JP2008235888A - 安定したシリサイド膜及びその製造方法 - Google Patents
安定したシリサイド膜及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008235888A JP2008235888A JP2008063701A JP2008063701A JP2008235888A JP 2008235888 A JP2008235888 A JP 2008235888A JP 2008063701 A JP2008063701 A JP 2008063701A JP 2008063701 A JP2008063701 A JP 2008063701A JP 2008235888 A JP2008235888 A JP 2008235888A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon film
- carbon
- nickel
- silicide
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 65
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 86
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 81
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 62
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 53
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 51
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 47
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 82
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 77
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 77
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 18
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 6
- UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N methylsilane Chemical compound [SiH3]C UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000004678 hydrides Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 3
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 claims description 2
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N dimethylsilane Chemical compound C[SiH2]C UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DLNFKXNUGNBIOM-UHFFFAOYSA-N methyl(silylmethyl)silane Chemical compound C[SiH2]C[SiH3] DLNFKXNUGNBIOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HVXTXDKAKJVHLF-UHFFFAOYSA-N silylmethylsilane Chemical compound [SiH3]C[SiH3] HVXTXDKAKJVHLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000007833 carbon precursor Substances 0.000 claims 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 15
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 44
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- ZSBXGIUJOOQZMP-JLNYLFASSA-N Matrine Chemical compound C1CC[C@H]2CN3C(=O)CCC[C@@H]3[C@@H]3[C@H]2N1CCC3 ZSBXGIUJOOQZMP-JLNYLFASSA-N 0.000 description 3
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 3
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001339 C alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XOJVVFBFDXDTEG-UHFFFAOYSA-N Norphytane Natural products CC(C)CCCC(C)CCCC(C)CCCC(C)C XOJVVFBFDXDTEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000233805 Phoenix Species 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N nickel silicon Chemical compound [Si].[Ni] PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-NJFSPNSNSA-N silicon-30 atom Chemical compound [30Si] XUIMIQQOPSSXEZ-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28518—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table the conductive layers comprising silicides
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】金属シリサイド34aは好ましくは、ニッケルと、約2原子%以上の置換型炭素を有する置換的に炭素ドープされた単結晶性シリコンとの反応によって形成されるニッケルシリサイドである。予想に反して、このような金属シリサイド34aは、約900℃以上の温度に対して安定であり、シート抵抗は実質的に、高温に曝されても影響を受けない。金属シリサイドは、BPSG42のリフローアニールを含む、後の高温加工工程に適応する。
【選択図】図13
Description
本願は、「安定したシリサイド膜及びその製造方法(STABLE SILICIDE FILMS AND METHODS FOR MAKING THE SAME)」と題された米国特許仮出願第60/918,342号(2007年3月16日出願)の優先権の利益を主張する。
上述のように、いくつかの実施形態によれば、炭素ドープされたニッケルシリサイドは好ましくは、炭素ドープされたシリコンとニッケルとを反応させることによって形成される。いくつかの実施形態では、炭素ドープされた単結晶性シリコンを、炭素で置換的にドープすることができ、これによりシリコン中に炭素の高度に均一な分布を有することができる。しかしながら、他の実施形態では、いくつかの実施形態による炭素ドープされたニッケルシリサイドが、炭素をシリコン材料中にどのように組み込むかにごくわずかしか又は全く影響を受けないシート抵抗を有することが見い出されている。このため、いくつかの実施形態によるシリサイドは、シリコンが炭素で置換的にドープされず、且つ/又は炭素で均一にドープされていなくとも、予想に反して低いシート抵抗を有する。
図2は、例示される実施形態におけるシリコン基板から成る基板10を示す概略断面図である。基板10は、シリコンウェーハ又はシリコン・オン・インシュレーター(SOI)基板上に形成されるエピタキシャル層11を含んでいてもよい。フィールド分離領域12は、従来の浅溝型素子分離(STI)法によって形成されており、これは、STI素子間のウィンドウの活性区域を規定する。1つの活性区域14を例示する。代替的に、シリコンの局所酸化(LOCOS)及びLOCOS又はSTIに基づく数ある変法を含む任意の好適な方法を使用して、フィールド分離材料を規定してもよい。いくつかの活性区域が一般に、基板10全体にわたるSTIによって同時に規定されること、及びフィールド絶縁体が多くの場合、互いに分離するウェブ分離トランジスタ活性区域14を形成することが理解されるであろう。基板は好ましくは、チャネル形成に好適なレベルでドープされる土台部分(background)である。
Claims (31)
- 半導体の加工方法であって、
反応チャンバ内で、少なくとも約2原子%の炭素を含むシリコン膜を基板上に形成すること、
金属膜を前記シリコン膜上に堆積させること、
前記金属膜及び前記シリコン膜をアニールし、金属シリサイドを形成すること、
誘電体層を前記金属シリサイド上に堆積させること、及び
前記誘電体層をアニールすることによって該誘電体層を平坦化すること
を含む、方法。 - 前記誘電体層がBPSG層であり、該誘電体層を平坦化することが、BPSGをリフローすることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記金属膜を堆積させることが、ニッケル膜を堆積させることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記シリコン膜が、約2.7原子%以上の炭素を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記シリコン膜が単結晶性シリコン膜であり、前記炭素が、該単結晶性シリコン膜中に置換的にドープされる、請求項1に記載の方法。
- 温度の関数である前記金属シリサイドのシート抵抗が、約800〜900℃の任意の温度におけるアニール後に実質的に一定であり、前記BPSG層を平坦化することが、約800℃以上で該BPSG層をアニールすることを含む、請求項1に記載の方法。
- シリコン膜を形成することが、該シリコン膜を選択的に堆積させることを含み、該シリコン膜を選択的に堆積させることが、
1つ又は複数の凹部を前記基板に形成すること、及び
約2原子%以上の炭素を含む前記シリコン膜を、前記1つ又は複数の凹部中に選択的に堆積させること
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記シリコン膜を形成することが、トリシラン及び炭素前駆体を前記反応チャンバ内に流入させることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記炭素前駆体が、モノシリルメタン、ジシリルメタン、トリシリルメタン及びテトラシリルメタン、並びに/又はモノメチルシラン(MMS)、ジメチルシラン及びH3Si−CH2−SiH2−CH3(1,3−ジシラブタン)等のアルキルシランから成る群から選択される、請求項8に記載の方法。
- 前記金属膜及び前記シリコン膜をアニールして前記金属シリサイドを形成する前に、該シリコン膜を電気的ドーパントでドープすることをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記シリコン膜を前記電気的ドーパントでドープすることが、
前記シリコン膜を形成した後に前記電気的ドーパントを注入すること、及び
続いて、前記シリコン膜をアニールすること
を含む、請求項10に記載の方法。 - 前記シリコン膜を前記電気的ドーパントでドープすることが、該シリコン膜を形成しながら、ドーパント前駆体を前記反応チャンバ内に流入させることを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記電気的ドーパントが水素化物である、請求項10に記載の方法。
- 前記電気的ドーパントが、アルシン、ホスフィン及びジボランから成る群から選択される、請求項10に記載の方法。
- 前記反応チャンバが、単一基板の層流コールドウォールチャンバ(single substrate, laminar flow, cold wall chamber)である、請求項1に記載の方法。
- 半導体の加工方法であって、
炭素でドープされたシリコン膜を有する基板を準備すること、
前記シリコン膜とニッケルとを反応させて、ニッケルシリサイドを形成すること、及び
続いて、前記ニッケルシリサイドを約700℃以上でアニールすること
を含み、前記ニッケルシリサイドをアニールした後の該ニッケルシリサイドのシート抵抗が、約12Ω/sq未満である、方法。 - 前記シリコン膜が、2.7原子%以上の炭素でドープされる、請求項16に記載の方法。
- 前記ニッケルシリサイドが、1.35原子%以上の炭素を含む、請求項16に記載の方法。
- 前記ニッケルシリサイドをアニールすることが、約850℃以上で実施される、請求項16に記載の方法。
- 前記シリコン膜とニッケルとを反応させることが、
ニッケルを前記シリコン膜上に直接堆積させること、及び
前記基板をアニールすること
を含む、請求項16に記載の方法。 - ニッケルを堆積させることが、ニッケル層をブランケット堆積させることを含む、請求項20に記載の方法。
- 前記シリコン膜とニッケルとを反応させて前記ニッケルシリサイドを形成した後、ニッケルシリサイドに対してニッケルを選択的に除去することをさらに含む、請求項21に記載の方法。
- 前記シリコン膜が、電気的ドーパントを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記シリコン膜が、トランジスタのゲート電極に直に隣接するように提供される、請求項16に記載の方法。
- 前記ニッケルシリサイドが、前記トランジスタのソース/ドレイン領域のためのコンタクトを形成する、請求項24に記載の方法。
- 集積回路であって、
1原子%以上の炭素を含む金属シリサイドと、
前記金属シリサイドの上に積層されるパターン化されたBPSG層と
を含む、集積回路。 - 前記金属シリサイドが、ニッケルシリサイドである、請求項26に記載の集積回路。
- 前記BPSG層が、実質的に平坦な上面を有する、請求項26に記載の集積回路。
- 前記金属シリサイドが、約1.35原子%以上の炭素を含む、請求項26に記載の集積回路。
- 前記金属シリサイドが、前記炭素で置換的にドープされる、請求項26に記載の集積回路。
- 前記ニッケルシリサイドのシート抵抗が、約16Ω/sq未満である、請求項26に記載の集積回路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US91834207P | 2007-03-16 | 2007-03-16 | |
US60/918342 | 2007-03-16 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008235888A true JP2008235888A (ja) | 2008-10-02 |
JP2008235888A5 JP2008235888A5 (ja) | 2011-04-28 |
