JP2008182239A - 静電気放電保護装置 - Google Patents
静電気放電保護装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008182239A JP2008182239A JP2008012891A JP2008012891A JP2008182239A JP 2008182239 A JP2008182239 A JP 2008182239A JP 2008012891 A JP2008012891 A JP 2008012891A JP 2008012891 A JP2008012891 A JP 2008012891A JP 2008182239 A JP2008182239 A JP 2008182239A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- conductive
- well
- protection device
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 74
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 9
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 7
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0259—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using bipolar transistors as protective elements
- H01L27/0262—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using bipolar transistors as protective elements including a PNP transistor and a NPN transistor, wherein each of said transistors has its base coupled to the collector of the other transistor, e.g. silicon controlled rectifier [SCR] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
- H01L29/7436—Lateral thyristors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】入出力端子部及び電流放電部を備え、前記電流放電部はゲート電極によりブリッジ(Birdge)領域に区分される伝導性領域、前記伝導性領域下に形成されるウェル(well)領域と、他の伝導性領域により前記ウェル領域に区分される他のウェル領域と、他のウェル領域を介して二重電流の放電経路を具現する多重追加伝導性領域とを備える。
【選択図】図8
Description
静電気放電現象の結果として、入出力端子DQに高電圧が印加されると、n+領域11とp型基板10との間のpn接合を横切って降伏現象(breakdown)が惹起され、印加された高電圧による電流はn+領域11、p型基板10、及びp+領域13を介して流れる。その結果、p型基板10とn+領域12との間に順方向バイアスが印加されるので、電流はn+領域11、p型基板10、及びn+領域12を介して入出力端子DQから接地電圧Vssに流れるようになる。
n+領域11とp型基板10との間のpn接合において降伏現象が発生する所定電圧(トリガ電圧)よりも高い電圧が入出力端子DQに印加されると、電流は第1接合トランジスタQ1のコレクタ、ベースと抵抗Rpを介して流れるようになる。この電流により第1接合トランジスタQ1のベース電圧が上昇して第1接合トランジスタQ1がターンオンされることによって、多量の電流が第1接合トランジスタQ1を介して入出力端子DQから接地電圧に流れるようになる。
静電気により入出力端子DQに高電圧が印加されると、nウェル21とp型基板20との間のpn接合を横切って降伏現象が発生し、電流がn+領域31、nウェル21、p型基板20及びp+領域35を介して流れる。結果的に、p+領域32とnウェル21との間に順方向バイアスが印加されて、電流がp+領域32、nウェル21及びp型基板20を介して電流が流れる。したがって、p型基板20とn+領域34との間にも順方向バイアスが印加されて、電流がnウェル21、p型基板20及びn+領域34を介して流れる。
本発明の実施形態において前記第2電流放電経路は、第5抵抗、及び前記第5抵抗と直列に接続される第2接合ダイオードを備えたり、並列抵抗を備えたりすることを特徴とする。
以下の実施形態は、p型基板を背景として説明する。しかしながら、n型基板を用いて静電気放電保護装置を製造することもできることは当然である。以下では、p型伝導性を「第1伝導性」または「FCT」として、n型伝導性を「第2伝導性」または「SCT」として表現する。
図6のシリコン制御整流器の動作は、図3の説明と基本的に類似する。しかし、p+領域35と接地電圧Vssとの間にさらに形成されたnウェル22を介する電流経路の抵抗が増加することになり、対応する第1接合トランジスタQ1のエミッタ領域が広くなるので電流利得も増加し、トリガ電圧Vtが低くなる効果が奏する。また、さらに形成されたn+領域37、39、p+領域38、及びnウェル23によってホールディング電圧Vhが高くなる効果を奏する。すなわち、放電電流はn+領域34、p+領域38、nウェル23を経てn+領域37、39を介して(第1電流経路(1)及び第2電流経路(2))接地電圧Vssに流れる。このとき、pn接合ダイオードがp+領域38とnウェル23との間に形成されることによって、ホールディング電圧Vhはpn接合ダイオードのスレッショルド電圧(threshold voltage)によって増加することになる。
