JP2008098515A - 磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、磁化方向が固定された固定層11と磁化方向が反転可能な記録層12と固定層及び記録層の間に設けられた非磁性層13とを有し、記録層の中央に空洞部20aが形成され、固定層及び記録層の間に流す電流の向きに応じて固定層及び記録層の磁化方向が平行状態又は反平行状態となる磁気抵抗効果素子MTJと、空洞部内に形成された絶縁層20と、磁気抵抗効果素子の一端に接続された配線22と、磁気抵抗効果素子の他端に接続されたトランジスタTrとを具備する。
【選択図】 図1
Description
[1−1]構造例1
構造例1では、MTJ素子(磁気抵抗効果素子)の固定層及び非磁性層は円盤状であり、記録層のみがリング状である例について説明する。
構造例2では、MTJ素子の固定層、非磁性層及び記録層の全てがリング状である例について説明する。
[2−1]製造方法例1
製造方法例1は、上述した図1(a)及び(b)に示す構造例1を実現するための例である。
製造方法例2は、上述した図1(a)及び(b)に示す構造例1を実現するための例である。
製造方法例3は、上述した図2(a)及び(b)に示す構造例2を実現するための例である。
[3−1]材料
MTJ素子MTJは、例えば以下のような材料からなる。
図6(a)は、本発明の一実施形態に係る平行磁化型のMTJ素子の断面図を示す。図6(b)は、図6(a)のMTJ素子を上面から見た平面図を示す。
図7は、本発明の一実施形態に係る垂直磁化型のMTJ素子の断面図を示す。
「Fe(鉄)、Co(コバルト)、Ni(ニッケル)のうちの少なくとも1つと、Cr(クロム)、Pt(白金)、Pd(パラジウム)のうちの少なくとも1つとを含む合金からなるもの」
例えば、規則合金としては、Fe(50)Pt(50)、Fe(50)Pd(50)、Co(50)Pt(50)などがある。例えば、不規則合金としては、CoCr合金、CoPt合金、CoCrPt合金、CoCrPtTa合金、CoCrNb合金などがある。
「Fe、Co、Niのうちの少なくとも1つ又はこれらのうちの1つを含む合金と、Pd、Ptのうちの1つ又はこれらのうちの1つを含む合金とが、交互に積層された構造を持つもの」
例えば、Co/Pt人工格子、Co/Pd人工格子、CoCr/Pt人工格子などがある。Co/Pt人工格子を使用した場合及びCo/Pd人工格子を使用した場合においては、抵抗変化率(MR比)は、約40%、という大きな値を実現できる。
「希土類金属のうちの少なくとも1つ、例えば、Tb(テルビウム)、Dy(ジスプロシウム)、又は、Gd(ガドリニウム)と、遷移金属のうちの少なくとも1つとからなるアモルファス合金」
例えば、TbFe、TbCo、TbFeCo、DyTbFeCo、GdTbCoなどがある。
「Fe、Co、Niのうちの少なくとも1つと、Cr、Pt、Pdのうちの少なくとも1つとを含む合金に、不純物を添加したもの」
例えば、規則合金としては、Fe(50)Pt(50)、Fe(50)Pd(50)、又は、Co(50)Pt(50)に、Cu、Cr、Agなどの不純物を加えて磁気異方性エネルギー密度を低下させたものなどがある。例えば、不規則合金としては、CoCr合金、CoPt合金、CoCrPt合金、CoCrPtTa合金、又は、CoCrNb合金について、非磁性元素の割合を増加させて磁気異方性エネルギー密度を低下させたものなどがある。
「Fe、Co、Niのうちの少なくとも1つ又はこれらのうちの1つを含む合金と、Pd、Ptのうちの1つ又はこれらのうちの1つを含む合金とが、交互に積層された構造を持つものであって、前者の元素若しくは合金からなる層の厚さ、又は、後者の元素若しくは合金からなる層の厚さを調整したもの」
Fe、Co、Niのうちの少なくとも1つ又はこれらのうちの1つを含む合金についての厚さの最適値と、Pd、Ptのうちの1つ又はこれらのうちの1つを含む合金についての厚さの最適値とが存在し、厚さがこれら最適値から離れるに従い、磁気異方性エネルギー密度は、次第に低下する。
「希土類金属のうちの少なくとも1つ、例えば、Tb(テルビウム)、Dy(ジスプロシウム)、又は、Gd(ガドリニウム)と、遷移金属のうちの少なくとも1つとからなるアモルファス合金の組成比を調整したもの」
例えば、TbFe、TbCo、TbFeCo、DyTbFeCo、GdTbCoなどのアモルファス合金の組成比を調整し、磁気異方性エネルギー密度を小さくしたものがある。
MTJ素子MTJの平面形状は、例えば、長方形(図8(a)参照)、正方形、楕円、円、六角形、菱型、平行四辺形、十字型(図8(b))、ビーンズ型(凹型)等、種々に変更することが可能である。
MTJ素子MTJは、1重トンネル接合(シングルジャンクション)構造でもよいし、2重トンネル接合(ダブルジャンクション)構造でもよい。
本発明の一実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリでは、スピン注入磁化反転を用いたデータ書き込みを行う。従って、MTJ素子MTJは、固定層11及び記録層13の間に流す電流Iの向きに応じて、固定層11及び記録層13の磁化方向が平行状態又は反平行状態となる。具体的には、以下のようになる。
本発明の一実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの読み出し動作では、磁気抵抗(Magneto Resistive)効果を利用する。
本発明の一実施形態によれば、MTJ素子MTJの少なくとも記録層13の中央に空洞部20aが存在するため、従来よりも素子面積を減少させることができる。例えば図1(a)の構造の場合には、記録層13の膜面水平方向の幅を堆積膜厚にすることができ、固定層11及び非磁性層12の膜面水平方向の幅よりも小さくできる。従って、記録層13の膜面水平方向の幅は、従来のようにリソグラフィの最小加工寸法で規定されない。このように、スピン注入型のMTJ素子MTJの面積を縮小できるため、書き込み電流値の低減を図ることが可能となる。
上述した本発明の一実施形態に係る記憶素子の構造を、例えば、相変化メモリ(PRAM:Phase change Random Access Memory)に適用することも可能である。
Claims (5)
- 磁化方向が固定された固定層と磁化方向が反転可能な記録層と前記固定層及び前記記録層の間に設けられた非磁性層とを有し、前記記録層の中央に空洞部が形成され、前記固定層及び前記記録層の間に流す電流の向きに応じて前記固定層及び前記記録層の前記磁化方向が平行状態又は反平行状態となる磁気抵抗効果素子と、
前記空洞部内に形成された絶縁層と、
前記磁気抵抗効果素子の一端に接続された配線と、
前記磁気抵抗効果素子の他端に接続されたトランジスタと
を具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記固定層及び前記記録層の前記磁化方向は、膜面に対して平行な方向であり、
前記磁気抵抗効果素子を上から見たとき、前記記録層の前記磁化方向は、前記記録層の形状に沿わず、非連続な一方向であることを特徴とする請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記固定層及び前記記録層の前記磁化方向は、膜面に対して垂直な方向であることを特徴とする請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。
- 前記空洞部は、前記固定層及び前記非磁性層の中央に連続して存在し、
前記固定層、前記非磁性層及び前記記録層は、前記絶縁層の側面に形成されており、
前記磁気抵抗効果素子の周囲に形成され、前記絶縁層と同じ層で形成された層間絶縁膜をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。 - トランジスタを形成する工程と、
前記トランジスタに接続する固定層及び非磁性層を積み重ねて形成する工程と、
前記非磁性層上に第1の絶縁層を形成してパターニングする工程と、
前記第1の絶縁層の側面にのみ記録層を形成する工程と、
前記記録層に接続する配線を形成する工程と
を具備し、
前記固定層及び前記記録層の磁化方向は、前記固定層及び前記記録層の間に流す電流の向きに応じて平行状態又は反平行状態になることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。
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