JP3851135B2 - 研磨パッド - Google Patents
研磨パッド Download PDFInfo
- Publication number
- JP3851135B2 JP3851135B2 JP2001319788A JP2001319788A JP3851135B2 JP 3851135 B2 JP3851135 B2 JP 3851135B2 JP 2001319788 A JP2001319788 A JP 2001319788A JP 2001319788 A JP2001319788 A JP 2001319788A JP 3851135 B2 JP3851135 B2 JP 3851135B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing pad
- polishing
- slurry
- hydrophilic
- diol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体、電子部品等の被研磨部材の研磨加工において使用される研磨パッドに関し、特にSi基板、GaAs基板、ガラス、ハードデイスク、LCD基板等の薄型基板用の研磨パッドに関する。
【0002】
【従来の技術】
水系媒体中にシリカ粒子を分散させた研磨用スラリーを用いた化学機械研磨(以下、CMP研磨ともいう)方法を、以下に説明する。
【0003】
CMP研磨は、研磨機の下定盤に研磨パッドを貼付けたものと、上定盤の下面にウエハを取り付けたものを対向させ、研磨する前に、下定盤上に配置したパッド表面をコンディショニングし、その後上定盤を下定盤に一定加重で押し付け、研磨パッド上に研磨用スラリーを供給しつつ上下定盤を回転させることで、上定盤の下面に保持したウエハ表面を研磨している。
【0004】
上記CMP研磨方法に用いられる研磨パッドは、その素材が主としてポリウレタンから構成されている。このポリウレタンは疎水性であるため、この研磨パッドを用いてウエハ表面を研磨する場合、スラリーが研磨パッドになじまないという問題がある。すなわち、研磨パッドがスラリーをはじいてスラリーの供給量が不均一となる。また、スラリーが研磨パッド上に滞留しないため、スラリーがムダに消費される。その結果、研磨効率が悪く研磨レートが低下するという欠点がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の実状に着目してなされたものであって、その目的とするところは、研磨パッドにスラリーをなじみやすくすることにより、研磨レートの増加を図ることができる研磨パッドを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明の研磨パッドは、親水性基を有する化合物が共重合されたウレタン樹脂を含有し、かつ親水剤を含有するポリウレタン組成物よりなる研磨パッドであって、該親水剤が、2,4,7,9−テトラメチル−5−デシン−4,7−ジオール−ジポリオキシエチレンエーテル、及び2,4,7、9−テトラメチル−5−デシン−4,7−ジオールからなる群から選択された少なくとも一種であり、該親水性基を有する化合物がエチレンオキサイドモノマーであり、そのことにより上記目的が達成される。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下本発明を詳細に説明する。
【0009】
本発明の研磨パッドはポリウレタン組成物から形成され、いわゆるプレポリマー法やワンショット法で製造することができる。
【0010】
プレポリマー法とは、ポリオール成分とイソシアネート成分との反応物であるウレタンプレポリマーを用い、ジアミン類又はジオール類、発泡剤、触媒等を添加混合して得られるポリウレタン組成物を硬化させる方法である。ワンショット法とは、ポリオール成分、イソシアネート成分、ジアミン類又はジオール類、そして発泡剤、触媒等を混合して得られるポリウレタン組成物を硬化させる方法である。
【0011】
上記ウレタンプレポリマーとしては、ポリエーテル系ウレタンプレポリマー、ポリエステル系ウレタンプレポリマー、ポリエステルエーテル系ウレタンプレポリマーのいずれも使用することができる。
【0012】
ウレタンプレポリマー法において各ウレタンプレポリマーの製造に使用されるポリオール成分として、またワンショット法において使用されるポリオール成分として、本発明では、親水性基を有する化合物を共重合させた共重合体を使用する。
【0013】
そのような共重合させるモノマーとしては、エチレンオキサイドモノマー、プロピレンオキサイドモノマー、またはエチレンプロピレンオキサイドモノマーがあげられる。
【0014】
従って、好ましいポリオール成分としては、以下のポリオールと上記親水性基を有する化合物との共重合体があげられる。
【0015】
ポリテトラメチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリエチレンアジペート、ポリテトラメチレンアジペート、ポリヘキサメチレンアジペート。
【0016】
上記イソシアネート成分としては、例えば、4、4'−ジフェニルメタンジイソシアネート、2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート等が挙げられる。
【0017】
上記ジアミン類としては、4,4’−メチレン−ビス(2−クロロアニリン)等があり、ジオール類としてはエチレングリコール、1、4−ブタンジオール、プロピレングリコール等があげられる。また、硬化剤として、トリメチロールプロパン等のトリオール類およびこれらの混合物を用いてもよい。
【0018】
上記発泡剤、触媒は従来より公知のものが使用され、例えば、発泡剤として水またはアゾビスイソブチロニトリルなどの有機発泡剤があり、触媒としてトリメチレンジアミン等がある。また、シリコーン整泡剤や充填材が任意に配合される。充填剤としては、たとえばシリカ(疎水性を含む)、カーボン粉末、含水ケイ酸カルシウム、含水ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化セリウム、炭酸マグネシウムなどの一種以上を挙げることができる。
【0019】
研磨パッドの親水性を向上させるために、ポリウレタン組成物は、さらに、以下の親水剤を含有する。
【0020】
2,4,7,9−テトラメチル−5−デシン−4,7−ジオール−ジポリオキシエチレンエーテル(エチレンオキサイド付加量 15〜90重量%)、2,4,7、9−テトラメチル−5−デシン−4,7−ジオール。
【0021】
これらの親水剤は、ポリウレタン組成物に対して0.5〜10重量%配合することができ、好ましくは1〜5重量%である。配合量が0.5重量%未満のときは研磨パッドの親水度を上げる効果が小さく、10重量%を超えるとポリウレタンの膨潤による軟質化等の欠点がある。
【0022】
