JP2008091537A - 磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、第1の配線BLと、この第1の配線の上方に第1の配線と離間して設けられた第2の配線WWLと、第1及び第2の配線間に配置され、第1の配線の上面に接して配置され、固定層と記録層と非磁性層とを有する磁気抵抗効果素子MTJと、この磁気抵抗効果素子上に配置され、磁気抵抗効果素子と積層して一体に形成された金属層HMと、金属層、磁気抵抗効果素子及び第1の配線の側面に設けられたサイド絶縁膜24と、このサイド絶縁膜の側面と接して形成されたコンタクト26と、金属層及びコンタクト上に配置され、磁気抵抗効果素子とコンタクトとを電気的に接続する第3の配線WWLとを具備する。
【選択図】 図1
Description
Roy Scheuerlein et. Al, ISSCC2000 Technical Digest p.128, 「A 10ns Read and Write Non-Volatile Memory Array Using a Magnetic Tunnel Junction and FET Switch in each Cell」
[1−1]磁気ランダムアクセスメモリの基本例
図1は、本発明の第1の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの基本例の断面図を示す。図2(a)は、本発明の第1の実施形態に係るMTJ素子の周辺の平面図を示す。図2(b)は、本発明の第1の実施形態に係るゲート電極の周辺の平面図を示す。以下に、第1の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの基本例について説明する。
図10は、本発明の第1の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの変形例の断面図を示す。以下に、第1の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの変形例について説明する。
(1)構造
図13は、本発明の第1の実施形態に係るMTJ素子の断面図を示す。以下に、MTJ素子について説明する。
固定層PF及び記録層FFの材料には、次のような強磁性材料が用いられる。例えば、Fe,Co,Ni、それらの積層膜、又はそれらの合金、スピン分極率の大きいマグネタイト、CrO2,RXMnO3−Y(R;希土類、X;Ca,Ba,Sr)等の酸化物の他、NiMnSb,PtMnSb等のホイスラー合金等を用いることが好ましい。また、これら磁性体には、強磁性を失わないかぎり、Ag,Cu,Au,Al,Mg,Si,Bi,Ta,B,C,O,N,Pd,Pt,Zr,Ir,W,Mo,Nb等の非磁性元素が多少含まれていてもよい。
図14(a)及び(b)、図15(a)及び(b)は、本発明の第1の実施形態に係るMTJ素子の平行又は反平行の磁化配置の図を示す。
(1)磁場書き込み
書き込み方法として磁場書き込みを採用する場合、MTJ素子MTJへのデータ書き込みは次のように行われる。
図14(a)及び(b)を用いて、スピン注入書き込みについて説明する。尚、電子e1、e2の流れる方向と電流の流れる方向とは勿論逆である。
MTJ素子MTJのデータ読み出しは、ビット線BLと読み出しワード線RWL間に電圧(又は電流)を印加し、電流(又は電圧)をセンスアンプ(図示せず)で検出することによって、MTJ素子MTJの“1”、“0”状態を判別する。
上記第1の実施形態によれば、MTJ素子MTJとスイッチング素子とをつなぐコンタクト26をビット線BL及びMTJ素子MTJに対して自己整合的に形成することで、コンタクト26がビット線BL及びMTJ素子MTJのサイド絶縁膜24と直接接する構造を実現する。つまり、MTJ素子MTJとMOSトランジスタTrとを接続するコンタクト26をMTJ素子MTJと隣接して配置でき、セルサイズを縮小できる。具体的には、図2(a)に示すように、MTJ素子MTJの短辺(磁化困難軸方向の幅)をF(Feature size)、長辺(磁化容易軸方向の幅)を2Fとすると、2F×4F=8F2のセルが実現でき、セルサイズの微細化を図ることができる。
第1の実施形態は、MTJ素子の横にスイッチング素子につながるコンタクトを配置したのに対し、第2の実施形態は、MTJ素子の下方にスイッチング素子につながるコンタクトを配置することで、セルサイズの更なる微細化を図っている。
図16は、本発明の第2の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの基本例の断面図を示す。図17(a)は、本発明の第2の実施形態に係るMTJ素子の周辺の平面図を示す。図17(b)は、本発明の第2の実施形態に係るゲート電極の周辺の平面図を示す。以下に、第2の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの基本例について説明する。
(1)変形例1
図23は、本発明の第2の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの変形例1の断面図を示す。以下に、第2の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの変形例1について説明する。
図29は、本発明の第2の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの変形例2の断面図を示す。以下に、第2の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの変形例2について説明する。
第2の実施形態に係るMTJ素子MTJも、上述する第1の実施形態に係るMTJ素子MTJと同様であるため、説明は省略する。
第2の実施形態に係る書き込み方法は、上述する第1の実施形態に係る書き込み方法と同様、磁場書き込み及びスピン注入書き込みのうち少なくとも一方の方法が採用される。
第2の実施形態に係る読み出し方法は、上述する第1の実施形態に係る読み出し方法と同様であるため、説明は省略する。
上記第2の実施形態によれば、MTJ素子MTJの下方の領域に、MTJ素子MTJ及びスイッチング素子をつなぐコンタクト26と書き込みワード線WWLとを配置する。そして、コンタクト26を書き込みワード線WWLに対して自己整合的に形成することで、コンタクト26が書き込みワード線WWLのサイド絶縁膜42と直接接する構造を実現する。つまり、MTJ素子MTJとMOSトランジスタTrとを接続するコンタクト26を書き込みワード線WWLと隣接して配置でき、セルサイズを縮小できる。具体的には、図17(a)に示すように、MTJ素子MTJの短辺(磁化困難軸方向の幅)をF、長辺(磁化容易軸方向の幅)を2Fとすると、2F×3F=6F2のセルが実現でき、第1の実施形態よりもセルサイズの微細化を図ることができる。
第3の実施形態は、上記第1及び第2の実施形態において、サイド絶縁膜等を磁性絶縁膜にする。例えば、図1及び図10のサイド絶縁膜24、図16及び図29のサイド絶縁膜42、図23の絶縁膜52の材料として、磁性絶縁材を用いる。
第4の実施形態は、スイッチング素子としてダイオードを用いた例である。
第5の実施形態は、上記各実施形態におけるコンタクト26及び配線27の形成方法として、いわゆる「ヴィアホールプロセス」や「デュアルダマシンプロセス」を用いた例である。
Claims (5)
- 第1の配線と、
前記第1の配線の上方に前記第1の配線と離間して設けられた第2の配線と、
前記第1及び第2の配線間に配置され、前記第1の配線の上面に接して配置され、固定層と記録層と前記固定層及び前記記録層との間に設けられた非磁性層とを有する磁気抵抗効果素子と、
前記磁気抵抗効果素子上に配置され、前記磁気抵抗効果素子と積層して一体に形成された金属層と、
前記金属層、前記磁気抵抗効果素子及び前記第1の配線の側面に設けられた第1のサイド絶縁膜と、
前記第1のサイド絶縁膜の側面と接して形成された第1のコンタクトと、
前記金属層及び前記第1のコンタクト上に配置され、前記磁気抵抗効果素子と前記第1のコンタクトとを電気的に接続する第3の配線と
を具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。 - 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されたゲート電極と、
前記半導体基板内のゲート電極の両側にそれぞれ設けられた第1及び第2の拡散層と、
前記ゲート電極の側面に形成された第2のサイド絶縁膜と、
前記第2のサイド絶縁膜の側面と接する側面を有し、前記第1のコンタクト及び前記第1の拡散層に接続された第2のコンタクトと
をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記金属層の上面に形成された第1のトップ絶縁膜と、
前記第1のトップ絶縁膜を貫通し、前記金属層と前記第3の配線とに接続された第2のコンタクトと
をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。 - 第1の配線と、
前記第1の配線の上方に前記第1の配線と離間して設けられた第2の配線と、
前記第1及び第2の配線間に配置され、前記第2の配線に接続され、固定層と記録層と前記固定層及び前記記録層との間に設けられた非磁性層とを有する磁気抵抗効果素子と、
前記第1の配線の側面に設けられた第1のサイド絶縁膜と、
前記第1の配線の上面に設けられた第1のトップ絶縁膜と、
前記磁気抵抗効果素子の下方に配置され、前記第1のサイド絶縁膜の側面と接する側面を有し、前記磁気抵抗効果素子に電気的に接続された第1のコンタクトと
を具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。 - 半導体基板上にスイッチング素子を形成する工程と、
前記スイッチング素子の上方に第1の配線を形成する工程と、
前記第1の配線上に、固定層と記録層と前記固定層及び前記記録層との間に設けられた非磁性層とを有する磁気抵抗効果素子を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果素子上に金属層を形成する工程と、
前記第1の配線、前記磁気抵抗効果素子及び前記金属層の側面に第1のサイド絶縁膜を形成する工程と、
前記金属層を覆う第1の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の層間絶縁膜を平坦化し、前記金属層を露出させる工程と、
前記第1のサイド絶縁膜の一部を露出するコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホール内に前記スイッチング素子に接続する第1のコンタクトを形成する工程と、
前記第1のコンタクト及び前記金属層上に第2の配線を形成し、前記第2の配線で前記金属層と前記スイッチング素子とを電気的に接続する工程と、
前記第2の配線上に第2の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の層間絶縁膜上に第3の配線を形成する工程と
を具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。
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