CN115166479A - D类功放电路的仿真测试方法、装置及存储介质 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种D类功放电路的仿真测试方法、装置、存储介质及计算机设备，其中方法包括：获取功率源参数和扬声器参数，并将功率源参数标定到功率源等效电路中，将扬声器参数标定到扬声器等效电路中；获取磁珠参数和吸收回路参数，并将磁珠参数标定到磁珠等效电路中，将吸收回路参数标定到吸收回路中；设置时域参数和探头位置，并对所述D类功放电路仿真模型执行仿真，得到D类功放电路仿真模型的仿真参数；当D类功放电路仿真模型的仿真参数未达到预设的参数阈值时，更换D类功放电路仿真模型中的磁珠参数和/或吸收回路参数，并对D类功放电路仿真模型再次执行仿真，直至仿真参数达到参数阈值。上述方法能有效降低电磁兼容调试的成本。

Description

D类功放电路的仿真测试方法、装置及存储介质

技术领域

本发明涉及电路调试技术领域，尤其是涉及一种D类功放电路的仿真测试方法、装置、存储介质及计算机设备。

背景技术

D类功放也称D类音频功率放大器，D类放大器与一般的线性AB类功放电路相比，具有效率高、体积小等特点。在D类功放输出电路中，多使用功率电感进行滤波。但是，功率电感的尺寸比较大，而且成本比较高。因此，一些设计方案会使用磁珠来代替功率电感。然而，D类功放电路是开关电路，电流是不连续的。一般来说，D类功放的开关频率在300～1000KHZ，高速的开关大电流，会产生电磁兼容(Electro Magnetic Compatibility，EMC)的问题。为了降低产品方案成本，很多工程人员使用磁珠方案，但是需要花大量的时间来解决EMC调试项不通过的问题。

在传统技术中，EMC调试需要在实验室环境中，在真实的硬件环境中反复更换器件参数调试，调试流程繁琐复杂。然而，这种调试方法会耗费大量开发时间，同时，实验室租用费用昂贵，因此，从时间和调试费用的维度上来说，传统的调试方法均会导致EMC调试成本过高。

发明内容

有鉴于此，本申请提供了一种D类功放电路的仿真测试方法、装置、存储介质及计算机设备，主要目的在于解决D类功放电路的EMC调试成本过高的问题。

根据本发明的第一个方面，提供了一种D类功放电路的仿真测试方法，该方法应用于D类功放电路仿真模型中，D类功放电路仿真模型包括功率源等效电路、磁珠等效电路、吸收回路和扬声器等效电路，该方法包括：

获取功率源参数和扬声器参数，并将功率源参数标定到功率源等效电路中，将扬声器参数标定到扬声器等效电路中；

获取磁珠参数和吸收回路参数，并将磁珠参数标定到磁珠等效电路中，将吸收回路参数标定到吸收回路中；

设置时域参数和探头位置，并对D类功放电路仿真模型执行仿真，得到D类功放电路仿真模型的仿真参数；

当D类功放电路仿真模型的仿真参数未达到预设的参数阈值时，更换D类功放电路仿真模型中的磁珠参数和/或吸收回路参数，并对D类功放电路仿真模型再次执行仿真，直至仿真参数达到参数阈值。

可选的，D类功放电路仿真模型中的各个等效电路的连接关系，包括：功率源等效电路的输出端与磁珠等效电路的输入端连接，磁珠等效电路的输出端与吸收回路的输入端连接，吸收回路的输出端与扬声器等效电路的输入端连接。

可选的，功率源参数包括功率源输出频率、功率源峰峰值、功率源信号上升时间、功率源信号下降时间和功率源内阻参数；功率源等效电路包括等效功率源和等效功率源内阻，其中，等效功率源和等效功率源内阻串联连接在磁珠等效电路的输入端和接地端之间；将功率源参数标定到功率源等效电路中，包括：将功率源输出频率、功率源峰峰值、功率源信号上升时间和功率源信号下降时间标定在等效功率源中，将功率源内阻参数标定在等效功率源内阻中。

可选的，磁珠参数包括直流电阻参数、串联电感参数、串联电容参数和交流阻抗参数；磁珠等效电路包括等效直流电阻、等效串联电感、等效串联电容和等效交流阻抗，其中，等效串联电感、等效串联电容和等效交流阻抗并联连接后与直流电阻串联连接在功率源等效电路的输出端和吸收回路的输入端之间；将磁珠参数标定到磁珠等效电路中，包括：将直流电阻参数标定到等效直流电阻中，将串联电感参数标定到等效串联电感中，将交流阻抗参数标定到等效交流阻抗中，将串联电容参数标定到等效串联电容中。

可选的，吸收回路参数包括第一吸收电容参数、第二吸收电容参数和吸收电阻参数；吸收回路包括第一等效吸收电容、第二等效吸收电容和等效吸收电阻，其中，第二等效吸收电容和等效吸收电阻串联后与第一等效吸收电容并联连接在磁珠等效电路的输出端和接地端之间；将吸收回路参数标定到吸收回路中，包括：将第一吸收电容参数标定到第一等效吸收电容中，将第二吸收电容参数标定到第二等效吸收电容中，将吸收电阻参数标定到等效吸收电阻中。

可选的，设置时域参数和探头位置，并对D类功放电路仿真模型执行仿真，得到D类功放电路仿真模型的仿真参数，包括：根据功率源参数，设置时域参数，其中，时域参数包括时间参数和电压参数；将探头分别设置在功率源等效电路的输出端和扬声器等效电路的输入端上；对D类功放电路仿真模型执行仿真，得到D类功放电路仿真模型的仿真电压波形；基于D类功放电路仿真模型的仿真电压波形，得到D类功放电路仿真模型的仿真参数，其中，仿真参数包括输出峰峰值、输出信号上升时间、输出信号下降时间和输出峰值电流。

可选的，参数阈值包括信号变化时间阈值和过流保护阈值；则仿真参数达到参数阈值，包括：输出信号上升时间和输出信号下降时间均大于信号变化时间阈值，且输出峰值电流小于过流保护阈值。

根据本发明的第二个方面，提供了一种D类功放电路的仿真测试装置，装置包括：

第一参数标定模块，用于获取功率源参数和扬声器参数，并将功率源参数标定到功率源等效电路中，将扬声器参数标定到扬声器等效电路中；

第二参数标定模块，用于获取磁珠参数和吸收回路参数，并将磁珠参数标定到磁珠等效电路中，将吸收回路参数标定到吸收回路中；

仿真执行模块，用于设置时域参数和探头位置，并对D类功放电路仿真模型执行仿真，得到D类功放电路仿真模型的仿真参数；

结果获取模块，用于当D类功放电路仿真模型的仿真参数未达到预设的参数阈值时，更换D类功放电路仿真模型中的磁珠参数和/或吸收回路参数，并对D类功放电路仿真模型再次执行仿真，直至仿真参数达到所述参数阈值。

根据本发明的第三个方面，提供了一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行时实现上述D类功放电路的仿真测试方法。

根据本发明的第四个方面，提供了一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现上述D类功放电路的仿真测试方法。

本发明提供的一种D类功放电路的仿真测试方法、装置、存储介质及计算机设备，通过模拟出包括功率源等效电路、磁珠等效电路、吸收回路和扬声器等效电路等多种等效电路在内的D类功放仿真模型，并在D类功放仿真模型的每一次仿真过程中更换D类功放电路仿真模型中的磁珠参数和/或吸收回路参数，以及将D类功放仿真模型输出的仿真参数与预设的参数阈值进行比对，可以有效的挑选出符合EMC调试项的磁珠参数和吸收回路参数，从而省去了在实验室中真实的硬件环境中反复更换D类功放电路的器件进行EMC调试的繁琐调试流程。上述方法有效的降低了D类功放电路的EMC调试成本，并提升了D类功放电路的EMC调试效率。

上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示出了本发明实施例提供的一种D类功放电路的仿真测试方法的流程示意图；

图2示出了本发明实施例提供的一种D类功放电路仿真模型的结构示意图；

图3示出了本发明实施例提供的一种D类功放电路的仿真测试装置的结构示意图。

具体实施方式

下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

目前，越来越多的音频设备生产厂家使用磁珠来代替D类功放输出电路中的功率电感。使用磁珠代替功率电感，所占PCB空间大大减小，同样电流的磁珠比功率电感尺寸至少小50％。此外，使用磁珠替代功率电感，成本更低，预计磁珠比电感降本70％。然而，D类功放电路是开关电路，电流是不连续的。一般来说，D类功放的开关频率在300～1000KHZ，高速的开关大电流，会产生电磁兼容(Electro Magnetic Compatibility，EMC)的问题。为了降低产品成本，很多工程人员使用磁珠方案，但是需要花大量的时间以及费用来解决EMC调试项不通过的问题。

针对上述问题，在一个实施例中，如图1所示，提供了一种D类功放电路的仿真测试方法，该方法可以应用于D类功放电路仿真模型中，其中，D类功放电路仿真模型包括功率源等效电路、磁珠等效电路、吸收回路和扬声器等效电路。以该方法应用于计算机设备为例进行说明，包括以下步骤：

101、获取功率源参数和扬声器参数，并将所述功率源参数标定到所述功率源等效电路中，将所述扬声器参数标定到所述扬声器等效电路中。

具体的，扬声器等效电路用于模拟现实中的扬声器，通过将预先选定的扬声器参数标定到扬声器等效电路中，可以模拟出实际产品中的扬声器。在本实施例中，扬声器参数在仿真测试的过程中可以保持不变。进一步的，功率源等效电路用于模拟实际产品中的功率源装置，通过将预先选定的功率源参数标定到功率源等效电路中，可以模拟出测试人员所需的功率源装置。在本实施例中，功率源参数可以基于测试人员的需要进行调整。

102、获取磁珠参数和吸收回路参数，并将所述磁珠参数标定到所述磁珠等效电路中，将所述吸收回路参数标定到所述吸收回路中。

具体的，磁珠等效电路用于模拟仿真测试中需要测试的磁珠，通过将预先选定的磁珠参数标定到磁珠等效电路中，可以模拟出实际产品中用于替换功率电感的磁珠。在本实施例中，不同的磁珠对应有不同的磁珠参数。磁珠参数包括阻抗、频率以及等效电感等等，其中，磁珠参数可以在磁珠器件规格书中获取。在仿真测试过程中，可以将不同的磁珠参数标定到磁珠等效电路中，以模拟不同规格的磁珠。进一步的，通过将吸收回路参数标定到吸收回路中，可以模拟出不同能量吸收能力的吸收回路，通过调整吸收回路参数的数值，并将其标定到吸收回路中，可以使D类功放仿真电路能够解决电磁兼容的问题。

103、设置时域参数和探头位置，并对D类功放电路仿真模型执行仿真，得到所述D类功放电路仿真模型的仿真参数。

具体的，探头可用于接收仿真电路的输出电压。在本实施例中，可以将探头设置在扬声器等效电路的输入端以及功率源等效电路的输出端口位置。进一步的，时域参数可以包括时间参数和电压参数等等。在本实施例中，可以将时域参数设置为以纳秒为单位的横坐标，以伏特为单位的纵坐标，用以展示D类功放电路仿真模型的仿真电压波形。

104、当D类功放电路仿真模型的仿真参数未达到预设的参数阈值时，更换D类功放电路仿真模型中的磁珠参数和/或吸收回路参数，并对D类功放电路仿真模型再次执行仿真，直至仿真参数达到参数阈值。

其中，参数阈值至少包括信号变化时间阈值和过流保护阈值。在本实施例中，可以通过设置在扬声器等效电路的输入端的探头，采集D类功放电路仿真模型的仿真电压波形，并基于仿真电压波形得到仿真参数。

具体的，仿真参数可以包括输出信号上升时间、输出信号下降时间以及输出峰值电流等。信号变化时间阈值以及过流保护阈值可以预先设定。在本实施例中，当仿真参数中的输出信号上升时间、输出信号下降时间大于信号变化时间阈值且输出峰值电流小于过流保护阈值时，可以认定D类功放电路的电磁兼容测试项通过，此时，可以记录当前的磁珠参数和吸收回路参数作为仿真测试的可选参数。当D类功放电路仿真模型的仿真参数未达到预设的参数阈值时，可以更改磁珠参数，或更改吸收回路参数，或将二者全部进行更换，然后对D类功放电路仿真模型重新进行仿真，直至仿真参数达到参数阈值时，记录当前的磁珠参数和吸收回路参数作为仿真测试的可选参数。

本实施例提供的D类功放电路的仿真测试方法，通过模拟出包括功率源等效电路、磁珠等效电路、吸收回路和扬声器等效电路等多种等效电路在内的D类功放仿真模型，并在D类功放仿真模型的每一次仿真过程中更换D类功放电路仿真模型中的磁珠参数和/或吸收回路参数，以及将D类功放仿真模型输出的仿真参数与预设的参数阈值进行比对，可以有效的挑选出符合EMC调试项的磁珠参数和吸收回路参数，从而省去了在实验室中真实的硬件环境中反复更换D类功放电路的器件进行EMC调试的繁琐调试流程。上述方法有效的降低了D类功放电路的EMC调试成本，并提升了D类功放电路的EMC调试效率。

进一步的，作为上述实施例具体实施方式的细化和扩展，为了完整说明本实施例的实施过程，在一个实施例中，提供了一种D类功放电路的仿真测试方法，该方法可以应用于如图2所示的D类功放电路仿真模型中，其中，该D类功放电路仿真模型包括功率源等效电路、磁珠等效电路、吸收回路和扬声器等效电路，通常情况下，D类功放电路仿真模型包含两组电路，两组电路为对称关系，且均包括功率源等效电路、磁珠等效电路和吸收回路。本实施例仅以其中一组电路为例进行说明，另一组电路可以参照该组电路进行实施。具体的，D类功放电路仿真模型中的各个等效电路的连接关系如下：功率源等效电路10的输出端与磁珠等效电路20的输入端连接，磁珠等效电路20的输出端与吸收回路30的输入端连接，吸收回路30的输出端与扬声器等效电路40的输入端连接。

在本实施例中，如图2所示，功率源等效电路10包括等效功率源内阻R1以及等效功率源S1。磁珠等效电路20包括等效直流电阻R2、等效交流阻抗R3、等效串联电感L1以及等效串联电容C1。吸收回路30包括第一等效吸收电容C2、第二等效吸收电容C3以及等效吸收电阻R4。

具体的，功率源等效电路10中的等效功率源S1和等效功率源内阻R1串联连接在磁珠等效电路20的输入端和接地端之间。在本实施例中，功率源参数包括功率源输出频率、功率源峰峰值、功率源信号上升时间、功率源信号下降时间和功率源内阻参数。在仿真测试之前，可以将功率源参数标定到所述功率源等效电路中。具体的，可以将功率源输出频率、功率源峰峰值、功率源信号上升时间和功率源信号下降时间标定在等效功率源S1中，将功率源内阻参数标定在等效功率源内阻R1中。这样，即可实现对功率源的仿真。

进一步的，磁珠等效电路20中的等效串联电感L1、等效串联电容C1和等效交流阻抗R3并联连接后与等效直流电阻R2串联连接在功率源等效电路10的输出端和吸收回路30的输入端之间。在本实施例中，磁珠参数包括直流电阻参数、串联电感参数、串联电容参数和交流阻抗参数。在仿真测试之前，可以将磁珠参数标定到磁珠等效电路20中，具体的，可以将直流电阻参数标定到等效直流电阻R2中，将串联电感参数标定到等效串联电感L1中，将交流阻抗参数标定到等效交流阻抗R3中，将串联电容参数标定到等效串联电容C1中。这样，即可实现对磁珠的仿真。在实际的仿真模拟中，等效直流电阻R2一般带有1欧以内阻值，等效串联电感L1的参数值，需要根据磁珠器件曲线，基于基础物理公式：

L＝Z/(2*pi*f)(1)

进行计算得出。在上述公式(1)中，Z为磁珠交流阻抗，Pi为圆周率，F为功率源输出频率。因为高频时磁珠带一定的容性，所以等效串联电容C1的参数一般在10pF以内。等效交流阻抗R3，可以基于磁珠的曲线信息或磁珠的产品手册得到。

进一步的，吸收回路30中的第二等效吸收电容C3和等效吸收电阻R4串联后与第一等效吸收电容C2并联连接在磁珠等效电路20的输出端和接地端之间。在本实施例中，吸收回路参数包括第一吸收电容参数、第二吸收电容参数和吸收电阻参数。在仿真测试之前，可以将吸收回路参数标定到吸收回路中，具体的，可以将第一吸收电容参数标定到第一等效吸收电容C2中，将第二吸收电容参数标定到第二等效吸收电容C3中，将吸收电阻参数标定到所述等效吸收电阻R4中。这样，即可实现对吸收回路的仿真。

进一步的，可以将探头分别设置在功率源等效电路10的输出端和扬声器等效电路40的输入端上。此外，还可以将探头分别设置在磁珠等效电路20的输入端和输出端上。在对D类功放电路仿真模型执行仿真时，可以基于设置在扬声器等效电路40输入端上的探头得到D类功放电路仿真模型的仿真电压波形。随后，基于D类功放电路仿真模型的仿真电压波形，即可得到D类功放电路仿真模型的仿真参数，并将仿真参数作为判断仿真测试结果是否符合标准的参数。其中，仿真参数包括输出峰峰值、输出信号上升时间、输出信号下降时间和输出峰值电流。进一步的，基于设置在功率源等效电路10的输出端的探头，可以采集到功率放大器的输出方波。基于设置在扬声器等效电路40的输入端上的探头，可以采集磁珠等效电路20的输出电压。

在本实施例中，参数阈值包括信号变化时间阈值和过流保护阈值。判断仿真测试的测试结果是否可以通过电磁兼容测试项的标准为仿真参数是否达到上述参数阈值。具体的，当输出信号上升时间和输出信号下降时间均大于信号变化时间阈值，且输出峰值电流小于所述过流保护阈值时，可以判断仿真测试的测试结果能够通过电磁兼容测试项。

具体的，基于设置在功率源等效电路10的输出端的探头采集到的功率放大器的输方波，可以判断输出峰值电流是否小于过流保护阈值。在本实施例中，过流保护阈值可以设定为功率放大芯片的过流保护门限值。功率源等效电路10输出的输出峰值电流必须小于过流保护门限值，才不会触发过流保护。工作人员可以基于实际情况与需求，将小于或等于过流保护门限值的数值确定为过流保护阈值，以实现仿真目的。同时，基于设置在扬声器等效电路40的输入端上的探头采集到的磁珠等效电路20的输出值，可以判断输出信号上升时间和输出信号下降时间是否均大于信号变化时间阈值。在本实施例中，当输出信号上升时间和输出信号下降时间越大时，电路波形的振铃越少，且功放电路的辐射效果越好。这样，工作人员可以根据经验或实验数据，为输出信号上升时间和输出信号下降时间设定信号变化时间阈值，只有当输出信号上升时间和输出信号下降时间皆满足一定时间条件的情况下，才判断仿真测试的测试结果符合解决电路电磁兼容问题的标准。

在一个实施例中，结合具体示例说明D类功放电路的仿真测试方法在实际中的执行流程。

首先，获取功率源参数和扬声器参数。对于D类功放来说，输出方波的频率300～1000KHZ之间，功率源峰峰值一般是3～24V VPP，具体数值可根据实际产品功放供电电压参数来选取。根据功放输出驱动能力，功率源信号上升时间通常为50ns，功率源信号下降时间通常为50ns。作为示例，本实施例中功率源参数中的功率源输出频率为384KHz、功率源峰峰值为12V、功率源信号上升时间以及功率源信号下降时间为50ns，功率源内阻参数为0.18Ω。进一步的，可以将功率源输出频率、功率源峰峰值、功率源信号上升时间和功率源信号下降时间标定在等效功率源中，将功率源内阻参数标定在等效功率源内阻中。在本实施例中，扬声器参数多为固定参数，可以基于实际情况进行设置。

然后，获取磁珠参数和吸收回路参数。作为示例，本实施例中选择频率为100MHz，内阻为600Ω的磁珠作为等效磁珠，模拟为磁珠等效电路。其中，将直流电阻参数设定为0.02Ω、串联电感参数设定为1.19uH、串联电容参数设定为1.8pF，交流阻抗参数设定为150Ω。具体的，可以将直流电阻参数标定到等效直流电阻中，将串联电感参数标定到等效串联电感中，将交流阻抗参数标定到等效交流阻抗中，将串联电容参数标定到等效串联电容中。同时，将第一吸收电容参数以及第二吸收电容参数设置为1nF，将吸收电阻参数设置为68Ω。并将第一吸收电容参数标定到第一等效吸收电容中，将第二吸收电容参数标定到第二等效吸收电容中，将吸收电阻参数标定到等效吸收电阻中。

这样，就得到了一个完整的D类功放电路仿真模型。

进一步的，可以将探头设置在扬声器等效电路的输入端以及功率源等效电路的输出端口位置。同时，将时域参数设置为以纳秒为单位的横坐标，以伏特为单位的纵坐标，用以接收D类功放电路仿真模型的仿真电压波形。

在此情形下，可以对D类功放电路仿真模型执行仿真，并从设置在功率源等效电路的输出端口位置的探头采集到功率源等效电路输出方波的输出峰值电流为1.5A。从设置在扬声器等效电路的输入端的探头采集到的磁珠等效电路输出的输出峰峰值为21.3V，输出信号上升时间和输出信号下降时间为105ns。作为示例，过流保护阈值设置为5A，信号变化时间阈值设置为125ns。输出峰值电流小于过流保护阈值，但输出信号上升时间小于信号变化时间阈值，该参数不符合要求。对磁珠参数进行修改，在将第一吸收电容参数以及第二吸收电容参数设置为2.2nF，将吸收电阻参数设置为68Ω时，得到的输出峰值电流为2.8A，输出峰峰值为22.5V，输出信号上升时间和输出信号下降时间为130ns.此时，该参数符合参数阈值的要求，可以解决电磁兼容的问题。在本实施例中，通过更换磁珠参数和/或吸收回路参数，可以选择出一组较佳的磁珠参数和吸收回路作为可用参数。

下表为在多组磁珠参数下，电路的仿真测试结果：

表1

其中，L为磁珠参数，C2为直流电阻参数，C3为串联电容参数，R4为交流阻抗参数，F为功率源输出频率，Tr为信号上升时间，Tf为信号下降时间，Ipk为输出峰值电流。从上表可以看出，在本实施例中，可以将磁珠频率为100MHz，磁珠内阻为600Ω，且第一吸收电容参数以及第二吸收电容参数为2.2nF，吸收电阻参数为68Ω的参数确定为可用参数。

本实施例提供的D类功放电路的仿真测试方法，通过将设定的功率源参数、扬声器参数、磁珠参数和吸收回路参数标定在D类功放电路仿真模型中。可以在计算机设备中模拟出需要进行仿真模拟的D类功放测试电路，从而省去了在实验室中真实的硬件环境中反复更换器件进行调试的复杂流程，降低了调试成本，提高了调试效率。

进一步的，作为图1、图2所示方法的具体实现，本实施例提供了一种D类功放电路的仿真测试装置，如图3所示，该装置包括：第一参数标定模块31、第二参数标定模块32、仿真执行模块33以及结果获取模块34。

第一参数标定模块31，可用于获取功率源参数和扬声器参数，并将功率源参数标定到功率源等效电路中，将扬声器参数标定到扬声器等效电路中；

第二参数标定模块32，可用于获取磁珠参数和吸收回路参数，并将磁珠参数标定到磁珠等效电路中，将吸收回路参数标定到吸收回路中；

仿真执行模块33，可用于设置时域参数和探头位置，并对D类功放电路仿真模型执行仿真，得到D类功放电路仿真模型的仿真参数；

结果获取模块34，可用于当D类功放电路仿真模型的仿真参数未达到预设的参数阈值时，更换D类功放电路仿真模型中的磁珠参数和/或吸收回路参数，并对D类功放电路仿真模型再次执行仿真，直至仿真参数达到所述参数阈值。

在具体的应用场景中，所述D类功放电路仿真模型中的各个等效电路的连接关系，包括：所述功率源等效电路的输出端与所述磁珠等效电路的输入端连接，所述磁珠等效电路的输出端与所述吸收回路的输入端连接，所述吸收回路的输出端与所述扬声器等效电路的输入端连接。

在具体的应用场景中，所述功率源参数包括功率源输出频率、功率源峰峰值、功率源信号上升时间、功率源信号下降时间和功率源内阻参数；所述功率源等效电路包括等效功率源和等效功率源内阻，其中，所述等效功率源和所述等效功率源内阻串联连接在所述磁珠等效电路的输入端和接地端之间；所述第一参数标定模块31，具体可用于将所述功率源输出频率、功率源峰峰值、功率源信号上升时间和功率源信号下降时间标定在所述等效功率源中，将所述功率源内阻参数标定在所述等效功率源内阻中。

在具体的应用场景中，所述磁珠参数包括直流电阻参数、串联电感参数、串联电容参数和交流阻抗参数；所述磁珠等效电路包括等效直流电阻、等效串联电感、等效串联电容和等效交流阻抗，其中，所述等效串联电感、所述等效串联电容和所述等效交流阻抗并联连接后与所述直流电阻串联连接在所述功率源等效电路的输出端和所述吸收回路的输入端之间；所述第二参数标定模块32，具体可用于将所述直流电阻参数标定到所述等效直流电阻中，将所述串联电感参数标定到所述等效串联电感中，将所述交流阻抗参数标定到所述等效交流阻抗中，将串联电容参数标定到等效串联电容中。

在具体的应用场景中，所述吸收回路参数包括第一吸收电容参数、第二吸收电容参数和吸收电阻参数；所述吸收回路包括第一等效吸收电容、第二等效吸收电容和等效吸收电阻，其中，所述第二等效吸收电容和所述等效吸收电阻串联后与所述第一等效吸收电容并联连接在所述磁珠等效电路的输出端和接地端之间；所述第二参数标定模块32，还可用于将所述第一吸收电容参数标定到所述第一等效吸收电容中，将所述第二吸收电容参数标定到所述第二等效吸收电容中，将所述吸收电阻参数标定到所述等效吸收电阻中。

在具体的应用场景中，所述仿真执行模块33，具体可用于根据所述功率源参数，设置所述时域参数，其中，所述时域参数包括时间参数和电压参数；将所述探头分别设置在所述功率源等效电路的输出端和所述扬声器等效电路的输入端上；对所述D类功放电路仿真模型执行仿真，得到所述D类功放电路仿真模型的仿真电压波形；基于所述D类功放电路仿真模型的仿真电压波形，得到所述D类功放电路仿真模型的仿真参数，其中，所述仿真参数包括输出峰峰值、输出信号上升时间、输出信号下降时间和输出峰值流。

在具体的应用场景中，所述参数阈值包括信号变化时间阈值和过流保护阈值；所述结果获取模块34，可用于判断所述输出信号上升时间和所述输出信号下降时间均是否大于所述信号变化时间阈值，并判断所述输出峰值电流小于所述过流保护阈值。

需要说明的是，本实施例提供的一种D类功放电路的仿真测试装置所涉及各功能单元的其它相应描述，可以参考图1、图2中的对应描述，在此不再赘述。

基于上述如图1所示方法，相应的，本实施例还提供了一种存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现上述如图1所示的D类功放电路的仿真测试方法。

基于这样的理解，本申请的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该待识别软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是CD-ROM，U盘，移动硬盘等)中，包括若干指令用以使得一台计算机(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施场景所述的方法。

基于上述如图1所示的方法，以及图3所示的D类功放电路的仿真测试装置实施例，为了实现上述目的，本实施例还提供了一种D类功放电路的仿真测试的实体设备，具体可以为个人计算机、服务器、智能手机、平板电脑、智能手表、或者其它网络设备等，该实体设备包括存储介质和处理器；存储介质，用于存储计算机程序；处理器，用于执行计算机程序以实现上述如图1、图2所示的方法。

可选的，该实体设备还可以包括用户接口、网络接口、摄像头、射频(RadioFrequency，RF)电路，传感器、音频电路、WI-FI模块等等。用户接口可以包括显示屏(Display)、输入单元比如键盘(Keyboard)等，可选用户接口还可以包括USB接口、读卡器接口等。网络接口可选的可以包括标准的有线接口、无线接口(如WI-FI接口)等。

本领域技术人员可以理解，本实施例提供的一种D类功放电路的仿真测试的实体设备结构并不构成对该实体设备的限定，可以包括更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。

存储介质中还可以包括操作系统、网络通信模块。操作系统是管理上述实体设备硬件和待识别软件资源的程序，支持信息处理程序以及其它待识别软件和/或程序的运行。网络通信模块用于实现存储介质内部各组件之间的通信，以及与信息处理实体设备中其它硬件和软件之间通信。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到本申请可以借助软件加必要的通用硬件平台的方式来实现，也可以通过硬件实现。通过应用本申请的技术方案，首先，获取功率源参数和扬声器参数，并将所述功率源参数标定到所述功率源等效电路中，将所述扬声器参数标定到所述扬声器等效电路中。随后，获取磁珠参数和吸收回路参数，并将所述磁珠参数标定到所述磁珠等效电路中，将所述吸收回路参数标定到所述吸收回路中。再后，设置时域参数和探头位置，并对所述D类功放电路仿真模型执行仿真，得到所述D类功放电路仿真模型的仿真参数。最后，当所述D类功放电路仿真模型的仿真参数未达到预设的参数阈值时，更换所述D类功放电路仿真模型中的磁珠参数和/或吸收回路参数，并对所述D类功放电路仿真模型再次执行仿真，直至所述仿真参数达到所述参数阈值。与现有技术相比，不需要在实验室中真实的电子元件的环境中进行调试。同时，能够对磁珠参数以及吸收回路参数进行调整，选取出最符合条件的电路元件参数，缩短了测试周期，进而解决EMC调试成本过高的问题。

本领域技术人员可以理解附图只是一个优选实施场景的示意图，附图中的模块或流程并不一定是实施本申请所必须的。本领域技术人员可以理解实施场景中的装置中的模块可以按照实施场景描述进行分布于实施场景的装置中，也可以进行相应变化位于不同于本实施场景的一个或多个装置中。上述实施场景的模块可以合并为一个模块，也可以进一步拆分成多个子模块。

上述本申请序号仅仅为了描述，不代表实施场景的优劣。以上公开的仅为本申请的几个具体实施场景，但是，本申请并非局限于此，任何本领域的技术人员能思之的变化都应落入本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种D类功放电路的仿真测试方法，其特征在于，所述方法应用于D类功放电路仿真模型中，所述D类功放电路仿真模型包括功率源等效电路、磁珠等效电路、吸收回路和扬声器等效电路，所述方法包括：

获取功率源参数和扬声器参数，并将所述功率源参数标定到所述功率源等效电路中，将所述扬声器参数标定到所述扬声器等效电路中；

获取磁珠参数和吸收回路参数，并将所述磁珠参数标定到所述磁珠等效电路中，将所述吸收回路参数标定到所述吸收回路中；

设置时域参数和探头位置，并对所述D类功放电路仿真模型执行仿真，得到所述D类功放电路仿真模型的仿真参数；

当所述D类功放电路仿真模型的仿真参数未达到预设的参数阈值时，更换所述D类功放电路仿真模型中的磁珠参数和/或吸收回路参数，并对所述D类功放电路仿真模型再次执行仿真，直至所述仿真参数达到所述参数阈值。

2.根据权利要求1所述的D类功放电路的仿真测试方法，其特征在于，所述D类功放电路仿真模型中的各个等效电路的连接关系，包括：

所述功率源等效电路的输出端与所述磁珠等效电路的输入端连接，所述磁珠等效电路的输出端与所述吸收回路的输入端连接，所述吸收回路的输出端与所述扬声器等效电路的输入端连接。

3.根据权利要求1或2所述的D类功放电路的仿真测试方法，其特征在于，所述功率源参数包括功率源输出频率、功率源峰峰值、功率源信号上升时间、功率源信号下降时间和功率源内阻参数；所述功率源等效电路包括等效功率源和等效功率源内阻，其中，

所述等效功率源和所述等效功率源内阻串联连接在所述磁珠等效电路的输入端和接地端之间；

所述将所述功率源参数标定到所述功率源等效电路中，包括：

将所述功率源输出频率、功率源峰峰值、功率源信号上升时间和功率源信号下降时间标定在所述等效功率源中，将所述功率源内阻参数标定在所述等效功率源内阻中。

4.根据权利要求1或2所述的D类功放电路的仿真测试方法，其特征在于，所述磁珠参数包括直流电阻参数、串联电感参数、串联电容参数和交流阻抗参数；所述磁珠等效电路包括等效直流电阻、等效串联电感、等效串联电容和等效交流阻抗，其中，

所述等效串联电感、所述等效串联电容和所述等效交流阻抗并联连接后与所述直流电阻串联连接在所述功率源等效电路的输出端和所述吸收回路的输入端之间；

所述将所述磁珠参数标定到所述磁珠等效电路中，包括：

将所述直流电阻参数标定到所述等效直流电阻中，将所述串联电感参数标定到所述等效串联电感中，将所述交流阻抗参数标定到所述等效交流阻抗中，将串联电容参数标定到等效串联电容中。

5.根据权利要求1或2所述的D类功放电路的仿真测试方法，其特征在于，所述吸收回路参数包括第一吸收电容参数、第二吸收电容参数和吸收电阻参数；所述吸收回路包括第一等效吸收电容、第二等效吸收电容和等效吸收电阻，其中，

所述第二等效吸收电容和所述等效吸收电阻串联后与所述第一等效吸收电容并联连接在所述磁珠等效电路的输出端和接地端之间；

所述将所述吸收回路参数标定到所述吸收回路中，包括：

将所述第一吸收电容参数标定到所述第一等效吸收电容中，将所述第二吸收电容参数标定到所述第二等效吸收电容中，将所述吸收电阻参数标定到所述等效吸收电阻中。

6.根据权利要求1所述的D类功放电路的仿真测试方法，其特征在于，所述设置时域参数和探头位置，并对所述D类功放电路仿真模型执行仿真，得到所述D类功放电路仿真模型的仿真参数，包括：

根据所述功率源参数，设置所述时域参数，其中，所述时域参数包括时间参数和电压参数；

将所述探头分别设置在所述功率源等效电路的输出端和所述扬声器等效电路的输入端上；

对所述D类功放电路仿真模型执行仿真，得到所述D类功放电路仿真模型的仿真电压波形；

基于所述D类功放电路仿真模型的仿真电压波形，得到所述D类功放电路仿真模型的仿真参数，其中，所述仿真参数包括输出峰峰值、输出信号上升时间、输出信号下降时间和输出峰值电流。

7.根据权利要求6所述的D类功放电路的仿真测试方法，其特征在于，所述参数阈值包括信号变化时间阈值和过流保护阈值；则所述仿真参数达到所述参数阈值，包括：

所述输出信号上升时间和所述输出信号下降时间均大于所述信号变化时间阈值，且所述输出峰值电流小于所述过流保护阈值。

8.一种D类功放电路的仿真测试装置，其特征在于，所述装置包括：

第一参数标定模块，用于获取功率源参数和扬声器参数，并将所述功率源参数标定到所述功率源等效电路中，将所述扬声器参数标定到所述扬声器等效电路中；

第二参数标定模块，用于获取磁珠参数和吸收回路参数，并将所述磁珠参数标定到所述磁珠等效电路中，将所述吸收回路参数标定到所述吸收回路中；

仿真执行模块，用于设置时域参数和探头位置，并对所述D类功放电路仿真模型执行仿真，得到所述D类功放电路仿真模型的仿真参数；

结果获取模块，用于当所述D类功放电路仿真模型的仿真参数未达到预设的参数阈值时，更换所述D类功放电路仿真模型中的磁珠参数和/或吸收回路参数，并对所述D类功放电路仿真模型再次执行仿真，直至所述仿真参数达到所述参数阈值。

9.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至7中任一项所述的方法的步骤。

10.一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至7中任一项所述的方法的步骤。

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