KR102277418B1 - 가교 밀도가 향상된 연마패드 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

구현예에 따른 연마패드는, 가교 밀도가 제어됨으로써 연마율 및 패드절삭률 등의 CMP 성능을 향상시킬 수 있다. 또한 구현예에 따른 연마패드의 제조방법은, 경화를 위한 몰드의 예열 온도를 조절하는 간단한 방법에 의해 이와 같은 가교 밀도를 구현해낼 수 있다. 따라서, 상기 연마패드는 CMP 공정을 포함하는 반도체 소재의 제조 공정에 적용되어 우수한 품질의 웨이퍼 등의 반도체 소재를 제공할 수 있다.

Description

가교 밀도가 향상된 연마패드 및 이의 제조방법{POLISHING PAD WITH IMPROVED CROSSLINKING DENSITY AND PREPARATION METHOD THEREOF}
구현예는 가교 밀도가 향상된 연마패드 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 구현예는 화학적 기계적 연마(CMP) 공정에 적용될 수 있는 특성 및 성능을 갖도록 가교 밀도가 제어된 연마패드, 및 이를 제조하는 방법, 및 이를 이용한 반도체 소재의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 CMP 공정은, 웨이퍼(wafer)를 헤드에 부착하고 플래튼(platen) 상에 형성된 연마패드의 표면에 접촉하도록 한 상태에서, 슬러리를 공급하여 웨이퍼 표면을 화학적으로 반응시키면서 플래튼과 헤드를 상대운동시켜 기계적으로 웨이퍼 표면의 요철부분을 평탄화하는 것이다.
연마패드는 이와 같은 CMP 공정에서 중요한 역할을 담당하는 필수적인 원부자재로서, 일반적으로 폴리우레탄 수지로 이루어지고, 상기 폴리우레탄 수지는 디이소시아네이트 모노머와 폴리올을 반응시켜 얻은 예비중합체, 경화제 및 발포제를 포함하는 조성물로부터 제조된다.
또한 연마패드는 표면에 슬러리의 큰 유동을 담당하는 그루브(groove)와 미세한 유동을 지원하는 포어(pore)를 구비하며, 상기 포어는 공극을 갖는 고상 발포제, 불활성 가스, 액상 재료, 섬유질 등을 이용하여 형성되거나, 또는 화학적 반응에 의해 가스를 발생시켜 형성된다.
한국 공개특허공보 제 2016-0027075 호
CMP 공정에서 사용되는 연마패드의 성능은 연마패드를 구성하는 폴리우레탄계 수지의 조성과 미세 포어의 입경, 및 연마패드의 경도, 인장강도, 신율 등의 물성에 의해 영향을 받는 것으로 알려져 있다.
따라서 종래에는 이들 원료 조성 및 물성을 조절하여 연마패드의 성능을 향상시키려는 시도가 있었으나, 이것이 연마패드의 연마율과 절삭률을 가장 직접적으로 제어할 수 있는 해결책이 되지는 못하였다.
이에 본 발명자들이 연구한 결과, 우레탄계 예비중합 반응 및 경화 반응을 거치며 생성되는 다양한 화학 구조들 중에서, 가교에 의해 생성된 결합 단위들이 연마패드의 물성에 깊은 영향을 미침을 알게 되었다. 이에 본 발명자들이 더욱 연구를 진행한 결과, 연마패드의 가교 밀도를 제어함으로써 연마율 및 패드절삭률 등의 CMP 성능을 향상시킬 수 있었고, 연마패드의 제조 시의 온도 조건을 변화시키는 간단한 방법에 의해 이와 같은 가교 밀도를 구현해 낼 수 있었다.
따라서 구현예의 목적은 CMP 공정에 적용될 수 있는 특성 및 성능을 갖도록 가교 밀도가 제어된 연마패드, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 반도체 소재의 제조방법을 제공하는 것이다.
일 구현예에 따르면, 다공성 폴리우레탄계 수지를 포함하는 연마층을 포함하고, 상기 연마층이, 상기 연마층의 부피 또는 중량을 기준으로, 디메틸포름아미드(DMF) 중에서 100% 내지 350%의 팽윤율(swelling ratio)을 갖는, 연마패드가 제공된다.
다른 구현예에 따르면, 우레탄계 예비중합체를 포함하는 제 1 원료 조성물, 경화제를 포함하는 제 2 원료 조성물, 및 발포제를 포함하는 제 3 원료 조성물을 준비하는 단계; 상기 제 1 원료 조성물을 상기 제 2 원료 조성물 및 상기 제 3 원료 조성물과 순차 또는 동시 혼합하여 원료 혼합물을 제조하는 단계; 및 상기 원료 혼합물을 50℃ 이상의 온도로 예열된 몰드 내에 주입 및 경화하여 연마층을 얻는 단계를 포함하고, 상기 연마층이, 상기 연마층의 부피 또는 중량을 기준으로, DMF 중에서 100% 내지 350%의 팽윤율을 갖는, 연마패드의 제조방법이 제공된다.
또 다른 구현예에 따르면, 연마패드를 이용하여 웨이퍼의 표면을 연마하는 단계를 포함하고, 상기 연마패드는 다공성 폴리우레탄계 수지를 포함하는 연마층을 포함하고, 상기 연마층이, 상기 연마층의 부피 또는 중량을 기준으로, DMF 중에서 100% 내지 350%의 팽윤율을 갖는, 반도체 소재의 제조방법이 제공된다.
상기 구현예에 따른 연마패드는, 가교 밀도가 제어됨으로써 연마율 및 패드절삭률 등의 CMP 성능을 향상시킬 수 있다.
또한 상기 구현예에 따른 연마패드의 제조방법은, 경화를 위한 몰드의 예열 온도를 조절하는 간단한 방법에 의해 이와 같은 가교 밀도를 구현해 낼 수 있다.