JP5497269B2 JP5497269B2 (ja) | 2014-05-21 |
Family
ID=39761835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008063701A Active JP5497269B2 (ja) | 2007-03-16 | 2008-03-13 | 安定したシリサイド膜及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8367548B2 (ja) |
JP (1) | JP5497269B2 (ja) |
TW (1) | TWI524392B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170088261A (ko) * | 2016-01-22 | 2017-08-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8546259B2 (en) * | 2007-09-26 | 2013-10-01 | Texas Instruments Incorporated | Nickel silicide formation for semiconductor components |
US9379011B2 (en) | 2008-12-19 | 2016-06-28 | Asm International N.V. | Methods for depositing nickel films and for making nickel silicide and nickel germanide |
US7927942B2 (en) | 2008-12-19 | 2011-04-19 | Asm International N.V. | Selective silicide process |
US8946828B2 (en) | 2010-02-09 | 2015-02-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device having elevated structure and method of manufacturing the same |
US8871617B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-10-28 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition and reduction of mixed metal oxide thin films |
KR102269228B1 (ko) | 2014-07-31 | 2021-06-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조 방법 |
US9607842B1 (en) | 2015-10-02 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming metal silicides |
JP2020047706A (ja) * | 2018-09-18 | 2020-03-26 | キオクシア株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2024518754A (ja) * | 2021-04-21 | 2024-05-02 | インテグリス・インコーポレーテッド | ケイ素含有膜を形成するためのケイ素前駆体化合物及び方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07106280A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-04-21 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH08301612A (ja) * | 1995-03-24 | 1996-11-19 | Toshiba Corp | シリコン表面の酸化防止方法、シリコン表面にシリサイド層を形成する方法および高架型半導体構造の垂直面上に酸化層を形成する方法 |
JP2007036205A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-02-08 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (64)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4521952A (en) | 1982-12-02 | 1985-06-11 | International Business Machines Corporation | Method of making integrated circuits using metal silicide contacts |
US4605947A (en) | 1983-03-07 | 1986-08-12 | Motorola Inc. | Titanium nitride MOS device gate electrode and method of producing |
US4994402A (en) | 1987-06-26 | 1991-02-19 | Hewlett-Packard Company | Method of fabricating a coplanar, self-aligned contact structure in a semiconductor device |
US4873205A (en) * | 1987-12-21 | 1989-10-10 | International Business Machines Corporation | Method for providing silicide bridge contact between silicon regions separated by a thin dielectric |
US5319220A (en) * | 1988-01-20 | 1994-06-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Silicon carbide semiconductor device |
FR2658951B1 (fr) | 1990-02-23 | 1992-05-07 | Bonis Maurice | Procede de fabrication d'un circuit integre pour filiere analogique rapide utilisant des lignes d'interconnexions locales en siliciure. |
US5043300A (en) | 1990-04-16 | 1991-08-27 | Applied Materials, Inc. | Single anneal step process for forming titanium silicide on semiconductor wafer |
US5032233A (en) | 1990-09-05 | 1991-07-16 | Micron Technology, Inc. | Method for improving step coverage of a metallization layer on an integrated circuit by use of a high melting point metal as an anti-reflective coating during laser planarization |
