CN204465850U - 一种抗干扰耳机电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种抗干扰耳机电路,包括扬声器SPEAKER、麦克风MIC及插头PLUG,扬声器SPEAKER与插头PLUG之间设置磁珠,麦克风MIC与插头PLUG之间设置磁珠。所述扬声器包括SPEAKER-L和SPEAKER-R两个接口,插头PLUG包括PLUG-M+、PLUG-AG、PLUG-R及PLUG-L四个接口,麦克风MIC上设置场效应管FET,SPEAKER-L接口的引脚1与PLUG-L接口之间连接一磁珠D1,SPEAKER-R接口的引脚1与PLUG-R接口之间连接一磁珠D2,场效应管FET的引脚1与PLUG-M+接口之间连接一磁珠D3。所述SPEAKER-L接口的引脚2与SPEAKER-R接口的引脚2并联后串联一开关S1,开关S1的另一端与麦克风MIC的场效应管FET的引脚1连接。本实用新型通过在扬声器与插头之间、麦克风与插头之间设置磁珠,磁珠能起到较好的抗干扰效果,与传统的磁环相比,简化了结构,降低了成本,安全可靠。
Description
技术领域
本实用新型涉及耳机抗干扰技术,特别是涉及一种抗干扰耳机电路。
背景技术
随着技术的发展,耳机越来越多的被广大用户所接纳,应用于不同场合。耳机是人的随身音响的象征。耳机分为两种标准:OMTP标准通常被叫做国标,CTIA被称为国际标准。耳机根据其换能方式分类,主要有:动圈方式、动铁方式、静电式和等磁式。从结构上功能方式进行分类,可分为半开放式和封闭式;从佩带形式上分类则有耳塞式,挂耳式,入耳式和头戴式;从佩戴人数上分类则有单人耳机和多人耳机;从音源上区别,可以分为有源耳机和无源耳机;有源耳机也常被称为插卡耳机。
但是现有技术中的耳机容易存在干扰问题,虽然现有技术中的部分耳机电路经过抗干扰技术改良,例如在插头上套装磁环,一方面增加了成本,另一方面效果一般。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种抗干扰耳机电路,能有效避免干扰,结构简单,降低成本。
为了达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种抗干扰耳机电路,包括扬声器SPEAKER、麦克风MIC及插头PLUG,扬声器SPEAKER与插头PLUG之间设置磁珠,麦克风MIC与插头PLUG之间设置磁珠。
较佳地,所述扬声器包括SPEAKER-L和SPEAKER-R两个接口,插头PLUG包括PLUG-M+、PLUG-AG、PLUG-R及PLUG-L四个接口,麦克风MIC上设置场效应管FET,SPEAKER-L接口的引脚1与PLUG-L接口之间连接一磁珠D1,SPEAKER-R接口的引脚1与PLUG-R接口之间连接一磁珠D2,场效应管FET的引脚1与PLUG-M+接口之间连接一磁珠D3。
较佳地,所述SPEAKER-L接口的引脚2与SPEAKER-R接口的引脚2并联后串联一开关S1,开关S1的另一端与麦克风MIC的场效应管FET的引脚1连接。
较佳地,所述场效应管FET与电容C1、C2、C3并联后连接插头PLUG的PLUG-AG接口。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:通过在扬声器与插头之间、麦克风与插头之间设置磁珠,磁珠能起到较好的抗干扰效果,与传统的磁环相比,简化了结构,降低了成本,安全可靠。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
本实用新型的主旨在于克服现有技术的不足,提供一种抗干扰耳机电路,通过添加磁珠,结构简单,减少了成本,且能有效的抗干扰。下面结合实施例参照附图进行详细说明,以便对本实用新型的技术特征及优点进行更深入的诠释。
本实用新型的结构示意图如图1所示,一种抗干扰耳机电路,包括扬声器SPEAKER、麦克风MIC及插头PLUG,扬声器SPEAKER与插头PLUG之间设置磁珠,麦克风MIC与插头PLUG之间设置磁珠。
作为本实用新型的较佳实施例,所述扬声器包括SPEAKER-L和SPEAKER-R两个接口,SPEAKER-L接口包括引脚1和引脚2,SPEAKER-R接口包括引脚1和引脚2,插头PLUG包括PLUG-M+、PLUG-AG、PLUG-R及PLUG-L四个接口,麦克风MIC上设置场效应管FET(Field Effect Transistor缩写),PLUG-M+用于接收麦克风传输过来的信号,PLUG-AG为模拟地接口。
为了达到较好的抗干扰效果,本实用新型的扬声器的SPEAKER-L接口的引脚1与PLUG-L接口之间连接一磁珠D1,SPEAKER-R接口的引脚1与PLUG-R接口之间连接一磁珠D2,场效应管FET的引脚1与PLUG-M+接口之间连接一磁珠D3。当然,本实用新型并不西安与此,磁珠D1、D2、D3可以由其他电感元器件代替。
另外,如图1所示,所述SPEAKER-L接口的引脚2与SPEAKER-R接口的引脚2并联后串联一开关S1,开关S1的另一端与麦克风MIC的场效应管FET的引脚1连接。
在本实用新型中,所述场效应管FET与电容C1、C2、C3并联后连接插头PLUG的PLUG-AG接口。具体如图1所示,场效应管FET引脚2上串联一电容C1,场效应管FET引脚2与场效应管FET引脚1分别串联电容C2、C3,电容C2、C3之间并联,然后连接插头PLUG的PLUG-AG接口,模拟接地端。
图1中,场效应管FET的引脚1与磁珠D3的M+符号表示麦克风MIC信号的接触点,表示信号的流向;场效应管FET的引脚2与插头PLUG的PLUG-AG接口之间的AG符号表示AG信号的接触点,表示信号的流向。
本实用新型通过设置磁珠,能保证麦克风和扬声器传递信号不受干扰,且结构简单,安全可靠。
通过以上实施例中的技术方案对本实用新型进行清楚、完整的描述,显然所描述的实施例为本实用新型一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
Claims (4)
1.一种抗干扰耳机电路,其特征在于:包括扬声器SPEAKER、麦克风MIC及插头PLUG,扬声器SPEAKER与插头PLUG之间设置磁珠,麦克风MIC与插头PLUG之间设置磁珠。
2.根据权利要求1所述的抗干扰耳机电路,其特征在于:所述扬声器包括SPEAKER-L和SPEAKER-R两个接口,插头PLUG包括PLUG-M+、PLUG-AG、PLUG-R及PLUG-L四个接口,麦克风MIC上设置场效应管FET,SPEAKER-L接口的引脚1与PLUG-L接口之间连接一磁珠D1,SPEAKER-R接口的引脚1与PLUG-R接口之间连接一磁珠D2,场效应管FET的引脚1与PLUG-M+接口之间连接一磁珠D3。
3.根据权利要求2所述的抗干扰耳机电路,其特征在于:所述SPEAKER-L接口的引脚2与SPEAKER-R接口的引脚2并联后串联一开关S1,开关S1的另一端与麦克风MIC的场效应管FET的引脚1连接。
4.根据权利要求3所述的抗干扰耳机电路,其特征在于:所述场效应管FET与电容C1、C2、C3并联后连接插头PLUG的PLUG-AG接口。
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