따라서, 상기 연마패드는 CMP 공정을 포함하는 반도체 소재의 제조 공정에 적용되어 우수한 품질의 웨이퍼 등의 반도체 소재를 제공할 수 있다.
도 1a 및 1b는 일 구현예에 따른 연마패드의 제조방법에서 발생하는 가교 반응들을 나타낸 것이다.
도 2a, 2b 및 2c는 각각 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1의 연마패드의 포어의 주사전자현미경(SEM) 이미지를 나타낸 것이다.
도 3a, 3b 및 3c는 각각 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1의 연마패드의 CMP 연마율을 측정한 결과를 나타낸 것이다.
이하의 구현예의 설명에 있어서, 각 층, 패드 또는 시트 등이 각 층, 패드 또는 시트 등의 "상(on)" 또는 "하(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "하(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다.
또한 각 구성요소의 상/하에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
또한, 본 명세서에 기재된 구성성분의 물성 값, 치수 등을 나타내는 모든 수치 범위는 특별한 기재가 없는 한 모든 경우에 "약"이라는 용어로 수식되는 것으로 이해하여야 한다.
[연마패드]
일 구현예에 따른 연마패드는, 다공성 폴리우레탄계 수지를 포함하는 연마층을 포함하고, 상기 연마층이, 상기 연마층의 부피 또는 중량을 기준으로, 디메틸포름아미드(DMF) 중에서 100% 내지 350%의 팽윤율(swelling ratio)을 갖는다.
상기 구현예에 따른 연마패드는, 가교 밀도가 제어됨으로써 연마율 및 패드절삭률 등의 CMP 성능을 향상시킬 수 있다.
상기 가교 밀도는 연마패드의 연마층의 특정 용매 중에서의 팽윤율을 조절함으로써 구현될 수 있다.
DMF 중에서의 팽윤율
여러 유기 용매 중에서 특히 디메틸포름아미드(DMF) 중에서의 팽윤율을 조절하는 것에 의해, CMP 성능에 영향을 미치는 연마패드의 특성과 관련 깊은 폴리우레탄계 수지의 가교 밀도를 더욱 효과적으로 구현할 수 있다.
상기 연마층은, 상기 연마층의 부피 또는 중량을 기준으로, DMF 중에서의 팽윤율이, 100% 내지 350%, 150% 내지 350%, 200% 내지 350%, 100% 내지 300%, 100% 내지 250%, 150% 내지 300%, 또는 200% 내지 350%일 수 있다.
구체적으로, 상기 연마층은, 상기 연마층의 부피를 기준으로, DMF 중에서의 팽윤율이, 150% 내지 300%, 200% 내지 300%, 150% 내지 250%, 200% 내지 250%, 또는 150% 내지 200%일 수 있다.
또한, 상기 연마층은, 상기 연마층의 중량을 기준으로, DMF 중에서의 팽윤율이, 200% 내지 350%, 250% 내지 350%, 200% 내지 300%, 200% 내지 250%, 또는 250% 내지 300%일 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 연마층은 상기 연마층의 부피를 기준으로 DMF 중에서 150% 내지 300%의 팽윤율을 갖고, 상기 연마층의 중량을 기준으로 DMF 중에서 200% 내지 350%의 팽윤율을 가질 수 있다.
NMP 중에서의 팽윤율
또한 DMF 중에서의 팽윤율에 보완하여, N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 중에서의 팽윤율도 조절함으로써, CMP 성능에 영향을 미치는 연마패드의 특성과 관련 깊은 폴리우레탄계 수지의 가교 밀도를 더욱 효과적으로 구현할 수 있다.
또한, 상기 연마층은, 상기 연마층의 부피 또는 중량을 기준으로, NMP 중에서의 팽윤율이, 150% 내지 450%, 200% 내지 450%, 250% 내지 450%, 150% 내지 400%, 150% 내지 350%, 200% 내지 400%, 또는 250% 내지 400%일 수 있다.
구체적으로, 상기 연마층은, 상기 연마층의 부피를 기준으로, NMP 중에서의 팽윤율이, 200% 내지 350%, 250% 내지 350%, 200% 내지 300%, 300% 내지 350%, 또는 250% 내지 250%일 수 있다.
또한, 상기 연마층은, 상기 연마층의 중량을 기준으로, NMP 중에서의 팽윤율이, 300% 내지 450%, 350% 내지 450%, 300% 내지 400%, 350% 내지 400%, 또는 300% 내지 350%일 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 연마층은 상기 연마층의 부피를 기준으로 NMP 중에서 200% 내지 350%의 팽윤율을 갖고, 상기 연마층의 중량을 기준으로 NMP 중에서 300% 내지 450%의 팽윤율을 가질 수 있다.
제 1 가교 단위
상기 다공성 폴리우레탄계 수지는, 우레탄계 예비중합 반응 및 경화 반응을 거치며 생성되는 다양한 화학 구조들 중에서, 가교에 의해 생성된 결합 단위를 포함하여 연마패드의 물성에 깊은 영향을 미칠 수 있다.
일례로서, 상기 다공성 폴리우레탄계 수지는 2개의 우레탄 그룹이 디이소시아네이트에 의해 가교된 제 1 가교 단위를 포함할 수 있다.
상기 우레탄 그룹은 상기 폴리우레탄계 수지의 제조를 위해, 이소시아네이트 모노머와 알콜 모노머가 반응하여 우레탄계 예비중합체를 얻는 과정이나, 상기 우레탄계 예비중합체가 알콜계 경화제와 반응하여 폴리우레탄계 수지를 얻는 과정에서, 이소시아네이트(-NCO)기와 하이드록시(-OH)기가 반응하여 우레탄 그룹(-NH-C(=O)-O-)으로 형성된 것일 수 있다.
이러한 우레탄 그룹 내의 아민(-NH-)기는 미반응된 디이소시아네이트 모노머의 이소시아네이트(-NCO)기와 반응하여, 2개의 우레탄 그룹을 연결할 수 있고, 그 결과 이들 2개의 우레탄 그룹이 각각 함유된 2개의 중합 사슬을 다리연결할 수 있다(도 1a 참조).
구체적으로, 상기 제 1 가교 단위는 화학식 1의 구조를 포함할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112019052135819-pat00001
제 2 가교 단위
다른 예로서, 상기 다공성 폴리우레탄계 수지는 2개의 우레아(urea) 그룹이 디이소시아네이트에 의해 가교된 제 2 가교 단위를 포함할 수 있다.
상기 우레아 그룹은 상기 폴리우레탄계 수지의 제조를 위해, 우레탄계 예비중합체가 아민계 경화제와 반응하여 폴리우레탄계 수지를 얻는 과정에서, 이소시아네이트(-NCO)기와 아민(-NH2)기가 반응하여 우레아 그룹(-NH-C(=O)-NH-)으로 형성된 것일 수 있다.
이러한 우레아 그룹 내의 아민(-NH-)기는 미반응된 디이소시아네이트 모노머의 이소시아네이트(-NCO)기와 반응하여, 2개의 우레아 그룹을 연결할 수 있고, 그 결과 이들 2개의 우레아 그룹이 각각 함유된 2개의 중합 사슬을 다리연결할 수 있다(도 1b 참조).
구체적으로, 상기 제 2 가교 단위는 화학식 2의 구조를 포함할 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112019052135819-pat00002
이때 상기 가교에 이용되는 디이소시아네이트는 1종 이상의 방향족 디이소시아네이트 모노머 및/또는 1종 이상의 지방족 디이소시아네이트 모노머일 수 있으며, 예를 들어, 톨루엔디이소시아네이트(TDI), 나프탈렌-1,5-디이소시아네이트, 파라-페닐렌디이소시아네이트, 톨리딘디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트(MDI), 헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI), 디사이클로헥실메탄디이소시아네이트(H12MDI) 및 이소포론디이소시아네이트로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 이소시아네이트일 수 있다.
또한, 상기 제 1 가교 단위 및 상기 제 2 가교 단위의 함량은 각각, 상기 폴리우레탄 수지의 중량을 기준으로, 1 중량% 내지 30 중량%, 1 중량% 내지 20 중량%, 1 중량% 내지 10 중량%, 또는 5 중량% 내지 20 중량%일 수 있다.
또한, 상기 제 1 가교 단위 및 상기 제 2 가교 단위의 합계 함량은, 상기 폴리우레탄 수지의 중량을 기준으로, 1 중량% 내지 30 중량%, 1 중량% 내지 20 중량%, 1 중량% 내지 10 중량%, 또는 5 중량% 내지 20 중량%일 수 있다.
연마층 물성
상기 연마층의 두께는 0.8 mm 내지 5.0 mm, 1.0 mm 내지 4.0 mm, 1.0 mm 내지 3.0 mm, 1.5 mm 내지 2.5 mm, 1.7 mm 내지 2.3 mm, 또는 2.0 mm 내지 2.1 mm일 수 있다. 상기 범위 내일 때, 미세 포어의 상하 부위별 입경 편차를 최소화하면서도 연마패드로서의 기본적 물성을 충분히 발휘할 수 있다.
상기 우레탄계 예비중합체는 이에 포함된 폴리머, 올리고머 또는 모노머의 말단에 미반응된 NCO기를 가질 수 있다. 구체적인 일례로서, 상기 우레탄계 예비중합체는, 상기 우레탄계 예비중합체의 중량을 기준으로, 상기 미반응된 NCO기를 5 중량% 내지 15 중량%, 5 중량% 내지 13 중량%, 7 중량% 내지 10 중량%, 8 중량% 내지 10 중량%로 포함할 수 있다.
상기 연마층의 경도는 50 shore D 내지 70 shore D, 50 shore D 내지 60 shore D, 60 shore D 내지 70 shore D, 또는 55 shore D 내지 65 shore D일 수 있다. 상기 연마층의 경도는 예를 들어 상온에서 측정한 것일 수 있다.
상기 연마패드의 인장강도는 5 N/mm2 내지 30 N/mm2, 10 N/mm2 내지 25 N/mm2, 10 N/mm2 내지 20 N/mm2, 또는 15 N/mm2 내지 30 N/mm2일 수 있다.
상기 연마패드의 신율은 50% 내지 300%, 100% 내지 300%, 150% 내지 250%, 또는 100% 내지 200%일 수 있다.
상기 연마패드의 모듈러스는 30 Pa 내지 100 Pa, 50 Pa 내지 100 Pa, 30 Pa 내지 70 Pa, 또는 40 Pa 내지 80 Pa일 수 있다.
구체적으로, 상기 연마패드는 100% 내지 120%의 신율 및 30 Pa 내지 100 Pa의 모듈러스를 가질 수 있다.
상기 연마패드는 텅스텐에 대해 700 Å/min 이상의 연마율(removal rate)을 가질 수 있다. 또는, 상기 연마패드는 텅스텐에 대해 700 Å/min 이상의 연마율(removal rate)을 가질 수 있다.
구체적으로, 상기 연마층은 산화규소에 대해 3000 Å/50초 내지 4000 Å/50초의 연마율(removal rate)을 가질 수 있다.
상기 연마패드는 패드 절삭률(pad cut rate)이 40 ㎛/hr 내지 60 ㎛/hr, 40 ㎛/hr 내지 50 ㎛/hr, 40 ㎛/hr 내지 45 ㎛/hr, 45 ㎛/hr 내지 60 ㎛/hr일 수 있다.
지지층
또한, 상기 연마패드는 상기 연마층의 일면에 배치되는 지지층을 더 포함할 수 있다.
상기 지지층은 상기 연마층을 지지하면서, 상기 연마층에 가해지는 충격을 흡수하고 분산시키는 역할을 한다. 따라서 상기 지지층의 경도는 상기 연마층의 경도보다 더 작을 수 있다.
