JP4373938B2 - 磁気ランダムアクセスメモリ - Google Patents
磁気ランダムアクセスメモリ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4373938B2 JP4373938B2 JP2005040891A JP2005040891A JP4373938B2 JP 4373938 B2 JP4373938 B2 JP 4373938B2 JP 2005040891 A JP2005040891 A JP 2005040891A JP 2005040891 A JP2005040891 A JP 2005040891A JP 4373938 B2 JP4373938 B2 JP 4373938B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- mtj element
- random access
- access memory
- magnetic random
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
- G11C11/15—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements using multiple magnetic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Description
第1の実施形態は、磁気記録素子であるMTJ(Magnetic Tunnel Junction)素子がいわゆる十字形状であって、MTJ素子の長軸方向に沿った2本の平行な側壁層を用いて、
短軸方向に突出する突出部分を自己整合的に形成するものである。
第2の実施形態は、MTJ素子と上部配線との接続にビアを用いずに、導電性のマスク層を上部配線に直接接続する例である。
第3の実施形態は、第2の実施形態と同様にビアを用いずに上部配線とMTJ素子とを接続するものであり、導電性の側壁層を上部配線に直接接続する例である。
第4の実施形態は、第2の実施形態と同様にビアを用いずに上部配線とMTJ素子とを接続するものであり、磁性体からなる側壁層と上部配線の周囲に設けたヨーク層とを直接接続する例である。
第5の実施形態は、MTJ素子の記録層の平面形状の例を説明する。尚、本実施形態の記録層の平面形状は、他の実施形態に適用することが可能である。
第6の実施形態は、MTJ素子の固定層の形状の例を説明する。尚、本実施形態の固定層の形状は、他の実施形態に適用することが可能である。
第7の実施形態は、MTJ素子の構造例として、(a)トンネル接合構造、(b)層間交換結合構造について説明する。尚、本実施形態のMTJ素子の構造は、他の実施形態に適用することが可能である。
図16(a)及び(b)は、本発明の第7の実施形態に係るMTJ素子のトンネル接合構造の断面図を示す。MTJ素子は、上記第1乃至第4の実施形態のシングルジャンクション構造に限定されず、例えば以下のように種々変更することが可能である。
図17(a)乃至(h)は、本発明の第7の実施形態に係るMTJ素子の層間交換結合構造の断面図を示す。MTJ素子の固定層及び記録層は、上記第1乃至第4の実施形態の単層構造に限定されず、例えば以下のように種々変更することが可能である。
第8の実施形態では、上記各実施形態におけるMTJ素子10を記憶素子として用い、複数のMTJ素子をアレイ状に配置した磁気ランダムアクセスメモリについて説明する。以下に、メモリセル構造の一例である、(a)選択トランジスタ型、(b)選択ダイオード型、(c)クロスポイント型、(d)トグル(Toggle)型のセルについて述べる。
図18(a)及び(b)は、本発明の第8の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの選択トランジスタ型のメモリセルを示す。以下に、選択トランジスタ型におけるセル構造について説明する。
図19(a)及び(b)は、本発明の第8の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの選択ダイオード型のメモリセルを示す。以下に、選択ダイオード型におけるセル構造について説明する。
図20(a)及び(b)は、本発明の第8の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリのクロスポイント型のメモリセルを示す。以下に、クロスポイント型におけるセル構造について説明する。
図21は、本発明の第8の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリのトグル型のメモリセルの平面図を示す。以下に、トグル型におけるセル構造について説明する。
Claims (5)
- 磁化の方向が固定された固定層と、磁化の方向が変化する記録層と、前記固定層及び前記記録層間に設けられた非磁性層とを有し、前記記録層は磁化容易軸方向に延在する第1の延在部とこの第1の延在部の両側面から突出する第1及び第2の突出部とを備えた磁気記録素子と、
前記第1の延在部上に配置され、前記第1の延在部の加工のために用いられるマスク層と、
前記マスク層の両側面にそれぞれ形成され、前記第1及び第2の突出部上にそれぞれ配置され、前記第1及び第2の突出部の加工のために用いられる第1及び第2の側壁層と
を具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記第1及び第2の側壁層の材料は、前記マスク層の材料と異なることを特徴とする請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。
- 前記第1の延在部の平面形状は、前記マスク層の平面形状と同じであることを特徴とする請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。
- 前記第1及び第2の突出部は、互いに前記磁化容易軸方向に対して非対称に配置されることを特徴とする請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。
- 前記第1の突出部の突出方向の長さは、前記第2の突出部の突出方向の長さと等しいことを特徴とする請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005040891A JP4373938B2 (ja) | 2005-02-17 | 2005-02-17 | 磁気ランダムアクセスメモリ |
US11/224,094 US7468541B2 (en) | 2005-02-17 | 2005-09-13 | Magnetic random access memory |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005040891A JP4373938B2 (ja) | 2005-02-17 | 2005-02-17 | 磁気ランダムアクセスメモリ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006228968A JP2006228968A (ja) | 2006-08-31 |
JP4373938B2 true JP4373938B2 (ja) | 2009-11-25 |
Family
ID=36815351
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005040891A Expired - Fee Related JP4373938B2 (ja) | 2005-02-17 | 2005-02-17 | 磁気ランダムアクセスメモリ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7468541B2 (ja) |
JP (1) | JP4373938B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060158790A1 (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Hitachi Global Storage Technologies | Magnetoresistive sensor having a novel junction structure for improved track width definition and pinned layer stability |
JP4373938B2 (ja) | 2005-02-17 | 2009-11-25 | 株式会社東芝 | 磁気ランダムアクセスメモリ |
JP4468258B2 (ja) * | 2005-07-15 | 2010-05-26 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ |
JP2007027415A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Toshiba Corp | 磁気記憶装置 |
JP4444241B2 (ja) * | 2005-10-19 | 2010-03-31 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置 |
JP4380693B2 (ja) | 2006-12-12 | 2009-12-09 | ソニー株式会社 | 記憶素子、メモリ |
JP4703660B2 (ja) | 2008-01-11 | 2011-06-15 | 株式会社東芝 | スピンmos電界効果トランジスタ |
CN102201533B (zh) * | 2010-03-24 | 2013-05-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 磁性隧道结结构的制作方法 |
US8698323B2 (en) * | 2012-06-18 | 2014-04-15 | Invensas Corporation | Microelectronic assembly tolerant to misplacement of microelectronic elements therein |
US8835889B1 (en) | 2013-03-13 | 2014-09-16 | International Business Machines Corporation | Parallel shunt paths in thermally assisted magnetic memory cells |
KR102137476B1 (ko) * | 2013-06-29 | 2020-07-24 | 인텔 코포레이션 | 메모리 및 로직을 위한 자성 엘리먼트 |
US10332576B2 (en) * | 2017-06-07 | 2019-06-25 | International Business Machines Corporation | Magnetic exchange coupled MTJ free layer with double tunnel barriers having low switching current and high data retention |
US10510390B2 (en) * | 2017-06-07 | 2019-12-17 | International Business Machines Corporation | Magnetic exchange coupled MTJ free layer having low switching current and high data retention |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6072718A (en) * | 1998-02-10 | 2000-06-06 | International Business Machines Corporation | Magnetic memory devices having multiple magnetic tunnel junctions therein |
JP3891540B2 (ja) * | 1999-10-25 | 2007-03-14 | キヤノン株式会社 | 磁気抵抗効果メモリ、磁気抵抗効果メモリに記録される情報の記録再生方法、およびmram |
JP4050446B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2008-02-20 | 株式会社東芝 | 固体磁気メモリ |
JP4405103B2 (ja) * | 2001-04-20 | 2010-01-27 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
US6815248B2 (en) * | 2002-04-18 | 2004-11-09 | Infineon Technologies Ag | Material combinations for tunnel junction cap layer, tunnel junction hard mask and tunnel junction stack seed layer in MRAM processing |
JP3959335B2 (ja) * | 2002-07-30 | 2007-08-15 | 株式会社東芝 | 磁気記憶装置及びその製造方法 |
JP2004128229A (ja) * | 2002-10-02 | 2004-04-22 | Nec Corp | 磁性メモリ及びその製造方法 |
US6806127B2 (en) * | 2002-12-03 | 2004-10-19 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method and structure for contacting an overlying electrode for a magnetoelectronics element |
JP2005064075A (ja) * | 2003-08-20 | 2005-03-10 | Toshiba Corp | 磁気記憶装置及びその製造方法 |
US7366009B2 (en) * | 2004-01-10 | 2008-04-29 | Honeywell International Inc. | Separate write and read access architecture for a magnetic tunnel junction |
US7149105B2 (en) * | 2004-02-24 | 2006-12-12 | Infineon Technologies Ag | Magnetic tunnel junctions for MRAM devices |
JP4373938B2 (ja) | 2005-02-17 | 2009-11-25 | 株式会社東芝 | 磁気ランダムアクセスメモリ |
-
2005
- 2005-02-17 JP JP2005040891A patent/JP4373938B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-13 US US11/224,094 patent/US7468541B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006228968A (ja) | 2006-08-31 |
US20060181813A1 (en) | 2006-08-17 |
US7468541B2 (en) | 2008-12-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4373938B2 (ja) | 磁気ランダムアクセスメモリ | |
US7091539B2 (en) | Magnetic random access memory | |
US6960815B2 (en) | Magnetic memory device having yoke layer, and manufacturing method thereof | |
JP4560025B2 (ja) | 磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法 | |
US7848136B2 (en) | Magnetic memory | |
KR100537117B1 (ko) | 자기 차폐층을 구비하는 자기 메모리 디바이스 및 그 제조방법 | |
JP2002110933A (ja) | 半導体記憶装置及びその製造方法 | |
JP2002319664A (ja) | 半導体記憶装置及びその製造方法 | |
US20050270828A1 (en) | Magnetic memory device and manufacturing method thereof | |
US20080241598A1 (en) | Magnetic random access memory having magnetoresistive element with nonmagnetic metal layer | |
JP4488645B2 (ja) | 磁気記憶装置 | |
KR100542849B1 (ko) | 자기 기억 장치, 그 제조 방법 및 자기 기억 장치의 데이터 판독 방법 | |
JP2004071881A (ja) | 半導体集積回路装置及びその製造方法 | |
US7333359B2 (en) | Magnetic random access memory | |
US6873023B2 (en) | Magnetic random access memory | |
JP2006173472A (ja) | 磁気記憶装置およびその製造方法 | |
JP3896072B2 (ja) | 磁気記憶装置及びその製造方法 | |
US20060062075A1 (en) | Magnetic memory | |
JP4630747B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080402 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090811 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090904 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120911 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120911 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120911 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130911 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |