポリオールとしては、二価ア
ルコールと二塩基性カルボン酸との反応生成物が挙げら
れるが、耐加水分解性向上の為には、エステル結合間距
離が長い方が好ましく、いずれも長鎖成分の組み合わせ
が望ましい。
【0037】ポリエステルポリオールを構成する二価ア
ルコールとしては、特に限定されるものでははないが、
例えばエチレングリコール、1,3−及び1,2−プロ
ピレングリコール、1,4−及び1,3−及び2,3−
ブチレングリコール、1,6−ヘキサンジオール、1,
8−オクタンジオール、ネオペンチルグリコール、シク
ロヘキサンジメタノール、1,4−ビス−(ヒドロキシ
メチル)−シクロヘキサン、2−メチル−1,3−プロ
パンジオール、3−メチル−1, 5−ペンタンジオー
ル、2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタンジオー
ル、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、
トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、
ジブチレングリコール等が挙げられる。
【0038】ポリエステルポリオールを構成する二塩基
性カルボン酸としては、脂肪族、脂環族、芳香族及び/
又は複素環式の二塩基性カルボン酸が特に限定なく使用
可能であるが、生成する末端NCOプレポリマーを液状
又は低溶融粘度とする必要上から、脂肪族や脂環族の二
塩基性カルボン酸の使用が好ましく、芳香族系を適用す
る場合は脂肪族や脂環族のカルボン酸と併用することが
好ましい。
【0039】上記の好適な二塩基性カルボン酸として
は、例えばコハク酸、アジピン酸、スベリン酸、アゼラ
イン酸、セバシン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフ
タル酸、ナフタレンジカルボン酸、o−シクロヘキサン
ジカルボン酸,m−シクロヘキサンジカルボン酸,p−
シクロヘキサンジカルボン酸、ダイマ−脂肪酸、オレイ
ン酸等が挙げられる。
【0040】ポリエステルポリオールとしては、ε−カ
プロラクトンの様なラクトンの開環重合体、又はε−ヒ
ドロキシカプロン酸の様なヒドロキシカルボン酸の縮合
重合体であるポリエステルも使用することができる。
【0041】イソシアネート末端ウレタンプレポリマー
においては、ポリオール化合物に加えて低分子ポリオ−
ルを使用してもよい。低分子ポリオ−ルとしては、前述
のポリエステルポリオ−ルを製造するのに用いられる二
価アルコ−ルが挙げられるが、ジエチレングリコール、
1, 3−ブチレングリコール、3−メチル−1, 5−ペ
ンタンジオール及び1, 6−ヘキサメチレングリコール
のいずれか1種又はそれらの混合物を用いることが好ま
しい。1, 6−ヘキサメチレングリコールよりも長鎖の
二価アルコールを用いると、注型成形時の反応性や、最
終的に得られるポリウレタン研磨材成形物の硬度が適切
なものが得られる場合がある。
【0042】イソシアネート成分は、注型成形時に必要
とされるポットライフに応じて適宜に選定されると共
に、生成する末端NCOプレポリマーを低溶融粘度とす
ることが必要である為、単独又は2種以上の混合物で適
用される。
【0043】本発明においてイソシアネート末端プレポ
リマーの鎖延長剤として使用される有機ジアミン化合物
としては、公知の鎖延長剤は特に限定なく使用可能であ
るが、例えば、3, 3’−ジクロロ−4, 4’−ジアミ
ノジフェニルメタン、クロロアニリン変性ジクロロジア
ミノジフェニルメタン、1, 2−ビス(2−アミノフェ
ニルチオ)エタン、トリメチレングリコールージ−p−
アミノベンゾエート、3, 5−ビス(メチルチオ)−
2, 6−トルエンジアミン,1,3−ジエチル−5−メ
チル−ジアミノベンゼン、1,3,5−トリエチル−
2,4−ジアミノベンゼン、1,5−ジエチル−3−メ
チル−2,4−ジアミノベンゼン、アミノ基のo−位置
がメチル基、エチル基等にて置換された4,4’−メチ
レンジアニリン等が挙げられる。
【0044】本発明において、界面活性剤を含んだ状態
での研磨パッド研磨層の硬さは、D型ゴム硬度計にて、
45以上65未満である。D硬度が45未満の場合、平
坦化特性が悪化し、また、65以上の場合は平坦化特性
は良好であるが、均一性が悪化してしまう。
【0045】本発明において、界面活性剤を含んだ状態
での研磨パッドクッション層の硬さが、D型ゴム硬度計
にて1以上40未満であることが好ましい。2以上35
未満であればより好ましく、5以上30未満であれば特
に好ましい。1未満では面内均一性が悪化し、40以上
では平坦化特性が悪化する。
【0046】更に本発明においては、研磨パッドの研磨
層の圧縮率が0.5%以上5%以下であることが好まし
い。該範囲に圧縮率が有ることにより、均一性が優れた
研磨パッドを得ることができる。圧縮率は、次式で表さ
れる。
【0047】 圧縮率(%)=(T1 −T2 )/T1 ×100 ここで、T1 は研磨層を無負荷状態から30kPa(3