第1接合トランジスタQ1と接地電圧との間に接続された第1ダイオードD1及び第4抵抗R1と、これらと並列に接続された並列抵抗R3はトリガ電圧Vtを減少させ、ホールディング電圧Vhを増加させる役割をする。すなわち、図7の静電気放電保護装置の等価回路で電流は、第1ダイオードD1及び第2ダイオードD2を介して流れて、トリガ電圧Vtが増加する結果を発生した。図9の静電気放電保護装置の等価回路では、電流が小さい場合にダイオードによるトリガ電圧Vtが増加することを防止するために、電流が並列抵抗R3を介して(図8の第3電流経路(3))流れるように制御されて、トリガ電圧Vtを減少させることができる。電流が大きい場合には、電流が第1ダイオードD1と第4抵抗R1を介して(図8の第1電流経路(1))流れるように制御されて、第1ダイオードD1によってホールディング電圧Vhが増加される。また、図7の静電気放電保護装置は大きさがそれぞれRnw/2である第4抵抗R1及び第5抵抗R2が並列に接続されたが、図9ではさらに大きい抵抗値が提供されるのでホールディング電圧Vhが増加する。
図11及び図12に示す静電気放電保護装置の動作を説明すると、各フィンガー61、62は図8及び図9で説明した回路と同様に動作する。
また、上記の静電気放電保護装置は、シリコン制御整流器を用いて具現したが、他の形態の静電気放電保護装置にも本発明を適用することができる。例えば、図10で説明したように、図1のような接地ゲートNMOS(GGNMOS)を用いて具現することができる。すなわち、図1のn+領域12とp+領域13との間に、図8に示すnウェル23及びnウェル23内に形成されたn+領域37、p+領域38、及びn+領域39を形成し、n+領域12はn+領域37及びp+領域38に接続し、n+領域39及びp+領域13は接地電圧Vssに接続することによって、従来の接地ゲートNMOS(GGNMOS)よりもトリガ電圧は減少させ、ホールディング電圧は増加させることができる接地ゲートNMOSを具現することができる。
21,22,23 nウェル
30 隔離領域
31,33,34,37,39 n+領域
40 ゲート電極
32,35,36,38 p+領域
(1)、(3) 第1電流経路及び第3電流経路
DQ 入出力端子
Vss 接地電圧
Claims (18)
- 第1伝導性の基板内に形成される第2伝導性の第1ウェル領域と、
前記第1ウェル領域内に形成され、入出力端子に接続される第2伝導性の第1領域と、
前記第2伝導性の第1領域と離隔されて前記第1ウェル領域内に形成され、前記入出力端子に接続される第1伝導性の第1領域と、
前記第1ウェル領域と前記基板に接触して形成される第2伝導性のブリッジ領域を備える入出力端子部と、
ゲート電極によって前記ブリッジ領域に区分され、前記基板内に形成される第2伝導性の第2領域と、
前記第2伝導性の第2領域下の、前記基板内に形成される第2伝導性の第2ウェル領域と、
前記基板内に形成される第1伝導性の第2領域によって前記第2ウェル領域に区分され、前記基板内に形成される第2伝導性の第3ウェル領域と、
前記第3ウェル領域内にそれぞれ離隔されて形成される、第2伝導性の第3領域、第1伝導性の第3領域、及び第2伝導性の第4領域と、
前記第3ウェルの側面に前記第1伝導性の第2領域の反対側の前記基板内に形成される第1伝導性の第4領域を備える電流放電部と、を備え、
前記基板内に形成されることを特徴とする静電気放電保護装置。 - 前記第1伝導性の第3領域と前記第2伝導性の第2領域とは電気的に接続され、
前記ゲート電極、前記第2伝導性の第3領域及び第4領域、及び前記第1伝導性の第4領域は電源電圧に接続されることを特徴とする請求項1に記載の静電気放電保護装置。 - 前記第2伝導性の第2領域及び第3領域と前記第1伝導性の第3領域は電気的に接続され、
前記ゲート電極、前記第2伝導性の第4領域及び前記第1伝導性の第4領域は電源電圧に接続されることを特徴とする請求項1に記載の静電気放電保護装置。 - 前記静電気放電保護装置は、
前記第2伝導性の第1領域とブリッジ領域とから前記第1伝導性の第1領域を区分するための隔離領域をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の静電気放電保護装置。 - 前記静電気放電保護装置は、
前記第1伝導性の第2領域から前記第2ウェルを区分するための隔離領域と、
前記第3ウェルから前記第1伝導性の第2領域を区分するための隔離領域と、
前記第3ウェル内で前記第1伝導性の第3領域から前記第2伝導性の第3領域を区分するための隔離領域と、
前記第3ウェル内で前記第2伝導性の第4領域から前記第1伝導性の第3領域を区分するための隔離領域と、
前記第1伝導性の第4領域から前記第2伝導性の第4領域を区分するための隔離領域と、
をさらに備えることを特徴とする請求項4に記載の静電気放電保護装置。 - 第1伝導性の基板内に形成され、第1電流放電部及び第2電流放電部と前記第1電流放電部及び第2電流放電部との間の中間に共通入出力端子部を備え、
前記共通入出力端子部は、
前記基板内に形成される第2伝導性の第1ウェル領域と、
前記第1ウェル領域内に形成され、入出力端子に接続される第2伝導性の第1領域と、
第2伝導性の第1領域の両側面に離隔されて前記第1ウェル領域内に形成され、前記入出力端子に接続される2つの第1伝導性の第1領域と、