上記各成分を混合してポリウレタン組成物が得られ、このポリウレタン組成物を硬化発泡させて本発明の研磨パッドが得られる。
【0023】
得られた研磨パッドの硬度は、JIS A硬度において70〜100が好ましく、圧縮率は1.5〜5.0%が好ましく、また密度は0.30〜0.80g/cm3が好ましい。さらに好ましい研磨パッドの硬度は、80〜90、圧縮率は2.5〜3.5%、密度は0.50〜0.60g/cm3である
なお、研磨パッドの発泡性(孔の径や発泡倍率等)は上記発泡剤、シリコーン系整泡剤等の配合量を変えることにより、調整することができる。
【0024】
このようにして得られた研磨パッドに対する研磨パッドのなじみ性は、図1に示すように、研磨パッド1上にスラリーの液滴2をのせたときに(図1a)、図1(b)に示すように、直ぐに研磨パッド1表面に沿ってスラリーが濡れるという減少で判断することができる。また、この研磨パッドの親水度の程度は、研磨パッドの表面とスラリーの液滴との接触角によっても測定することができ、接触角は30°以下が好ましく、10°以下がさらに好ましい。
【0025】
【実施例】
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
(実施例1)
ウレタンプレポリマーPTMG−TDI系(これはエチレンオキサイドをPTMGに共重合させたジオールを用いたものである)…100重量部
イハラケミカル工業(株)製 キャアミンMT(3,3’ジクロロ−4,4’−ジアミノフェニルメタン)…20重量部
東ソー(株)製 TEDA33L(トリエチレンジアミン、触媒)…0.1重量部
水(発泡剤)…0.13重量部
エアープロラクツジャパン(株)のサーフィノール420(2,4,7,9−テトラメチル−5−デシン−4,7−ジオール−ジポリオキシエチレンエーテル、親水剤)…1重量部
上記各成分を混合して得られるポリウレタン組成物を発泡硬化させて、シート状の研磨パッドを得た。
【0026】
得られた研磨パッドのJIS A硬度を測定したところ86であった。厚みは1.01mm、圧縮率は2.8%、密度は0.51g/cm3であった。
【0027】
次に、研磨パッドの親水度を以下の方法で測定した。
【0028】
以下の研磨条件にて研磨を行い、これを1バッチとし、研磨パッド表面に完全にスラリーがなじむ時間を確認した。
(研磨条件)
圧力:310g
定盤回転数:40rpm
スラリー流量:4リットル/min
研磨時間:30分
研磨温度:25℃
被加工物:8インチのシリコンウエハ
その結果、5バッチの後(上記研磨を5回繰り返した後)にスラリーが研磨パッドになじむことを目視にて確認した。
【0029】
また、得られた研磨パッドの研磨レートを以下の方法によって測定したところ、0.62μm/分であった。
(研磨レートの測定方法)
測定方法は以下の通りとした。
静電容量計: 岩通テクノシステム製 ST−3525 THICKNESS METERを用いた。静電容量計による5点測定平均で行った。
(実施例2)
親水剤(サーフィノール420)の配合量を5重量部としたこと以外は、実施例1と同様にして研磨パッドを得た。
【0030】
得られた研磨パッドについて、実施例1と同様にして、スラリーが研磨パッドになじむまでの時間を観察し、また研磨レートを測定した。それらの結果を表2に示す。
(比較例1)
ウレタンプレポリマーとして、三井武田ケミカル(株)製ハイプレンL−213(ウレタンプレポリマーPTMG−TDI系)を用い、かつ親水剤(サーフィノール420)を配合しないこと以外は、実施例1と同様にして研磨パッドを得た。
【0031】
得られた研磨パッドについて、実施例1と同様にして、スラリーが研磨パッドになじむまでの時間を観察し、また研磨レートを測定した。それらの結果を表2に示す。
(比較例2)
親水剤(サーフィノール420)を配合しないこと以外は、実施例1と同様にして研磨パッドを得た。
【0032】
得られた研磨パッドについて、実施例1と同様にして、スラリーが研磨パッドになじむまでの時間を観察し、また研磨レートを測定した。それらの結果を表2に示す。
【0033】
【表1】
【0034】
【表2】
これらの結果から、本実施例においては、従来品よりスラリーがなじみやすくなり、研磨レートの向上が確認された。また、親水剤の添加量が多いほど、研磨パッドの親水度が向上し、研磨レートも増加することも確認された。
【0035】
【発明の効果】
本発明によれば、親水性基を有する化合物を共重合させたウレタンプレポリマーを用い、かつ親水剤を含有したポリウレタン組成物を用いて研磨パッドを作成したので、両者の相乗作用により、研磨用スラリーの研磨パッドに対するなじみが良好になり、研磨用スラリーが少量で効率のよい研磨が行え、また研磨レートの高い研磨が行える。
【図面の簡単な説明】
【図1】研磨パッド上での研磨用スラリーのなじみを説明した図である。
【符号の説明】
1 研磨パッド
2 スラリーの液滴
Claims (1)
- 親水性基を有する化合物が共重合されたウレタン樹脂を含有し、かつ親水剤を含有するポリウレタン組成物よりなる研磨パッドであって、
該親水剤が、2,4,7,9−テトラメチル−5−デシン−4,7−ジオール−ジポリオキシエチレンエーテル、及び2,4,7、9−テトラメチル−5−デシン−4,7−ジオールからなる群から選択された少なくとも一種であり、該親水性基を有する化合物がエチレンオキサイドモノマーである研磨パッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001319788A JP3851135B2 (ja) | 2001-10-17 | 2001-10-17 | 研磨パッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001319788A JP3851135B2 (ja) | 2001-10-17 | 2001-10-17 | 研磨パッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003128910A JP2003128910A (ja) | 2003-05-08 |
JP3851135B2 true JP3851135B2 (ja) | 2006-11-29 |
Family
ID=19137292
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001319788A Expired - Lifetime JP3851135B2 (ja) | 2001-10-17 | 2001-10-17 | 研磨パッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3851135B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9067298B2 (en) | 2011-11-29 | 2015-06-30 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with grooved foundation layer and polishing surface layer |
