JP2013069143A - シミュレーション装置およびシミュレーション方法 - Google Patents
シミュレーション装置およびシミュレーション方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013069143A JP2013069143A JP2011207640A JP2011207640A JP2013069143A JP 2013069143 A JP2013069143 A JP 2013069143A JP 2011207640 A JP2011207640 A JP 2011207640A JP 2011207640 A JP2011207640 A JP 2011207640A JP 2013069143 A JP2013069143 A JP 2013069143A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- parameter file
- circuit
- esd protection
- protection element
- simulation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
- G06F30/36—Circuit design at the analogue level
- G06F30/367—Design verification, e.g. using simulation, simulation program with integrated circuit emphasis [SPICE], direct methods or relaxation methods
Abstract
【解決手段】ESD保護素子を有する半導体回路の動作検証を行うシミュレーション装置は、ESD保護素子の等価回路のパラメータファイルを作成する第1のパラメータファイル作成部と、半導体回路内のESD保護素子以外の内部回路のパラメータファイルを作成する第2のパラメータファイル作成部と、作成したパラメータファイルを記憶するパラメータファイル記憶部と、記憶したパラメータファイルを選択するパラメータファイル選択部と、選択したパラメータファイルを利用して半導体回路のネットリストを作成するネットリスト作成部と、ネットリストに基づいて半導体回路の動作検証を行うシミュレーション実行部とを備える。
【選択図】図3
Description
前記ESD保護素子の等価回路のパラメータファイルを作成する第1のパラメータファイル作成部と、
前記半導体回路内の前記ESD保護素子以外の内部回路のパラメータファイルを作成する第2のパラメータファイル作成部と、
前記第1および第2のパラメータファイル作成部が作成したパラメータファイルを記憶するパラメータファイル記憶部と、
前記ESD保護素子の動作検証を行うか否かに応じて、前記パラメータファイル記憶部に記憶されたパラメータファイルの一部を選択するパラメータファイル選択部と、
前記パラメータファイル選択部で選択したパラメータファイルを利用して、前記半導体回路のネットリストを作成するネットリスト作成部と、
前記ネットリストに基づいて前記半導体回路の動作検証を行うシミュレーション実行部と、を備え、
前記第1のパラメータファイル作成部がパラメータファイルを作成する対象となる前記ESD保護素子の等価回路は、
第1および第2の基準電圧端子の間に直列接続される第1および第2のインピーダンス素子と、
前記第1および第2の基準電圧端子の間に直列接続される、第3のインピーダンス素子、整流素子、およびトランジスタと、を有し、
前記トランジスタの制御端子は、前記第1のインピーダンス素子と前記第2のインピーダンス素子との間の接続経路に接続されており、
前記整流素子は、ブレークダウン状態のときは、前記第1のインピーダンス素子から前記第3のインピーダンス素子を通って前記トランジスタに電流を流すように接続されることを特徴とするシミュレーション装置が提供される。
2 電圧源
3 電流源
10 シミュレーション装置
11 第1のパラメータファイル作成部
12 第2のパラメータファイル作成部
13 パラメータファイル記憶部
14 パラメータファイル選択部
15 ネットリスト作成部
16 シミュレーション実行部
17 警告部
R1、R2、R3 抵抗素子
D1、D2、D3 ダイオード
Claims (6)
- ESD(Electro Static Discharge)保護素子を有する半導体回路の動作検証を行うシミュレーション装置において、
前記ESD保護素子の等価回路のパラメータファイルを作成する第1のパラメータファイル作成部と、
前記半導体回路内の前記ESD保護素子以外の内部回路のパラメータファイルを作成する第2のパラメータファイル作成部と、
前記第1および第2のパラメータファイル作成部が作成したパラメータファイルを記憶するパラメータファイル記憶部と、
前記ESD保護素子の動作検証を行うか否かに応じて、前記パラメータファイル記憶部に記憶されたパラメータファイルの一部を選択するパラメータファイル選択部と、
前記パラメータファイル選択部で選択したパラメータファイルを利用して、前記半導体回路のネットリストを作成するネットリスト作成部と、
前記ネットリストに基づいて前記半導体回路の動作検証を行うシミュレーション実行部と、
前記シミュレーション実行部での動作検証により、電流値または電圧値が予め定めた基準値を超えるノードの存在が検出されると、所定の警告を行う警告部と、を備え、
前記第1のパラメータファイル作成部がパラメータファイルを作成する対象となる前記ESD保護素子の等価回路は、
第1および第2の基準電圧端子の間に直列接続される第1および第2のインピーダンス素子と、
前記第1および第2の基準電圧端子の間に直列接続される、第3のインピーダンス素子、整流素子、およびトランジスタと、を有し、
前記トランジスタの制御端子は、前記第1のインピーダンス素子と前記第2のインピーダンス素子との間の接続経路に接続されており、
前記整流素子は、ブレークダウン状態のときは、前記第1のインピーダンス素子から前記第3のインピーダンス素子を通って前記トランジスタに電流を流すように接続され、
前記第1のパラメータファイル作成部は、前記ESD保護素子の等価回路の回路構成および前記等価回路内の各回路素子の種類、および各回路素子の素子値を含むパラメータファイルを作成し、
前記第1のパラメータファイル作成部は、前記ESD保護素子の動作検証を行う場合は、前記ESD保護素子の前記等価回路に基づく詳細モデルのパラメータファイルを作成し、前記半導体回路内の前記ESD保護素子以外の内部回路の動作検証を行う場合は、前記ESD保護素子の簡易モデルのパラメータファイルを作成し、