前記2つの第1伝導性の第1領域のうちのいずれか1つによって前記第2伝導性の第1領域からそれぞれ区分され、前記第1ウェル領域と前記基板に接触して形成される2つのブリッジ領域と、を備え、
前記第1電流放電部と第2電流放電部のそれぞれは、
ゲート電極により前記2つのブリッジ領域のうちのいずれか1つにそれぞれ区分され、前記基板内に形成される2つの第2伝導性の第2領域と、
前記第2伝導性の第2領域下の、前記基板内に形成される第2伝導性の第2ウェル領域と、
前記基板内に形成される第1伝導性の第2領域により前記第2ウェル領域に区分され、前記基板内に形成される第2伝導性の第3ウェル領域と、
前記第3ウェル領域内に互いに離隔されて形成される、第2伝導性の第3領域、第1伝導性の第3領域、及び第2伝導性の第4領域と、
前記第3ウェル領域の側面に前記第1伝導性の第2領域の反対側の前記基板内に形成される第1伝導性の第4領域と、
前記第1電流放電部及び第2電流放電部の前記第1伝導性の第2領域それぞれを電気的に接続するための接続手段と、
を備えることを特徴とするマルチフィンガー静電気放電保護装置。 - 前記第1電流放電部及び第2電流放電部のそれぞれは、
前記第1伝導性の第3領域と第2伝導性の第2領域とが電気的に接続され、
前記ゲート電極、前記第2伝導性の第3領域及び第4領域、及び前記第1伝導性の第4領域が電源電圧に接続されることを特徴とする請求項6に記載のマルチフィンガー静電気放電保護装置。 - 前記第1電流放電部及び第2電流放電部のそれぞれは、
前記第2伝導性の第2領域及び第3領域と前記第1伝導性の第3領域が電気的に接続され、
前記ゲート電極、前記第2伝導性の第4領域、及び前記第1伝導性の第4領域が電源電圧に接続されることを特徴とする請求項6に記載のマルチフィンガー静電気放電保護装置。 - 前記マルチフィンガー静電気放電保護装置は、
前記2つの第2伝導性の第1領域から前記第1伝導性の第1領域を区分するための隔離領域と、
前記2つのブリッジ領域それぞれから前記2つの第2伝導性の第1領域それぞれを区分するための隔離領域と、
をさらに備えることを特徴とする請求項6に記載のマルチフィンガー静電気放電保護装置。 - 前記第1電流放電部及び第2電流放電部のそれぞれは、
前記第1伝導性の第2領域から前記第2ウェル領域を区分するための隔離領域と、
前記第3ウェル領域から前記第1伝導性の第2領域を区分するための隔離領域と、
前記第3ウェル領域内で前記第1伝導性の第3領域から前記第2伝導性の第3領域を区分するための隔離領域と、
前記第3ウェル領域内で前記第2伝導性の第4領域から前記第1伝導性の第3領域を区分するための隔離領域と、
前記第1伝導性の第4領域から前記第2伝導性の第4領域を区分するための隔離領域と、
をさらに備えることを特徴とする請求項9に記載のマルチフィンガー静電気放電保護装置。 - 第1接合トランジスタと、
前記第1接合トランジスタのコレクタにベースが接続され、前記第1接合トランジスタのベースにコレクタが接続される第2接合トランジスタと、
第2接合トランジスタのエミッタに接続される入出力端子と前記第1接合トランジスタのコレクタとの間に接続される第1抵抗と、
ゲートが電源電圧に接続され、前記第1接合トランジスタのコレクタとベースにそれぞれドレインとソースが接続されるNMOSトランジスタと、
前記第2接合トランジスタのコレクタと前記電源電圧との間に直列に接続される第2抵抗及び第3抵抗と、
前記電源電圧で電流を放電するために前記NMOSトランジスタのソースと前記第1接合トランジスタのエミッタに共通に並列に接続される第1電流放電経路及び第2電流放電経路を備える等価回路とを有し、半導体基板内において製造されることを特徴とする静電気放電保護装置。 - 前記第1電流放電経路は、
第4抵抗と、
前記第4抵抗と直列に接続される第1接合ダイオードと、
を備えることを特徴とする請求項11に記載の静電気放電保護装置。 - 前記第2電流放電経路は、
第5抵抗と、
前記第5抵抗と直列に接続される第2接合ダイオードと、
を備えることを特徴とする請求項12に記載の静電気放電保護装置。 - 前記第2電流放電経路は、
並列抵抗を備えることを特徴とする請求項12に記載の静電気放電保護装置。 - 第1電流放電部及び第2電流放電部、及び前記第1電流放電部及び第2電流放電部に接続される共通入出力端子を備える等価回路を有して半導体基板内に製造され、
前記第1電流放電部及び第2電流放電部のそれぞれは、
第1接合トランジスタと、
前記第1接合トランジスタのコレクタにベースが接続され、前記第1接合トランジスタのベースにコレクタが接続される第2接合トランジスタと、
第2接合トランジスタのエミッタに接続される前記入出力端子と前記第1接合トランジスタのコレクタとの間に接続される第1抵抗と、
ゲートが電源電圧に接続され、前記第1接合トランジスタのコレクタとベースにそれぞれドレインとソースが接続されるNMOSトランジスタと、
前記第2接合トランジスタのコレクタと前記電源電圧との間に直列に接続される第2抵抗及び第3抵抗と、
前記電源電圧に電流を放電するために前記NMOSトランジスタのソースと前記第1接合トランジスタのエミッタに共通に並列に接続される第1電流放電経路及び第2電流放電経路と、
前記第1電流放電部及び第2電流放電部で前記第2抵抗及び第3抵抗間を電気的に接続する接続手段と、
を備えることを特徴とするマルチフィンガー静電気放電保護装置。 - 前記第1電流放電経路は、
第4抵抗と、
前記第4抵抗と直列に接続される第1接合ダイオードと、
を備えることを特徴とする請求項15に記載のマルチフィンガー静電気放電保護装置。 - 前記第2電流放電経路は、
第5抵抗と、
前記第5抵抗と直列に接続される第2接合ダイオードと、