US5196360A (en) | 1990-10-02 | 1993-03-23 | Micron Technologies, Inc. | Methods for inhibiting outgrowth of silicide in self-aligned silicide process |
US5236865A (en) | 1991-01-16 | 1993-08-17 | Micron Technology, Inc. | Method for simultaneously forming silicide and effecting dopant activation on a semiconductor wafer |
US5094977A (en) | 1991-01-25 | 1992-03-10 | Micron Technology, Inc. | Stress reduction in metal films by laser annealing |
US5147819A (en) | 1991-02-21 | 1992-09-15 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor metallization method |
KR100228619B1 (ko) | 1991-03-05 | 1999-11-01 | 아치 케이. 말론 | 자기-정합 접점 형성 방법 및 구조 |
US5084406A (en) | 1991-07-01 | 1992-01-28 | Micron Technology, Inc. | Method for forming low resistance DRAM digit-line |
US5389575A (en) | 1991-07-12 | 1995-02-14 | Hughes Aircraft Company | Self-aligned contact diffusion barrier method |
JPH05175216A (ja) * | 1991-12-24 | 1993-07-13 | Rohm Co Ltd | ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製法 |
US5231056A (en) | 1992-01-15 | 1993-07-27 | Micron Technology, Inc. | Tungsten silicide (WSix) deposition process for semiconductor manufacture |
US5326992A (en) * | 1992-07-29 | 1994-07-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Silicon carbide and SiCAlN heterojunction bipolar transistor structures |
US5378641A (en) | 1993-02-22 | 1995-01-03 | Micron Semiconductor, Inc. | Electrically conductive substrate interconnect continuity region and method of forming same with an angled implant |
US5341016A (en) | 1993-06-16 | 1994-08-23 | Micron Semiconductor, Inc. | Low resistance device element and interconnection structure |
US5480814A (en) | 1994-12-27 | 1996-01-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Process of making a polysilicon barrier layer in a self-aligned contact module |
JPH08213343A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-08-20 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US5656519A (en) | 1995-02-14 | 1997-08-12 | Nec Corporation | Method for manufacturing salicide semiconductor device |
JPH08306700A (ja) * | 1995-04-27 | 1996-11-22 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US5508212A (en) | 1995-04-27 | 1996-04-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. | Salicide process for a MOS semiconductor device using nitrogen implant of titanium |
US5888903A (en) | 1995-06-07 | 1999-03-30 | Texas Instruments Incorporated | Self-aligned silicide process |
US5756394A (en) | 1995-08-23 | 1998-05-26 | Micron Technology, Inc. | Self-aligned silicide strap connection of polysilicon layers |
US5656546A (en) | 1995-08-28 | 1997-08-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd | Self-aligned tin formation by N2+ implantation during two-step annealing Ti-salicidation |
US6096638A (en) | 1995-10-28 | 2000-08-01 | Nec Corporation | Method for forming a refractory metal silicide layer |
US5670404A (en) * | 1996-06-21 | 1997-09-23 | Industrial Technology Research Institute | Method for making self-aligned bit line contacts on a DRAM circuit having a planarized insulating layer |
US6183565B1 (en) | 1997-07-08 | 2001-02-06 | Asm International N.V | Method and apparatus for supporting a semiconductor wafer during processing |
US5945350A (en) | 1996-09-13 | 1999-08-31 | Micron Technology, Inc. | Methods for use in formation of titanium nitride interconnects and interconnects formed using same |
US5683922A (en) * | 1996-10-04 | 1997-11-04 | United Microelectronics Corporation | Method of fabricating a self-aligned contact |