前記第2のパラメータファイル作成部は、前記ESD保護素子の動作検証を行う場合は、前記内部回路の簡易モデルのパラメータファイルを作成し、前記内部回路の動作検証を行う場合は、前記内部回路の詳細モデルのパラメータファイルを作成することを特徴とするシミュレーション装置。 - ESD(Electro Static Discharge)保護素子を有する半導体回路の動作検証を行うシミュレーション装置において、
前記ESD保護素子の等価回路のパラメータファイルを作成する第1のパラメータファイル作成部と、
前記半導体回路内の前記ESD保護素子以外の内部回路のパラメータファイルを作成する第2のパラメータファイル作成部と、
前記第1および第2のパラメータファイル作成部が作成したパラメータファイルを記憶するパラメータファイル記憶部と、
前記ESD保護素子の動作検証を行うか否かに応じて、前記パラメータファイル記憶部に記憶されたパラメータファイルの一部を選択するパラメータファイル選択部と、
前記パラメータファイル選択部で選択したパラメータファイルを利用して、前記半導体回路のネットリストを作成するネットリスト作成部と、
前記ネットリストに基づいて前記半導体回路の動作検証を行うシミュレーション実行部と、を備え、
前記第1のパラメータファイル作成部がパラメータファイルを作成する対象となる前記ESD保護素子の等価回路は、
第1および第2の基準電圧端子の間に直列接続される第1および第2のインピーダンス素子と、
前記第1および第2の基準電圧端子の間に直列接続される、第3のインピーダンス素子、整流素子、およびトランジスタと、を有し、
前記トランジスタの制御端子は、前記第1のインピーダンス素子と前記第2のインピーダンス素子との間の接続経路に接続されており、
前記整流素子は、ブレークダウン状態のときは、前記第1のインピーダンス素子から前記第3のインピーダンス素子を通って前記トランジスタに電流を流すように接続されることを特徴とするシミュレーション装置。 - 前記第1のパラメータファイル作成部は、前記ESD保護素子の等価回路の回路構成および前記等価回路内の各回路素子の種類、および各回路素子の素子値を含むパラメータファイルを作成することを特徴とする請求項2に記載のシミュレーション装置。
- 前記第1のパラメータファイル作成部は、前記ESD保護素子の動作検証を行う場合は、前記ESD保護素子の前記等価回路に基づく詳細モデルのパラメータファイルを作成し、前記半導体回路内の前記ESD保護素子以外の内部回路の動作検証を行う場合は、前記ESD保護素子の簡易モデルのパラメータファイルを作成し、
前記第2のパラメータファイル作成部は、前記ESD保護素子の動作検証を行う場合は、前記内部回路の簡易モデルのパラメータファイルを作成し、前記内部回路の動作検証を行う場合は、前記内部回路の詳細モデルのパラメータファイルを作成することを特徴とする請求項2または3に記載のシミュレーション装置。 - 前記シミュレーション実行部での動作検証により、電流値または電圧値が予め定めた基準値を超えるノードの存在が検出されると、所定の警告を行う警告部を備えることを特徴とする請求項2乃至4のいずれかに記載のシミュレーション装置。
- ESD(Electro Static Discharge)保護素子を有する半導体回路の動作検証を行うシミュレーション方法において、
前記ESD保護素子の等価回路の第1のパラメータファイルを作成するステップと、
前記半導体回路内の前記ESD保護素子以外の内部回路の第2のパラメータファイルを作成するステップと、
前記第1および第2のパラメータファイルをパラメータファイル記憶部に記憶するステップと、
前記ESD保護素子の動作検証を行うか否かに応じて、前記パラメータファイル記憶部に記憶されたパラメータファイルの一部を選択するステップと、
前記選択したパラメータファイルを利用して、前記半導体回路のネットリストを作成するステップと、
前記ネットリストに基づいて前記半導体回路の動作検証を行うステップと、を備え、
前記第1のパラメータファイルを作成する対象となる前記ESD保護素子の等価回路は、
第1および第2の基準電圧端子の間に直列接続される第1および第2のインピーダンス素子と、
前記第1および第2の基準電圧端子の間に直列接続される、第3のインピーダンス素子、整流素子、およびトランジスタと、を有し、
前記トランジスタの制御端子は、前記第1のインピーダンス素子と前記第2のインピーダンス素子との間の接続経路に接続されており、
前記整流素子は、ブレークダウン状態のときは、前記第1のインピーダンス素子から前記第3のインピーダンス素子を通って前記トランジスタに電流を流すように接続されることを特徴とするシミュレーション方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011207640A JP5572139B2 (ja) | 2011-09-22 | 2011-09-22 | シミュレーション装置およびシミュレーション方法 |
US13/424,225 US9235666B2 (en) | 2011-09-22 | 2012-03-19 | Simulation device and simulation method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011207640A JP5572139B2 (ja) | 2011-09-22 | 2011-09-22 | シミュレーション装置およびシミュレーション方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013069143A true JP2013069143A (ja) | 2013-04-18 |
JP5572139B2 JP5572139B2 (ja) | 2014-08-13 |
Family
ID=47912221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011207640A Expired - Fee Related JP5572139B2 (ja) | 2011-09-22 | 2011-09-22 | シミュレーション装置およびシミュレーション方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9235666B2 (ja) |
JP (1) | JP5572139B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016139185A (ja) * | 2015-01-26 | 2016-08-04 | 株式会社ソシオネクスト | 検証方法、検証装置及びプログラム |
KR102458036B1 (ko) | 2015-12-18 | 2022-10-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 테스트 보드 및 이를 포함하는 테스트 시스템 |
CN115166479A (zh) * | 2022-06-29 | 2022-10-11 | 珠海视熙科技有限公司 | D类功放电路的仿真测试方法、装置及存储介质 |
CN117473917A (zh) * | 2022-07-22 | 2024-01-30 | 长鑫存储技术有限公司 | 电路仿真方法与电子设备 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001339052A (ja) * | 1999-07-06 | 2001-12-07 | Fujitsu Ltd | 静電破壊保護回路のシミュレーション方法 |
JP2005093802A (ja) * | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | Esd保護素子のモデル化方法,esdシミュレーション方法 |
JP2006156531A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | Esd保護回路の構成を決定する方法及びシミュレーション方法 |
JP2008108091A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Nec Electronics Corp | Esd解析装置、esd解析プログラム、半導体装置の設計方法、半導体装置の製造方法 |
JP2008182239A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Samsung Electronics Co Ltd | 静電気放電保護装置 |
US20090319251A1 (en) * | 2008-06-23 | 2009-12-24 | Choshu Ito | Circuit Simulation Using Step Response Analysis in the Frequency Domain |
JP2010040670A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Nec Electronics Corp | Esd耐性シミュレーション装置及びそれに用いられるesdデバイスモデル |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5691213A (en) * | 1995-09-15 | 1997-11-25 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Low capacitance input/output integrated circuit |
JP2000260973A (ja) * | 1999-03-12 | 2000-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | シミュレーション装置、シミュレーション方法、製造プロセス条件設定方法及び記録媒体 |
US6493850B2 (en) * | 2001-02-16 | 2002-12-10 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit design error detector for electrostatic discharge and latch-up applications |
US7243317B2 (en) * | 2003-05-30 | 2007-07-10 | Illinios Institute Of Technology | Parameter checking method for on-chip ESD protection circuit physical design layout verification |
US7024646B2 (en) * | 2004-01-29 | 2006-04-04 | Lattice Semiconductor Corporation | Electrostatic discharge simulation |
JP2006148029A (ja) | 2004-11-25 | 2006-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路シミュレーション装置 |
JP2008204127A (ja) | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Renesas Technology Corp | 設計検証装置 |
JP2013055102A (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-21 | Sony Corp | 半導体集積回路及び保護回路 |
-
2011
- 2011-09-22 JP JP2011207640A patent/JP5572139B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-19 US US13/424,225 patent/US9235666B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001339052A (ja) * | 1999-07-06 | 2001-12-07 | Fujitsu Ltd | 静電破壊保護回路のシミュレーション方法 |
JP2005093802A (ja) * | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | Esd保護素子のモデル化方法,esdシミュレーション方法 |
JP2006156531A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | Esd保護回路の構成を決定する方法及びシミュレーション方法 |
JP2008108091A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Nec Electronics Corp | Esd解析装置、esd解析プログラム、半導体装置の設計方法、半導体装置の製造方法 |
JP2008182239A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Samsung Electronics Co Ltd | 静電気放電保護装置 |
US20090319251A1 (en) * | 2008-06-23 | 2009-12-24 | Choshu Ito | Circuit Simulation Using Step Response Analysis in the Frequency Domain |