상기 지지층은 미세 포어들을 포함하는 다공성 구조일 수 있으며, 예를 들어 부직포 또는 스웨이드 소재로 구성될 수 있다.
접착층
상기 연마패드는 상기 연마층과 상기 지지층 사이에 배치되는 접착층을 더 포함할 수 있다.
상기 접착층은 상기 연마층 및 상기 지지층을 서로 접착시키는 역할을 한다.
상기 접착층은 핫멜트 접착제를 포함할 수 있다. 상기 핫멜트 접착제는 폴리우레탄계 수지, 폴리에스테르계 수지, 에틸렌-아세트산 비닐계 수지, 폴리아미드계 수지 및 폴리올레핀계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상일 수 있다. 구체적으로, 상기 핫멜트 접착제는 폴리우레탄계 수지 및 폴리에스테르계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상일 수 있다.
[연마패드의 제조방법]
일 구현예에 따른 연마패드의 제조방법은, 우레탄계 예비중합체를 포함하는 제 1 원료 조성물, 경화제를 포함하는 제 2 원료 조성물, 및 발포제를 포함하는 제 3 원료 조성물을 준비하는 단계; 상기 제 1 원료 조성물을 상기 제 2 원료 조성물 및 상기 제 3 원료 조성물과 순차 또는 동시 혼합하여 원료 혼합물을 제조하는 단계; 및 상기 원료 혼합물을 50℃ 이상의 온도로 예열된 몰드 내에 주입 및 경화하여 연마층을 얻는 단계를 포함하고, 상기 연마층이, 상기 연마층의 부피 또는 중량을 기준으로, DMF 중에서 100% 내지 350%의 팽윤율을 갖는다.
제 1 원료 조성물을 준비하는 단계
상기 제 1 원료 조성물에 포함되는 예비중합체(prepolymer)란, 일반적으로 최종 성형품을 제조함에 있어서 성형하기 쉽도록 중합도를 중간 단계에서 중지시킨 비교적 낮은 분자량을 갖는 고분자를 의미한다. 예를 들어, 상기 우레탄계 예비중합체의 중량평균분자량(Mw)은 500 g/mol 내지 3,000 g/mol, 600 g/mol 내지 2,000 g/mol, 또는 700 g/mol 내지 1,500 g/mol일 수 있다. 예비중합체는 그 자체로 또는 다른 중합성 화합물이나 경화제와 더 반응시킨 후 최종 제품으로 형성될 수 있다.
상기 우레탄계 예비중합체는 1종 이상의 디이소시아네이트 모노머와 1종 이상의 폴리올의 예비중합 반응생성물을 포함한다.
상기 1종 이상의 디이소시아네이트 모노머는 1종 이상의 방향족 디이소시아네이트 모노머 및/또는 1종 이상의 지방족 디이소시아네이트 모노머일 수 있으며, 예를 들어, 톨루엔디이소시아네이트(TDI), 나프탈렌-1,5-디이소시아네이트, 파라-페닐렌디이소시아네이트, 톨리딘디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트(MDI), 헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI), 디사이클로헥실메탄디이소시아네이트(H12MDI), 이소포론디이소시아네이트 등으로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상의 이소시아네이트일 수 있다.
제 2 원료 조성물을 준비하는 단계
상기 제 2 원료 조성물에 포함되는 경화제는 아민 화합물 및 알콜 화합물 중 1종 이상일 수 있다. 구체적으로, 상기 경화제는 방향족 아민, 지방족 아민, 방향족 알콜, 및 지방족 알콜로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 경화제는 4,4'-메틸렌비스(2-클로로아닐린)(MOCA), 디에틸톨루엔디아민(DETDA), 디아미노디페닐메탄, 디아미노디페닐설폰, m-자일릴렌디아민, 이소포론디아민, 에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라아민, 폴리프로필렌디아민, 폴리프로필렌트리아민, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 부탄디올, 헥산디올, 글리세린 및 트리메틸올프로판으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다.
제 3 원료 조성물을 준비하는 단계
상기 제 3 원료 조성물에 포함되는 발포제는 연마패드의 공극 형성에 통상적으로 사용되는 것이라면 특별히 제한하지 않는다.
예를 들어, 상기 발포제는 중공 구조를 가지는 고상 발포제, 휘발성 액체를 이용한 액상 발포제, 및 불활성 가스 중에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
상기 고상 발포제는 열팽창된 마이크로 캡슐일 수 있으며, 이는 열팽창성 마이크로 캡슐을 가열 팽창시켜 얻어진 것일 수 있다. 상기 열팽창된 마이크로 캡슐은 이미 팽창된 마이크로 벌룬의 구조체로서 균일한 크기의 입경을 가짐으로써 포어의 입경 크기를 균일하게 조절 가능한 장점을 갖는다. 구체적으로, 상기 고상 발포제는 5 ㎛ 내지 200 ㎛의 평균 입경을 갖는 마이크로 벌룬 구조체일 수 있다.
상기 열팽창성 마이크로 캡슐은 열가소성 수지를 포함하는 외피; 및 상기 외피 내부에 봉입된 발포제를 포함할 수 있다. 상기 열가소성 수지는 염화비닐리덴계 공중합체, 아크릴로니트릴계 공중합체, 메타크릴로니트릴계 공중합체 및 아크릴계 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상일 수 있다. 나아가, 상기 발포제는 탄소수 1 내지 7개의 탄화수소로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상일 수 있다.
상기 고상 발포제는 우레탄계 예비중합체 100 중량부를 기준으로 0.1 중량부 내지 2.0 중량부의 양으로 사용될 수 있다. 구체적으로, 상기 고상 발포제는 우레탄계 프리폴리머 100 중량부를 기준으로 0.3 중량부 내지 1.5 중량부, 또는 0.5 중량부 내지 1.0 중량부의 양으로 사용될 수 있다.
상기 불활성 가스는 우레탄계 프리폴리머와 에폭시 경화제 간의 반응에 참여하지 않는 가스라면 종류가 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 불활성 가스는 질소 가스(N2), 이산화탄소 가스(CO2), 아르곤 가스(Ar), 및 헬륨(He)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다. 구체적으로, 상기 불활성 가스는 질소 가스(N2) 또는 이산화탄소 가스(CO2)일 수 있다.
상기 불활성 가스는 폴리우레탄 조성물 총 부피의 10% 내지 30%에 해당하는 부피로 투입될 수 있다. 구체적으로, 상기 불활성 가스는 폴리우레탄 조성물 총 부피의 15% 내지 30%에 해당하는 부피로 투입될 수 있다.
원료 혼합물을 제조하는 단계
또한, 상기 원료 혼합물을 제조하는 단계는, 상기 제 1 원료 조성물을 상기 제 2 원료 조성물과 혼합한 후 상기 제 3 원료 조성물과 더 혼합하거나, 또는 상기 제 1 원료 조성물을 상기 제 3 원료 조성물과 혼합한 후 상기 제 2 원료 조성물과 더 혼합하여 수행될 수 있다.
또한, 상기 원료 혼합물을 제조하는 단계는, 50℃ 내지 150℃ 조건에서 수행될 수 있고, 필요에 따라, 진공 탈포 조건 하에서 수행될 수 있다.
이와 같이 수득된 원료 혼합물 내의 각 원료 성분들은 반응을 위한 당량비가 조절될 수 있다.
상기 우레탄계 예비중합체 및 상기 경화제는, 각각의 분자 내의 반응성 기의 몰 수 기준으로, 1:0.8 내지 1:1.2의 몰 당량비로 사용될 수 있다.
또한 상기 우레탄계 예비중합체는 1종 이상의 디이소시아네이트 모노머와 1종 이상의 폴리올을 예비중합 반응시켜 제조되고, 이때 상기 1종 이상의 디이소시아네이트 모노머와 상기 1종 이상의 폴리올이, 각각의 분자 내의 반응성 기의 몰 수 기준으로, 1:0.8 내지 1:1.2의 몰 당량비로 사용될 수 있다.
또한, 상기 원료 혼합물에는 분자 내에 반응성기를 3개 이상 갖는 가교제가 첨가되지 않을 수 있다.
연마층을 얻는 단계
이후, 원료 혼합물을 몰드 내에 주입 및 경화하여 연마층을 얻는다.
이때, 상기 몰드를 50℃ 이상의 온도로 예열한 뒤, 여기에 원료 혼합물을 주입하여 경화함으로써, 가교 밀도를 제어할 수 있다. 구체적으로, 몰드의 예열 온도가 50℃ 이상일 때, 가교에 의해 생성되는 결합 단위들이 폴리우레탄계 수지 내에 충분히 함유될 수 있다. 그 결과 상기 연마층은, 상기 연마층의 부피 또는 중량을 기준으로, DMF 중에서 100% 내지 350%의 팽윤율을 가질 수 있다. 반면, 몰드의 예열 온도가 50℃ 미만이면, 가교 밀도가 부족하여 DMF 중의 팽윤율이 350%를 초과하여 커질 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 몰드의 예열 온도는 50℃ 내지 150℃, 50℃ 내지 100℃, 100℃ 내지 150℃, 또는 70℃ 내지 120℃일 수 있다.
이때, 상기 몰드의 예열 온도는 후속하는 경화 공정의 온도와는 구별되어야 하며, 이들 간에는 특별한 관련성이 없을 수 있다. 즉 경화 온도는 상기 몰드의 예열 온도와는 달리, 폴리우레탄계 수지의 가교 밀도에 영향을 주지 않을 수 있다. 상기 경화 공정은, 60℃ 내지 120℃ 온도 조건 및 50 kg/m2 내지 200 kg/m2 압력 조건 하에서 수행될 수 있다.
또한, 상기 제조방법은, 수득된 연마패드의 표면을 절삭하는 공정, 표면에 그루브를 가공하는 공정, 하층부와의 접착 공정, 검사 공정, 포장 공정 등을 더 포함할 수 있다. 이들 공정들은 통상적인 연마패드 제조방법으로 수행할 수 있다.
이와 같이 제조된 연마패드는 가교 밀도가 제어됨으로써 연마율 및 패드절삭률 등의 CMP 성능을 향상시킬 수 있다. 또한 앞서 설명한 바와 같이, 경화를 위한 몰드의 예열 온도를 조절하는 간단한 방법에 의해 이와 같은 가교 밀도를 구현해 낼 수 있다.
[반도체 소재의 제조방법]
일 구현예에 따른 반도체 소재의 제조방법은, 상기 일 구현예에 따른 연마패드를 이용하여 웨이퍼의 표면을 연마하는 단계를 포함한다.
즉, 일 구현예에 따른 반도체 소재의 제조방법은, 연마패드를 이용하여 웨이퍼의 표면을 연마하는 단계를 포함하고, 상기 연마패드는 다공성 폴리우레탄계 수지를 포함하는 연마층을 포함하고, 상기 연마층이, 상기 연마층의 부피 또는 중량을 기준으로, DMF 중에서 100% 내지 350%의 팽윤율을 갖는다.
구체적으로, 상기 일 구현예에 따른 연마패드를 정반 상에 접착한 후, 웨이퍼를 상기 연마패드 상에 배치한다. 이때, 상기 웨이퍼의 표면은 상기 연마패드의 연마면에 직접 접촉된다. 연마를 위해 상기 연마패드 상에 연마 슬러리가 분사될 수 있다. 이후, 상기 웨이퍼와 상기 연마패드는 서로 상대 회전하여, 상기 웨이퍼의 표면이 연마될 수 있다.
[실시예]
이하 실시예를 통해 보다 구체적으로 설명하나, 이들 실시예의 범위로 한정되는 것은 아니다.
실시예 및 비교예
톨루엔 디이소시아네이트(TDI), 디사이클로헥실메탄 디이소시아네이트(H12MDI), 폴리테트라메틸렌 에테르 글리콜(PTMEG) 및 디에틸렌글리콜(DEG)를 4구 플라스크에 투입하여 80℃에서 3시간 반응하여 미반응된 NCO기 함량(NCO%)이 8~12 중량% 인 우레탄계 예비중합체를 제조하였다.
예비중합체, 경화제, 불활성 가스, 발포제 등의 원료를 각각 공급하기 위한 탱크 및 투입 라인이 구비된 캐스팅 장치를 준비하였다. 앞서 제조된 우레탄계 예비중합체, 경화제(비스(4-아미노-3-클로로페닐)메탄, Ishihara사), 불활성 가스(N2), 액상 발포제(FC3283, 3M사), 고상 발포제 (Akzonobel사) 및 실리콘계 계면활성제(Evonik사)를 각각의 탱크에 충진하였다. 각각의 투입 라인을 통해 원료를 믹싱헤드에 일정한 속도로 투입하면서 교반하였다. 이때 예비중합체와 경화제는 1:1의 당량비 및 10 kg/분의 합계량으로 투입되었다.
몰드(1,000 mm x 1,000 mm x 3 mm)를 준비하여 하기 표에 기재된 온도 조건으로 예열하고, 앞서 교반된 원료를 몰드에 토출하고 반응시켜 고상 케이크 형태의 성형체를 얻었다. 이후 상기 성형체의 상단 및 하단을 절삭하여 연마층을 얻었다.
이후 연마층에 대해 표면 밀링 및 그루브 형성 공정을 거치고, 핫멜트 접착제에 의해 지지층과 적층하였다.
구체적인 공정 조건을 하기 표에 정리하였다.
구 분 실시예 1 실시예 2 비교예 1

연
마
층		 예비중합체의 NCO% 8 중량% 8 중량% 8 중량%
캐스팅 몰드 낱매 낱매 낱매
몰드 예열 온도 120℃ 80℃ 상온
캐스팅, 절삭, 그루브 가공 순차적 순차적 순차적
예비중합체 중량부 100 100 100
계면활성제 중량부 0.2~1.5 0.2~1.5 0.2~1.5
고상발포제 중량부 0.5~1.0 0.5~1.0 0.5~1.0
불활성 가스 투입량 (L/min) 0.5~1.5 0.5~1.5 0.5~1.5
시험예
상기 실시예 및 비교예에서 얻은 우레탄계 예비중합체 또는 연마패드를 아래의 항목에 대해 시험하였다.
(1) 팽윤율
그루브를 형성하지 않은 상태의 연마층을 직경 20 mm, 두께 2 mm로 절단하여 샘플을 제작하였다. 제작된 샘플의 정확한 사이즈를 버니어 캘리퍼스를 이용하여 측정하였다. 소수점 4자리 유효한 저울을 이용하여 샘플의 중량을 측정하였다. 250 mL의 비커에 용매(DMF 또는 NMP)를 50 mL 채운 뒤 샘플을 넣고, 상온(20~25℃)에서 24시간 보관하였다. 이후 샘플을 꺼내어 표면에 있는 DMF 또는 NMP를 거즈를 이용하여 2~3회 닦은 후 크기와 중량을 측정하였다. 아래 계산식에 의해 팽윤율(%)을 산출하였다.
팽윤율(%, 부피) = (용매에 보관 후 부피 - 초기 부피) /　초기 부피)　X 100
팽윤율(%, 중량) = (용매에 보관 후 중량 - 초기 중량) /　초기 중량)　X 100
구 분 실시예 1 실시예 2 비교예 1
DMF 중의 팽윤율 (부피 기준) 191% 220% 301%
DMF 중의 팽윤율 (중량 기준) 242% 261% 364%
NMP 중의 팽윤율 (부피 기준) 270% 294% 364%
NMP 중의 팽윤율 (중량 기준) 353% 389% 454%
(2) 경도
샘플을 5 cm x 5 cm (두께: 2 mm)로 재단하고, 상온, 30℃, 50℃, 70℃에서 각각 12 시간 보관 후 경도계를 이용하여 Shore D 경도 및 Asker C 경도를 측정하였다.
(3) 비중
샘플을 2 cm x 5cm (두께: 2 mm)로 재단하고, 온도 25℃에서 12 시간 보관 후 비중계를 사용하여 다층 비중을 측정하였다.
(4) 인장강도
샘플을 4 cm x 1 cm (두께: 2 mm)로 재단하고, 만능시험계(UTM)를 사용하여 50 mm/분의 속도에서 연마패드의 파단 직전의 최고 강도 값을 측정하였다.
(5) 신율
샘플을 4 cm x 1 cm (두께: 2 mm)로 재단하고, 만능시험계(UTM)를 사용하여 50 mm/분의 속도에서 연마패드의 파단 직전의 최대 변형량을 측정한 뒤, 최초 길이 대비 최대 변형량의 비율을 백분율(%)로 나타내었다.
(6) 모듈러스
샘플을 4 cm x 1 cm (두께: 2 mm)로 재단하고, 만능시험계(UTM)를 사용하여 50 mm/분의 속도에서 신율이 70%일 때와 신율이 20%일 때의 선을 연결한 기울기로 나타내었다.