00g/cm2 )の応力の負荷を60秒保持したときの
シートの厚みを表し、T2 はT1 の状態から180kP
aの応力の負荷を60秒保持したときのシートの厚みを
示す。
【0048】本発明では研磨パッドに研磨層として使用
される独立気泡タイプのポリウレタン発泡体の密度が
0.6以上1.1以下である事が好ましい。密度が0.
6より小さくなると、その強度が著しく低下し研磨の摩
擦に耐えることができない。また、密度が1.1より大
きい場合は、気泡が殆ど無い状態となり、本発明の気泡
数範囲に入らなくなり、研磨パッドを構成したときの研
磨レートが低下する。
【0049】本発明においては、研磨される対象物の研
磨均一性を向上させる目的で、該研磨パッドが、研磨対
象物に接触する研磨層と該研磨層を支持する該研磨層よ
りも柔らかいクッション層との少なくとも2層の構成と
しても良い。この場合、クッション層としては、ポリエ
ステル不織布、ナイロン不織布、アクリル不織布 等の
繊維不織布層、ないしは、それら不織布にウレタン樹脂
を含浸させた材料、ウレタン樹脂、ポリエチレン樹脂等
の独立気泡発泡体などを使用することができる。これら
のうち、製造しやすさ、安価、物性安定性などの面でウ
レタン含浸ポリエステル不織布、ポリウレタン発泡体又
は、ポリエチレン発泡体が好ましく、特に好ましくはポ
リウレタン独立気泡発泡体である。該発泡体を用いるこ
とにより、繰り返し荷重耐久性が優れ、安価なパッドを
供給することができる。研磨パッドは研磨層とクッショ
ン層に加えて、接着剤層(粘着テープ層)を有していて
もよい。
【0050】本発明の研磨パッドにおいて、研磨層の厚
みは0.8〜2mm程度であることが好ましく、またク
ッション層の厚みは特に限定されるものではなく、使用
する材質により適宜設定されるが、0.5〜2mm程度
であることが研磨層の剛性とのバランス上好ましい。
【0051】本発明の発泡ポリウレタンブロック、研磨
シート、及び研磨パッドの製造方法について説明する。
本発明の発泡ポリウレタンブロック、研磨シート、及び
研磨パッドの製造方法は、以下の工程を有する。 (1)イソシアネート末端プレポリマーの気泡分散液を
作製する撹拌工程 イソシアネート末端プレポリマーにシリコーン系界面活
性剤を添加し、非反応性気体と撹拌し、非反応性気体を
微細気泡として分散させて気泡分散液とする。プレポリ
マーが常温で固体の場合には適宜の温度に予熱し、溶融
して使用する。 (2)硬化剤(鎖延長剤)混合工程 上記の気泡分散液に鎖延長剤を添加し、混合撹拌する。 (3)硬化工程 鎖延長剤を混合したイソシアネート末端プレポリマーを
所定の型に流し込んで加熱硬化させる。
【0052】以上のようにして作製された発泡ポリウレ
タンブロックは、所定のサイズに裁断して研磨シートと
し、研磨層として使用する。
【0053】微細気泡を形成するために使用される非反
応性気体としては、可燃性でないものが好ましく、具体
的には窒素、酸素、炭酸ガス、ヘリウムやアルゴン等の
希ガスやこれらの混合気体が例示され、乾燥して水分を
除去した空気の使用がコスト的にも最も好ましい。
【0054】非反応性気体を微細気泡状にしてシリコー
ン系界面活性剤を含むイソシアネート末端プレポリマー
に分散させる撹拌装置としては、公知の撹拌装置は特に
限定なく使用可能であり、具体的には、ホモジナイザ
ー、ディゾルバー、2軸遊星型ミキサー(プラネタリー
ミキサー)等が例示される。撹拌装置の撹拌翼の形状も
特に限定されないが、ホイッパー型の撹拌翼の使用が微
細気泡が得られ、好ましい。
【0055】なお、撹拌工程において気泡分散液を作成
する撹拌と、混合工程における鎖延長剤を添加して混合
する撹拌は、異なる撹拌装置を使用することも好ましい
態様である。特に混合工程における撹拌は気泡を形成す
る撹拌でなくてもよく、大きな気泡を巻き込まない撹拌
装置の使用が好ましい。このような撹拌装置としては、
遊星型ミキサーが好適である。撹拌工程と混合工程の撹
拌装置を同一の撹拌装置を使用しても支障はなく、必要
に応じて撹拌翼の回転速度を調整する等の撹拌条件の調
整を行って使用することも好適である。
【0056】本発明のポリウレタン発泡体の製造方法に
おいては、気泡分散液を型に流し込んで流動しなくなる
まで反応した発泡体を、加熱、ポストキュアーすること
は、発泡体の物理的特性を向上する効果があり、極めて
好適である。金型に気泡分散液を流し込んで直ちに加熱
オーブン中に入れてポストキュアーを行う条件としても
よく、そのような条件下でも直ぐに反応成分に熱が伝達
されないので、気泡径が大きくなることはない。硬化反
応は、常圧で行うことが気泡形状が安定するために好ま
しい。
【0057】本発明においては、第3級アミン系、有機
錫系等の公知のポリウレタン反応を促進する触媒を使用
してもかまわない。触媒の種類、添加量は、混合工程
後、所定形状の型に流し込む流動時間を考慮して選択す
る。
【0058】本発明の研磨層を構成する独立気泡タイプ
のポリウレタン発泡体の製造は、容器に各成分を計量し
て投入し、撹拌するバッチ方式であっても、また撹拌装
置に各成分と非反応性気体を連続して供給して撹拌し、
気泡分散液を送り出して成形品を製造する連続生産方式
であってもよい。
【0059】本発明の半導体ウエハの研磨方法は、公知
の研磨機を使用し、本発明の研磨パッドを装着して行う
ことができる。研磨に際して研磨層と半導体ウエハの間
に供給する研磨剤は、半導体ウエハの研磨に使用する公
知の研磨剤が限定なく使用可能である。具体的には、セ
リア、シリカ等の研磨剤が例示される。市販品、例えば
スラリーSemiSperse−12(キャボット社
製)の使用も好適である。
【0060】
【実施例】[研磨パッドの作製] (実施例1)容器にポリエーテル系ウレタンプレポリマ
ー(ユニローヤル社製アジプレンL−325)を300
0重量部と、シリコーン系界面活性剤SH−192(ジ
メチルポリシロキサン・ポリオキシアルキレングリコー
ル共重合体 東レダウコーニングシリコーン社製)を1
20重量部を入れ、撹拌機にて約900rpmで撹拌し
発泡溶液(気泡分散液)を作り、その後、撹拌機を交換
し硬化剤として溶融した4,4′−メチレン−ビス(2
−クロロアニリン)を770重量部を撹拌しながら投入
する。約1分間撹拌した後、パン型のオープンモールド
へ混合液を入れ、オーブンにて110℃にて6時間ポス
トキュアを行い、発泡ポリウレタンブロックを作製し
た。得られた発泡ポリウレタンは、気泡数が350個/
mm2 であり、アスカーD硬度にて52であり、圧縮率
は2.0%、比重は0.8で、平均気泡径40μmであ
った。また、界面活性剤の含有量を分析したところ約3
wt%含有していることを確認した。次にこの発泡ポリ
ウレタンブロックを、約50℃に加熱しながらスライサ
ーVGW−125(アミテック社製)にて厚さ1.27
mmにスライスし研磨シートを得た。次に柔らかい層と
しては、3.5デニールのポリエステル繊維を用いた目
付け量200g/m2 の不織布に、水分散ポリウレタン
エマルジョンを30wt%含浸させ、乾燥させたものを
用いた。この不織布層の圧縮率は約15%であった。こ
の不織布を、先に製作した研磨層と両面テープダブルタ
ックテープ#5782(積水化学工業社製)にて貼り合
せ、該不織布に更に両面テープダブルタックテープ#5
782(積水化学工業社製)を貼り合せ、研磨パッドを
完成させた。図1に得られた研磨パッドの構成概略図を
示す。研磨パッド1は、研磨層3、クッション層5を有
し、研磨層3とクッション層5は両面テープ7にて接
着、積層されておりクッション層5には研磨機に装着す
るための両面粘着テープ層9が設けられている。
【0061】(実施例2)実施例1のシリコーン系界面
活性剤SH−192の添加量を40重量部に変更し、そ
れ以外は実施例1と同様に研磨パッドを製作した。得ら
れた発泡ポリウレタンは、気泡数が240個/mm2
あり、D硬度にて59、圧縮率1.3%、比重0.85
であり、平均気泡径55μmであった。また、界面活性
剤の含有量を分析したところ約1.0wt%含有してい
ることを確認した。
【0062】(実施例3)実施例1のシリコーン系界面
活性剤SH−192の添加量を50重量部に変更し、そ
れ以外は実施例1と同様に研磨パッドを製作した。得ら
れた発泡ポリウレタンは、気泡数が230個/mm2
あり、D硬度にて58、圧縮率1.4%、比重0.87
であり、平均気泡径35μmであった。また、界面活性
剤の含有量を分析したところ約1.3wt%含有してい
ることを確認した。
【0063】(実施例4)実施例1のシリコーン系界面
活性剤SH−192の添加量を180重量部に変更し、
それ以外は実施例1と同様に研磨パッドを製作した。得
られた発泡ポリウレタンは、気泡数が380個/mm2
であり、D硬度にて47、圧縮率2.4%、比重0.7
8であり、平均気泡径34μmであった。また、界面活
性剤の含有量を分析したところ約4.5wt%含有して
いることを確認した。
【0064】(実施例5)実施例1で得られた研磨シー
トにダブルタックテープ #5782を貼り、これに弾
性率の低い層として下記の層を張り合わせた。下層の柔
らかい層としては、発泡倍率10倍のポリエチレン発泡
体を用いた。この発泡体層の圧縮率は約10%であっ
た。この発泡体を、先に製作した研磨層と両面テープを
用いて貼り合せ、さらに該発泡体にダブルタックテープ
#5782を貼り合せ、研磨パッドを完成させた。
【0065】(実施例6)実施例2で得られた研磨シー
トにダブルタックテープ#5782を貼り、これに弾性
率の低い層として下記の層を貼り合わせた。下層の柔ら
かい層としては、3.5デニールのポリエステル繊維を
用いた目付け量200g/m2 の不織布に、水分散ポリ
ウレタンエマルジョンを30wt%含浸させ、乾燥させ
たものを用いた。この不織布層は圧縮率は約15%であ
った。この不織布を、先に製作した研磨層と先に貼り付
けた両面テープを用いて貼り合せ、さらに該不織布に両
面テープ ダブルタックテープ#5673FW(積水化
学工業社製)を貼り合せ、研磨パッドを完成させた。
【0066】(実施例7)実施例3で得られた研磨シー
トにダブルタックテープ#5782を貼り、これに弾性
率の低い層として下記の層を貼り合わせた。下層の柔ら
かい層としては、発泡倍率15倍のポリウレタン発泡体
を用いた。この発泡体層の圧縮率は約12%であった。
この発泡体を、先に製作した研磨層と両面テープを用い
て貼り合せ、さらに該発泡体にダブルタックテープ#5
782を貼り合せ、研磨パッドを完成させた。
【0067】(実施例8)実施例4で得られた研磨シー
トにダブルタックテープ#5782を貼り、これに弾性
率の低い層として下記の層を貼り合わせた。下層の柔ら
かい層としては、発泡倍率15倍のポリウレタン発泡体
を用いた。この発泡体層の圧縮率は約12%であった。
この発泡体を、先に製作した研磨層と両面テープを用い
て貼り合せ、さらに該発泡体にダブルタックテープ#5
782を貼り合せ、研磨パッドを完成させた。
【0068】(比較例1)実施例1のシリコーン系界面
活性剤の添加量を1.0重量部に変更し、それ以外は実
施例1と同様に研磨パッドを製作した。得られた発泡ポ
リウレタンは気泡が上手く形成できず、その数は少なか
った。また、その物性は気泡数100個/mm2 、D硬
度にて62、圧縮率0.9%、比重0.9であり、平均
気泡径80μmであった。また、界面活性剤の含有量を
分析したところ約0.03wt%含有していることを確
認した。
【0069】(比較例2)実施例1のシリコーン系界面
活性剤の添加量を1.4重量部に変更し、それ以外は実
施例1と同様に研磨パッドを製作した。得られた発泡ポ
リウレタンは気泡が上手く形成できず、その数は少なか
った。また、その物性は気泡数110個/mm2 、D硬
度にて50、圧縮率1.4%、比重1.15であり、平
均気泡径65μmであった。また、界面活性剤の含有量
を分析したところ約0.04wt%含有していることを
確認した。
【0070】(比較例3)実施例1のシリコーン系界面
活性剤の添加量を100重量部に変更し、多くの気泡を
発生させる為に、中空樹脂粒子(松本油脂、直径5μ
m)を添加した。それ以外は実施例1と同様に研磨パッ
ドを製作した。この場合、撹拌時に大きな気泡が発生し
た。また、その物性は,気泡数850個/mm2 、D硬
度にて45、圧縮率2.3%、比重0.70であり、平
均気泡径25μmであった。また、界面活性剤の含有量
を分析したところ約2.6wt%含有していることを確
認した。
【0071】(比較例4)実施例1のシリコーン系界面
活性剤の添加量を500重量部に変更し、それ以外は実
施例1と同様に研磨パッドを製作した。この場合、細か
な泡が均一に発生した。その物性は気泡数700個/m
2 、D硬度にて30、圧縮率5.2%、比重0.45
であり、平均気泡径28μmであった。また、界面活性
剤の含有量を分析したところ約12wt%含有している
ことを確認した。
【0072】(比較例5)比較例1で得られた研磨シー
トにダブルタックテープ#5782を貼り、これに弾性
率の低い層として下記の層を張り合わせた。下層の柔ら
かい層としては、発泡倍率10倍のポリウレタン発泡体
を用いた。この発泡体層の圧縮率は約10%であった。
さらに該発泡体にダブルタックテープ#5782を貼り
合せ、研磨パッドを完成させた。
【0073】(比較例6)比較例2で得られた研磨シー
トにダブルタックテープ#5782を貼り、これに弾性
率の低い層として下記の層を張り合わせた。下層の柔ら
かい層としては、発泡倍率15倍のポリウレタン発泡体
を用いた。この発泡体層の圧縮率は約12%であった。
さらに該発泡体にダブルタックテープ#5782を貼り
合せ、研磨パッドを完成させた。
【0074】(比較例7)比較例4で得られた研磨シー
トにダブルタックテープ#5782を貼り、これに弾性
率の低い層として下記の層を貼り合わせた。下層の柔ら
かい層としては、3.5デニールのポリエステル繊維を
用いた目付け量200g/m2 の不織布に、水分散ポリ
ウレタンエマルジョンを30wt%含浸させ、乾燥させ
たものを用いた。この不織布層は圧縮率は約15%であ
った。この不織布を、先に製作した研磨層と先に貼り付
けた両面テープを用いて貼り合せ、さらに該不織布に両
面テープ ダブルタックテープ#5673FW(積水化
学工業社製)を貼り合せ、研磨パッドを完成させた。
【0075】[評価] <研磨特性の評価>研磨装置として岡本工作機械社製S
PP600Sを用いて、研磨特性の評価を行った。酸化
膜の膜厚測定には大塚電子社製の干渉式膜厚測定装置を
用いた。研磨条件としては、薬液として、スラリーSe
miSperse−12(キャボット社製)を150m
l/minで滴下した。研磨荷重としては350g/c
2、研磨定板回転数35rpm、ウエハ回転数30r
pmとした。研磨特性の評価では、8インチシリコーン
ウエハに熱酸化膜を0.5μm堆積させた後、下記のパ
ターンニング(270/30と30/270のライン/
スペース)を行った後、p−TEOSにて酸化膜を1μ
m堆積させ、初期段差0.5μmのパターン付きウエハ
を製作し、このウエハを前述条件にて研磨を行い、研磨
後、各段差を測定し平坦化特性を評価した。平坦化特性
としては2つの段差を評価した。1つはローカル段差で
あり、これは幅270μmのラインが30μmのスペー
スで並んだパターンにおける段差であり、もうひとつは
30μmラインが270μmのスペースで並んだパター
ンのスペースの底部分の削れ量を調べた。また、平均研
磨レートは上記270μmのライン部分と30μmのラ
イン部分の平均値を平均研磨レートとした。
【0076】<気泡数評価>気泡数の計測は、得られた
発泡体研磨層をミクロトームで断面を切り出し(サンプ
ルサイズ:5mm×5mm)、その断面(測定面積:
0.45mm×0.67mm)の200倍の顕微鏡画像
を画像処理装置イメージアナライザーV10(東洋紡績
社製)にて、気泡を分離し、単位面積あたりの気泡数及
び、気泡粒度分布を測定した。なお、気泡の検出限度は
1μmである。
【0077】<平均気泡径評価>平均気泡径の計測は、
得られた発泡体研磨層をミクロトームで断面を切り出
し、その断面の200倍の顕微鏡画像を画像処理装置イ
メージアナライザーV10(東洋紡績社製)にて、気泡
を分離し、単位面積あたりの気泡粒度分布を測定し、平
均気泡径を算出した。
【0078】<圧縮率評価>圧縮率は、発泡体研磨層
(サンプルサイズ直径7mm)を直径5mmの円筒状の
圧子を利用し、マックサイエンス社製TMAにて25℃
にて荷重を印加し、T1(μm)、T2(μm)を測定
した。 圧縮率(%)=[(T1−T2)/T1]×100 ここで、T1は無負荷状態から30kPa(300g/
cm2 )の応力の負荷を60秒保持したときのシートの
厚みを表し、T2はT1の状態から180kPaの応力
の負荷を60秒保持したときのシートの厚みを示す。
【0079】<D硬度測定法>JIS K6253に準
じて測定する。1. 27mm厚にスライスされた研磨層を
1.5cm角で6枚切り出す。切り出したサンプルは、
23. 5度±2 ℃×湿度50%×16時間保持した後6
枚のサンプルを積み重ねて、D硬度計にセットする。D
硬度計の針を6枚積み重ねたサンプルに突き刺した後、
1分後のD硬度計指針を読み取る。
【0080】<均一性評価>研磨を行った酸化膜付きシ
リコンウエハの研磨面20ヶ所について、干渉式膜厚測
定装置を用いて膜厚を測定した。その膜厚の最大値Rm
axと最小値Rminを用いて、下記式により均一性
(%)を算出する。 均一性(%)=(Rmax−Rmin)/(Rmax+
Rmin)×100 <界面活性剤の定量法>研磨パッドを15mg計り取
り、該研磨パッドをジメチルスルホキシド−d6(0.
7ml)に130℃で溶解した。その溶液を遠心沈降さ
せ、上澄み液にテトラクロロエタンを5mg添加し、プ
ロトンNMR装置(Bruker製、AVANCE−5
00、500MHz)により測定温度80℃、検出パル
ス15°、FID取込み時間4秒、繰返し時間9秒、お
よび測定範囲−2〜14ppmの条件下でスペクトルを
測定した。なお、フーリエ変換時のウィンドウ関数は用
いない。得られたスペクトルにおける6.8ppm付近
に現れるテトラクロロエタンに基づくピークと0ppm
付近のSiに結合したメチル基に基づくピークの面積か
ら界面活性剤の含有量(wt%)を定量した。
【0081】[評価結果]評価結果を表1に特性と共に
示した。実施例1〜8の研磨パッドを使用した場合に
は、研磨レートは高く安定しており、均一性も10%以
下と良好で、平坦化特性も極めて優れていることが分か
った。
【0082】一方、比較例1の研磨パッドは、平坦化特
性が良好であったが、研磨レートは小さく、しかも不安
定で測定ごとに大きく変化した。比較例2の研磨パッド
は、研磨レートが不安定で測定ごとに大きく変化した。
比較例3の研磨パッドは、均一性は10%以下で良好で
あったものの、研磨レートが不安定で、平坦化特性がや
や悪化した。比較例4の研磨パッドは、平坦化特性が著
しく悪化した。比較例5の研磨パッドは、平坦化特性は
良かったものの、研磨レートはやや小さく、均一性も8
%程度であった。比較例6の研磨パッドは、平坦化特性
が悪く、研磨レートも低いものであった。比較例7の研
磨パッドは、均一性が非常に良好であるものの、研磨レ
ートはやや低く、平坦化特性は極めて悪かった。
【0083】
【表1】
【図面の簡単な説明】
【図1】研磨パッドの構成を例示した概略図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 孝敏 滋賀県大津市堅田二丁目1番1号 東洋 紡績株式会社総合研究所内 (72)発明者 木村 毅 大阪府大阪市西区江戸堀1丁目17番18号 東洋ゴム工業株式会社内 (72)発明者 小川 一幸 大阪府大阪市西区江戸堀1丁目17番18号 東洋ゴム工業株式会社内 (56)参考文献 特開2001−358101(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304 B24B 37/00 C08L 75/04

Claims (16)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 研磨層が独立気泡タイプの樹脂製発泡体
    の半導体研磨パッドにおいて、前記樹脂製発泡体の樹脂
    成分がポリウレタン樹脂のみであり、さらに前記研磨層
    の独立気泡の気泡数が200個/mm2 以上600個/
    mm2 以下であり、且つ、平均気泡径が30μm以上6
    0μm以下であり、さらに前記研磨層の硬さがD型ゴム
    硬度計にて45以上65未満であることを特徴とする半
    導体ウエハ研磨パッド。
  2. 【請求項2】 前記ポリウレタン樹脂が0.05wt%
    〜5wt%のシリコーン系界面活性剤を含有することを
    特徴とする請求項1記載の半導体ウエハ研磨パッド。
  3. 【請求項3】 前記シリコーン系界面活性剤が、ポリア
    ルキルシロキサンとポリエーテルの共重合体であること
    を特徴とする請求項2に記載の半導体ウエハ研磨パッ
    ド。
  4. 【請求項4】 前記研磨層の圧縮率が0.5%以上5%
    以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに
    記載の半導体ウエハ研磨パッド。
  5. 【請求項5】 さらにクッション層が研磨対象物に接触
    する前記研磨層に積層された少なくとも2層の構成とな
    っており、前記クッション層は前記研磨層よりも柔らか
    いものである請求項1〜4のいずれかに記載の半導体ウ
    エハ研磨パッド。
  6. 【請求項6】 前記クッション層が、ウレタン含浸ポリ
    エステル不織布、ポリウレタン発泡体、又はポリエチレ
    ン発泡体から選択されるものである請求項5に記載の半
    導体ウエハ研磨パッド。
  7. 【請求項7】 研磨層を有する研磨パッドを回転させつ
    つ半導体ウエハに当接させ、前記研磨層と前記半導体ウ
    エハの間に研磨剤を供給しつつ研磨する半導体ウエハの
    研磨方法であって、 前記研磨層は独立気泡タイプの樹脂製発泡体であり、前
    記樹脂製発泡体の樹脂成分がポリウレタン樹脂のみであ
    り、さらに前記研磨層の独立気泡の気泡数が200個/
    mm2 以上600個/mm2 以下であり、且つ、平均気
    泡径が30μm以上60μm以下であり、さらに前記研
    磨層の硬さがD型ゴム硬度計にて45以上65未満であ
    ることを特徴とする半導体ウエハの研磨方法。
  8. 【請求項8】 前記ポリウレタン樹脂は、シリコーン系
    界面活性剤を0.05wt%〜5wt%含有する請求項
    7記載の半導体ウエハの研磨方法。
  9. 【請求項9】 独立気泡タイプの樹脂製発泡体からなる
    研磨パッド用研磨シートにおいて、前記樹脂製発泡体の
    樹脂成分がポリウレタン樹脂のみであり、さらに前記樹
    脂製発泡体の独立気泡の気泡数が200個/mm2 以上
    600個/mm2以下であり、且つ、平均気泡径が30
    μm以上60μm以下であり、さらに前記樹脂製発泡体
    の硬さがD型ゴム硬度計にて45以上65未満であるこ
    とを特徴とする研磨パッド用研磨シート。
  10. 【請求項10】 前記ポリウレタン樹脂が0.05wt
    %〜5wt%のシリコーン系界面活性剤を含有すること
    を特徴とする請求項9記載の研磨パッド用研磨シート。
  11. 【請求項11】 前記シリコーン系界面活性剤が、ポリ
    アルキルシロキサンとポリエーテルの共重合体であるこ
    とを特徴とする請求項10記載の研磨パッド用研磨シー
    ト。
  12. 【請求項12】 前記樹脂製発泡体の圧縮率が0.5%
    以上5%以下であることを特徴とする請求項9〜11の
    いずれかに記載の研磨パッド用研磨シート。
  13. 【請求項13】 独立気泡タイプの樹脂製発泡体からな
    る研磨シート用発泡体ブロックにおいて、前記樹脂製発
    泡体の樹脂成分がポリウレタン樹脂のみであり、さらに
    前記樹脂製発泡体の独立気泡の気泡数が200個/mm
    2 以上600個/mm2 以下であり、且つ、平均気泡径
    が30μm以上60μm以下であり、さらに前記樹脂製
    発泡体の硬さがD型ゴム硬度計にて45以上65未満で
    あることを特徴とする研磨シート用発泡体ブロック。
  14. 【請求項14】 前記ポリウレタン樹脂が0.05wt
    %〜5wt%のシリコーン系界面活性剤を含有すること
    を特徴とする請求項13記載の研磨シート用発泡体ブロ
    ック。
  15. 【請求項15】 前記シリコーン系界面活性剤が、ポリ
    アルキルシロキサンとポリエーテルの共重合体であるこ
    とを特徴とする請求項14記載の研磨シート用発泡体ブ
    ロック。
  16. 【請求項16】 前記樹脂製発泡体の圧縮率が0.5%
    以上5%以下であることを特徴とする請求項13〜15
    のいずれかに記載の研磨シート用発泡体ブロック。
JP2002117767A 2001-11-13 2002-04-19 半導体ウエハ研磨パッド、半導体ウエハの研磨方法、研磨パッド用研磨シート、及び研磨シート用発泡体ブロック Expired - Lifetime JP3455208B2 (ja)

Priority Applications (14)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002117767A JP3455208B2 (ja) 2001-11-13 2002-04-19 半導体ウエハ研磨パッド、半導体ウエハの研磨方法、研磨パッド用研磨シート、及び研磨シート用発泡体ブロック
US10/494,249 US7651761B2 (en) 2001-11-13 2002-10-03 Grinding pad and method of producing the same
CN02822514A CN100592474C (zh) 2001-11-13 2002-10-03 研磨垫及其制造方法
PCT/JP2002/010310 WO2003043071A1 (fr) 2001-11-13 2002-10-03 Tampon de polissage e son procede de fabrication
KR1020087006777A KR100877386B1 (ko) 2001-11-13 2002-10-03 연마 패드 및 그 제조 방법
KR1020047007185A KR100845481B1 (ko) 2001-11-13 2002-10-03 연마 패드 및 그 제조 방법
KR1020087006773A KR100877383B1 (ko) 2001-11-13 2002-10-03 연마 패드 및 그 제조 방법
KR1020087006778A KR100877542B1 (ko) 2001-11-13 2002-10-03 연마 패드 및 그 제조 방법
KR1020087006776A KR100877385B1 (ko) 2001-11-13 2002-10-03 연마 패드 및 그 제조 방법
KR1020087006780A KR100877389B1 (ko) 2001-11-13 2002-10-03 연마 패드 및 그 제조 방법
KR1020087006779A KR100877388B1 (ko) 2001-11-13 2002-10-03 연마 패드 및 그 제조 방법
KR1020087006782A KR100877390B1 (ko) 2001-11-13 2002-10-03 연마 패드 및 그 제조 방법
US11/466,878 US8318825B2 (en) 2001-11-13 2006-08-24 Polishing pad and method of producing the same
US11/466,909 US7488236B2 (en) 2001-11-13 2006-08-24 Polishing pad and method of producing the same

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001-347538 2001-11-13
JP2001347538 2001-11-13
JP2001-347585 2001-11-13
JP2001347585 2001-11-13
JP2002117767A JP3455208B2 (ja) 2001-11-13 2002-04-19 半導体ウエハ研磨パッド、半導体ウエハの研磨方法、研磨パッド用研磨シート、及び研磨シート用発泡体ブロック

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003218074A JP2003218074A (ja) 2003-07-31
JP3455208B2 true JP3455208B2 (ja) 2003-10-14

Family

ID=27670257

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002117767A Expired - Lifetime JP3455208B2 (ja) 2001-11-13 2002-04-19 半導体ウエハ研磨パッド、半導体ウエハの研磨方法、研磨パッド用研磨シート、及び研磨シート用発泡体ブロック

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3455208B2 (ja)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7267607B2 (en) * 2002-10-28 2007-09-11 Cabot Microelectronics Corporation Transparent microporous materials for CMP
US7435161B2 (en) * 2003-06-17 2008-10-14 Cabot Microelectronics Corporation Multi-layer polishing pad material for CMP
US7101275B2 (en) * 2003-09-26 2006-09-05 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Resilient polishing pad for chemical mechanical polishing
JP2005197408A (ja) * 2004-01-06 2005-07-21 Toyo Tire & Rubber Co Ltd Cmp用研磨パッド、及びそれを用いた研磨方法
JP3754436B2 (ja) 2004-02-23 2006-03-15 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドおよびそれを使用する半導体デバイスの製造方法
JP2006187837A (ja) * 2005-01-06 2006-07-20 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド
KR100909605B1 (ko) 2005-03-08 2009-07-27 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드 및 그 제조 방법
KR100949560B1 (ko) 2005-05-17 2010-03-25 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드
JP4884725B2 (ja) 2005-08-30 2012-02-29 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP4884726B2 (ja) 2005-08-30 2012-02-29 東洋ゴム工業株式会社 積層研磨パッドの製造方法
JP5031236B2 (ja) * 2006-01-10 2012-09-19 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP5091417B2 (ja) * 2006-03-30 2012-12-05 富士紡ホールディングス株式会社 研磨布
KR101107043B1 (ko) 2006-08-28 2012-01-25 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드
JP5008927B2 (ja) 2006-08-31 2012-08-22 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP5013586B2 (ja) * 2006-09-12 2012-08-29 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド及びその製造方法
SG177963A1 (en) 2007-01-15 2012-02-28 Toyo Tire & Rubber Co Polishing pad and method for producing the same
JP5078000B2 (ja) 2007-03-28 2012-11-21 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP4593643B2 (ja) 2008-03-12 2010-12-08 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP2009275461A (ja) * 2008-05-16 2009-11-26 Ykk Ap株式会社 建具
JP2010268012A (ja) * 2010-09-01 2010-11-25 Toyo Tire & Rubber Co Ltd Cmp用研磨パッド、及びそれを用いた研磨方法
JP5797981B2 (ja) * 2011-09-06 2015-10-21 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP5875300B2 (ja) * 2011-09-06 2016-03-02 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド及びその製造方法
JP2014111296A (ja) * 2012-11-05 2014-06-19 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド及びその製造方法
JP6439958B2 (ja) * 2014-03-31 2018-12-19 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド
US9731398B2 (en) * 2014-08-22 2017-08-15 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holding, Inc. Polyurethane polishing pad
TW201628785A (zh) * 2014-10-01 2016-08-16 Nitto Denko Corp 硏磨墊

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003218074A (ja) 2003-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3455208B2 (ja) 半導体ウエハ研磨パッド、半導体ウエハの研磨方法、研磨パッド用研磨シート、及び研磨シート用発泡体ブロック
JP4593643B2 (ja) 研磨パッド
US7651761B2 (en) Grinding pad and method of producing the same
JP4189963B2 (ja) 研磨パッド
JP5393434B2 (ja) 研磨パッド及びその製造方法
KR101107842B1 (ko) 연마패드 및 이를 사용하는 반도체 디바이스의 제조방법
JP5248152B2 (ja) 研磨パッド
JP3788729B2 (ja) 研磨パッド
JP4189962B2 (ja) 研磨パッドの製造方法
KR20160132882A (ko) 연마 패드 및 그 제조 방법
JP2003145414A (ja) 研磨パッド及びその製造方法
JP4986129B2 (ja) 研磨パッド
JP3494641B1 (ja) 半導体ウエハ研磨用研磨パッド
JP5426469B2 (ja) 研磨パッドおよびガラス基板の製造方法
JP5306677B2 (ja) 研磨パッド
JP3494640B1 (ja) 研磨パッド
JP5377909B2 (ja) 研磨パッド及びその製造方法
JP5230227B2 (ja) 研磨パッド
JP3570681B2 (ja) 研磨パッド
JP5393040B2 (ja) 研磨パッド
JP5661130B2 (ja) 研磨パッド
JP4743958B2 (ja) 研磨パッド
JP5184200B2 (ja) 研磨パッド
JP2009214220A (ja) 研磨パッド
JP5132369B2 (ja) 研磨パッド

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20030714

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3455208

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R370 Written measure of declining of transfer procedure

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090725

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090725

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100725

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110725

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110725

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150725

Year of fee payment: 12

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02

EXPY Cancellation because of completion of term