を備えることを特徴とする請求項16に記載のマルチフィンガー静電気放電保護装置。 - 前記第2電流放電経路は、
並列抵抗を備えることを特徴とする請求項16に記載のマルチフィンガー静電気放電保護装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2007-0006945 | 2007-01-23 | ||
KR1020070006945A KR100835282B1 (ko) | 2007-01-23 | 2007-01-23 | 정전기 방전 보호 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008182239A true JP2008182239A (ja) | 2008-08-07 |
JP5449676B2 JP5449676B2 (ja) | 2014-03-19 |
Family
ID=39640959
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008012891A Active JP5449676B2 (ja) | 2007-01-23 | 2008-01-23 | 静電気放電保護装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7777999B2 (ja) |
JP (1) | JP5449676B2 (ja) |
KR (1) | KR100835282B1 (ja) |
CN (1) | CN101290933B (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011142190A (ja) * | 2010-01-06 | 2011-07-21 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置 |
JP2013069143A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | シミュレーション装置およびシミュレーション方法 |
JP2014517517A (ja) * | 2011-05-11 | 2014-07-17 | アナログ・デバイシズ・インコーポレーテッド | 過電圧および/または静電気放電保護デバイス |
JP2014525147A (ja) * | 2012-04-28 | 2014-09-25 | 无錫華潤上華半導体有限公司 | 静電気放電保護構造及びその製造方法 |
JP2015500566A (ja) * | 2011-12-08 | 2015-01-05 | ソフィックス ビーヴィービーエー | 高保持電圧、混合電圧ドメイン静電気放電クランプ |
US10043792B2 (en) | 2009-11-04 | 2018-08-07 | Analog Devices, Inc. | Electrostatic protection device |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5041749B2 (ja) * | 2006-07-13 | 2012-10-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US8198651B2 (en) * | 2008-10-13 | 2012-06-12 | Infineon Technologies Ag | Electro static discharge protection device |
US8378422B2 (en) * | 2009-02-06 | 2013-02-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Electrostatic discharge protection device comprising a plurality of highly doped areas within a well |
JP5595751B2 (ja) * | 2009-03-11 | 2014-09-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Esd保護素子 |
CN102270637B (zh) * | 2010-06-02 | 2013-03-27 | 世界先进积体电路股份有限公司 | 静电放电防护装置及静电放电防护电路 |
CN102315212B (zh) * | 2010-06-29 | 2015-10-21 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 栅驱动晶闸管电路以及静电保护电路 |
US9735117B2 (en) | 2012-01-20 | 2017-08-15 | Skyworks Solutions, Inc. | Devices and methods related to interconnect conductors to reduce de-lamination |
US9343413B2 (en) * | 2012-05-18 | 2016-05-17 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | ESD protection for high voltage applications |
KR101975894B1 (ko) | 2012-12-04 | 2019-08-28 | 삼성전자주식회사 | 정전기 방전 보호 장치 |
