JP2017088664A - リフレクター及び光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
[1]
脂肪族ジイソシアネート、及び脂環式ジイソシアネートからなる群より選択される一種又は二種以上のジイソシアネートから得られ、かつイソシアヌレート構造を単位構造として有するポリイソシアネート樹脂と、白色顔料と、を含む、リフレクター。
[2]
前記ポリイソシアネート樹脂において、ウレタン基及びウレア基の合計に対するイソシアヌレート基のモル比が、95/5以上100/0以下である、[1]に記載のリフレクター。
[3]
前記ポリイソシアネート樹脂において、アロファネート基に対するイソシアヌレート基のモル比が、50/50以上99/1以下である、[1]又は[2]に記載のリフレクター。
[4]
[1〜[3]のいずれかに記載のリフレクターを有する、光半導体装置。
本実施形態のリフレクターは、本実施形態のポリイソシアネート樹脂と白色顔料とを含む。
本実施形態のポリイソシアネート樹脂は、脂肪族ジイソシアネート及び脂環式ジイソシアネートからなる群より選択される一種又は二種以上のジイソシアネートからなり、かつイソシアヌレート構造を単位構造として有する。本実施形態において、イソシアヌレート構造を単位構造として有する、とは、イソシアヌレート構造の3次元架橋によりポリイソシアネート樹脂が形成されていることを指す。イソシアヌレート構造(以下「イソシアヌレート基」とも記す。)を下記式(1)に記載する。
本実施形態のリフレクターは、白色顔料を含むことにより、ポリイソシアネート樹脂に光反射性を付与する。白色顔料としては、公知の物を使用できる。白色顔料の具体例としては、特に限定されないが、例えば、ガラス、クレー、雲母、タルク、ゼオライト、酸性白土、活性白土;酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン(ルチル型、アナターゼ型、ブルッカイト型)、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化ケイ素等の無機酸化物;アルカリ土類金属塩等の無機白色顔料、及び有機白色顔料が挙げられる。なお、白色顔料は1種類でも使用できるし、2種類以上を組み合わせても使用できる。
本実施形態のリフレクターは、ポリイソシアネート組成物とイソシアヌレート化触媒と白色顔料とを原料として用いて製造することができる。例えば、本実施形態のリフレクターは、ポリイソシアネート組成物にイソシアヌレート化触媒及び白色顔料を配合し、イソシアヌレート化反応させ、ポリイソシアネート樹脂とし、リフレクターとして成形することで製造される。
本実施形態のリフレクターは、耐熱性を有し、吸水度が低い。従って、本実施形態のリフレクターは、電子部品の部材として広く使用することができる。中でも、本実施形態のリフレクターを有する光半導体素子は、リフレクターの用途として好ましい。
各合成例で得られたポリイソシアネート組成物を試料として、ポリイソシアネート組成物中のポリイソシアネートにおけるイソシアネート基(NCO基)含有率は、ポリイソシアネート組成物中のポリイソシアネートにおけるイソシアネート基を過剰の2Nアミン(ジ−n−ブチルアミンのトルエン溶液)と反応させた後、得られた反応液を1N塩酸で逆滴定することによって求めた。
各合成例で得られたポリイソシアネート組成物を試料として、粘度は、E型粘度計(株式会社トキメック社)を用いて25℃で測定した。測定において、標準ローター(1°34’×R24)を用い、当該標準ローターの回転数は、以下の通りとした。
100r.p.m. (粘度が128mPa.s未満の場合)
50r.p.m. (粘度が128mPa.s以上256mPa.s未満の場合)
20r.p.m. (粘度が256mPa.s以上640mPa.s未満の場合)
10r.p.m. (粘度が640mPa.s以上1280mPa.s未満の場合)
5r.p.m. (粘度が1280mPa.s以上2560mPa.s未満の場合)
各合成例で得られたポリイソシアネート組成物を試料として、ポリイソシアネート組成物中のポリイソシアネートにおけるイソシアネート基(NCO基)の数平均官能基数は、以下の式で求めた。
各合成例で得られたポリイソシアネート組成物を試料として、ポリイソシアネート組成物中のポリイソシアネートにおけるイソシアヌレート基/アロファネート基のモル比は、以下のとおり求めた。まず、ポリイソシアネート組成物を重水素クロロホルムに10質量%の濃度で溶解し(ポリイソシアネート組成物に対して0.03質量%テトラメチルシランを添加)、得られた溶液について1H−NMR(ブルカー・バイオスピン株式会社製 BioSpin Avance500)の測定を行った。化学シフト基準は、テトラメチルシランの水素のシグナルを0ppmとした。1H−NMR測定で得られたスペクトルから、8.5ppm付近のアロファネート基の窒素に結合した水素原子(アロファネート基1molに対して、1molの水素原子)のシグナルと、3.85ppm付近のイソシアヌレート基に隣接したメチレン基の水素原子(イソシアヌレート基1モルに対して、6molの水素原子)のシグナルとの面積を測定した。
当該測定値に基づき、イソシアヌレート基/アロファネート基のモル比を、(3.85ppm付近のシグナル面積/6)/(8.5ppm付近のシグナル面積)で求めた。
各実施例及び比較例において、FT−IR(日本分光株式会社製 FT/IR−4200)のATR法により、反応前のポリイソシアネート組成物及び反応後のリフレクターのIRスペクトルを測定した。当該測定結果に基づき以下の式により、イソシアネート基(NCO基)の消失率を求めた。
各実施例及び比較例で得られたポリイソシアネート樹脂又はポリウレタン樹脂を試料として、FT−IR(日本分光株式会社製 FT/IR−4200)のATR法により、リフレクターのIRスペクトルを測定した。イソシアヌレート基のカルボニル基のピーク(1690cm-1付近)と、ウレタン、ウレア基のN−Hピーク(3400cm-1付近)から、イソシアヌレート基/ウレタン基+ウレア基のモル比を求めた。
リフレクター中のポリイソシアネート樹脂におけるイソシアヌレート基/アロファネート基のモル比は、以下のとおり求めた。まず、リフレクターを凍結粉砕し、得られた粉砕物について13C−NMR DD/MAS(Dipolar Decoupling/Magic Angle Spinning)(ブルカー・バイオスピン株式会社製 BioSpin Avance500)の測定を行った。当該測定で得られたスペクトルから、イソシアヌレート基のカルボニル基シグナル面積(149ppm付近)とアロファネート基のカルボニル基シグナル面積(152〜160ppm領域)とを求めた。当該結果に基づき、イソシアヌレート基/アロファネート基のモル比を、(149ppm付近のシグナル面積/3)/(152〜160ppm領域のシグナル面積/2)で求めた。
各実施例及び比較例で得られたリフクレターを試料として、厚さ1mmのリフレクターを150℃で7日間静置した。静置前後のWを分光測色系(スガ試験機株式会社製 SM−T45)で測定し、以下の式でWの変化率を測定し、白色度の変化率を評価した。
各実施例及び比較例で得られたリフクレターを試料として、衝撃性試験は、デュポン式耐衝撃性試験機を用いて次の通り行った。厚さ1mmのポリイソシアネート樹脂のサンプルに、1/4インチの撃芯をセットし、1000gの重りを所定の高さから落下させ、塗膜の割れの有無を目視で確認した。塗膜の割れが認められない最大高さ(cm)を耐衝撃性として評価した。
各実施例及び比較例で得られたリフクレターを試料として、厚さ1mmのリフレクターを純水に浸漬させ、40℃で1日間静置した。以下の式より吸水率を求め、1%より少なければ○、1%以上であれば×と評価した。
各実施例及び比較例で得られたリフクレターを試料として、厚さ1mmのリフレクターサンプルを、60℃60RH%に保たれた恒温恒湿オーブンに60時間静置し吸湿されることにより、吸湿リフロー耐性用サンプルを作製した。吸湿したサンプルをヒーター上に乗せ、260℃30秒の加熱処理を3回行った。測定中、測定後のサンプルの状態を観察した。割れや膨れが発生していなければ○、発生していれば×と評価した。
各実施例及び比較例で得られたリフクレターを試料として、銀メッキした銅リードフレームを用い、トランスファー成型により光半導体装置のパッケージを作製した。温度は170℃、時間は10分、圧力は8〜13MPaで実施した。得られたリフレクターに封止材(HL2002:稲畑産業株式会社製)をポッティングして115℃2時間、150℃4時間の条件で硬化させることによりサンプルを作製した。得られたサンプルを60℃60RH%に保たれた恒温恒湿オーブンに60時間静置して吸湿させ、吸湿したサンプルをヒーター上に乗せ、260℃30秒の加熱処理を3回行った。測定中、測定後のサンプルの状態を観察した。割れや膨れが発生していなければ○、割れ又は膨れが発生していれば×と評価した。
撹拌器、温度計及び冷却管を取り付けた四ツ口フラスコ(反応器)の内部を窒素置換し、該反応器に、HDI600gとイソブタノール10gとを仕込んだ。撹拌下反応器内温度が90℃に到達したら、該反応器に、ウレタン化、アロファネート化及びイソシアヌレート化触媒としてテトラメチルアンモニウムカプリエートを0.01g加え、アロファネート化及びイソシアヌレート化反応を行い、反応液の屈折率の変化が0.010になった時点でリン酸85%水溶液を0.03g加え、反応を停止した。反応液を100℃で1時間保持して触媒を完全に失活させた。失活させた反応液を濾過後、流下式薄膜蒸留装置を用いて、濾液から未反応のHDIを除去して、ポリイソシアネート組成物を得た。
合成例1と同様の反応器に、HDI500gと2−エチル−1−ヘキサノール2gとを仕込んだ。撹拌下反応器内温度を昇温させ、70℃に到達したら、反応器に、イソシアヌレート化触媒としてテトラメチルアンモニウムカプリエートを0.05g加え、ウレタン化、アロファネート化及びイソシアヌレート化反応を行い、反応液の屈折率の変化が0.02になった時点でリン酸85%水溶液を0.08g加え、反応を停止した。その後、反応液を90℃で1時間保持して触媒を完全に失活させた。失活させた反応液を濾過後、流下式薄膜蒸留装置を用いて、濾液から未反応のHDIを除去して、ポリイソシアネート組成物を得た。
合成例1と同様の反応器に、HDI500gとイソプロパノール25gとを仕込み、撹拌下反応器内温度を80℃で10分間保持した。その後、反応器に、テトラブチルアンモニウムカプリエートを0.01g加えて、ウレタン化、アロファネート化及びイソシアヌレート化反応を行い、反応液の屈折率の変化が0.015になった時点でリン酸85%水溶液を0.02g加え、反応を停止した。反応液を80℃で1時間保持して触媒を完全に失活させた。失活させた反応液を濾過後、流下式薄膜蒸留装置を用いて、未反応のHDIを除去して、ポリイソシアネート組成物を得た。
合成例1と同様の反応器に、HDI500gとトリデカノール70gを仕込み、撹拌下反応器内温度を80℃で10分間保持した。その後、反応器に、N,N,N−トリメチル−N−ベンジルアンモニウムヒドロキシドを0.01g加えて、ウレタン化、アロファネート化及びイソシアヌレート化反応を行い、反応液の屈折率の変化が0.016になった時点でリン酸85%水溶液を0.02g加え、反応を停止した。反応液を80℃で1時間保持して触媒を完全に失活させた。失活させた反応液を濾過後、流下式薄膜蒸留装置を用いて、濾液から未反応のHDIを除去して、ポリイソシアネート組成物を得た。
P−2を90質量部、IPDIを10質量部混合してポリイソシアネート組成物を得た。得られたポリイソシアネート組成物は透明の液体であり、粘度1400mPa.s、NCO基含有率26.4質量%、数平均官能基数3.2であった。得られたポリイソシアネート組成物について、NMRを測定したところ、イソシアヌレート基/アロファネート基のモル比は95/5であった。得られたポリイソシアネート組成物をP−5とする。
P−2を90質量部、VESTANAT T1890(商品名 エボニック社製 IPDIのイソシアヌレート体)を10質量部混合してポリイソシアネート組成物を得た。得られたポリイソシアネート組成物は透明の液体であり、粘度5000mPa.s、NCO基含有率21.2質量%、数平均イソシアネート官能基数3.3であった。得られたポリイソシアネート組成物について、NMRを測定したところ、イソシアヌレート基/アロファネート基のモル比は96/4であった。得られたポリイソシアネート組成物をP−6とする。
合成例1と同様の反応器に、HDI600gと2−エチル−1−ヘキサノール70gとを仕込み、撹拌下反応器内温度を80℃で10分間保持した。その後、反応器に、テトラメチルアンモニウムカプリエートを0.01g加えて、ウレタン化、アロファネート化及びイソシアヌレート化反応を行い、反応液の屈折率の変化が0.014になった時点でリン酸85%水溶液を0.02g加え、反応を停止した。反応液を80℃で1時間保持して触媒を完全に失活させた。失活させた反応液を濾過後、流下式薄膜蒸留装置を用いて、濾液から未反応のHDIを除去して、ポリイソシアネート組成物を得た。
合成例1と同様の反応器に、HDI600gと3,3,5−トリメチル−1−ヘキサノール20gとを仕込んだ。撹拌下反応器内温度が90℃に到達したら、反応器に、N,N,N−トリメチル−N−ベンジルアンモニウムヒドロキシドを0.01g加えて、ウレタン化、アロファネート化及びイソシアヌレート化反応を行い、反応液の屈折率の変化が0.007になった時点でリン酸85%水溶液を0.05g加え、反応を停止した。反応液を90℃で1時間保持して触媒を完全に失活させた。失活させた反応液を濾過後、流下式薄膜蒸留装置を用いて、濾液から未反応のHDIを除去して、ポリイソシアネート組成物を得た。
合成例1と同様の反応器に、HDI500gを仕込み、イソシアヌレート化触媒としてテトラメチルアンモニウムカプリエートを0.02g加え、アロファネート化及びイソシアヌレート化反応を行い、反応液の屈折率の変化が0.011になった時点でリン酸85%水溶液を0.06g加え、反応を停止した。反応液を100℃で1時間保持して触媒を完全に失活させた。失活させた反応液を濾過後、流下式薄膜蒸留装置を用いて、濾液から未反応のHDIを除去して、ポリイソシアネート組成物を得た。
合成例1と同様の反応器に、HDI500gとイソブタノール0.1gとを仕込んだ。撹拌下反応器内温度が70℃に到達したら、該反応器に、ウレタン化、アロファネート化及びイソシアヌレート化触媒としてN,N,N−トリメチル−N−ベンジルアンモニウムヒドロキシドを0.03g加え、反応液の屈折率の変化が0.010になった時点でリン酸85%水溶液を0.04g加え、反応を停止した。反応液を90℃で1時間保持して触媒を完全に失活させた。失活させた反応液を濾過後、流下式薄膜蒸留装置を用いて、濾液から未反応のHDIを除去して、ポリイソシアネート組成物を得た。
合成例1と同様の反応器に、HDI1000gとヘキサノール80gとを仕込み、撹拌下反応器内温度を90℃で1時間保持した。その後、反応器内温度を130℃に昇温し、反応器に、2−エチルヘキサン酸ジルコニウムを0.1g加えて、ウレタン化、アロファネート化及びイソシアヌレート化反応を行い、反応液の屈折率の変化が0.005になった時点でピロリン酸10%2−エチル−1−ヘキサノール溶液を4.6g加え、反応を停止した。反応液を130℃で1時間保持して触媒を完全に失活させた。失活させた反応液を濾過後、流下式薄膜蒸留装置を用いて、濾液から未反応のHDIを除去して、ポリイソシアネート組成物を得た。
P−10を20質量部、P−11を80質量部混合してポリイソシアネート組成物を得た。得られたポリイソシアネート組成物は透明の液体であり、粘度200mPa.s、NCO基含有率21.0質量%、数平均イソシアネート官能基数3.0であった。得られたポリイソシアネート組成物について、NMRを測定したところ、イソシアヌレート基/アロファネート基のモル比(イソシアヌレート基/アロファネート基)は20/80であった。得られたポリイソシアネート組成物をP−12とする。
合成例1と同様の反応器に、HDI600gと1,4−ブタンジオール20gとを仕込み、撹拌下反応器内温度を160℃で1時間保持した。反応液を、流下式薄膜蒸留装置を用いて、濾液から未反応のHDIを除去して、ポリイソシアネート組成物を得た。
P−2を95質量部、P−13を5質量部混合してポリイソシアネート組成物を得た。得られたポリイソシアネート組成物は透明の液体であり、粘度2400mPa.s、NCO基含有率20.3質量%、数平均イソシアネート官能基数3.2であった。得られたポリイソシアネート組成物について、NMRを測定したところ、イソシアヌレート基/アロファネート基のモル比(イソシアヌレート基/アロファネート基)は97/3であった。得られたポリイソシアネート組成物をP−14とする。
ポリイソシアネート組成物としてP−1 20gを、イソシアヌレート化触媒としてN,N,N−トリメチル−N−ベンジルアンモニウムヒドロキシド(表1中、「触媒A」と表す。)をポリイソシアネート組成物の固形分に対して2000ppm、白色顔料(石原産業株式会社製の商品名「タイペークR−706」)をポリイソシアネート組成物の固形分に対して10質量%(2g)配合し、真空攪拌及び脱泡ミキサー(株式会社EME製の商品名「V−mini300」)を用いて5分間真空状態で放置し、その後真空を保ったまま1500rpmで5分間攪拌を行うことで反応液を得た。得られた反応液をシャーレに流し込み、150℃で1時間置くことで、厚さ1mmのポリイソシアネート樹脂であるリフレクターK−1を得た。K−1は、イソシアヌレート/アロファネート基の割合が80/20であった。白色度Wは92.3%であり、静置後の白色度Wは90.5%、耐衝撃性は40cm、吸水率は0.3%であった。その他の物性及び評価の結果を表1に示す。
原料及び反応条件を表1に示すとおりとした以外は実施例1と同様の方法でポリイソシアネート樹脂K−2〜K−16を得た。得られたリフレクターK−2〜K−16の各種物性及び評価の結果を表1に示す。また、実施例16及び17において示す酸化防止剤は、各触媒と同時に各ポリイソシアネート組成物に対して配合した。表中において、触媒の種類である「触媒B」はテトラブチルアンモニウムカプリエート、「触媒C」はテトラメチルアンモニウムカプリエート、「触媒D」はp−トルエンスルフィン酸ナトリウムを表し、酸化防止剤の種類である「防止剤A」はBHT(ヒンダードフェノール系)、「防止剤B」はイルガノックス565(BASFジャパン株式会社製の商品名、硫黄含有)、「防止剤C」はアデカスタブC(株式会社ADEKA社製の商品名、リン含有)、「防止剤D」はTinuvin765(BASFジャパン株式会社製の商品名、ヒンダードアミン系)、「防止剤E」はスミライザーGP(住友化学株式会社製の商品名、リン含有、ヒンダードフェノール系)、「防止剤F」はイルガノックス5057(BASFジャパン株式会社製の商品名、硫黄含有)
主剤ポリオール組成物としてアクリルポリオール(nuplex社の商品名「SETALUX1767」、樹脂分濃度65質量%、水酸基価150mg/樹脂g)と、硬化剤としてポリイソシアネート組成物P−2を用い、イソシアネート基/水酸基のモル比が1/1となるように調整した。白色顔料を固形分に対して10質量%配合し、溶剤として、ウレタンシンナー(トルエン(和光純薬工業株式会社製):酢酸ブチル(和光純薬工業株式会社製):酢酸エチル(和光純薬工業株式会社製):キシレン(和光純薬工業株式会社製):プロピレングリコールメチルエーテルAC(ゴードー溶剤株式会社製)=30:30:20:15:5の質量比で混合)を用いて、固形分が50質量%になるように調整した。23℃で7日乾燥させ、完全硬化させた。その後、80度で24時間真空乾燥することで、溶剤を完全に除去して、厚さ1mmのポリウレタン樹脂であるリフレクターL−1を得た。得られたL−1の各種物性及び評価の結果を表1に記す。
ジェネスタTE112(クラレ社製:ポリアミド樹脂)100質量部、白色顔料を10質量部配合し、2軸押出機(シリンダー温度320℃)を用いて溶融混練し、ペレット状のサンプルを得た。得られたサンプルをトランスファー成型する事により、厚さ1mmのポリアミド樹脂であるリフレクターを得た。得られたリフレクターをL−2とする。成型の条件は、温度170度、時間10分、成型圧力8〜14MPaで行った。得られたリフレクターの各種物性及び評価の結果を表1に記す。
ポリイソシアネート組成物P−2 100質量部、BHT0.3質量部、スミライザーGP0.3質量部、イルガノックス5057 0.1質量部、テトラメチルアンモニウムカプリエート0.2質量部、球状シリカMSR−4500TN(株式会社龍森製)400質量部、酸化亜鉛#1(堺化学工業製)300質量部、ステアリン酸カルシウム(太平化学産業製)1.0質量部を配合し、真空攪拌及び脱泡ミキサー(株式会社EME製 V−mini300)を用いて5分間真空状態で放置し、その後真空を保ったまま1500rpmで5分間攪拌を行うことで反応液を得た。得られた反応液をトランスファー成型により、リフレクターを得た。得られたリフレクターをR−1とする。成型の条件は、温度170度、時間10分、成型圧力8〜14MPaで行った。また、上記の反応液を用いて光半導体装置を作製した。得られた光半導体装置をH−1とする。
ポリイソシアネート組成物P−14 100質量部、イルガノックス5057 0.2質量部、テトラメチルアンモニウムカプリエート0.2質量部、球状シリカMSR−4500TN(株式会社龍森製)400質量部、酸化亜鉛#1(堺化学工業製)300質量部、ステアリン酸カルシウム(太平化学産業製)1.0質量部を配合し、その他は実施例17と同様の条件でリフレクターを得た。得られたリフレクターをR−2とする。実施例17と同様の条件で光半導体装置を作製した。得られた光半導体装置をH−2とする。
ポリイソシアネート組成物P−12 100質量部、BHT0.3質量部、スミライザーGP0.3質量部、テトラメチルアンモニウムカプリエート0.2質量部、球状シリカMSR−4500TN(株式会社龍森製)400質量部、酸化亜鉛#1(堺化学工業製)300質量部、ステアリン酸カルシウム(太平化学産業製)1.0質量部を配合し、その他は実施例17と同様の条件でリフレクターを得た。得られたリフレクターをR−3とする。実施例17と同様の条件で光半導体装置を作製した。得られた光半導体装置をH−3とする。
ジェネスタTE112(クラレ社製:ポリアミド樹脂)100質量部、BHT0.3質量部、球状シリカMSR−4500TN(株式会社龍森製)400質量部、酸化亜鉛#1(堺化学工業製)300質量部、ステアリン酸カルシウム(太平化学産業製)1.0質量部を配合し、比較例2と同様に溶融混練をした後、リフレクターを得た。得られたリフレクターをR−4とする。また、実施例17と同様の条件で光半導体装置を作製した。得られた光半導体装置をH−4とする。
Claims (4)
- 脂肪族ジイソシアネート、及び脂環式ジイソシアネートからなる群より選択される一種又は二種以上のジイソシアネートから得られ、かつイソシアヌレート構造を単位構造として有するポリイソシアネート樹脂と、白色顔料と、を含む、リフレクター。
- 前記ポリイソシアネート樹脂において、ウレタン基及びウレア基の合計に対するイソシアヌレート基のモル比が、95/5以上100/0以下である、請求項1に記載のリフレクター。
- 前記ポリイソシアネート樹脂において、アロファネート基に対するイソシアヌレート基のモル比が、50/50以上99/1以下である、請求項1又は2に記載のリフレクター。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載のリフレクターを有する、光半導体装置。
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