US9067297B2 (en) | 2011-11-29 | 2015-06-30 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer |
TWI504479B (zh) * | 2011-05-23 | 2015-10-21 | Nexplanar Corp | 具有離散突出物於其上之均質體的拋光墊 |
KR20160132883A (ko) | 2014-03-14 | 2016-11-21 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 연마 패드 및 그 제조 방법 |
KR20160132882A (ko) | 2014-03-14 | 2016-11-21 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 연마 패드 및 그 제조 방법 |
US9597769B2 (en) | 2012-06-04 | 2017-03-21 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with polishing surface layer having an aperture or opening above a transparent foundation layer |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI256971B (en) | 2002-08-09 | 2006-06-21 | Hitachi Chemical Co Ltd | CMP abrasive and method for polishing substrate |
WO2004054779A1 (ja) * | 2002-11-25 | 2004-07-01 | Sumitomo Bakelite Company Limited | 研磨用独立発泡体の製造方法、研磨用発泡シート、研磨用積層体と研磨方法、研磨用積層体の製造方法、および溝付き研磨パッド |
JP4792146B2 (ja) * | 2004-02-25 | 2011-10-12 | Hoya株式会社 | マスクブランクス用ガラス基板の製造方法、マスクブランクスの製造方法、露光用マスクの製造方法、反射型マスクブランクスの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
US7059936B2 (en) | 2004-03-23 | 2006-06-13 | Cabot Microelectronics Corporation | Low surface energy CMP pad |
US7204742B2 (en) * | 2004-03-25 | 2007-04-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad comprising hydrophobic region and endpoint detection port |
CN101115779B (zh) | 2005-03-08 | 2012-09-19 | 东洋橡胶工业株式会社 | 研磨垫及其制造方法 |
KR101134432B1 (ko) | 2005-05-17 | 2012-04-10 | 도요 고무 고교 가부시키가이샤 | 연마 패드 |
JP4884725B2 (ja) | 2005-08-30 | 2012-02-29 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
JP5031236B2 (ja) | 2006-01-10 | 2012-09-19 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
JP4859110B2 (ja) * | 2006-04-07 | 2012-01-25 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
WO2008026451A1 (en) | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
JP5008927B2 (ja) | 2006-08-31 | 2012-08-22 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
JP5078000B2 (ja) | 2007-03-28 | 2012-11-21 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
JP5184448B2 (ja) | 2009-06-23 | 2013-04-17 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド、その製造方法および研磨加工方法 |
JP6330628B2 (ja) * | 2013-11-11 | 2018-05-30 | 旭硝子株式会社 | ガラス基板の製造方法 |
JP2015096286A (ja) * | 2013-11-15 | 2015-05-21 | 株式会社ツールバンク | 研磨パッド |
CN109320683B (zh) * | 2018-09-28 | 2021-03-19 | 福建华夏蓝新材料科技有限公司 | 一种低表面张力的水性聚氨酯分散体及其制备方法 |
EP3892418A4 (en) | 2018-12-03 | 2022-08-17 | Kuraray Co., Ltd. | POLYURETHANE FOR POLISHING LAYERS, POLISHING LAYER AND POLISHING PAD |
-
2001
- 2001-10-17 JP JP2001319788A patent/JP3851135B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI504479B (zh) * | 2011-05-23 | 2015-10-21 | Nexplanar Corp | 具有離散突出物於其上之均質體的拋光墊 |
US9296085B2 (en) | 2011-05-23 | 2016-03-29 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with homogeneous body having discrete protrusions thereon |
US9067298B2 (en) | 2011-11-29 | 2015-06-30 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with grooved foundation layer and polishing surface layer |
US9067297B2 (en) | 2011-11-29 | 2015-06-30 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer |
US9931728B2 (en) | 2011-11-29 | 2018-04-03 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer |
US9931729B2 (en) | 2011-11-29 | 2018-04-03 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad with grooved foundation layer and polishing surface layer |
US9597769B2 (en) | 2012-06-04 | 2017-03-21 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with polishing surface layer having an aperture or opening above a transparent foundation layer |
KR20160132883A (ko) | 2014-03-14 | 2016-11-21 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 연마 패드 및 그 제조 방법 |
KR20160132882A (ko) | 2014-03-14 | 2016-11-21 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 연마 패드 및 그 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003128910A (ja) | 2003-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3851135B2 (ja) | 研磨パッド | |
JP4313761B2 (ja) | 微細気孔が含まれたポリウレタン発泡体の製造方法及びそれから製造された研磨パッド | |
CN107813219B (zh) | 高平坦化效率化学机械抛光垫和制备方法 | |
JP4884725B2 (ja) | 研磨パッド | |
EP2227353B1 (en) | Damping polyurethane cmp pads with microfillers | |
CN100461346C (zh) | 研磨垫和利用该研磨垫制造半导体器件的方法 | |
JP5346446B2 (ja) | ケミカルメカニカル研磨パッド | |
KR101526010B1 (ko) | 화학 기계적 연마 패드 | |
WO2006123559A1 (ja) | 研磨パッド | |
KR20060124686A (ko) | 폴리우레탄 연마 패드 | |
JP5871978B2 (ja) | 研磨パッド及びその製造方法 | |
WO2013089240A1 (ja) | 研磨パッド | |
JP2003145414A (ja) | 研磨パッド及びその製造方法 | |
JPWO2003101668A1 (ja) | 研磨材、及びそれを使用した研磨方法 | |
JP2001277101A (ja) | 研磨布 | |
JP3571334B2 (ja) | 研磨パッド | |
KR20180134287A (ko) | 개선된 제거 속도 및 연마 균일성을 위한 오프셋 원주 홈을 갖는 화학적 기계적 연마 패드 | |
JP7349774B2 (ja) | 研磨パッド、研磨パッドの製造方法、被研磨物の表面を研磨する方法、被研磨物の表面を研磨する際のスクラッチを低減する方法 | |
JP5174300B2 (ja) | 研磨布用発泡ポリウレタン組成物およびポリウレタン発泡体研磨布 | |
JP4986274B2 (ja) | 研磨パッド及びその製造方法 | |
JP2878282B2 (ja) | 研磨材用ポリウレタン組成物およびポリウレタン発泡体の製造方法 | |
JP7141283B2 (ja) | 研磨パッド、研磨パッドの製造方法、及び被研磨物の表面を研磨する方法 | |
JP6196773B2 (ja) | 研磨パッド | |
JP2001001270A (ja) | 研摩用パッド | |
JP4606730B2 (ja) | 研磨パッドおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041013 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050601 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050707 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050905 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060821 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060831 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3851135 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100908 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100908 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110908 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110908 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120908 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120908 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130908 Year of fee payment: 7 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |