JP5797981B2 - 研磨パッド - Google Patents
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Description
前記ポリシロキサン基含有ジオールの含有量は、ポリウレタン樹脂発泡体の全原料に対して1〜10重量%であることを特徴とする研磨パッド、に関する。
(式中、R1は炭素数が1〜12のアルキル基であり、nは10〜380の整数であり、mは1〜12の整数である。)
(式中、R1は炭素数が1〜12のアルキル基であり、nは10〜380の整数であり、mは1〜12の整数である。)
1)中空微小体の混合工程
イソシアネート末端プレポリマーを含む第1成分に中空微小体を添加し、均一に分散させて分散液を得る。前記プレポリマーが常温で固体の場合には適宜の温度に予熱し、溶融して使用する。
2)硬化剤(鎖延長剤)の混合工程
上記分散液に鎖延長剤を含む第2成分を添加、混合して反応液を得る。
3)注型工程
上記反応液を金型に流し込む。
4)硬化工程
金型に流し込まれた反応液を加熱し、反応硬化させる。
(ポリオール成分の重量平均分子量の測定)
ポリオール成分の重量平均分子量は、GPC(ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ)にて測定し、標準ポリスチレンにより換算した。
GPC装置:島津製作所製、LC−10A
カラム:Polymer Laboratories社製、(PLgel、5μm、500Å)、(PLgel、5μm、100Å)、及び(PLgel、5μm、50Å)の3つのカラムを連結して使用
流量:1.0ml/min
濃度:1.0g/l
注入量:40μl
カラム温度:40℃
溶離液:テトラヒドロフラン
JIS K6253−1997に準拠して行った。作製したポリウレタン樹脂発泡体を2cm×2cm(厚み:任意)の大きさに切り出したものを硬度測定用試料とし、温度23℃±2℃、湿度50%±5%の環境で16時間静置した。測定時には、試料を重ね合わせ、厚み6mm以上とした。硬度計(高分子計器社製、アスカーD型硬度計)を用い、硬度を測定した。
JIS Z8807−1976に準拠して行った。作製したポリウレタン樹脂発泡体を4cm×8.5cmの短冊状(厚み:任意)に切り出したものを比重測定用試料とし、温度23℃±2℃、湿度50%±5%の環境で16時間静置した。測定には比重計(ザルトリウス社製)を用い、比重を測定した。
JIS K7312に準拠して測定した。作製したポリウレタン樹脂発泡体を幅20mm×長さ50mm×厚み1.27mmの大きさに切り出したものをサンプルとした。該サンプルを25℃の蒸留水中に48時間浸漬し、浸漬前後の重さを下記式に代入して吸水率を算出した。
吸水率(%)=[(浸漬後の重さ−浸漬前の重さ)/浸漬前の重さ]×100
作製したポリウレタン樹脂発泡体を幅1cm、長さ3cm、厚み2mmの大きさに切り出したものをサンプルとした。測定装置としてインストロン社製の5864卓上試験システムを用い、曲げ強度測定用治具の交点間距離22mm、クロスヘッド速度0.6mm/min、移動変位量6.0mmの条件でサンプルの応力及び歪を測定し、下記式により曲げ弾性率を算出した。
曲げ弾性率=(直線部分の2点間の応力差)/(同じ2点間の歪の差)
また、サンプルを23℃±2℃の蒸留水に48時間浸漬し、その後、前記と同様の方法で曲げ弾性率を算出した。
曲げ弾性変化率は下記式により算出した。
曲げ弾性変化率(%)=(浸漬前の曲げ弾性率−浸漬後の曲げ弾性率)/(浸漬前の曲げ弾性率)×100
研磨装置としてSPP600S(岡本工作機械社製)を用い、作製した研磨パッドを用いて、研磨速度の測定を行った。研磨速度は、8インチのシリコンウエハ上に熱酸化膜2000Å、Ta100Å、TaN100Å、及びCu−seed800Åをこの順で堆積させ、その上にCuメッキ25000Åを製膜したものを1枚につき60秒研磨し、このときの研磨量から算出した。初期研磨速度は4枚目の研磨速度とした。後期研磨速度は12枚目の研磨速度とした。そして、研磨速度維持率は下記式により算出した。
研磨速度維持率(%)=[1−{(初期研磨速度−後期研磨速度)/初期研磨速度}]×100
Cu膜の膜厚測定には、非接触抵抗測定システム(ナプソン社製、Model−NC−80M)を用いた。研磨条件としては、スラリーとして、Cu用中性スラリー(フジミインコーポレット社製、PL7101)に過酸化水素を1重量%添加したものを研磨中に流量200ml/minにて添加した。研磨荷重としては2psi、研磨定盤回転数70rpm、ウエハ回転数70rpmとした。なお、作製した研磨パッドをプラテンに貼付後に、ダイヤモンド砥粒ディスク(旭ダイヤ社製、M#100)を用いて研磨パッド表面を30分間ドレス処理した。ドレス処理条件は、ディスク荷重0.6psi、研磨定盤回転数30rpm、ディスク回転数15rpmとした。
容器にトルエンジイソシアネート(2,4−体/2,6−体=80/20の混合物)1173重量部、イソホロンジイソシアネート264重量部、一般式(1)で表されるポリシロキサン基含有ジオールA(チッソ株式会社、FM−DA11、R1:ブチル基、m:3、重量平均分子量:1000、水酸基価:112.2mgKOH/g)48重量部、重量平均分子量1000のポリテトラメチレンエーテルグリコール1638重量部、重量平均分子量650のポリテトラメチレンエーテルグリコール283重量部、及びジエチレングリコール195重量部を入れ、70℃で4時間反応させてイソシアネート末端プレポリマーA(NCOwt%:9.25wt%)を得た。
70℃に調整し減圧脱泡した前記プレポリマーA100重量部、及び中空微小体としてエクスパンセル551DE(日本フィライト社製)3重量部を重合容器内に加え、ハイブリッドミキサー(キーエンス製)で3分間混合した。得られた混合液を70℃で1時間減圧脱泡して分散液を得た。そこへ予め120℃に溶融した4,4’−メチレンビス(o−クロロアニリン)26.4重量部を添加し(NCO Index:1.1)、ハイブリッドミキサーで1分間混合して反応液を調製した。そして、該反応液をパン型のオープンモールド(注型容器)へ流し込んだ。この反応液の流動性がなくなった時点でオーブン内に入れ、100℃で16時間ポストキュアを行い、ポリウレタン樹脂発泡体ブロックを得た。
約80℃に加熱した前記ポリウレタン樹脂発泡体ブロックをスライサー(アミテック社製、VGW−125)を使用してスライスし、ポリウレタン樹脂発泡体シートを得た。次に、バフ機(アミテック社製)を使用して、厚さ1.27mmになるまで該シートの表面バフ処理をし、厚み精度を整えたシートとした。このバフ処理をしたシートを直径61cmの大きさで打ち抜き、溝加工機(テクノ社製)を用いて表面に溝幅0.25mm、溝ピッチ1.50mm、溝深さ0.40mmの同心円状の溝加工を行い、研磨層を得た。この研磨層の溝加工面と反対側の面にラミ機を使用して、両面テープ(積水化学工業社製、ダブルタックテープ)を貼りつけた。更に、コロナ処理をしたクッションシート(東レ社製、ポリエチレンフォーム、トーレペフ、厚み0.8mm)の表面をバフ処理し、それを前記両面テープにラミ機を使用して貼り合わせた。さらに、クッションシートの他面にラミ機を使用して両面テープを貼り合わせて研磨パッドを作製した。
表1に記載の配合を採用した以外は実施例1と同様の方法で研磨パッドを作製した。表1中のポリシロキサン基含有ジオールB及びCは以下のとおりである。
一般式(1)で表されるポリシロキサン基含有ジオールB(チッソ株式会社、FM−DA21、R1:ブチル基、m:3、重量平均分子量:5000、水酸基価:22.4mgKOH/g)
一般式(1)で表されるポリシロキサン基含有ジオールC(チッソ株式会社、FM−DA26、R1:ブチル基、m:3、重量平均分子量:15000、水酸基価:7.5mgKOH/g)
2:研磨定盤
3:研磨剤(スラリー)
4:研磨対象物(半導体ウエハ)
5:支持台(ポリシングヘッド)
6、7:回転軸
Claims (3)
- 中空微小体を含むポリウレタン樹脂発泡体からなる研磨層を有する研磨パッドにおいて、前記ポリウレタン樹脂発泡体は、原料として下記一般式(1)で表されるポリシロキサン基含有ジオールを含み、
前記ポリシロキサン基含有ジオールの含有量は、ポリウレタン樹脂発泡体の全原料に対して1〜10重量%であることを特徴とする研磨パッド。
(式中、R1は炭素数が1〜12のアルキル基であり、nは10〜380の整数であり、mは1〜12の整数である。) - ポリシロキサン基含有ジオールの水酸基価が、7〜120mgKOH/gである請求項1記載の研磨パッド。
- 請求項1又は2記載の研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法。
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