JP4630747B2 - 磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - Google Patents
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Description
まず、本発明の一実施形態に係るMTJ素子について説明する。ここでは、[1−1]平面形状、[1−2]製造方法、[1−3]トンネル接合構造、[1−4]断面形状、[1−5]層間交換結合構造、[1−6]材料について説明する。
ここでは、MTJ素子の平面形状に関する実施例1乃至実施例9について説明する。
図1(a)及び(b)は、本発明の実施例1に係るMTJ素子の形状Sの平面図及び断面図を示す。以下に、実施例1のMTJ素子の形状Sについて説明する。
図7は、本発明の実施例2に係るMTJ素子の形状S1の平面図を示す。以下に、実施例2のMTJ素子の形状S1について説明する。
図9は、本発明の実施例3に係るMTJ素子の形状S2の平面図を示す。以下に、実施例3のMTJ素子の形状S2について説明する。
図11は、本発明の実施例4に係るMTJ素子の平面図を示す。以下に、実施例4のMTJ素子について説明する。
ここで、磁化容易軸方向の製造ばらつきの抑制を考慮した場合、例えば、式(2)、(3)のように規定することも可能である。
2<L/W<3…(3)
尚、ここでは、前記形状S1を基準とした場合に得られたL/W依存性の実験例を示したが、形状S及び形状S2を基準とした形状についても同様にL/Wが3.3より小さい形状では、Hcの変化が小さく安定した特性が得られる。
図13は、本発明の実施例5に係るMTJ素子の平面図を示す。以下に、実施例5のMTJ素子について説明する。
ここで、製造ばらつきの低減を考慮した場合、例えば、式(5)、(6)のように規定することも可能である。また、A/Wの上限値は、[A+(W/2)]<L/2を基準として求めることも可能である。
1/4<A/W<1/3…(6)
尚、ここでは、前記形状S1を基準とした場合に得られたA/W依存性の実験例を示したが、形状S及び形状S2を基準とした形状についても同様にA/Wが1/8より大きい形状では、Hcの変化が小さく安定した特性が得られる。
図15は、本発明の実施例6に係るMTJ素子の平面図を示す。以下に、実施例6のMTJ素子について説明する。
(実施例7)
上記実施例6(図15)では、延在部10aの磁化容易軸方向の端部の側面f1,f2が直線の場合における角度φを規定したが、実施例7では、延在部10aの磁化容易軸方向の端部の側面f1,f2が曲線の場合における角度φを規定する。
上記第4及び第5の実施例(図11及び図13)等において幅Wを規定するが、実施例8では、突出部10b,10cの根元部分のコーナーが丸まっている場合の幅Wの規定方法について説明する。
実施例9は、MTJ素子10の形状が180度回転対称性及び鏡映対称性を有しないものであるが、S型磁区が安定する形状とすることで、上記各実施例と同様の効果を得るものである。
ここでは、上述する形状を有するMTJ素子の製造方法に関する実施例1乃至実施例3について説明する。
実施例1は、例えば上記形状S1(図7)のMTJ素子の作成方法である。
実施例2は、工程1において形成される延在部10aの磁化容易軸方向の幅Lが短く、工程2で用いるレジストパターン300の延在部10aに対する角度が実施例1とは異なる。この実施例2は、例えば上記形状S2(図9)のMTJ素子の作成方法である。
実施例3では、突出部10bの困難軸方向の幅A1と突出部10cの困難軸方向の幅A2とを等しくすることが可能なMTJ素子の作成方法である。
実施例4は、上記実施例3の2ステップ・プロセスを応用した3ステップ・プロセスである。
上述したMTJ素子10は、図1(b)に示すように、トンネル接合層として機能する非磁性層12を1層有する1重トンネル接合構造でもよいが、これに限定されず、2重トンネル接合構造であってもよい。
上述したMTJ素子10は、図1(b)に示すように、固定層11、非磁性層12及び記録層13の全ての側面が連続的に一致する断面形状でもよいが、これに限定されず、これらの側面が非連続な断面形状であってもよい。
図27(a)乃至(h)は、本発明の一実施形態に係るMTJ素子の層間交換結合構造の断面図を示す。本発明の一実施形態に係るMTJ素子の構造は、以下のような層間交換結合構造であってもよい。
固定層11及び記録層13の材料には、次のような強磁性材料が用いられる。例えば、Fe,Co,Ni、それらの積層膜、又はそれらの合金、スピン分極率の大きいマグネタイト、CrO2,RXMnO3−Y(R;希土類、X;Ca,Ba,Sr)などの酸化物の他、NiMnSb,PtMnSbなどのホイスラー合金などを用いることが好ましい。また、これら磁性体には、強磁性を失わないかぎり、Ag,Cu,Au,Al,Mg,Si,Bi,Ta,B,C,O,N,Pd,Pt,Zr,Ir,W,Mo,Nbなどの非磁性元素が多少含まれていてもよい。
次に、本発明の一実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリについて説明する。
図28(a)及び(b)は、本発明の一実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの選択トランジスタ型のメモリセルを示す。以下に、選択トランジスタ型におけるセル構造について説明する。
図29(a)及び(b)は、本発明の一実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの選択ダイオード型のメモリセルを示す。以下に、選択ダイオード型におけるセル構造について説明する。
図30(a)及び(b)は、本発明の一実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリのクロスポイント型のメモリセルを示す。以下に、クロスポイント型におけるセル構造について説明する。
Claims (12)
- 磁化の向きが固定された磁化固定層と、
磁化の向きが変化する磁化自由層と、
前記磁化固定層及び前記磁化自由層間に設けられた非磁性層と
を具備する磁気抵抗効果素子であって、
前記磁化自由層は、第1の方向に延在する延在部と、前記延在部の側面の端部以外から前記第1の方向に対して垂直な第2の方向に突出する突出部とを有し、
前記磁化自由層の平面形状は、180度回転対称性を有し、かつ磁化困難軸方向の鏡映面に対して鏡映対称性を有さず、
前記延在部は、第1の対角線上に位置する第1及び第3の端部と、第2の対角線上に位置する第2及び第4の端部とを有し、
前記第1及び第3の端部が直線状に欠けている
ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 前記延在部の前記第1の方向における両端部は、前記第2の方向に対して同一方向に傾くことを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記延在部の前記第1の方向における前記両端部は、直線であることを特徴とする請求項2に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記延在部の前記両端部の傾き方向と前記第1の方向とのなす角度がφの場合、75°≦φ<90°であることを特徴とする請求項2又は3の磁気抵抗効果素子。
- 前記第1及び第3の端部は前記第2及び第4の端部より欠けている
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記第1及び第3の端部の直線は、前記第1の方向に対して同じ角度だけ傾き、
前記第2の端部の曲率半径は、前記第4の端部の曲率半径と等しい、
ことを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記延在部の前記第1の方向における最大幅をLとし、前記延在部の前記第2の方向における最大幅をWとした場合、L/Wは3.3より小さいことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記突出部の前記第2の方向における最大幅をAとし、前記延在部の前記第2の方向における最大幅をWとした場合、A/Wは1/8より大きいことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記第1の方向は磁化容易軸の方向であり、前記第2の方向は磁化困難軸の方向であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記延在部の平面形状は、180度回転対称性を有し、かつ磁化困難軸方向の鏡映面に対して鏡映対称性を有しないことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記突出部は、前記延在部の前記側面の中央領域から前記第2の方向に突出することを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記請求項1乃至11のいずれか1項に記載の前記磁気抵抗効果素子を記録素子として具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
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