JP2010040670A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Nec Electronics Corp | Esd耐性シミュレーション装置及びそれに用いられるesdデバイスモデル |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6014000546; 井瀬 潔, 真野 純一, 石塚 裕康, 常野 克己, 奥山 幸祐: '回路シミュレーションによる入力保護回路のESD耐性予測' 電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス 第J86-C巻/第6号, 20030601, 第634-642頁, 一般社団法人電子情報通信学会 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9235666B2 (en) | 2016-01-12 |
US20130080136A1 (en) | 2013-03-28 |
JP5572139B2 (ja) | 2014-08-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6292766B1 (en) | Simulation tool input file generator for interface circuitry | |
US9020797B2 (en) | Integrated circuit simulation using analog power domain in analog block mixed signal | |
US8954917B1 (en) | Method and system for performing fast electrical analysis and simulation of an electronic design for power gates | |
JP5572139B2 (ja) | シミュレーション装置およびシミュレーション方法 | |
US8595677B1 (en) | Method and system for performing voltage-based fast electrical analysis and simulation of an electronic design | |
JP2015026184A (ja) | 故障シミュレーション方法およびその装置 | |
US8099270B2 (en) | Simulation model for transistors | |
US10606974B1 (en) | System and method for dynamic visual guidance of mutually paired components in a circuit design editor | |
US8306804B2 (en) | System, an apparatus and a method for performing chip-level electrostatic discharge simulations | |
US9245088B1 (en) | System and method for data mining safe operating area violations | |
US9037441B2 (en) | Macro model of operational amplifier and circuit design simulator using the same | |
JPH11296561A (ja) | ワーストケース・モデルパラメータ生成方法及び装置 | |
US7721234B2 (en) | Simulation method and simulation program | |
JP2010134775A (ja) | 回路シミュレーション方法、回路シミュレーションプログラムおよび回路シミュレーション装置 | |
TW202232359A (zh) | 在電子設計自動化平台上進行電壓規則檢查的電腦實施方法 | |
TW200907727A (en) | Method for adapting schematics for different manufacturing processes and different operating specifications | |
Kote et al. | Automated pre-placement phase as a part of robust analog-mixed signal physical design flow | |
JP2010186320A (ja) | 半導体集積回路の設計装置 | |
JP2008204127A (ja) | 設計検証装置 | |
JP2010040670A (ja) | Esd耐性シミュレーション装置及びそれに用いられるesdデバイスモデル | |
JP2006148029A (ja) | 回路シミュレーション装置 | |
JP2012150574A (ja) | シミュレーション連携方法およびシミュレーション装置 | |
US11734482B1 (en) | Visual representation to assess quality of input stimulus in transistor-level circuits | |
US20210333320A1 (en) | Slew-Load Characterization | |
US10565342B1 (en) | Electronic circuit design editor with overlay of layout and schematic design features |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130830 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140110 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140310 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140530 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140627 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5572139 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |