JP2008163319A5 - - Google Patents
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上記薄膜を形成するための組成物溶液の中で、リソグラフィー用共重合体は、それぞれの薄膜の機能を発現するために必要な、光学的、化学的、物理的性質が求められる重要な構成要素であり、盛んに研究されている。
例えば、KrFエキシマレーザーを用いる化学増幅ポジ型レジストでは、ヒドロキシスチレン由来の繰り返し単位と、ヒドロキシスチレン由来のフェノール水酸基をアセタール構造や3級炭化水素基等の、アルカリ現像液への溶解を抑制すると共に酸の作用で解離する基(以下、「酸解離性溶解抑制基」と言うことがある)で保護した繰り返し単位、又は、(α−アルキル)アクリル酸由来のカルボキシル基をアセタール構造や3級炭化水素基等の酸解離性溶解抑制基で保護した繰り返し単位等を有する共重合体(特許文献1〜4等参照)等が知られている。又、ドライエッチング耐性や、露光前後のアルカリ現像液に対する溶解速度の差を向上させるため、脂環式炭化水素基を酸解離性溶解抑制基とした繰り返し単位を有する共重合体(特許文献5〜6等参照)が知られている。
例えば、KrFエキシマレーザーを用いる化学増幅ポジ型レジストでは、ヒドロキシスチレン由来の繰り返し単位と、ヒドロキシスチレン由来のフェノール水酸基をアセタール構造や3級炭化水素基等の、アルカリ現像液への溶解を抑制すると共に酸の作用で解離する基(以下、「酸解離性溶解抑制基」と言うことがある)で保護した繰り返し単位、又は、(α−アルキル)アクリル酸由来のカルボキシル基をアセタール構造や3級炭化水素基等の酸解離性溶解抑制基で保護した繰り返し単位等を有する共重合体(特許文献1〜4等参照)等が知られている。又、ドライエッチング耐性や、露光前後のアルカリ現像液に対する溶解速度の差を向上させるため、脂環式炭化水素基を酸解離性溶解抑制基とした繰り返し単位を有する共重合体(特許文献5〜6等参照)が知られている。
式(b1)中、*は式(b1)の結合部位を表す。R23及びR24はそれぞれ独立して炭素数1〜4の炭化水素基を表し、具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基等の炭素数1〜4のアルキル基を挙げることができる。R25は炭素数1〜12の炭化水素基を表し、具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカニル基、アダマンチル基、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル基等の炭素数1〜12の直鎖、分岐鎖又は環状のアルキル基を挙げることができる。尚、R25はR23又はR24と結合して環、具体的にはシクロペンタン環、シクロヘキサン環、ノルボルナン環、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン環、アダマンタン環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン環等の炭素数5〜12の飽和脂環を形成しても良い。
特に、R25に、若しくは、R25がR23又はR24と結合して、環、具体的にはシクロペンタン環、シクロヘキサン環、ノルボルナン環、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン環、アダマンタン環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン環等が含まれると、リソグラフィー前後でのアルカリ現像液に対する溶解性の差が大きく、微細パターンを描くのに好ましい。
特に、R25に、若しくは、R25がR23又はR24と結合して、環、具体的にはシクロペンタン環、シクロヘキサン環、ノルボルナン環、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン環、アダマンタン環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン環等が含まれると、リソグラフィー前後でのアルカリ現像液に対する溶解性の差が大きく、微細パターンを描くのに好ましい。
式(b2)中、*は式(b2)の結合部位を表す。R26及びR27はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数1〜4の炭化水素基を表し、具体的には、水素原子、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基等の炭素数1〜4のアルキル基を挙げることができる。R28は炭素数1〜12の炭化水素基を表し、具体的にはメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、t−ブチル基、2−エチルヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカニル基、アダマンチル基、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル基等の炭素数1〜12の直鎖、分岐鎖又は環状のアルキル基を挙げることができる。尚、R26は、R27又はR28と結合して環を形成しても良く、R26がR27と結合した環の具体例として、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、ノルボルナン環、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン環、アダマンタン環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン環等を、又、R26がR28と結合した環の具体例として、ヒドロフラン環、ヒドロピラン環等をそれぞれ挙げることができる。
Claims (10)
- 水酸基を有する繰り返し単位(A)、アルカリ現像液への溶解を抑制すると共に酸の作用で解離する基で水酸基を保護した構造を有する繰り返し単位(B)、ラクトン構造を有する繰り返し単位(C)及び環状エーテル構造を有する繰り返し単位(D)から選ばれる少なくとも1種以上の繰り返し単位を含む共重合体であって、該共重合体を含む、粘度が15mPa・secのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を、圧力差0.1MPaで細孔径0.03μmのフィルターに60分間通液したときのフィルター面積当たりの平均流速が200g/min/m2以上であることを特徴とする半導体リソグラフィー用共重合体。
- 少なくとも熱媒供給用の外套缶、攪拌翼、凝縮器を備えた内容量が100L以上の重合槽を用いて、水酸基を有する繰り返し単位(A)を与える単量体、アルカリ現像液への溶解を抑制すると共に酸の作用で解離する基で水酸基を保護した構造を有する繰り返し単位(B)を与える単量体、ラクトン構造を有する繰り返し単位(C)を与える単量体及び環状エーテル構造を有する繰り返し単位(D)を与える単量体から選ばれる少なくとも1種以上を含む単量体と、重合開始剤を、加熱した溶媒に滴下して重合する工程を含み、少なくとも該単量体を滴下する間、外套缶に供給する熱媒の温度を、重合温度+10℃以下に制御して製造した、半導体リソグラフィー用共重合体。
- 繰り返し単位(A)が、式(A1)
式(A2)
式(A3)
から選ばれる少なくとも1種以上の構造を含む、請求項1又は2に記載の半導体リソグラフィー用共重合体。 - 繰り返し単位(B)が、繰り返し単位(A)の水酸基を、式(b1)
及び(b2)
- 繰り返し単位(C)が、式(C1)
或いは、R32〜R39のいずれか1つは、R31としての結合部位を有し、他のR32〜R39のいずれか1つ又は2つと結合して炭素数5〜15の脂環を形成する、酸素原子又は硫黄原子を含んでも良い炭素数3〜12の炭化水素基を表し、残りのR32〜R39は、いずれか1つ又は2つが前記炭素数5〜15の脂環を形成するための単結合を表し、その他のR32〜R39は、水素原子、炭素数1〜4の炭化水素基又はアルコキシ基を表す。
mは0又は1の整数を表す。}
で表されるラクトン構造含有基を表す。]
で表される構造を含む、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体リソグラフィー用共重合体。 - 少なくとも熱媒供給用の外套缶、攪拌翼、凝縮器を備えた内容量が100L以上の重合槽を用いて、水酸基を有する繰り返し単位(A)を与える単量体、アルカリ現像液への溶解を抑制すると共に酸の作用で解離する基で水酸基を保護した構造を有する繰り返し単位(B)を与える単量体、ラクトン構造を有する繰り返し単位(C)を与える単量体、及び環状エーテル構造を有する繰り返し単位(D)を与える単量体から選ばれる少なくとも1種以上を含む単量体と、重合開始剤を、加熱した溶媒に滴下して重合する工程を含む製造方法であって、少なくとも該単量体を滴下する間、外套缶に供給する熱媒の温度を、重合温度+10℃以下に制御することを特徴とする、請求項1に記載の半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法。
- 重合温度を、重合溶媒として含まれる成分の初留点以上とする、請求項7に記載の半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法。
- 単量体と重合開始剤とを別々に滴下する請求項7又は8に記載の半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法。
- 単量体溶液を滴下前に25℃以上に予備加熱する請求項7乃至9のいずれか1項に記載の半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007313125A JP5588095B2 (ja) | 2006-12-06 | 2007-12-04 | 半導体リソグラフィー用共重合体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006329535 | 2006-12-06 | ||
JP2006329535 | 2006-12-06 | ||
JP2007313125A JP5588095B2 (ja) | 2006-12-06 | 2007-12-04 | 半導体リソグラフィー用共重合体とその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008163319A JP2008163319A (ja) | 2008-07-17 |
JP2008163319A5 true JP2008163319A5 (ja) | 2011-01-13 |
JP5588095B2 JP5588095B2 (ja) | 2014-09-10 |
Family
ID=39491819
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007313125A Active JP5588095B2 (ja) | 2006-12-06 | 2007-12-04 | 半導体リソグラフィー用共重合体とその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7960494B2 (ja) |
JP (1) | JP5588095B2 (ja) |
KR (1) | KR101450926B1 (ja) |
TW (1) | TWI432893B (ja) |
WO (1) | WO2008068903A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7910282B2 (en) * | 2004-04-30 | 2011-03-22 | Maruzen Petrochemical Co., Ltd. | Copolymer for semiconductor lithography and producing method thereof, and composition |
JP4905250B2 (ja) * | 2007-05-18 | 2012-03-28 | 住友化学株式会社 | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
TWI462938B (zh) * | 2008-05-21 | 2014-12-01 | Sumitomo Chemical Co | 聚合物及含有該聚合物之化學放大型阻劑組成物 |
JP5591465B2 (ja) * | 2008-10-30 | 2014-09-17 | 丸善石油化学株式会社 | 濃度が均一な半導体リソグラフィー用共重合体溶液の製造方法 |
JP2010168434A (ja) * | 2009-01-21 | 2010-08-05 | Jsr Corp | メタクリル系ラクトン共重合体の重合方法及び共重合体 |
JP5653583B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2015-01-14 | 丸善石油化学株式会社 | 半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法 |
JP5793825B2 (ja) * | 2009-09-10 | 2015-10-14 | 三菱レイヨン株式会社 | リソグラフィー用重合体の製造方法、レジスト組成物の製造方法、および基板の製造方法 |
JP5471549B2 (ja) * | 2010-02-10 | 2014-04-16 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 機能性樹脂組成物 |
JP5786855B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2015-09-30 | 住友ベークライト株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物の製造方法 |
JP5786426B2 (ja) * | 2011-04-11 | 2015-09-30 | Jsr株式会社 | フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
JP5743858B2 (ja) * | 2011-11-14 | 2015-07-01 | 丸善石油化学株式会社 | 低分子量レジスト用共重合体の製造方法 |
TWI471690B (zh) * | 2012-08-30 | 2015-02-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Method for manufacturing photoresist composition |
JP6369156B2 (ja) * | 2013-08-09 | 2018-08-08 | 三菱ケミカル株式会社 | リソグラフィー用重合体の製造方法、レジスト組成物の製造方法、およびパターンが形成された基板の製造方法 |
JP6384424B2 (ja) * | 2014-09-04 | 2018-09-05 | 信越化学工業株式会社 | レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP6520054B2 (ja) * | 2014-11-06 | 2019-05-29 | 三菱ケミカル株式会社 | 半導体リソグラフィー用重合体の精製方法および製造方法、レジスト組成物の製造方法、ならびにパターンが形成された基板の製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP3380128B2 (ja) | 1996-11-29 | 2003-02-24 | 富士通株式会社 | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 |
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JP3042618B2 (ja) | 1998-07-03 | 2000-05-15 | 日本電気株式会社 | ラクトン構造を有する(メタ)アクリレート誘導体、重合体、フォトレジスト組成物、及びパターン形成方法 |
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JP4135848B2 (ja) | 2000-02-28 | 2008-08-20 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
JP4654544B2 (ja) * | 2000-07-12 | 2011-03-23 | 日産化学工業株式会社 | リソグラフィー用ギャップフィル材形成組成物 |
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JP4000295B2 (ja) | 2001-12-21 | 2007-10-31 | 三菱レイヨン株式会社 | レジスト用共重合体およびその製造方法、ならびにレジスト組成物 |
JP4372561B2 (ja) | 2003-01-07 | 2009-11-25 | 三菱レイヨン株式会社 | レジスト用共重合体およびその製造方法、レジスト組成物ならびにパターン製造方法 |
JP3720827B2 (ja) * | 2003-02-20 | 2005-11-30 | 丸善石油化学株式会社 | レジストポリマーの製造方法 |
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JP4635614B2 (ja) | 2005-01-17 | 2011-02-23 | Jsr株式会社 | 共重合体および液浸上層膜用樹脂組成物 |
JP4552697B2 (ja) | 2005-03-03 | 2010-09-29 | Jsr株式会社 | 液浸上層膜用重合体および液浸上層膜用樹脂組成物 |
-
2007
- 2007-12-04 JP JP2007313125A patent/JP5588095B2/ja active Active
- 2007-12-05 US US12/516,489 patent/US7960494B2/en active Active
- 2007-12-05 WO PCT/JP2007/001353 patent/WO2008068903A1/ja active Application Filing
- 2007-12-05 KR KR1020097011366A patent/KR101450926B1/ko active IP Right Grant
- 2007-12-06 TW TW096146554A patent/TWI432893B/zh active
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