JP2007535275A5

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Publication number: JP2007535275A5
Application number: JP2007510707A
Authority: JP
Filing date: 2005-01-11
Publication date: 2008-02-28
Anticipated expiration: 2025-01-11

Claims

共振周波数を有する梁構造を備えたマイクロ電気機械共振器と、
前記梁構造と並置され、複数の電気接点を有する周波数調整構造と
を備え、
前記周波数調整構造の材料が、加熱電流により抵抗加熱されることにより、前記周波数調整構造から蒸発して、前記梁構造に蒸着し、前記梁構造の共振周波数を変更するようにした、ＭＥＭＳ装置。
前記周波数調整構造が一体化されている固定電極を備えた、請求項１に記載のＭＥＭＳ装置。
前記周波数調整構造が近接して配置されている固定電極を備えた、請求項１又は請求項２に記載のＭＥＭＳ装置。
前記梁構造は、高張力区域を備えており、前記周波数調整構造は、前記高張力区域に近接して配置されている、請求項１から請求項３のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ装置。
前記周波数調整構造は、単結晶シリコン又は多結晶シリコンからなる、請求項１から請求項４のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ装置。
前記周波数調整構造は、シリコン材料からなる、請求項１から請求項５のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ装置。
前記加熱電流は、前記周波数調整構造を、３００℃を超えるまで抵抗加熱する、請求項１から請求項６のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ装置。
前記加熱抵抗は、前記周波数調整構造を、９００℃を超えるまで抵抗加熱する、請求項１から請求項６のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ装置。
前記梁構造は、高張力区域を備えており、前記周波数調整構造の材料は、ほぼ前記高張力区域の上に蒸着する、請求項１から請求項８のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ装置。
固定電極を備え、
前記周波数調整構造は、（ｉ）前記固定電極と一体化された第１の構造と、（ｉｉ）前記固定電極に近接して配置された第２の構造とを備える、請求項１から請求項９のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ装置。
前記梁構造は、多梁整調フォーク構造を備え、前記多梁整調フォーク構造内の各梁は、第１基板アンカーによって固定されている第１端部を備える、請求項１から請求項１０のいずれか１つに記載のＭＥＭＳ装置。
ＭＥＭＳ共振器の共振周波数を調整する方法であって、前記ＭＥＭＳ共振器は、第１電気接点と、第２電気接点と、少なくとも１つの基板アンカーに連結された梁構造とを備え、前記ＭＥＭＳ共振器は、第１共振周波数を有している、方法において、
前記第１電気接点に与える第１加熱電流を、前記第１共振周波数を用いて決定する工程と、
前記第１加熱電流を前記第１電気接点から前記第２電気接点に流して前記梁構造を抵抗加熱し、これに応じて、前記梁構造の材料が変化して前記ＭＥＭＳ共振器の第２共振周波数を提供する工程と
を備えた、方法。
前記ＭＥＭＳ共振器の前記第２共振周波数を測定する工程と、
第２加熱電流を決定する工程と、
前記第２加熱電流を前記前記第１電気接点から前記第２電気接点に流して前記梁構造を抵抗加熱し、これに応じて、前記梁構造の材料が変化して前記ＭＥＭＳ共振器の第３共振周波数を提供する工程と
を備えた、請求項１２に記載の方法。
前記梁構造は高張力区域を備えており、前記高張力区域は、前記第１加熱電流に応じて、前記梁構造の他の部分より相当に高い温度まで加熱される、請求項１２又は請求項１３に記載の方法。
ＭＥＭＳ共振器の共振周波数を調整する方法であって、前記ＭＥＭＳ共振器は、第１電気接点と、第２電気接点と、基板アンカーを介して基板に固定された梁構造とを備え、前記ＭＥＭＳ共振器は、第１共振周波数を有している、方法において、
前記第１加熱電流を前記第１電気接点から前記第２電気接点に流して前記梁構造を抵抗加熱し、これに応じて、前記梁構造の材料が蒸発して前記ＭＥＭＳ共振器の第２共振周波数を提供し、前記第１加熱電流は、前記梁構造の少なくとも一部を、９００℃を超えるまで抵抗加熱する工程と、
前記ＭＥＭＳ共振器の前記第２共振周波数を測定する工程と
を備えた、方法。
前記ＭＥＭＳ共振器に第２加熱電流を与える工程を備え、
前記第２加熱電流を与える工程は、前記第２加熱電流を前記第１電気接点から前記第２電気接点に流して前記梁構造を抵抗加熱し、これに応じて、前記梁構造の材料が変化して前記ＭＥＭＳ共振器の第３共振周波数を提供する工程を含む、請求項１５に記載の方法。
測定された前記第２共振周波数を用いて前記第２加熱電流を決定する工程を備えた、請求項１５又は請求項１６に記載の方法。
前記梁構造は、高張力区域を備えており、前記高張力区域は、前記第１加熱電流に応じて、前記梁構造の他の部分より相当に高い温度まで加熱される、請求項１５から請求項１７のいずれか１つに記載の方法。
ＭＥＭＳ共振器の共振周波数を調整する方法であって、前記ＭＥＭＳ共振器は、梁構造と周波数調整構造とを備え、前記周波数調整構造は、第１電気接点及び第２電気接点を備え、前記ＭＥＭＳ共振器は第１共振周波数を有する、方法において、
前記第１加熱電流を前記第１電気接点から前記第２電気接点に流して前記周波数調整構造を抵抗加熱し、これに応じて、前記周波数調整構造の材料が、前記周波数調整構造から蒸発して、前記梁構造に蒸着し、前記梁構造の第２共振周波数を提供する、方法。
前記ＭＥＭＳ共振器の前記第２共振周波数を測定する工程を備えた、請求項１９に記載の方法。
前記ＭＥＭＳ共振器の前記第１共振周波数を測定する工程と、
測定された前記第１共振周波数を用いて前記第１加熱電流を決定する工程と
を備えた、請求項１９又は請求項２０に記載の方法。
第２加熱電流を決定する工程と、
前記周波数調整構造に第２加熱電流を与える工程と
を備え、
前記第２加熱電流を与える工程は、前記第２加熱電流を前記第１電気接点から前記第２電気接点に流して前記周波数調整構造を抵抗加熱し、これに応じて、前記周波数調整構造の材料が、更に前記梁構造の上に蒸着して、前記ＭＥＭＳ共振器の前記第３共振周波数を提供する工程を含む、請求項１９から請求項２１のいずれか１つに記載の方法。
前記周波数調整構造は、前記ＭＥＭＳ共振器の固定電極と一体化されている、請求項１９から請求項２２のいずれか１つに記載の方法。
前記梁構造は、高張力区域を備えており、前記第１加熱電流に応じて、前記周波数調整構造の材料が、前記高張力区域に蒸着するようにした、請求項１９から請求項２３のいずれか１つに記載の方法。
前記梁構造は、複数の高張力区域を備えており、前記第１加熱電流に応じて、前記周波数調整構造の蒸発した材料の相当部分が、前記複数の高張力区域に蒸着するようにした、請求項１９から請求項２４のいずれか１つに記載の方法。
前記周波数調整構造は、多結晶シリコン材料からなる、請求項１９から請求項２５のいずれか１つに記載の方法。