JP2950272B2 (ja) * | 1997-01-24 | 1999-09-20 | 日本電気株式会社 | 半導体薄膜の製造方法 |
CN1292458C (zh) * | 1997-04-11 | 2006-12-27 | 日亚化学工业株式会社 | 氮化物半导体的生长方法、氮化物半导体衬底及器件 |
US6117761A (en) | 1997-08-23 | 2000-09-12 | Micron Technology, Inc. | Self-aligned silicide strap connection of polysilicon layers |
US5856237A (en) | 1997-10-20 | 1999-01-05 | Industrial Technology Research Institute | Insitu formation of TiSi2/TiN bi-layer structures using self-aligned nitridation treatment on underlying CVD-TiSi2 layer |
FR2770703A1 (fr) | 1997-11-04 | 1999-05-07 | Canon Kk | Dispositif et procede de codage de symboles, dispositif et procede de decodage de symboles |
JP2967477B2 (ja) * | 1997-11-26 | 1999-10-25 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH11176822A (ja) | 1997-12-05 | 1999-07-02 | Hitachi Ltd | 半導体処理装置 |
TW439151B (en) | 1997-12-31 | 2001-06-07 | Samsung Electronics Co Ltd | Method for forming conductive layer using atomic layer deposition process |
US6147405A (en) | 1998-02-19 | 2000-11-14 | Micron Technology, Inc. | Asymmetric, double-sided self-aligned silicide and method of forming the same |
US6221711B1 (en) * | 1998-05-11 | 2001-04-24 | Micron Technology, Inc. | Methods of electrically contacting to conductive plugs, methods of forming contact openings, and methods of forming dynamic random access memory circuitry |
JP2000208437A (ja) | 1999-01-08 | 2000-07-28 | United Microelectronics Corp | ケイ化物層の形成方法 |
US6365453B1 (en) * | 1999-06-16 | 2002-04-02 | Micron Technology, Inc. | Method and structure for reducing contact aspect ratios |
US6190453B1 (en) * | 1999-07-14 | 2001-02-20 | Seh America, Inc. | Growth of epitaxial semiconductor material with improved crystallographic properties |
US6345150B1 (en) | 1999-11-30 | 2002-02-05 | Wafermasters, Inc. | Single wafer annealing oven |
NL1013984C2 (nl) | 1999-12-29 | 2001-07-02 | Asm Int | Werkwijze en inrichting voor het behandelen van substraten. |
US6316795B1 (en) * | 2000-04-03 | 2001-11-13 | Hrl Laboratories, Llc | Silicon-carbon emitter for silicon-germanium heterojunction bipolar transistors |
US6372584B1 (en) | 2000-08-01 | 2002-04-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for making raised source/drain regions using laser |
JP3557457B2 (ja) * | 2001-02-01 | 2004-08-25 | 東北大学長 | SiC膜の製造方法、及びSiC多層膜構造の製造方法 |
WO2002080244A2 (en) * | 2001-02-12 | 2002-10-10 | Asm America, Inc. | Improved process for deposition of semiconductor films |
US6743721B2 (en) | 2002-06-10 | 2004-06-01 | United Microelectronics Corp. | Method and system for making cobalt silicide |
US6998305B2 (en) * | 2003-01-24 | 2006-02-14 | Asm America, Inc. | Enhanced selectivity for epitaxial deposition |
US7153772B2 (en) * | 2003-06-12 | 2006-12-26 | Asm International N.V. | Methods of forming silicide films in semiconductor devices |
US7208362B2 (en) * | 2003-06-25 | 2007-04-24 | Texas Instruments Incorporated | Transistor device containing carbon doped silicon in a recess next to MDD to create strain in channel |
JP4274916B2 (ja) * | 2003-11-28 | 2009-06-10 | 株式会社日立製作所 | ディスクアレイ装置 |
KR100738066B1 (ko) * | 2003-12-01 | 2007-07-12 | 삼성전자주식회사 | 열적 안정성이 우수한 실리사이드막 형성방법, 이방법으로 형성된 실리사이드막이 구비된 반도체 소자와반도체 메모리 소자 및 이들 소자의 제조 방법 |
US7479431B2 (en) * | 2004-12-17 | 2009-01-20 | Intel Corporation | Strained NMOS transistor featuring deep carbon doped regions and raised donor doped source and drain |
US7438760B2 (en) * | 2005-02-04 | 2008-10-21 | Asm America, Inc. | Methods of making substitutionally carbon-doped crystalline Si-containing materials by chemical vapor deposition |
US7550381B2 (en) * | 2005-07-18 | 2009-06-23 | Applied Materials, Inc. | Contact clean by remote plasma and repair of silicide surface |
US8278176B2 (en) * | 2006-06-07 | 2012-10-02 | Asm America, Inc. | Selective epitaxial formation of semiconductor films |
US8394196B2 (en) * | 2006-12-12 | 2013-03-12 | Applied Materials, Inc. | Formation of in-situ phosphorus doped epitaxial layer containing silicon and carbon |
TWI469221B (zh) * | 2009-06-26 | 2015-01-11 | Pfc Device Co | 溝渠式蕭基二極體及其製作方法 |
-
2008
- 2008-02-21 US US12/035,373 patent/US8367548B2/en active Active
- 2008-03-12 TW TW097108686A patent/TWI524392B/zh active
- 2008-03-13 JP JP2008063701A patent/JP5497269B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07106280A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-04-21 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH08301612A (ja) * | 1995-03-24 | 1996-11-19 | Toshiba Corp | シリコン表面の酸化防止方法、シリコン表面にシリサイド層を形成する方法および高架型半導体構造の垂直面上に酸化層を形成する方法 |
JP2007036205A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-02-08 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170088261A (ko) * | 2016-01-22 | 2017-08-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR102443803B1 (ko) * | 2016-01-22 | 2022-09-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI524392B (zh) | 2016-03-01 |
JP5497269B2 (ja) | 2014-05-21 |
US8367548B2 (en) | 2013-02-05 |
US20080224317A1 (en) | 2008-09-18 |
TW200845157A (en) | 2008-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5497269B2 (ja) | 安定したシリサイド膜及びその製造方法 | |
EP1639636B1 (en) | Optimization of mechanical strain in channels of p-mos and n-mos transistors | |
CN100442464C (zh) | 半导体器件制造方法 | |
JP5173140B2 (ja) | 電気的に活性なドープト結晶性Si含有膜の堆積方法 | |
US7863163B2 (en) | Epitaxial deposition of doped semiconductor materials | |
US6946371B2 (en) | Methods of fabricating semiconductor structures having epitaxially grown source and drain elements | |
US9312131B2 (en) | Selective epitaxial formation of semiconductive films | |
US7776698B2 (en) | Selective formation of silicon carbon epitaxial layer | |
US20080026149A1 (en) | Methods and systems for selectively depositing si-containing films using chloropolysilanes | |
US8415236B2 (en) | Methods for reducing loading effects during film formation | |
WO2009079485A1 (en) | Phosphorus containing si epitaxial layers in n-type source/drain junctions | |
TWI387010B (zh) | 用於製造電晶體之方法 | |
KR101728141B1 (ko) | 에피택시얼 블로킹막을 이용하는 반도체 장치의 제조 방법 | |
US10312096B2 (en) | Methods for titanium silicide formation using TiCl4 precursor and silicon-containing precursor | |
TWI839298B (zh) | 半導體元件結構 | |
US20230420530A1 (en) | Forming a forksheet nanodevice | |
KR20030044396A (ko) | 에피택셜 박막의 형성 방법 | |
KR20070022046A (ko) | 선택적인 증착 프로세스들을 이용하여 mosfet 소자를제조하는 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090703 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090703 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20091209 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110311 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110311 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130402 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130702 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20130726 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140304 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140306 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5497269 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |