JP2008144127A - 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法 - Google Patents

熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008144127A
JP2008144127A JP2007114227A JP2007114227A JP2008144127A JP 2008144127 A JP2008144127 A JP 2008144127A JP 2007114227 A JP2007114227 A JP 2007114227A JP 2007114227 A JP2007114227 A JP 2007114227A JP 2008144127 A JP2008144127 A JP 2008144127A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin composition
optical semiconductor
semiconductor element
thermosetting
light reflecting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2007114227A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Inventor
Isato Kotani
勇人 小谷
Naoyuki Urasaki
直之 浦崎
Kanako Yuasa
加奈子 湯浅
Akira Nagai
永井  晃
Mitsuyoshi Hamada
光祥 濱田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=39604652&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2008144127(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP2007114227A priority Critical patent/JP2008144127A/ja
Publication of JP2008144127A publication Critical patent/JP2008144127A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/072Connecting or disconnecting of bump connectors
    • H10W72/07251Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/551Materials of bond wires
    • H10W72/552Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Processes Of Treating Macromolecular Substances (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
JP2007114227A 2006-11-15 2007-04-24 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法 Withdrawn JP2008144127A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007114227A JP2008144127A (ja) 2006-11-15 2007-04-24 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006309052 2006-11-15
JP2007114227A JP2008144127A (ja) 2006-11-15 2007-04-24 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012060714A Division JP5778605B2 (ja) 2006-11-15 2012-03-16 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008144127A true JP2008144127A (ja) 2008-06-26

Family

ID=39604652

Family Applications (8)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007114227A Withdrawn JP2008144127A (ja) 2006-11-15 2007-04-24 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法
JP2012060714A Active JP5778605B2 (ja) 2006-11-15 2012-03-16 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法
JP2014103155A Pending JP2014195106A (ja) 2006-11-15 2014-05-19 Led装置の製造方法およびled装置
JP2016156302A Active JP6306652B2 (ja) 2006-11-15 2016-08-09 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法
JP2016156303A Pending JP2017005260A (ja) 2006-11-15 2016-08-09 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法
JP2016156301A Active JP6322237B2 (ja) 2006-11-15 2016-08-09 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法
JP2017165729A Withdrawn JP2017214599A (ja) 2006-11-15 2017-08-30 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法
JP2019165447A Pending JP2020023699A (ja) 2006-11-15 2019-09-11 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法

Family Applications After (7)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012060714A Active JP5778605B2 (ja) 2006-11-15 2012-03-16 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法
JP2014103155A Pending JP2014195106A (ja) 2006-11-15 2014-05-19 Led装置の製造方法およびled装置
JP2016156302A Active JP6306652B2 (ja) 2006-11-15 2016-08-09 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法
JP2016156303A Pending JP2017005260A (ja) 2006-11-15 2016-08-09 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法
JP2016156301A Active JP6322237B2 (ja) 2006-11-15 2016-08-09 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法
JP2017165729A Withdrawn JP2017214599A (ja) 2006-11-15 2017-08-30 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法
JP2019165447A Pending JP2020023699A (ja) 2006-11-15 2019-09-11 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (8) JP2008144127A (https=)
CN (1) CN101535366B (https=)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009030019A (ja) * 2007-07-05 2009-02-12 Hitachi Chem Co Ltd 熱硬化性光反射用樹脂組成物、並びにその樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置
JP2010235753A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Hitachi Chem Co Ltd 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
JP2012216785A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置用パッケージ及び該パッケージを有してなる半導体発光装置並びにそれらの製造方法
JP2013032539A (ja) * 2012-10-17 2013-02-14 Hitachi Chemical Co Ltd 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
JP2013075949A (ja) * 2011-09-29 2013-04-25 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体装置用白色硬化性材料、光半導体装置用白色硬化性材料の製造方法、光半導体装置用成形体及び光半導体装置
JP2013153144A (ja) * 2011-12-27 2013-08-08 Panasonic Corp Ledリフレクター用不飽和ポリエステル樹脂組成物とそれを用いた粒状物、タブレット、ledリフレクター、表面実装型led発光装置、led照明器具
CN103249480A (zh) * 2010-12-06 2013-08-14 阿尔卑斯电气株式会社 微芯片的制造方法
JP2015178636A (ja) * 2015-06-17 2015-10-08 積水化学工業株式会社 光半導体装置用白色硬化性材料、及び光半導体装置用白色硬化性材料の製造方法
EP2660886A3 (en) * 2012-05-01 2015-12-09 Nitto Denko Corporation Lead Frame for Optical Semiconductor Device and Optical Semiconductor Device Using the Same
US9387608B2 (en) 2006-11-15 2016-07-12 Hitachi Chemical Company, Ltd. Thermosetting resin composition for light reflection, method for manufacturing the resin composition and optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition
JP2017088664A (ja) * 2015-11-04 2017-05-25 旭化成株式会社 リフレクター及び光半導体装置
JP2017214599A (ja) * 2006-11-15 2017-12-07 日立化成株式会社 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法
CN116572450A (zh) * 2023-05-26 2023-08-11 华南理工大学 一种在循环动态力场下制备环氧材料的方法及其产物

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108565329A (zh) * 2011-11-17 2018-09-21 株式会社流明斯 发光元件封装体以及包括该发光元件封装体的背光单元
CN103325889A (zh) * 2012-03-19 2013-09-25 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装方法
JP2013206895A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 光学半導体装置用基板とその製造方法、及び光学半導体装置とその製造方法
JP2014095051A (ja) * 2012-11-12 2014-05-22 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性エポキシ樹脂組成物、該組成物を用いたled用リフレクター及びled装置
CN107074785A (zh) * 2014-07-24 2017-08-18 日本化药株式会社 多元羧酸和含有其的多元羧酸组合物、环氧树脂组合物、热固化性树脂组合物、它们的固化物以及光半导体装置
CN112391034B (zh) * 2019-08-13 2022-12-09 北京科化新材料科技有限公司 一种环氧树脂复合材料及其制备方法与应用
CN111211209B (zh) * 2020-01-16 2021-09-28 江西新正耀光学研究院有限公司 紫外光发光二极管及其制作方法
CN111380814A (zh) * 2020-04-26 2020-07-07 天津德高化成新材料股份有限公司 一种用于led封装的光学环氧塑封料及其墨色测量方法
JP2021120452A (ja) * 2021-04-07 2021-08-19 株式会社クラレ アクリル系ブロック共重合体を含む樹脂組成物
CN117425696A (zh) * 2021-07-05 2024-01-19 株式会社力森诺科 光反射用热固性树脂组合物、光半导体元件搭载用基板及光半导体装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0459863A (ja) * 1990-06-28 1992-02-26 Hitachi Chem Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の製造方法
JPH06209024A (ja) * 1993-01-11 1994-07-26 Hitachi Chem Co Ltd 樹脂封止型半導体装置の製造法
JP2001118969A (ja) * 1999-10-22 2001-04-27 Hitachi Chem Co Ltd 封止用成形材料、その製造方法、及び電子部品装置
JP2001158614A (ja) * 1999-12-01 2001-06-12 Denki Kagaku Kogyo Kk 球状無機質粉末及びその用途
JP2006140207A (ja) * 2004-11-10 2006-06-01 Hitachi Chem Co Ltd 光反射用熱硬化性樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置。

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1246761B (it) * 1990-07-02 1994-11-26 Pirelli Cavi Spa Cavi a fibre ottiche e relativi componenti contenenti una miscela omogenea per proteggere le fibre ottiche dall' idrogeno e relativa miscela barriera omogenea
JPH05239321A (ja) * 1992-02-28 1993-09-17 Toshiba Chem Corp エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
JPH0685325A (ja) * 1992-08-28 1994-03-25 Stanley Electric Co Ltd Ledの製造方法
JPH08104796A (ja) * 1994-10-05 1996-04-23 Hitachi Ltd 半導体封止用樹脂組成物及び該組成物で封止された半導体装置
JP3618133B2 (ja) * 1995-01-18 2005-02-09 日東電工株式会社 光半導体装置
JPH08245214A (ja) * 1995-03-07 1996-09-24 Denki Kagaku Kogyo Kk シリカ微粉末、その製造法及び半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH10292094A (ja) * 1997-02-20 1998-11-04 Toshiba Corp エポキシ樹脂組成物、これを用いた樹脂封止型半導体装置、エポキシ樹脂成形材料、およびエポキシ樹脂複合タブレット
JP3165078B2 (ja) * 1997-07-24 2001-05-14 協和化成株式会社 表面実装部品の製造方法
JPH1143546A (ja) * 1997-07-30 1999-02-16 Toray Ind Inc クロスプリプレグおよびハニカム構造体
JP3294803B2 (ja) * 1997-08-18 2002-06-24 株式会社日本触媒 熱硬化性樹脂封止材
JP2000319633A (ja) * 1999-05-12 2000-11-21 C I Kasei Co Ltd エポキシ樹脂系封止材料用シリカ系充填材
JP4606530B2 (ja) * 1999-05-14 2011-01-05 株式会社朝日ラバー シート部材およびそれを用いた発光装置
JP3632507B2 (ja) * 1999-07-06 2005-03-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP3627592B2 (ja) * 1999-10-08 2005-03-09 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP3820886B2 (ja) * 2001-01-17 2006-09-13 松下電工株式会社 光半導体用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置
MY145695A (en) * 2001-01-24 2012-03-30 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP3417415B1 (ja) * 2001-01-24 2003-06-16 日亜化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物、その製造方法、それを用いた光半導体素子
JP2003124523A (ja) * 2001-10-19 2003-04-25 Rohm Co Ltd チップ型半導体発光装置
JP4250949B2 (ja) * 2001-11-01 2009-04-08 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US7145182B2 (en) * 2003-09-12 2006-12-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Integrated emitter devices having beam divergence reducing encapsulation layer
JP2005089607A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置
JP4774201B2 (ja) * 2003-10-08 2011-09-14 日亜化学工業株式会社 パッケージ成形体及び半導体装置
JP4460968B2 (ja) * 2004-07-27 2010-05-12 株式会社アドマテックス 樹脂組成物の製造方法
EP2768031B1 (en) * 2005-08-04 2021-02-17 Nichia Corporation Light-emitting device
CN101283016B (zh) * 2005-08-04 2011-05-11 信越化学工业株式会社 热固性环氧树脂组合物及半导体装置
JP2007114227A (ja) * 2005-10-17 2007-05-10 Seiko Epson Corp 液体現像剤および液体現像剤の製造方法
JP2008144127A (ja) * 2006-11-15 2008-06-26 Hitachi Chem Co Ltd 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0459863A (ja) * 1990-06-28 1992-02-26 Hitachi Chem Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の製造方法
JPH06209024A (ja) * 1993-01-11 1994-07-26 Hitachi Chem Co Ltd 樹脂封止型半導体装置の製造法
JP2001118969A (ja) * 1999-10-22 2001-04-27 Hitachi Chem Co Ltd 封止用成形材料、その製造方法、及び電子部品装置
JP2001158614A (ja) * 1999-12-01 2001-06-12 Denki Kagaku Kogyo Kk 球状無機質粉末及びその用途
JP2006140207A (ja) * 2004-11-10 2006-06-01 Hitachi Chem Co Ltd 光反射用熱硬化性樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置。

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9387608B2 (en) 2006-11-15 2016-07-12 Hitachi Chemical Company, Ltd. Thermosetting resin composition for light reflection, method for manufacturing the resin composition and optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition
JP2020023699A (ja) * 2006-11-15 2020-02-13 日立化成株式会社 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法
US10381533B2 (en) 2006-11-15 2019-08-13 Hitachi Chemical Company, Ltd. Optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using thermosetting resin composition for light reflection
JP2017214599A (ja) * 2006-11-15 2017-12-07 日立化成株式会社 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法
JP2009030019A (ja) * 2007-07-05 2009-02-12 Hitachi Chem Co Ltd 熱硬化性光反射用樹脂組成物、並びにその樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置
JP2010235753A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Hitachi Chem Co Ltd 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
CN103249480A (zh) * 2010-12-06 2013-08-14 阿尔卑斯电气株式会社 微芯片的制造方法
CN103249480B (zh) * 2010-12-06 2015-07-08 阿尔卑斯电气株式会社 微芯片的制造方法
JP2012216785A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置用パッケージ及び該パッケージを有してなる半導体発光装置並びにそれらの製造方法
JP2013075949A (ja) * 2011-09-29 2013-04-25 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体装置用白色硬化性材料、光半導体装置用白色硬化性材料の製造方法、光半導体装置用成形体及び光半導体装置
JP2013153144A (ja) * 2011-12-27 2013-08-08 Panasonic Corp Ledリフレクター用不飽和ポリエステル樹脂組成物とそれを用いた粒状物、タブレット、ledリフレクター、表面実装型led発光装置、led照明器具
EP2660886A3 (en) * 2012-05-01 2015-12-09 Nitto Denko Corporation Lead Frame for Optical Semiconductor Device and Optical Semiconductor Device Using the Same
JP2013032539A (ja) * 2012-10-17 2013-02-14 Hitachi Chemical Co Ltd 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
JP2015178636A (ja) * 2015-06-17 2015-10-08 積水化学工業株式会社 光半導体装置用白色硬化性材料、及び光半導体装置用白色硬化性材料の製造方法
JP2017088664A (ja) * 2015-11-04 2017-05-25 旭化成株式会社 リフレクター及び光半導体装置
CN116572450A (zh) * 2023-05-26 2023-08-11 华南理工大学 一种在循环动态力场下制备环氧材料的方法及其产物

Also Published As

Publication number Publication date
CN101535366A (zh) 2009-09-16
JP2014195106A (ja) 2014-10-09
JP2017214599A (ja) 2017-12-07
JP2012138610A (ja) 2012-07-19
CN101535366B (zh) 2012-08-08
JP6322237B2 (ja) 2018-05-09
JP6306652B2 (ja) 2018-04-04
JP2017002316A (ja) 2017-01-05
JP5778605B2 (ja) 2015-09-16
JP2020023699A (ja) 2020-02-13
JP2017005260A (ja) 2017-01-05
JP2017020036A (ja) 2017-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6322237B2 (ja) 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法
JP6365606B2 (ja) 熱硬化性光反射用樹脂組成物、並びにその樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置
JP5298468B2 (ja) 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置
JP6341256B2 (ja) タブレット及びおよびそれを用いた光半導体装置の製造方法
JP2007297601A (ja) 光反射用熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置
JP2010047741A (ja) 熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法並びに光半導体装置
JP5233186B2 (ja) 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置
JP2008306151A (ja) 光半導体用エポキシ樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板および光半導体装置
JP2009030019A (ja) 熱硬化性光反射用樹脂組成物、並びにその樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置
JP2009246334A (ja) 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
JP5401907B2 (ja) 熱硬化性樹脂組成物の製造方法、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに、光半導体装置
JP5967135B2 (ja) 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置。
JP7459878B2 (ja) 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置
JP2012178567A (ja) 光反射用熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置
JP2019026709A (ja) 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100401

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120106

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120117

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20120410