US8970004B2 (en) * | 2012-12-21 | 2015-03-03 | Stmicroelectronics, Inc. | Electrostatic discharge devices for integrated circuits |
CN104022111B (zh) * | 2014-06-17 | 2017-01-11 | 东南大学 | 一种具有双向防护能力的静电放电保护结构 |
CN106531734B (zh) * | 2015-09-14 | 2019-07-12 | 上海岭芯微电子有限公司 | Esd保护结构 |
CN105244349B (zh) * | 2015-10-27 | 2018-06-19 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 静电保护电路 |
CN108807362B (zh) * | 2017-04-26 | 2021-02-23 | 旺宏电子股份有限公司 | 静电放电保护元件与静电放电方法 |
US11133299B2 (en) * | 2018-10-04 | 2021-09-28 | Nxp B.V. | Gate-lifted NMOS ESD protection device |
KR20200074581A (ko) | 2018-12-17 | 2020-06-25 | 에스케이하이닉스 주식회사 | Esd 보호 장치 |
CN115621275A (zh) * | 2021-07-16 | 2023-01-17 | 长鑫存储技术有限公司 | 静电保护电路及半导体器件 |
CN115621318A (zh) * | 2021-07-16 | 2023-01-17 | 无锡华润上华科技有限公司 | Ggnmos晶体管结构、esd保护器件及电路 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08293583A (ja) * | 1995-02-06 | 1996-11-05 | Motorola Inc | 集積回路の入出力静電放電保護回路 |
JPH10313110A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-11-24 | Texas Instr Inc <Ti> | トリガー電圧が低く、保持電圧が調整可能な、esd保護のための積層scr |
JP2004531055A (ja) * | 2001-03-16 | 2004-10-07 | サーノフ コーポレイション | ラッチアップ耐性のための高保持電流を有する静電放電保護構造 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5452171A (en) * | 1992-06-15 | 1995-09-19 | Hewlett-Packard Company | Electrostatic discharge protection circuit for integrated circuits |
US5455436A (en) * | 1994-05-19 | 1995-10-03 | Industrial Technology Research Institute | Protection circuit against electrostatic discharge using SCR structure |
US5637887A (en) * | 1995-06-07 | 1997-06-10 | Lsi Logic Corporation | Silicon controller rectifier (SCR) with capacitive trigger |
EP1019964B1 (de) * | 1997-09-30 | 2002-06-05 | Infineon Technologies AG | Integrierte halbleiterschaltung mit schutzstruktur zum schutz vor elektrostatischer entladung |
US6114197A (en) * | 1998-02-26 | 2000-09-05 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method of forming fully depleted SIMOX CMOS having electrostatic discharge protection |
TW392328B (en) * | 1998-03-04 | 2000-06-01 | Winbond Electronics Corp | Electrostatic discharge protection circuit triggered by MOS transistor |
US6066879A (en) * | 1999-05-03 | 2000-05-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Combined NMOS and SCR ESD protection device |
JP2001358227A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-12-26 | Sharp Corp | 出力段の静電気放電保護のための少量ドープされたレジスタの使用 |
US6850397B2 (en) * | 2000-11-06 | 2005-02-01 | Sarnoff Corporation | Silicon controlled rectifier electrostatic discharge protection device for power supply lines with powerdown mode of operation |
JP3909741B2 (ja) * | 2001-02-27 | 2007-04-25 | シャープ株式会社 | 半導体集積回路の静電気保護装置およびそれを用いた静電気保護回路ならびにその製造方法 |
KR100441116B1 (ko) | 2001-07-21 | 2004-07-19 | 삼성전자주식회사 | 낮은 트리거 전압에서 동작 가능한 반도체-제어 정류기구조의 정전 방전 보호 회로 |
GB0119299D0 (en) * | 2001-08-08 | 2001-10-03 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electrostatic discharge protection for pixellated electronic device |
US6747861B2 (en) * | 2001-11-15 | 2004-06-08 | Industrial Technology Research Institute | Electrostatic discharge protection for a mixed-voltage device using a stacked-transistor-triggered silicon controlled rectifier |
TW578290B (en) * | 2002-03-04 | 2004-03-01 | Winbond Electronics Corp | Electrostatic discharged protection device |
US6642088B1 (en) * | 2002-04-10 | 2003-11-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Silicon-controlled rectifier structures on silicon-on insulator with shallow trench isolation |
KR100937652B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2010-01-19 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 장치의 정전기방전 보호회로 |
CN100539352C (zh) * | 2003-04-10 | 2009-09-09 | 沙诺夫股份有限公司 | 用于断电操作模式下的供电线的硅控整流器静电放电保护装置 |
JP2006040923A (ja) | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 静電気破壊防止装置 |
KR100642651B1 (ko) * | 2005-09-26 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 정전기 방전용 실리콘 제어 정류기 |
TWI295101B (en) * | 2006-03-29 | 2008-03-21 | Advanced Analog Technology Inc | Low voltage triggering silicon controlled rectifier and circuit thereof |
-
2007
- 2007-01-23 KR KR1020070006945A patent/KR100835282B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-01-07 US US11/969,966 patent/US7777999B2/en active Active
- 2008-01-23 CN CN2008101258142A patent/CN101290933B/zh active Active
- 2008-01-23 JP JP2008012891A patent/JP5449676B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08293583A (ja) * | 1995-02-06 | 1996-11-05 | Motorola Inc | 集積回路の入出力静電放電保護回路 |
JPH10313110A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-11-24 | Texas Instr Inc <Ti> | トリガー電圧が低く、保持電圧が調整可能な、esd保護のための積層scr |
JP2004531055A (ja) * | 2001-03-16 | 2004-10-07 | サーノフ コーポレイション | ラッチアップ耐性のための高保持電流を有する静電放電保護構造 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10043792B2 (en) | 2009-11-04 | 2018-08-07 | Analog Devices, Inc. | Electrostatic protection device |
JP2011142190A (ja) * | 2010-01-06 | 2011-07-21 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置 |
JP2014517517A (ja) * | 2011-05-11 | 2014-07-17 | アナログ・デバイシズ・インコーポレーテッド | 過電圧および/または静電気放電保護デバイス |
JP2013069143A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | シミュレーション装置およびシミュレーション方法 |
US9235666B2 (en) | 2011-09-22 | 2016-01-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Simulation device and simulation method |
JP2015500566A (ja) * | 2011-12-08 | 2015-01-05 | ソフィックス ビーヴィービーエー | 高保持電圧、混合電圧ドメイン静電気放電クランプ |
JP2014525147A (ja) * | 2012-04-28 | 2014-09-25 | 无錫華潤上華半導体有限公司 | 静電気放電保護構造及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080174924A1 (en) | 2008-07-24 |
CN101290933A (zh) | 2008-10-22 |
CN101290933B (zh) | 2012-01-04 |
KR100835282B1 (ko) | 2008-06-05 |
US7777999B2 (en) | 2010-08-17 |
JP5449676B2 (ja) | 2014-03-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5449676B2 (ja) | 静電気放電保護装置 | |
TWI736548B (zh) | 具有低觸發電壓的靜電放電保護裝置 | |
JP4402109B2 (ja) | 低電圧nmos型静電気放電クランプ | |
US20030214773A1 (en) | Protection circuit section for semiconductor circuit system | |
US20060091464A1 (en) | Electrostatic protection circuit | |
US7982523B2 (en) | Electro static discharge clamping device | |
US7889469B2 (en) | Electrostatic discharge protection circuit for protecting semiconductor device | |
JP2007049137A (ja) | 静電気放電保護回路用シリコン整流制御器及びその構造体 | |
JP2003007833A (ja) | 半導体装置 | |
US6826026B2 (en) | Output buffer and I/O protection circuit for CMOS technology | |
JP5352062B2 (ja) | 静電気保護回路 | |
JP2006313880A (ja) | 静電気放電回路及びこれを有する集積回路 | |
TWI243524B (en) | A semiconductor device equipped with a protection circuit to protect the internal circuit | |
JP6405986B2 (ja) | 静電気保護回路及び半導体集積回路装置 | |
JP5241109B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2020503680A (ja) | 静電気放電保護デバイス | |
JP2010205808A (ja) | 半導体装置、およびそれを用いたプラズマディスプレイ駆動用半導体装置 | |
JP2008041986A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2006210926A (ja) | Esd保護回路を備える半導体素子 | |
Ker et al. | Design of high-voltage-tolerant ESD protection circuit in low-voltage CMOS processes | |
JP2005123533A (ja) | 静電放電保護回路 | |
JP2008172216A (ja) | ウェル電位トリガによるesd保護 | |
WO2018053991A1 (zh) | 应用于集成电路之静电放电防护电路 | |
TWI509768B (zh) | 靜電放電保護電路 | |
JP2009076664A (ja) | 静電気放電保護回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120117 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130418 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130827 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131021 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131225 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5449676 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |