JP4468258B2 - 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ - Google Patents
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Description
Claims (6)
- 相互に向き合う第1面および第2面を有する非磁性層と、
前記第1面上に設けられ、磁化の方向が固定された基準層と、
前記第2面上に設けられ、磁化の方向が可変で、前記第2面と向き合う面における平面形状が、相互に向き合う第1長辺および第2長辺と相互に向き合う第1短辺および第2短辺とを有する四角形状部と、前記四角形状部の中央点から前記第1短辺に向かってずれた位置において前記第1長辺から突出する第1突出部と、前記中央点から前記第2短辺に向かってずれた位置において前記第2長辺から突出する第2突出部と、を含む磁化可変層と、
を具備し、
前記第1長辺と前記第1短辺とから第1角が構成され、前記第2長辺と前記第2短辺とから第2角が構成され、前記第1長辺と前記第2短辺とから第3角が構成され、前記第2長辺と前記第1短辺とから第4角が構成され、
前記第1角が前記第3角より大きく、
前記第2角が前記第4角より大きく、
前記第1長辺が、前記第1突出部と前記第3角との間の部分において窪みを有し、
前記第2長辺が、前記第2突出部と前記第4角との間の部分において窪みを有する、
ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 相互に向き合う第1面および第2面を有する第1非磁性層と、
前記第1面上に設けられ、磁化の方向が固定された第1基準層と、
相互に向き合う第3面および第4面を有する第2非磁性層と、
前記第3面上に設けられ、磁化の方向が固定された第2基準層と、
前記第2面および前記第4面との間に設けられ、磁化の方向が可変で、前記第2面および前記第4面と向き合う面における平面形状が、相互に向き合う第1長辺および第2長辺と相互に向き合うそれぞれの第1短辺および第2短辺とを有する四角形状部と、前記四角形状部の中央点から前記第1短辺に向かってずれた位置において前記第1長辺から突出する第1突出部と、前記中央点から前記第2短辺に向かってずれた位置において前記第2長辺から突出する第2突出部と、を含む磁化可変層と、
を具備し、
前記第1長辺と前記第1短辺とから第1角が構成され、前記第2長辺と前記第2短辺とから第2角が構成され、前記第1長辺と前記第2短辺とから第3角が構成され、前記第2長辺と前記第1短辺とから第4角が構成され、
前記第1角が前記第3角より大きく、
前記第2角が前記第4角より大きく、
前記第1長辺が、前記第1突出部と前記第3角との間の部分において窪みを有し、
前記第2長辺が、前記第2突出部と前記第4角との間の部分において窪みを有する、
ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 前記平面形状が、前記中央点に関して点対称であって、前記中央点を通る長手方向の直線に関して非線対称であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記第1角、前記第2角、前記第3角、および前記第4角は曲線から構成されることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記第1角の曲率半径が前記第3角の曲率半径より大きく、
前記第2角の曲率半径が前記第4角の曲率半径より大きい、
ことを特徴とする請求項4に記載の磁気抵抗効果素子。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子を記録素子として複数個含み、前記磁気抵抗効果素子が行列状に配置されたメモリセルアレイと、
同じ行に属する前記磁気抵抗効果素子のそれぞれの一端と電気的に接続された第1配線と、
同じ列に属する前記磁気抵抗効果素子のそれぞれの他端と電気的に接続された第2配線と、
前記第1配線および前記第2配線と接続され、任意の前記磁気抵抗効果素子を対象とした情報の書き込みおよび読み出しを行う制御回路と、
を具備することを特徴とする磁気メモリ。
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