구 분 평가 항목 실시예 1 실시예 2 비교예 1
연마층 두께 (mm) 2 2 2
경도 (Shore D) (상온) 61.3 59.3 57
비중 (g/cc) 0.82 0.81 0.81
인장강도 (N/mm2) 22.3 22.2 22
신율 (%) 107.5 103.7 98.2
모듈러스 (kgf/cm2) 43.1 72.4 130
경도 (Shore D, 30℃) 61.4 58.1 50.8
경도 (Shore D, 50℃) 59.6 56.7 50
경도 (Shore D, 70℃) 57.2 54.2 48.8
지지층 타입 부직포 부직포 부직포
두께 (mm) 1.1 1.1 1.1
경도 (Asker C) 70 70 70
적층된
패드		 두께 (mm) 3.32 3.32 3.32
압축률 (%) 1.05 1.05 1.05
상기 표에서 보듯이, 실시예 1 및 2의 연마패드는 경도, 인장강도, 신율 및 모듈러스가 우수함을 확인할 수 있다.
(7) 포어 특성
실시예 1 및 2, 및 비교예 1의 연마패드의 포어를 주사전자현미경(SEM)으로 관찰하여 도 2a, 2b 및 2c에 각각 나타내었다. 도 2a 및 2b에서 보듯이, 실시예 1 및 2의 연마패드의 포어는 넓은 면적에 걸쳐 미세하고 균일하게 분포하였다.
또한 SEM 이미지를 바탕으로 포어 특성을 산출하여 하기 표에 정리하였다.
- 수평균 직경 : SEM 이미지 상의 포어 직경의 합을 포어 갯수로 나눈 평균
- 포어 갯수 : SEM 이미지 상의 0.3 cm3 당 존재하는 포어의 갯수
- 포어 면적율 : SEM 이미지의 전체 면적 대비 포어만의 면적의 백분율
구 분 실시예 1 실시예 2 비교예 1
수평균 직경 (㎛) 22.2 23.1 23.6
포어 갯수 (0.3 cm3 당) 195 183 166
포어 면적률 (%) 44.06 41.65 39.72
(8) 연마율
연마패드 제조 직후의 초기 연마율을 아래와 같이 측정하였다.
직경 300 mm의 실리콘 웨이퍼에 산화규소를 화학기상증착(CVD) 공정에 의해서 증착하였다. CMP 장비에 연마패드를 부착하고, 실리콘 웨이퍼의 산화규소 층이 연마패드의 연마면을 향하도록 설치하였다. 연마패드 상에 하소 세리아 슬러리를 250 mL/분의 속도로 공급하면서, 4.0 psi의 하중 및 150 rpm의 속도로 60초간 산화규소막을 연마하였다. 연마 후 실리콘 웨이퍼를 캐리어로부터 떼어내어, 회전식 탈수기(spin dryer)에 장착하고 증류수로 세정한 후 질소로 15초 동안 건조하였다. 건조된 실리콘 웨이퍼에 대해 광간섭식 두께 측정 장치(SI-F80R, Kyence사)를 사용하여 연마 전후의 막 두께 변화를 측정하였다. 이후 하기 식을 사용하여 연마율을 계산하였다.
연마율(Å/초) = 실리콘 웨이퍼의 연마 두께(Å) / 연마 시간(초)
실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1의 연마패드에 대해 연마율을 각각 2회씩 측정하여 도 3a 내지 3c에 각각 나타내었다.
(9) 패드 절삭률(pad cut rate)
연마패드를 10 분 동안 탈이온수로 프리 컨디셔닝한 후, 1 시간 동안 탈이온수를 분사하면서 컨디셔닝하였다. 컨디셔닝 과정에서 변화된 두께를 측정하여 연마패드의 절삭률을 산출하였다. 컨디셔닝에 사용한 장비는 CTS사의 AP-300HM이고, 컨디셔닝 압력은 6 lbf, 회전 속도는 100~110 rpm이고, 컨디셔닝에 사용된 디스크는 새솔 LPX-DS2이었다.
구 분 실시예 1 실시예 2 비교예 1
평균 연마율 (Å/min) 3724 3357 2809
패드 절삭률 (㎛/hr) 51.3 43.3 39.3
상기 표 및 도 3a 내지 3c에서 보듯이, 실시예 1 및 2의 연마패드는 연마율 및 패드 절삭률이 우수함을 확인할 수 있다.

Claims (15)

  1. 다공성 폴리우레탄계 수지를 포함하는 연마층을 포함하고,
    상온에서 디메틸포름아미드(DMF)　중에 상기 연마층을　24시간 보관할 때,
    상기 연마층이, 상기 연마층의 부피를 기준으로, DMF　중에서　150%　내지 300%의　하기 식　1로 표시되는　팽윤율(swelling ratio)을 갖고,　
    상기 연마층의중량을 기준으로, DMF 중에서　200%　내지　350%의　하기 식　2로 표시되는　팽윤율을 가지며,
    [식　1]
    팽윤율(%,　부피) = (용매에 보관 후 부피 - 초기 부피) /　초기 부피)　X 100
    [식　2]
    팽윤율(%,　중량) = (용매에 보관 후 중량 - 초기 중량) /　초기 중량)　X 100,
    상기 연마층은 텅스텐에 대해 700 Å/min 이상의 연마율(removal rate)을 갖는, 연마패드.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 연마층이, 상기 연마층의 부피 또는 중량을 기준으로,
    N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 중에서 150% 내지 450%의 팽윤율을 갖는, 연마패드.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 연마층이
    상기 연마층의 부피를 기준으로 NMP 중에서 200% 내지 350%의 팽윤율을 갖고, 상기 연마층의 중량을 기준으로 NMP 중에서 300% 내지 450%의 팽윤율을 갖는, 연마패드.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 다공성 폴리우레탄계 수지가
    2개의 우레탄 그룹이 디이소시아네이트에 의해 가교된 제 1 가교 단위를 포함하는, 연마패드.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 가교 단위가 하기 화학식 1의 구조를 포함하는, 연마패드.
    [화학식 1]
    Figure 112019052135819-pat00003

  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 다공성 폴리우레탄계 수지가
    2개의 우레아(urea) 그룹이 디이소시아네이트에 의해 가교된 제 2 가교 단위를 포함하는, 연마패드.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 가교 단위가 하기 화학식 2의 구조를 포함하는, 연마패드.
    [화학식 2]
    Figure 112019052135819-pat00004

  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 연마층이
    100% 내지 120%의 신율 및 30 Pa 내지 100 Pa의 모듈러스를 갖는, 연마패드.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 연마층이 산화규소에 대해 3000 Å/50초 내지 4000 Å/50초의 연마율(removal rate)을 갖는, 연마패드.
  11. 우레탄계 예비중합체를 포함하는 제 1 원료 조성물, 경화제를 포함하는 제 2 원료 조성물, 및 발포제를 포함하는 제 3 원료 조성물을 준비하는 단계;
    상기 제 1 원료 조성물을 상기 제 2 원료 조성물 및 상기 제 3 원료 조성물과 순차 또는 동시 혼합하여 원료 혼합물을 제조하는 단계; 및
    상기 원료 혼합물을 50℃ 이상의 온도로 예열된 몰드 내에 주입 및 경화하여 연마층을 얻는 단계를 포함하고,
    상온에서 디메틸포름아미드(DMF)　중에 상기 연마층을　24시간 보관할 때,
    상기 연마층이, 상기 연마층의 부피를 기준으로, DMF　중에서　150%　내지 300%의　하기 식　1로 표시되는　팽윤율(swelling ratio)을 갖고,　
    상기 연마층의중량을 기준으로, DMF 중에서　200%　내지　350%의　하기 식　2로 표시되는　팽윤율을 가지며,
    [식　1]
    팽윤율(%,　부피) = (용매에 보관 후 부피 - 초기 부피) /　초기 부피)　X 100
    [식　2]
    팽윤율(%,　중량) = (용매에 보관 후 중량 - 초기 중량) /　초기 중량)　X 100,
    상기 연마층은 텅스텐에 대해 700 Å/min 이상의 연마율(removal rate)을 갖는, 연마패드의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 몰드의 예열 온도가 50℃ 내지 150℃인, 연마패드의 제조방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 우레탄계 예비중합체 및 상기 경화제가, 각각의 분자 내의 반응성 기의 몰 수 기준으로, 1:0.8 내지 1:1.2의 몰 당량비로 사용되는, 연마패드의 제조방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 우레탄계 예비중합체가 1종 이상의 디이소시아네이트 모노머와 1종 이상의 폴리올을 예비중합 반응시켜 제조되고,
    이때 상기 1종 이상의 디이소시아네이트 모노머와 상기 1종 이상의 폴리올이, 각각의 분자 내의 반응성 기의 몰 수 기준으로, 1:0.8 내지 1:1.2의 몰 당량비로 사용되는, 연마패드의 제조방법.
  15. 연마패드를 이용하여 웨이퍼의 표면을 연마하는 단계를 포함하고,
    상기 연마패드는 다공성 폴리우레탄계 수지를 포함하는 연마층을 포함하고,
    상온에서 디메틸포름아미드(DMF)　중에 상기 연마층을　24시간 보관할 때,
    상기 연마층이, 상기 연마층의 부피를 기준으로, DMF　중에서　150%　내지 300%의　하기 식　1로 표시되는　팽윤율(swelling ratio)을 갖고,　
    상기 연마층의중량을 기준으로, DMF 중에서　200%　내지　350%의　하기 식　2로 표시되는　팽윤율을 가지며,
    [식　1]
    팽윤율(%,　부피) = (용매에 보관 후 부피 - 초기 부피) /　초기 부피)　X 100
    [식　2]
    팽윤율(%,　중량) = (용매에 보관 후 중량 - 초기 중량) /　초기 중량)　X 100,
    상기 연마층은 텅스텐에 대해 700 Å/min 이상의 연마율(removal rate)을 갖는, 반도체 소재의 제조방법.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100236499B1 (ko) * 1995-02-09 2000-01-15 로데릭 더블류 루이스 폴리우레탄 패드의 공정 특성 예측 방법 및 장치
KR101360654B1 (ko) * 2006-05-25 2014-02-07 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 화학 기계적 연마 패드
KR101853021B1 (ko) * 2017-01-12 2018-04-30 에스케이씨 주식회사 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이의 제조방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008012909A1 (en) * 2006-07-28 2008-01-31 Toray Industries, Inc. Interpenetrating polymer network structure and polishing pad and processes for producing them
JP5078000B2 (ja) * 2007-03-28 2012-11-21 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP5088865B2 (ja) * 2007-03-30 2012-12-05 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
CN101780661B (zh) * 2009-01-15 2012-05-23 贝达先进材料股份有限公司 可导电的抛光垫及其制造方法
JP5822159B2 (ja) * 2011-12-27 2015-11-24 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法
US20150038066A1 (en) 2013-07-31 2015-02-05 Nexplanar Corporation Low density polishing pad
CN104385120B (zh) * 2014-10-16 2017-06-30 中国科学院化学研究所 聚氨酯抛光垫的制备方法
KR102398130B1 (ko) * 2014-10-31 2022-05-13 주식회사 쿠라레 연마층용 비다공성 성형체, 연마 패드 및 연마 방법
KR102088919B1 (ko) * 2017-09-11 2020-03-13 에스케이씨 주식회사 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이의 제조방법
CN107964082B (zh) * 2017-12-13 2019-07-09 上海东大聚氨酯有限公司 一种多异氰酸酯、聚氨酯泡沫塑料及其制备方法、应用

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100236499B1 (ko) * 1995-02-09 2000-01-15 로데릭 더블류 루이스 폴리우레탄 패드의 공정 특성 예측 방법 및 장치
KR101360654B1 (ko) * 2006-05-25 2014-02-07 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 화학 기계적 연마 패드
KR101853021B1 (ko) * 2017-01-12 2018-04-30 에스케이씨 주식회사 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이의 제조방법

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