JP2016139185A - 検証方法、検証装置及びプログラム - Google Patents
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Abstract
【課題】静電気放電が半導体装置に与える影響を検証する際の計算量を減らす。
【解決手段】プロセッサ2は、静電気放電によるパルス信号の周波数と、パルス信号の入力点からの距離に依存するパルス信号の減衰特性に基づいて、設計データ4で表される半導体装置7の回路範囲のうち、抵抗、容量またはインダクタを抽出する範囲9を決定する。そして、プロセッサ2は、決定した範囲9から、抵抗、容量またはインダクタを抽出して範囲9内での半導体装置7の等価回路9aを作成する。
【選択図】図1
【解決手段】プロセッサ2は、静電気放電によるパルス信号の周波数と、パルス信号の入力点からの距離に依存するパルス信号の減衰特性に基づいて、設計データ4で表される半導体装置7の回路範囲のうち、抵抗、容量またはインダクタを抽出する範囲9を決定する。そして、プロセッサ2は、決定した範囲9から、抵抗、容量またはインダクタを抽出して範囲9内での半導体装置7の等価回路9aを作成する。
【選択図】図1
Description
本発明は、検証方法、検証装置及びプログラムに関する。
静電気(ESD(Electro Static Discharge))により帯電した人体や機械が半導体装置の入出力ピンに触れて放電が起こると、半導体装置内の素子や配線などを破壊してしまう可能性がある。そこで、半導体装置の設計段階で、静電気放電が半導体装置に与える影響を検証するESD検証が行われている。
ESD検証の際には、たとえば、HBM(Human Body Model)、MM(Machine Model)、またはCDM(Charged Device Model)と呼ばれる静電気帯電モデルが用いられ、各モデルに対応した半導体装置の等価回路が作成される。この等価回路には、外部端子、電源配線、ESD保護素子などが抵抗などを用いてモデル化されている。そして、等価回路における外部端子にESDによる電流が入力され、素子の耐圧を超える電圧が発生しないか否かなどが検証される。
しかしながら、たとえばCDMのように、比較的高周波のESDを検証する際には、半導体装置の設計データから、抵抗成分の他に、容量成分、インダクタ成分が抽出されて等価回路が作成される。これらの成分は、HBMのように比較的低周波のESDを検証する場合よりも、細かい粒度で抽出される。そのため、等価回路の規模が増大し、検証の際の計算量が増大してしまうという問題があった。
発明の一観点によれば、静電気放電が半導体装置に与える影響を検証する検証方法において、プロセッサが、前記静電気放電によるパルス信号の周波数と、前記パルス信号の入力点からの距離に依存する前記パルス信号の減衰特性に基づいて、設計データで表される前記半導体装置の回路範囲のうち、抵抗、容量またはインダクタを抽出する第1の範囲を決定し、前記プロセッサが、決定した前記第1の範囲から、前記抵抗、前記容量または前記インダクタを抽出して前記第1の範囲内での前記半導体装置の等価回路を作成する、検証方法が提供される。
また、発明の一観点によれば、静電気放電が半導体装置に与える影響を検証する検証装置において、前記静電気放電によるパルス信号の周波数と、前記パルス信号の入力点からの距離に依存する前記パルス信号の減衰特性に基づいて、設計データで表される前記半導体装置の回路範囲のうち、抵抗、容量またはインダクタを抽出する第1の範囲を決定する抽出範囲決定部と、前記抽出範囲決定部が決定した前記第1の範囲から、前記抵抗、前記容量または前記インダクタを抽出して前記第1の範囲内での前記半導体装置の等価回路を作成する等価回路作成部と、を有する検証装置が提供される。
また、発明の一観点によれば、静電気放電が半導体装置に与える影響を検証するプログラムであって、前記静電気放電によるパルス信号の周波数と、前記パルス信号の入力点からの距離に依存する前記パルス信号の減衰特性に基づいて、設計データで表される前記半導体装置の回路範囲のうち、抵抗、容量またはインダクタを抽出する第1の範囲を決定し、決定した前記第1の範囲から、前記抵抗、前記容量または前記インダクタを抽出して前記第1の範囲内での前記半導体装置の等価回路を作成する、処理をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
開示の検証方法、検証装置及びプログラムによれば、検証の際の計算量を減らせる。
以下、発明を実施するための形態を、図面を参照しつつ説明する。
(第1の実施の形態)
図1は、第1の実施の形態の検証方法の一例を示す図である。また、図2は、第1の実施の形態の検証装置の一例の機能ブロック図である。
(第1の実施の形態)
図1は、第1の実施の形態の検証方法の一例を示す図である。また、図2は、第1の実施の形態の検証装置の一例の機能ブロック図である。
検証装置1は、たとえば、コンピュータであり、プロセッサ2と記憶部3を有している。プロセッサ2は、記憶部3に記憶されているデータ及びプログラムに基づき、図2に示すような、抽出範囲決定部10、等価回路作成部11、シミュレーション実行部12の機能を実現する。
記憶部3は、プロセッサ2が実行するプログラムや各種データを記憶する。たとえば、記憶部3は、設計データ4、周波数情報5、減衰特性情報6を記憶する。
設計データ4は、検証対象となる半導体装置のレイアウトデータや、外部接続端子及びESD保護素子の情報などを含む。これらの情報は、たとえば、DEF(Design Exchange Format)などで表されている。
設計データ4は、検証対象となる半導体装置のレイアウトデータや、外部接続端子及びESD保護素子の情報などを含む。これらの情報は、たとえば、DEF(Design Exchange Format)などで表されている。
周波数情報5は、シミュレーションの際の、ESDによるパルス信号の周波数の情報を含む。
減衰特性情報6は、ESDによるパルス信号の周波数と、パルス信号の入力点からの距離に依存するパルス信号の減衰特性の情報を含む。パルス信号の減衰特性については後述する。
減衰特性情報6は、ESDによるパルス信号の周波数と、パルス信号の入力点からの距離に依存するパルス信号の減衰特性の情報を含む。パルス信号の減衰特性については後述する。
以下、図2の検証装置1における機能ブロックの各機能を説明する。
抽出範囲決定部10は、周波数情報5と減衰特性情報6に基づき、設計データ4で表される半導体装置の回路範囲のうち、抵抗、容量またはインダクタを抽出する範囲を決定する。
抽出範囲決定部10は、周波数情報5と減衰特性情報6に基づき、設計データ4で表される半導体装置の回路範囲のうち、抵抗、容量またはインダクタを抽出する範囲を決定する。
等価回路作成部11は、抽出範囲決定部10が決定した範囲から、抵抗、容量またはインダクタを抽出して、その範囲内での半導体装置の等価回路を作成する。
シミュレーション実行部12は、等価回路作成部11が作成した等価回路を用いてシミュレーションを実行し、たとえば、ESDにより耐圧を超えるような電圧が発生するか否かなどを判定する。
シミュレーション実行部12は、等価回路作成部11が作成した等価回路を用いてシミュレーションを実行し、たとえば、ESDにより耐圧を超えるような電圧が発生するか否かなどを判定する。
以下、上記のような検証装置1を用いた検証方法の一例を、図1を用いて説明する。なお、前述したように図2の抽出範囲決定部10、等価回路作成部11、シミュレーション実行部12の機能は、プロセッサ2により実現されるため、以下では各処理の主体を、プロセッサ2として説明する。
ステップS1:プロセッサ2は、記憶部3から周波数情報5と減衰特性情報6を読み出す。そして、プロセッサ2は、ESDによるパルス信号の入力点からの距離とパルス信号の周波数に依存するパルス信号の減衰特性に基づいて、設計データ4で表される半導体装置の回路範囲のうち、抵抗、容量またはインダクタを抽出する範囲を決定する。
ESDによるパルス信号が半導体装置の回路範囲を伝搬する際、パルス信号は、入力点から離れるほど減衰する。また、パルス信号は、パルス信号の周波数が高いほど減衰しやすい。減衰の度合いは、半導体装置の電気特性で決まる。プロセッサ2は、このような減衰特性に基づき、半導体装置の回路範囲において、パルス信号による影響の少ない範囲は、上記のようなパラメータの抽出範囲から除外する。
たとえば、プロセッサ2は、ある周波数のパルス信号による電流値または電圧値が、半導体装置が耐えうる許容電流値または許容電圧値(耐圧)以下になるときの、入力点からの距離を求める。そして、プロセッサ2は、入力点からその距離までの範囲を、抵抗、容量またはインダクタを抽出する範囲として決定し、その距離よりも遠い範囲については、抽出範囲から除外する。
図1には半導体装置7の一例が示されている。半導体装置7は、たとえば、SoC(System on a Chip)である。図1の例では、半導体装置7の入出力パッド8が、たとえば、CDMの検証で用いられるパルス信号(以下CDMパルスという)が入力される入力点である。ステップS1の処理により、たとえば、入出力パッド8を中心とした範囲9が、抵抗、容量またはインダクタを抽出する範囲として決定される。
ステップS2:プロセッサ2は、ステップS1の処理により決定した範囲から、抵抗、容量またはインダクタを抽出して、その範囲内での半導体装置の等価回路を作成する。なお、抵抗、容量またはインダクタの各値は、図示しないプロセス情報(半導体装置の各配線層のシート抵抗情報や、絶縁層の比誘電率と厚さの情報などを含む)に基づき求められる。
図1には、作成される等価回路9aの一例が示されている。
なお、図1には、CDMなど比較的高周波のESDを検証する際に作成される等価回路9aの一部が示されている。等価回路9aは、容量C1,C2,C3、抵抗R1,R2,R3,R4、インダクタL1,L2,L3,L4を含んでいる。
なお、図1には、CDMなど比較的高周波のESDを検証する際に作成される等価回路9aの一部が示されている。等価回路9aは、容量C1,C2,C3、抵抗R1,R2,R3,R4、インダクタL1,L2,L3,L4を含んでいる。
容量C1の一端は、抵抗R1の一端に接続され、容量C1の他端は、抵抗R2の一端に接続されている。抵抗R1の他端は、インダクタL1の一端に接続され、抵抗R2の他端は、インダクタL2の一端に接続されている。インタクダL1の他端は、容量C2の一端に接続され、インダクタL2の他端は、容量C2の他端に接続されている。
容量C2の一端は、さらに抵抗R3の一端に接続され、容量C2の他端は、さらに抵抗R4の一端に接続されている。抵抗R3の他端は、インダクタL3の一端に接続され、抵抗R4の他端は、インダクタL4の一端に接続されている。インダクタL3の他端は、容量C3の一端に接続され、インダクタL4の他端は、容量C3の他端に接続されている。
ステップS3:プロセッサ2は、等価回路を用いてシミュレーションを行う。ステップS3の処理では、たとえば、プロセッサ2は、CDMパルスを等価回路9aのノード9bに入力し、回路シミュレーションを実行し、電流や電圧が、半導体装置7の耐圧を超えないか否かを検証し、その結果を出力する。
