JP2008227009A - 磁気ランダムアクセスメモリ、その書き込み方法及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、第1の方向に延在されたビット線BLと、第1の方向と異なる第2の方向に延在されたワード線WL2と、磁化方向が固定された固定層と磁化方向が反転可能な記録層と固定層及び記録層の間に設けられた非磁性層とを備え、固定層及び記録層の磁化方向は膜面に対して垂直方向である磁気抵抗効果素子MTJ1と、磁気抵抗効果素子に接するヒーター層HT1を有し、ビット線に接続され、ワード線と絶縁されてワード線の側面側に配置されたメモリ素子MC1とを具備する。
【選択図】 図2
Description
Saied Tehrani, "Magneto resistive RAM", 2001 IEDM short course 池田ほか、「GdFe合金垂直磁化膜を用いたGMR膜およびTMR膜」、日本応用磁気学会誌 Vol.24, No.4-2, 2000 p.563-566 N.Nisimura,et.al., "Magnetic tunnel junction device with perpendicular magnetization films for high-density magnetic random access memory ", JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME 91,NUMBER 8, 15 APRIL 2002
[1−1]構造
図1は、本発明の第1の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの平面図を示す。図2は、図1のII−II線に沿った断面図を示す。以下に、第1の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリについて説明する。ここでは、特に、メモリ素子MC1及びワード線WL2を例に挙げて説明する。
図3A乃至図3Fは、本発明の第1の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの製造工程の断面図を示す。以下に、第1の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの製造方法について説明する。
図4は、本発明の第1の実施形態に係るメモリ素子の模式的な断面図を示す。図5(a)及び(b)は、本発明の第1の実施形態に係る“0”、“1”状態のMTJ素子の模式的な断面図を示す。以下に、第1の実施形態に係るメモリ素子について説明する。
図6及び図7は、本発明の第1の実施形態に係る書き込み動作の原理を説明するための図を示す。以下に、メモリ素子MC1を選択した場合を例に挙げ、熱アシスト書き込み動作について説明する。
本発明の第1の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの読み出し動作では、磁気抵抗(Magneto Resistive)効果を利用する。
本実施形態の熱アシスト書き込み方式を採用する場合には、MTJ素子に関して、第1に、熱アシストを加えた場合の保磁力とそれを加えない場合の保磁力との比ができるだけ大きく、第2に、特定温度を境にして急激に保磁力が変化する、というような特性を持たせることが望ましい。これは、熱アシストされた隣接ビット線からの熱伝導による温度上昇と、熱アシスト書き込みを行ったビット線の冷却過程における熱擾乱耐性を確保するためである。
「Fe(鉄)、Co(コバルト)、Ni(ニッケル)のうちの少なくとも1つと、Cr(クロム)、Pt(白金)、Pd(パラジウム)のうちの少なくとも1つとを含む合金からなるもの」
規則合金としては、Fe(50)Pt(50)、Fe(50)Pd(50)、Co(50)Pt(50)などがある。不規則合金としては、CoCr合金、CoPt合金、CoCrPt合金、CoCrPtTa合金、CoCrNb合金などがある。
「Fe、Co、Niのうちの少なくとも1つ又はこれらのうちの1つを含む合金と、Pd、Ptのうちの1つ又はこれらのうちの1つを含む合金とが、交互に積層された構造を持つもの」
例えば、Co/Pt人工格子、Co/Pd人工格子、CoCr/Pt人工格子などがある。Co/Pt人工格子を使用した場合及びCo/Pd人工格子を使用した場合においては、抵抗変化率(MR比)は、約40%、という大きな値を実現できる。
「希土類金属のうちの少なくとも1つ、例えば、Tb(テルビウム)、Dy(ジスプロシウム)、又は、Gd(ガドリニウム)と、遷移金属のうちの少なくとも1つとからなるアモルファス合金」
例えば、TbFe、TbCo、TbFeCo、DyTbFeCo、GdTbCoなどがある。
「Fe、Co、Niのうちの少なくとも1つと、Cr、Pt、Pdのうちの少なくとも1つとを含む合金に、不純物を添加したもの」
規則合金としては、Fe(50)Pt(50)、Fe(50)Pd(50)、又は、Co(50)Pt(50)に、Cu、Cr、Agなどの不純物を加えて磁気異方性エネルギー密度を低下させたものなどがある。不規則合金としては、CoCr合金、CoPt合金、CoCrPt合金、CoCrPtTa合金、又は、CoCrNb合金について、非磁性元素の割合を増加させて磁気異方性エネルギー密度を低下させたものなどがある。
「Fe、Co、Niのうちの少なくとも1つ又はこれらのうちの1つを含む合金と、Pd、Ptのうちの1つ又はこれらのうちの1つを含む合金とが、交互に積層された構造を持つものであって、前者の元素若しくは合金からなる層の厚さ、又は、後者の元素若しくは合金からなる層の厚さを調整したもの」
Fe、Co、Niのうちの少なくとも1つ又はこれらのうちの1つを含む合金についての厚さの最適値と、Pd、Ptのうちの1つ又はこれらのうちの1つを含む合金についての厚さの最適値とが存在し、厚さがこれら最適値から離れるに従い、磁気異方性エネルギー密度は、次第に低下する。
「希土類金属のうちの少なくとも1つ、例えば、Tb(テルビウム)、Dy(ジスプロシウム)、又は、Gd(ガドリニウム)と、遷移金属のうちの少なくとも1つとからなるアモルファス合金の組成比を調整したもの」
例えば、TbFe、TbCo、TbFeCo、DyTbFeCo、GdTbCoなどのアモルファス合金の組成比を調整し、磁気異方性エネルギー密度を小さくしたものがある。
ヒーター層HTは、メモリ素子MCを介してビット線BLとトランジスタTr間に電流I2を流すことで加熱される。このようなヒーター層HTの材料としては、次のようなものが挙げられる。これらの材料の中から必要加熱温度やプロセスインテグレーションによって最適な選択を行う。
(b)Cu−Ni、Cu−Ni−Zn−W系の合金
(c)W、W−Th酸化物、W−Mo系、W−Re等のW系合金
(d)Ta、Ta−W−Hf等のTa系合金
(e)Ti−Al−酸化物合金
[1−8]効果
上記第1の実施形態における第1の効果として、書き込み効率を向上し、書き込み電流の低減を図ることができる。
第2の実施形態は、ヨーク効果を高めるために、メモリ素子上に軟磁性層を設けた例である。
図10は、本発明の第2の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの平面図を示す。図11は、図10のXI−XI線に沿った断面図を示す。以下に、第2の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリについて説明する。
上記第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、第2の実施形態では、メモリ素子MC上に軟磁性層30を設けている。これにより、書き込み動作時、ワード線WLに流す書き込み電流I1により発生した磁場Hの閉ループがより完全となり、書き込み電流をさらに低減することが可能となる。
第3の実施形態は、2ビット分のメモリ素子の端にダミー素子を設けた例である。
図12は、本発明の第3の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの平面図を示す。図13は、図12のXIII−XIII線に沿った断面図を示す。以下に、第3の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリについて説明する。
第3の実施形態における構造の製造方法は、図3Dの工程において、層間絶縁膜23をエッチング除去する際のマスクの形状が第1の実施形態と異なる。
上記第3の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、第3の実施形態では、ワード線WL1の両側にメモリ素子MC1とダミー素子60が存在し、ワード線WL3の両側にメモリ素子MC2とダミー素子60が存在する。このため、ダミー素子60が存在しない場合と比べて、ワード線WL1、WL3に電流I1を流して発生させた磁場がより完全な閉ループに近づくため、セル動作の安定性を向上できる。
第4の実施形態は、メモリ素子MCをワード線WL間に自己整合的に形成しない例である。
図14は、本発明の第4の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの平面図を示す。図15は、図14のXV−XV線に沿った断面図を示す。以下に、第4の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリについて説明する。
第4の実施形態における構造の製造方法は、図3Cの工程後、メモリ素子毎に例えば円形に開口したマスクを形成する。そして、このマスクを用いて、ワード線WL1、WL2間の層間絶縁膜23とワード線WL2、WL3間の層間絶縁膜内に溝40を形成する。その後は、図3Eと同様の工程が行われる。
上記第4の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、第4の実施形態では、メモリ素子MCをワード線WL間に自己整合的に形成しない。つまり、ワード線間WLの層間絶縁膜23内に溝40を形成し、この溝40内にメモリ素子MCを形成している。このため、コンタクト形成用の加工時において、このエッチングによるダメージが書き込みワード線WLに入り難くなるため、加工が容易になる。
第5の実施形態は、書き込み動作時にメモリ素子MCの両側のワード線に書き込み電流を流す例である。
図16及び図17は、本発明の第5の実施形態に係る書き込み動作を説明するための図を示す。以下に、メモリ素子MC1を選択した場合を例に挙げ、熱アシスト書き込み動作について説明する。
上記第5の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、第5の実施形態では、書き込み動作時にメモリ素子MCの両側の書き込みワード線WLに電流I1、I3を流すことで、書き込み電流I1、I3のそれぞれの電流値を低減することができる。
第6の実施形態は、熱アシスト用のビット線電流をスピン注入書き込み用の電流として機能させる例である。
第1の実施形態では、熱アシスト用としてビット線BLからトランジスタTrへ電流I2を流し、電流I2の流す方向に規定はなかった。これに対し、第6の実施形態では、電流I2の流す方向を書き込みデータに応じて規定することで、電流I2によるスピン偏極電子を記録層13に作用させることでスピン注入磁化反転の原理を用いる。従って、第6の実施形態における書き込み動作では、電流I1による電流磁場Hと電流I2によるスピン偏極電子が記録層13の磁化に作用する。
上記第6の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、第6の実施形態では、書き込み動作時に、電流I1による電流磁場Hと電流I2によるスピン偏極電子を記録層13の磁化に作用させることができるため、書き込み電流をさらに低減することができる。また、外部磁場のアシストによって、スピン注入に必要な電流の閾値を下げることができ、トンネルバリアの耐圧に対してマージンのある動作範囲を使用することができ、セルの長期信頼性確保につながる。
Claims (5)
- 第1の方向に延在されたビット線と、
前記第1の方向と異なる第2の方向に延在されたワード線と、
磁化方向が固定された固定層と磁化方向が反転可能な記録層と前記固定層及び前記記録層の間に設けられた非磁性層とを備え、前記固定層及び前記記録層の前記磁化方向は膜面に対して垂直方向である磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子に接するヒーター層とを有し、前記ビット線に接続され、前記ワード線と絶縁されて前記ワード線の側面側に配置されたメモリ素子と
を具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。 - 前記ワード線の下面及び上面上に設けられ、軟磁性材で形成されたヨーク層と
をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリ。 - 第1の方向に延在されたビット線と、
前記第1の方向と異なる第2の方向に延在されたワード線と、
磁化方向が固定された固定層と磁化方向が反転可能な記録層と前記固定層及び前記記録層の間に設けられた非磁性層とを備え、前記固定層及び前記記録層の前記磁化方向は膜面に対して垂直方向である磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子に接するヒーター層とを有し、前記ビット線に接続され、前記第ワード線と絶縁されて前記第ワード線の側面側に配置されたメモリ素子と
を備え、
前記メモリ素子に第1の書き込み電流を流すことで前記ヒーター層を加熱し、前記ヒーター層の熱で前記磁気抵抗効果素子を加熱することで前記磁気抵抗効果素子の磁化反転閾値を下げる第1のステップと、
前記ワード線に第2の書き込み電流を流し、前記第2の書き込み電流により発生した磁場で前記記録層の前記磁化方向を反転させる第2のステップと
を具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリの書き込み方法。 - 前記第2の書き込み電流によって前記記録層の前記磁化方向を反転させるための前記磁場を印加しつつ、前記第1の書き込み電流を前記メモリ素子に流すことでスピン注入磁化反転によって前記記録層の前記磁化方向を反転させることを特徴とする請求項3に記載の磁気ランダムアクセスメモリの書き込み方法。
- 第1の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の層間絶縁膜内にコンタクトを形成する工程と、
前記第1の層間絶縁膜上に第1及び第2のワード線を形成する工程と、
前記第1及び第2のワード線の周囲に第2の層間絶縁膜を堆積する工程と、
前記第1及び第2のワード線間の前記第2の層間絶縁膜を除去し、前記コンタクトを露出する溝を形成する工程と、
前記溝内に磁気抵抗効果素子とヒーター層とを有するメモリ素子を形成する工程と、
前記メモリ素子に接続するビット線を形成する工程と
を具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。
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