以上のような、検証方法及び検証装置では、ESD検証の際の計算モデルである等価回路作成のために半導体装置7の回路範囲から上記のパラメータが抽出される範囲が、ESDのパルス信号の減衰特性に基づいて限定される。そのため、計算モデルの大規模化を抑えられ計算量を減らせる。これにより、CDMのように、比較的高周波のESDを検証するための等価回路(抵抗成分のほか、容量成分とインダクタ成分も含む回路)を作成するような場合でも、シミュレーションの実行が容易になる。
なお、図1に示した等価回路9aは、CDMのように、比較的高周波のESDを検証するときの計算モデルであり、抵抗のほか、容量とインダクタを含んでいるが、比較的低周波のESDを検証するときは、容量とインダクタを含まない等価回路としてもよい。
(第2の実施の形態)
以下、第2の実施の形態の検証方法及び検証装置の一例を示す。
図3は、第2の実施の形態の検証装置の一例を示す図である。
以下、第2の実施の形態の検証方法及び検証装置の一例を示す。
図3は、第2の実施の形態の検証装置の一例を示す図である。
検証装置は、たとえば、コンピュータ20であり、プロセッサ21によって装置全体が制御されている。プロセッサ21には、バス29を介してRAM(Random Access Memory)22と複数の周辺機器が接続されている。プロセッサ21は、マルチプロセッサであってもよい。プロセッサ21は、たとえばCPU(Central Processing Unit)、MPU(Micro Processing Unit)、DSP(Digital Signal Processor)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)、またはPLD(Programmable Logic Device)である。またプロセッサ21は、CPU、MPU、DSP、ASIC、PLDのうちの2以上の要素の組み合わせであってもよい。
RAM22は、コンピュータ20の主記憶装置として使用される。RAM22には、プロセッサ21に実行させるOS(Operating System)のプログラムやアプリケーションプログラムの少なくとも一部が一時的に格納される。また、RAM22には、プロセッサ21による処理に必要な各種データが格納される。
バス29に接続されている周辺機器としては、HDD(Hard Disk Drive)23、グラフィック処理装置24、入力インタフェース25、光学ドライブ装置26、機器接続インタフェース27及びネットワークインタフェース28がある。
HDD23は、内蔵したディスクに対して、磁気的にデータの書き込み及び読み出しを行う。HDD23は、コンピュータ20の補助記憶装置として使用される。HDD23には、OSのプログラム、アプリケーションプログラム、及び各種データが格納される。なお、補助記憶装置としては、フラッシュメモリなどの半導体記憶装置を使用することもできる。
グラフィック処理装置24には、モニタ24aが接続されている。グラフィック処理装置24は、プロセッサ21からの命令にしたがって、画像をモニタ24aの画面に表示させる。モニタ24aとしては、CRT(Cathode Ray Tube)を用いた表示装置や液晶表示装置などがある。
入力インタフェース25には、キーボード25aとマウス25bとが接続されている。入力インタフェース25は、キーボード25aやマウス25bから送られてくる信号をプロセッサ21に送信する。なお、マウス25bは、ポインティングデバイスの一例であり、他のポインティングデバイスを使用することもできる。他のポインティングデバイスとしては、タッチパネル、タブレット、タッチパッド、トラックボールなどがある。
光学ドライブ装置26は、レーザ光などを利用して、光ディスク26aに記録されたデータの読み取りを行う。光ディスク26aは、光の反射によって読み取り可能なようにデータが記録された可搬型の記録媒体である。光ディスク26aには、DVD(Digital Versatile Disc)、DVD−RAM、CD−ROM(Compact Disc Read Only Memory)、CD−R(Recordable)/RW(ReWritable)などがある。
機器接続インタフェース27は、コンピュータ20に周辺機器を接続するための通信インタフェースである。たとえば機器接続インタフェース27には、メモリ装置27aやメモリリーダライタ27bを接続することができる。メモリ装置27aは、機器接続インタフェース27との通信機能を搭載した記録媒体である。メモリリーダライタ27bは、メモリカード27cへのデータの書き込み、またはメモリカード27cからのデータの読み出しを行う装置である。メモリカード27cは、カード型の記録媒体である。
ネットワークインタフェース28は、ネットワーク28aに接続されている。ネットワークインタフェース28は、ネットワーク28aを介して、他のコンピュータまたは通信機器との間でデータの送受信を行う。
以上のようなハードウェア構成によって、第2の実施の形態の処理機能を実現することができる。なお、図1に示した第1の実施の形態の検証装置1も、図3に示したコンピュータ20と同様のハードウェアにより実現することができる。
コンピュータ20は、たとえばコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録されたプログラムを実行することにより、第2の実施の形態の処理機能を実現する。コンピュータ20に実行させる処理内容を記述したプログラムは、様々な記録媒体に記録しておくことができる。たとえば、コンピュータ20に実行させるプログラムをHDD23に格納しておくことができる。プロセッサ21は、HDD23内のプログラムの少なくとも一部をRAM22にロードし、プログラムを実行する。またコンピュータ20に実行させるプログラムを、光ディスク26a、メモリ装置27a、メモリカード27cなどの可搬型記録媒体に記録しておくこともできる。可搬型記録媒体に格納されたプログラムは、たとえばプロセッサ21からの制御により、HDD23にインストールされた後、実行可能となる。またプロセッサ21が、可搬型記録媒体から直接プログラムを読み出して実行することもできる。
(検証方法の一例)
図4は、第2の実施の形態の検証方法の一例の処理の流れを示すフローチャートである。
図4は、第2の実施の形態の検証方法の一例の処理の流れを示すフローチャートである。
コンピュータ20において、プロセッサ21は、HDD23に格納されたプログラムを読み出してRAM22上に展開して、たとえば、図4に示すような各ステップの処理を実行する。
ステップS10:プロセッサ21は、たとえば、HDD23に記憶されている半導体装置(たとえば、SoC)の設計データ30を読み出し、抵抗、容量またはインダクタを抽出する範囲を決定する処理を行う。
設計データ30は、検証対象となる半導体装置のレイアウトデータや、外部接続端子及びESD保護素子の情報などを含む。
ステップS10の処理は、たとえば、以下のように行われる。
ステップS10の処理は、たとえば、以下のように行われる。
図5は、抽出範囲決定処理の一例の流れを示すフローチャートである。
ステップS20:プロセッサ21は、たとえば、HDD23に記憶されているパルス信号周波数情報40、許容減衰率情報41、減衰率テーブル42を読み出し、それらの情報に基づき、半導体装置に入力されるESDのパルス信号の伝搬距離43を決定する。
ステップS20:プロセッサ21は、たとえば、HDD23に記憶されているパルス信号周波数情報40、許容減衰率情報41、減衰率テーブル42を読み出し、それらの情報に基づき、半導体装置に入力されるESDのパルス信号の伝搬距離43を決定する。
パルス信号周波数情報40は、ESDによるパルス信号の周波数の情報を含む。たとえば、CDMパルスによって生じる電流は、1ns程度の時間流れる。そのため、CDMパルスの周波数は、たとえば、1GHzと設定される。
許容減衰率情報41は、たとえば、ある周波数のパルス信号による電流または電圧の値が、半導体装置が耐えうる値(前述の許容電流値または許容電圧値)以下になるまで減衰するときの減衰率(以下このときの減衰率を許容減衰率という)を示す情報である。
許容減衰率は、たとえば、パルス信号の初期電圧と、検証対象となる半導体装置の耐圧との比率により設定できる。たとえば、パルス信号の初期電圧が100Vで、検証対象となる半導体装置の耐圧が1Vである場合、許容減衰率は0.01と設定される。
図6は、減衰率テーブルの一例を示す図である。
図6の減衰率テーブル42には、パルス信号の周波数と、パルス信号の入力点からの距離に依存するパルス信号の減衰特性が、0.000〜0.999までの減衰率で示されている。図6からわかるように、減衰率は、パルス信号の周波数が高いほど小さい。これは、パルス信号の周波数が高いほど減衰しやすいことを意味している。また、パルス信号の入力点からの距離が長いほど減衰率が小さい。これは、パルス信号の入力点からの距離が長いほど減衰することを意味している。減衰率テーブル42の作成方法については後述する。
図6の減衰率テーブル42には、パルス信号の周波数と、パルス信号の入力点からの距離に依存するパルス信号の減衰特性が、0.000〜0.999までの減衰率で示されている。図6からわかるように、減衰率は、パルス信号の周波数が高いほど小さい。これは、パルス信号の周波数が高いほど減衰しやすいことを意味している。また、パルス信号の入力点からの距離が長いほど減衰率が小さい。これは、パルス信号の入力点からの距離が長いほど減衰することを意味している。減衰率テーブル42の作成方法については後述する。
プロセッサ21は、たとえば、CDMパルスによる半導体装置への影響を検証する際、CDMパルスの周波数が1GHz、許容減衰率が0.001であるとき、図6の減衰率テーブル42から、伝搬距離を4mmと決定する。
ステップS21:プロセッサ21は、ステップS20の処理で決定したパルス信号の伝搬距離43と、パルス信号の入力位置情報44とに基づき、半導体装置の回路範囲のうち、抵抗、容量またはインダクタの各値を抽出する範囲を決定する。そして、プロセッサ21は、設計データ30から、決定した範囲を切り出し、切り出しデータ30aを生成する。
パルス信号の入力位置情報44は、ESDによるパルス信号の入力点の位置を示す情報である。パルス信号の入力位置情報44には、たとえば、ESDによるパルス信号が入力される半導体装置の外部端子の位置を示す座標の情報が含まれる。
ステップS21の処理では、プロセッサ21は、設計データ30から、ESDによるパルス信号の入力点を中心として、パルス信号の伝搬距離43の範囲を切り出す。この切り出しは、プロセッサ21が、図形処理ツールを実行することで実現可能である。なお、図形処理ツールの実行時には、パルス信号の伝搬距離43の数値を厳密に処理しなくてもよく、図形処理ツールが処理可能な処理単位などに丸めて処理するようにしてもよい。また、パルス信号の入力点が複数あるときには、それぞれに合わせて図形の切り出しは複数回行われる。
以上の処理で生成された切り出しデータ30aに基づき、図4のステップS11の処理が行われる。なお、プロセッサ21は、切り出しデータ30aを一旦HDD23に記憶してもよいし、グラフィック処理装置24を制御して、モニタ24aに表示させるようにしてもよい。
ステップS11:プロセッサ21は、切り出しデータ30aとプロセス情報31とに基づき、抵抗、容量またはインダクタによるネットリスト32を半導体装置の等価回路として作成する。
プロセス情報31は、半導体装置7の各配線層のシート抵抗情報や、絶縁層の比誘電率と厚さの情報などを含む。プロセッサ21は、プロセス情報31に基づき、抵抗、容量及びインダクタの各値を求める。
図7は、ネットリストの一例を示す図である。
図7のネットリスト32には、抵抗、容量及びインダクタが接続されるノードの名前と、抵抗、容量及びインダクタの各値の例が示されている。
図7のネットリスト32には、抵抗、容量及びインダクタが接続されるノードの名前と、抵抗、容量及びインダクタの各値の例が示されている。
“L001”〜“L003”は、インダクタ名であり、“R001”〜“R003”は抵抗名であり、“C001”〜“C003”は容量名である。また、“node1”〜“node25”は、ノード名である。“10p”、“10m”、“20f”などは、インダクタ、抵抗及び容量の各値を示しており、それぞれ、10pH、10mΩ、20fFを示している。
なお、ネットリスト32において、切り出しデータ30aの境界部分には素子が接続されないが、切り出しデータ30aの境界部分では、パルス信号は十分小さくなっているため、検証結果に与える影響は少ない。
プロセッサ21は、このようなネットリスト32の情報を、回路シミュレーションを行う前に一旦HDD23に記憶してもよいし、グラフィック処理装置24を制御して、モニタ24aに表示させるようにしてもよい。このとき、プロセッサ21は、図1に示したような、等価回路9aの回路図をモニタ24aに表示させるようにしてもよい。
ステップS12:プロセッサ21は、ネットリスト32とESD電流情報33とに基づいて回路シミュレーションを実行する。
ESD電流情報33には、ESDによるパルス信号の電流波形がモデル化されている。プロセッサ21は、ネットリスト32とESD電流情報33に基づき回路シミュレーションを行うことで、シミュレーション結果34を生成する。
ESD電流情報33には、ESDによるパルス信号の電流波形がモデル化されている。プロセッサ21は、ネットリスト32とESD電流情報33に基づき回路シミュレーションを行うことで、シミュレーション結果34を生成する。
シミュレーション結果34には、電流波形及び電圧波形の情報が含まれる。
ステップS13:プロセッサ21は、シミュレーション結果34と電流・電圧制約情報35に基づき、電流・電圧値の比較処理を行う。
ステップS13:プロセッサ21は、シミュレーション結果34と電流・電圧制約情報35に基づき、電流・電圧値の比較処理を行う。
電流・電圧制約情報35には、検証対象の半導体装置が耐えうる電圧や電流の情報が含まれる。プロセッサ21は、シミュレーション結果34に含まれる電流波形及び電圧波形の情報と、電流・電圧制約情報35とを比較して、半導体装置が耐えうる電圧や電流を超える電圧や電流が発生していないか判定する。プロセッサ21は、判定結果を、たとえば、グラフィック処理装置24を制御して、モニタ24aに表示させるようにしてもよい。このとき、プロセッサ21は、半導体装置において、半導体装置が耐えうる電圧や、電流を超える電圧や電流が発生している箇所を、たとえば、赤で表示させるようにしてもよい。
以上の検証方法では、図7に示すネットリスト(等価回路)32の作成のために、半導体装置から抵抗、容量、インダクタを抽出する範囲が、ESDのパルス信号の減衰特性に基づいて切り出される切り出しデータ30aの範囲に限定される。そのため、回路シミュレーション時の計算モデルである等価回路の大規模化を抑えられ計算量を減らせる。
これにより、CDMのように、比較的高周波のESDを検証するための等価回路を作成するような場合でも、シミュレーションの実行が容易になる。一般的なCDMパルスの伝搬距離は、約1−2mm程度ある。CDMパルスが伝搬する面積を、SoCの面積と比較すると、おおよそ2桁程度は小さいので、作成される上記の等価回路も2桁程度小さくなる。
以下、図6に示したような減衰率テーブル42の作成方法の例を説明する。
(減衰率テーブルの作成例)
まず、計算により減衰率テーブル42を作成する例を説明する。減衰率テーブル42は、プロセッサ21による計算で作成されるようにしてもよいし、別のコンピュータによって作成されるようにしてもよい。
(減衰率テーブルの作成例)
まず、計算により減衰率テーブル42を作成する例を説明する。減衰率テーブル42は、プロセッサ21による計算で作成されるようにしてもよいし、別のコンピュータによって作成されるようにしてもよい。
図8は、計算による減衰率テーブルの作成例を説明する図である。
以下では、図8に示すように、検証対象の半導体装置50の中心を0とする円筒座標を用い、また、半導体装置50の面積(チップ面積)は無限大であると仮定して計算が行われる例を示す。
以下では、図8に示すように、検証対象の半導体装置50の中心を0とする円筒座標を用い、また、半導体装置50の面積(チップ面積)は無限大であると仮定して計算が行われる例を示す。
また、半導体装置50は、図8に示すような抵抗、容量及びインダクタが繰り返し接続された回路モデルとみなす。
容量C5の一端は、抵抗R5の一端に接続され、容量C5の他端は、接地されている。抵抗R5の一端は、容量C5の一端に接続され、抵抗R5の他端は、インダクタL5の一端に接続されている。インダクタL5の一端は、抵抗R5の他端に接続され、インダクタL5の他端は、容量C6の一端に接続されている。容量C6の一端は、抵抗R6の一端に接続され、容量C6の他端は、接地されている。抵抗R6の一端は、容量C6の一端に接続され、抵抗R6の他端は、インダクタL6の一端に接続されている。インダクタL6の一端は、抵抗R6の他端に接続され、インダクタL6の他端は、容量C7の一端に接続されている。容量C7の他端は、接地されている。
容量C5の一端は、抵抗R5の一端に接続され、容量C5の他端は、接地されている。抵抗R5の一端は、容量C5の一端に接続され、抵抗R5の他端は、インダクタL5の一端に接続されている。インダクタL5の一端は、抵抗R5の他端に接続され、インダクタL5の他端は、容量C6の一端に接続されている。容量C6の一端は、抵抗R6の一端に接続され、容量C6の他端は、接地されている。抵抗R6の一端は、容量C6の一端に接続され、抵抗R6の他端は、インダクタL6の一端に接続されている。インダクタL6の一端は、抵抗R6の他端に接続され、インダクタL6の他端は、容量C7の一端に接続されている。容量C7の他端は、接地されている。
なお、以下では、回路モデルにおいて、正弦波の信号が入力される半導体装置50の中心に対応するノードをノード51と表記する。また、容量C6の一端とインダクタL5の他端及び抵抗R6の一端との接続点をノード52と表記し、容量C7の一端とインダクタL6の一端との接続点をノード53と表記する。また、ノード52に抵抗R5及びインダクタL5を介して流れ込む電流をI(r)と表記し、ノード53に抵抗R6及びインダクタL6を介して流れ込む電流をI(r+dr)と表記する。さらに、ノード52の電圧をV(r)と表記し、ノード53の電圧をV(r+dr)と表記する。なお、rは、ノード51からの距離である。
まず、半導体装置50の容量密度σC、シート抵抗σR、シートインダクタンスσLが決定される。
容量密度σCは、半導体装置50の電源配線の単位面積当たりの容量値である。容量密度σCは、たとえば、予めシミュレーションなどにより抽出した半導体装置50の電源配線の容量値を、半導体装置50のチップ面積で割ることにより求めることができる。
容量密度σCは、半導体装置50の電源配線の単位面積当たりの容量値である。容量密度σCは、たとえば、予めシミュレーションなどにより抽出した半導体装置50の電源配線の容量値を、半導体装置50のチップ面積で割ることにより求めることができる。
シート抵抗σRは、半導体装置50の電源配線のシート抵抗である。シート抵抗σRは、たとえば、電源配線を有する配線層のシート抵抗を、その配線層に占める電源配線の面積占有率で割ることにより求めることができる。半導体装置50が複数の電源配線を有する配線層を含む場合、シート抵抗σRは、その配線層ごとに電源配線のシート抵抗を算出し、さらに、それらのシート抵抗を並列合成することで求められる。
シートインダクタンスσLは、たとえば、半導体装置50の電源配線のシートインダクタンスで定義される。シートインダクタンスσLは、たとえば、電源配線を一辺が100μm程度の正方形に分割し、その正方形の各辺が形成するループのインダクタンス(ループインダクタンス)を3次元電磁界解析により算出することで求めることができる。
なお、容量密度σC、シート抵抗σR、シートインダクタンスσLは、半導体装置50の設計データ30や設計ルールなどにより求めることもできる。
上記の容量密度σC、シート抵抗σR、シートインダクタンスσLを用いると、図6のdrの範囲における容量C6の容量値dC、抵抗R6の抵抗値dR、インダクタL6のインダクタンス値dHは、以下の式(1)〜(3)により表される。
上記の容量密度σC、シート抵抗σR、シートインダクタンスσLを用いると、図6のdrの範囲における容量C6の容量値dC、抵抗R6の抵抗値dR、インダクタL6のインダクタンス値dHは、以下の式(1)〜(3)により表される。
さらに、ノード53とノード52の電圧差「V(r+dr)−V(r)」から、以下の式(4)が得られる。
また、ノード52にキルヒホップの法則を適用することにより、以下の式(5)が得られる。
なお、上記の式(4)、式(5)においてdrは無限小とした。
次に、境界条件を「半導体装置50の中心に入力される信号は角振動数ωの正弦波(r=0、V=sin(ωt))」、「半導体装置50の無限遠方で信号は0に収束(r→∞、V→0)」とし、式(4)、式(5)を解くと、以下の式(6)が得られる。
次に、境界条件を「半導体装置50の中心に入力される信号は角振動数ωの正弦波(r=0、V=sin(ωt))」、「半導体装置50の無限遠方で信号は0に収束(r→∞、V→0)」とし、式(4)、式(5)を解くと、以下の式(6)が得られる。
式(6)は、上記の境界条件においてr=0における正弦波の信号の振幅(電圧振幅)を1としたことにより、振幅の減衰率を示す式となる。また、正弦波の信号の角振動数ωは、正弦波の信号の周波数fにより、ω=2πfとして与えられる。
たとえば、プロセッサ21は、式(6)を用いて、正弦波の信号の周波数fを変えたときの、ノード51からの距離rの違いによる、信号の振幅の減衰率を算出することで、減衰特性(たとえば、図6に示したような減衰率テーブル42)を求める。
次に、実測により減衰率テーブルを作成する例を説明する。
図9は、実測による減衰率テーブルの作成例を説明する図である。
図9には、半導体装置60のバンプ搭載面の一部が示されている。電源端子または接地端子に付加された複数のバンプが示されている。たとえば、バンプ61,63,65は電源端子に付加されたバンプであり、バンプ62,64,66は接地端子に付加されたバンプである。以下では、バンプ61,62は、半導体装置60のバンプ搭載面の中心に位置するものとして説明する。
図9は、実測による減衰率テーブルの作成例を説明する図である。
図9には、半導体装置60のバンプ搭載面の一部が示されている。電源端子または接地端子に付加された複数のバンプが示されている。たとえば、バンプ61,63,65は電源端子に付加されたバンプであり、バンプ62,64,66は接地端子に付加されたバンプである。以下では、バンプ61,62は、半導体装置60のバンプ搭載面の中心に位置するものとして説明する。
たとえば、減衰率テーブル42の作成者は、電圧発生装置を用い、電源端子に付加されたバンプ61に、接地端子に付加されたバンプ62をグランドとして、正弦波の信号を、周波数を変えて入力する。これにより、信号は、半導体装置60を伝搬していく。減衰率テーブルの作成者は、その伝搬していく信号の電圧振幅を、電圧計を用いて、バンプ61,62に対して異なる距離にある複数のバンプ(たとえば、バンプ63〜66)の位置で測定することで、信号の減衰特性を求めることができる。すなわち、このような実測によっても、図6に示したような、減衰率テーブル42を作成することができる。
なお、実測では、測定点や周波数が粗くなるため、補間を行うようにしてもよい。その場合、線形補間を行ってもよいが、式(6)を用いて補間することで、減衰率の精度を向上できる。
以下実測により得られた減衰率と、計算により得られた減衰率とを比較する。
図10は、実測により得られた減衰率の一例を示す図である。また、図11は、計算により得られた減衰率の一例を示す図である。
図10は、実測により得られた減衰率の一例を示す図である。また、図11は、計算により得られた減衰率の一例を示す図である。
図10、図11において、横軸は、半導体装置の中心(パルス信号の入力点)からの距離を示し、縦軸はパルス信号の減衰率を示す。また、図10、図11には、パルス信号の周波数が10MHz、100MHz、1GHz、3GHzの場合の減衰率が示されている。
周波数が10MHzや100MHzのパルス信号については、実測結果と計算結果とでは誤差が比較的大きい。これは、計算の際にチップ面積を無限大としたことによる誤差と考えられる。一方、1GHz、3GHzでは、減衰率が測定装置の測定限界(図8の矢印Aの範囲)に達するまでは、比較的よく一致している。
そのため、CDMのような高周波のパルス信号の影響を検証する際には、式(6)で計算することで、比較的精度よく減衰特性を求めることができる。
また、CDMのような高周波のパルス信号の影響を検証する際には、実測により得られた減衰率を用い、測定点の間や、測定限界の部分は、式(6)を用いて補間することで、比較的広い範囲でより精度良く減衰特性を求めることができる。
また、CDMのような高周波のパルス信号の影響を検証する際には、実測により得られた減衰率を用い、測定点の間や、測定限界の部分は、式(6)を用いて補間することで、比較的広い範囲でより精度良く減衰特性を求めることができる。
以下、減衰特性を示す減衰率テーブルの作成方法の流れをフローチャートでまとめる。
図12は、計算による減衰率テーブルの作成の一例の流れを示すフローチャートである。
図12は、計算による減衰率テーブルの作成の一例の流れを示すフローチャートである。
なお、以下では、図2に示すようなコンピュータ20(検証装置)で、減衰率テーブルを作成するものとして説明する。
ステップS30:プロセッサ21は、上記の方法により、半導体装置の容量密度、シート抵抗及びシートインダクタンスを決定する。
ステップS30:プロセッサ21は、上記の方法により、半導体装置の容量密度、シート抵抗及びシートインダクタンスを決定する。
ステップS31:プロセッサ21は、たとえば、ユーザによって入力された(または予めHDD23に格納されている)正弦波の周波数と、入力点からの距離(r)を取得する。
ステップS32:プロセッサ21は、容量密度、シート抵抗及びシートインダクタンスに基づき、式(6)を用いて、取得した各周波数と、各距離での減衰率を算出することで、減衰率テーブル42aを作成する。プロセッサ21は、作成した減衰率テーブル42aを、たとえば、HDD23に格納する。
なお、上記のステップS30,S31の処理の順序は、入れ替えが可能である。
次に、実測値を、式(6)を用いて補間する処理の流れをフローチャートでまとめる。
図13は、実測値に対する補間処理を行って減衰率テーブルを作成する一例の流れを示すフローチャートである。
次に、実測値を、式(6)を用いて補間する処理の流れをフローチャートでまとめる。
図13は、実測値に対する補間処理を行って減衰率テーブルを作成する一例の流れを示すフローチャートである。
なお、以下でも、図2に示すようなコンピュータ20(検証装置)で、減衰率テーブルを作成するものとして説明する。
ステップS40:プロセッサ21は、たとえば、予めHDD23に格納されている、測定で得られた減衰率(以下実測値という)を取得する。
ステップS40:プロセッサ21は、たとえば、予めHDD23に格納されている、測定で得られた減衰率(以下実測値という)を取得する。
ステップS41:プロセッサ21は、上記の方法により、半導体装置の容量密度、シート抵抗及びシートインダクタンスを決定する。
ステップS42:プロセッサ21は、たとえば、ユーザによって入力された(または予めHDD23に格納されている)正弦波の周波数と、入力点からの距離(r)を取得する。
ステップS42:プロセッサ21は、たとえば、ユーザによって入力された(または予めHDD23に格納されている)正弦波の周波数と、入力点からの距離(r)を取得する。
ステップS43:プロセッサ21は、容量密度、シート抵抗及びシートインダクタンスに基づき、式(6)を用いて、取得した各周波数と、各距離での減衰率を算出し、その減衰率で実測値を補間することで、減衰率テーブル42bを作成する。プロセッサ21は、作成した減衰率テーブル42bを、たとえば、HDD23に格納する。
なお、上記のステップS40〜S42の処理の順序は、適宜入れ替えが可能である。
以上、実施の形態に基づき、本発明の検証方法、検証装置及びプログラムの一観点について説明してきたが、これらは一例にすぎず、上記の記載に限定されるものではない。
以上、実施の形態に基づき、本発明の検証方法、検証装置及びプログラムの一観点について説明してきたが、これらは一例にすぎず、上記の記載に限定されるものではない。
1 検証装置(コンピュータ)
2 プロセッサ
3 記憶部
4 設計データ
5 周波数情報
6 減衰特性情報
7 半導体装置
8 入出力パッド
9 範囲
9a 等価回路(計算モデル)
9b ノード
C1〜C3 容量
L1〜L4 インダクタ
R1〜R4 抵抗
2 プロセッサ
3 記憶部
4 設計データ
5 周波数情報
6 減衰特性情報
7 半導体装置
8 入出力パッド
9 範囲
9a 等価回路(計算モデル)
9b ノード
C1〜C3 容量
L1〜L4 インダクタ
R1〜R4 抵抗
Claims (9)
- 静電気放電が半導体装置に与える影響を検証する検証方法において、
プロセッサが、前記静電気放電によるパルス信号の周波数と、前記パルス信号の入力点からの距離に依存する前記パルス信号の減衰特性に基づいて、設計データで表される前記半導体装置の回路範囲のうち、抵抗、容量またはインダクタを抽出する第1の範囲を決定し、
前記プロセッサが、決定した前記第1の範囲から、前記抵抗、前記容量または前記インダクタを抽出して前記第1の範囲内での前記半導体装置の等価回路を作成する、ことを特徴とする検証方法。 - 前記プロセッサは、前記パルス信号による電流値または電圧値が、前記半導体装置が耐えうる許容電流値または許容電圧値以下になるときの、前記入力点からの距離に基づく前記第1の範囲で、前記抵抗、前記容量または前記インダクタを抽出する、ことを特徴とする請求項1に記載の検証方法。
- 前記減衰特性は、前記プロセッサが、前記半導体装置の、容量密度、シート抵抗及びシートインダクタンスに基づく回路モデルを用いて、前記回路モデルにおける第1の入力点に正弦波の信号を、周波数を変えて入力したときの、前記第1の入力点からの距離の違いによる前記信号の振幅の減衰率の変化を算出することで求められる、ことを特徴とする請求項1または2に記載の検証方法。
- 前記減衰特性は、前記半導体装置の第1の端子に正弦波の信号を、周波数を変えて入力し、前記第1の端子に対してそれぞれ異なる距離にある複数の第2の端子における前記信号の振幅を測定することで求められる、ことを特徴とする請求項1または2に記載の検証方法。
- 前記減衰特性は、前記半導体装置の第1の端子に正弦波の信号を、周波数を変えて入力し、前記第1の端子に対してそれぞれ異なる距離にある複数の第2の端子における前記信号の振幅を測定することで求められた第1の減衰率を、
前記プロセッサが、前記半導体装置の、容量密度、シート抵抗及びシートインダクタンスに基づく回路モデルを用いて、前記第1の端子に対応する前記回路モデルにおける第1の入力点に入力する前記信号の第2の減衰率を、前記周波数と前記第1の入力点からの距離を変えて算出した値で補間することで求められる、ことを特徴とする請求項1または2に記載の検証方法。 - 前記パルス信号は、デバイス帯電モデルに基づく前記静電気放電によって生じる信号であることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載の検証方法。
- 前記プロセッサは、前記等価回路に基づいて、前記パルス信号が入力されたときの回路シミュレーションを実行し、前記回路シミュレーションの結果に含まれる電流または電圧の情報に基づいて、前記半導体装置が耐えうる許容電流または許容電圧を超える電流または電圧が発生していないか判定することを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項に記載の検証方法。
- 静電気放電が半導体装置に与える影響を検証する検証装置において、
前記静電気放電によるパルス信号の周波数と、前記パルス信号の入力点からの距離に依存する前記パルス信号の減衰特性に基づいて、設計データで表される前記半導体装置の回路範囲のうち、抵抗、容量またはインダクタを抽出する第1の範囲を決定する抽出範囲決定部と、
前記抽出範囲決定部が決定した前記第1の範囲から、前記抵抗、前記容量または前記インダクタを抽出して前記第1の範囲内での前記半導体装置の等価回路を作成する等価回路作成部と、
を有することを特徴とする検証装置。 - 静電気放電が半導体装置に与える影響を検証するプログラムであって、
前記静電気放電によるパルス信号の周波数と、前記パルス信号の入力点からの距離に依存する前記パルス信号の減衰特性に基づいて、設計データで表される前記半導体装置の回路範囲のうち、抵抗、容量またはインダクタを抽出する第1の範囲を決定し、
決定した前記第1の範囲から、前記抵抗、前記容量または前記インダクタを抽出して前記第1の範囲内での前記半導体装置の等価回路を作成する、
処理をコンピュータに実行させるプログラム。
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