JP2001148617A - Ｓａｗフィルターの製造方法 - Google Patents
Ｓａｗフィルターの製造方法Info
- Publication number
- JP2001148617A JP2001148617A JP32851399A JP32851399A JP2001148617A JP 2001148617 A JP2001148617 A JP 2001148617A JP 32851399 A JP32851399 A JP 32851399A JP 32851399 A JP32851399 A JP 32851399A JP 2001148617 A JP2001148617 A JP 2001148617A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- center frequency
- saw
- saw filter
- substrate
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハー全体のＳＡＷフィルターの中心周波
数を精度よく微調整でき、かつ、ウェハーを再利用する
という手間をかけず、不合格品をできるだけ無くして製
造上の歩留まりを向上できるＳＡＷフィルターの製造方
法を提供する。 【解決手段】 複数のＳＡＷフィルターを個々に分割す
るように基板（ウェハー）を切断し、各ＳＡＷフィルタ
ー毎に中心周波数確認を行い、周波数ずれに応じてグル
ープ分けし、各グループ毎にイオン交換法により中心周
波数の調整を行う。ＳＡＷフィルターの中心周波数の微
調整をほぼ個別に行うことが可能であり、微調整の精度
向上が図れ、その分、ロスが少なくなる。また、ウェハ
ー全体を広範囲に有効利用できることになり、この分、
有効面積が広がることになる。また、グループ毎に中心
周波数の微調整を行うので、微調整の迅速化及び精度向
上が図れる。
数を精度よく微調整でき、かつ、ウェハーを再利用する
という手間をかけず、不合格品をできるだけ無くして製
造上の歩留まりを向上できるＳＡＷフィルターの製造方
法を提供する。 【解決手段】 複数のＳＡＷフィルターを個々に分割す
るように基板（ウェハー）を切断し、各ＳＡＷフィルタ
ー毎に中心周波数確認を行い、周波数ずれに応じてグル
ープ分けし、各グループ毎にイオン交換法により中心周
波数の調整を行う。ＳＡＷフィルターの中心周波数の微
調整をほぼ個別に行うことが可能であり、微調整の精度
向上が図れ、その分、ロスが少なくなる。また、ウェハ
ー全体を広範囲に有効利用できることになり、この分、
有効面積が広がることになる。また、グループ毎に中心
周波数の微調整を行うので、微調整の迅速化及び精度向
上が図れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＳＡＷ（表面弾性
波）フィルターの製造方法、特にＳＡＷフィルターの中
心周波数の調整を行う技術に関するものである。
波）フィルターの製造方法、特にＳＡＷフィルターの中
心周波数の調整を行う技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＳＡＷは、周波数が同じならその波長が
電磁波の１０-5程度で極めて短く、弾性体の表面あるい
は界面に集中して伝搬する波であり、その発生、制御、
検出を固体表面上で処理することが可能である。具体的
には中心周波数ｆと波長λと伝搬速度ｖとの間には、 λ＝ｖ／ｆ という関係が成り立つ。
電磁波の１０-5程度で極めて短く、弾性体の表面あるい
は界面に集中して伝搬する波であり、その発生、制御、
検出を固体表面上で処理することが可能である。具体的
には中心周波数ｆと波長λと伝搬速度ｖとの間には、 λ＝ｖ／ｆ という関係が成り立つ。
【０００３】電磁波の場合（自由空間）、その伝搬速度
ｖはｖ＝３×１０8 ｍ／ｓであり、ＳＡＷの場合はその
伝搬速度ｖは約４×１０3 ｍ／ｓ（ＬｉＴａＯ3 基板の
場合）となる。従って、上述したようにＳＡＷは、その
波長が電磁波の１０-5程度で極めて短くなる。仮にＩＦ
帯ＳＡＷフィルターの中心周波数が２４０ＭＨｚ程度で
あるとすると、このＳＡＷフィルターの波長λ（ＳＡ
Ｗ）は、 λ（ＳＡＷ）＝（４×１０3 ）／（２４０×１０6 ）＝１６．７×１０-6ｍ ＝１６．７μｍ 〔対応する電磁波の波長λ（電磁波）＝（３×１０8 ）／（２４０×１０6 ） ＝１．２５ｍである。〕 となり、電極が１００対ならばＳＡＷを用いた素子（Ｓ
ＡＷフィルター）は８３５μｍ程度の大きさにしかなら
ず、ＳＡＷを使用する（ＳＡＷフィルターを構成する）
ことによりフィルターを小型化できることになる。
ｖはｖ＝３×１０8 ｍ／ｓであり、ＳＡＷの場合はその
伝搬速度ｖは約４×１０3 ｍ／ｓ（ＬｉＴａＯ3 基板の
場合）となる。従って、上述したようにＳＡＷは、その
波長が電磁波の１０-5程度で極めて短くなる。仮にＩＦ
帯ＳＡＷフィルターの中心周波数が２４０ＭＨｚ程度で
あるとすると、このＳＡＷフィルターの波長λ（ＳＡ
Ｗ）は、 λ（ＳＡＷ）＝（４×１０3 ）／（２４０×１０6 ）＝１６．７×１０-6ｍ ＝１６．７μｍ 〔対応する電磁波の波長λ（電磁波）＝（３×１０8 ）／（２４０×１０6 ） ＝１．２５ｍである。〕 となり、電極が１００対ならばＳＡＷを用いた素子（Ｓ
ＡＷフィルター）は８３５μｍ程度の大きさにしかなら
ず、ＳＡＷを使用する（ＳＡＷフィルターを構成する）
ことによりフィルターを小型化できることになる。
【０００４】ＳＡＷフィルターの基本構成を図７に示
す。図７において、ＳＡＷフィルター１は、水晶やＬｉ
ＮｂＯ3 等の圧電体結晶製の基板２にＳＡＷを励起する
ための薄膜の入力用櫛形電極３と薄膜の出力用櫛形電極
４を作製して得られる。そして、入力用櫛形電極３に信
号源５から高周波信号を入力すると圧電体結晶製の基板
２に信号の正負に応じた歪みが生じるため、電極間隔の
２倍に等しい波長のＳＡＷが誘起され、このＳＡＷが出
力用櫛形電極４へ伝搬され電気信号に変換されて検出さ
れる。このとき、圧電体結晶製の基板２の表面では特定
の周波数帯域の弾性波しか伝搬できないため、ＳＡＷフ
ィルター１はフィルター機能を発揮することになる。
す。図７において、ＳＡＷフィルター１は、水晶やＬｉ
ＮｂＯ3 等の圧電体結晶製の基板２にＳＡＷを励起する
ための薄膜の入力用櫛形電極３と薄膜の出力用櫛形電極
４を作製して得られる。そして、入力用櫛形電極３に信
号源５から高周波信号を入力すると圧電体結晶製の基板
２に信号の正負に応じた歪みが生じるため、電極間隔の
２倍に等しい波長のＳＡＷが誘起され、このＳＡＷが出
力用櫛形電極４へ伝搬され電気信号に変換されて検出さ
れる。このとき、圧電体結晶製の基板２の表面では特定
の周波数帯域の弾性波しか伝搬できないため、ＳＡＷフ
ィルター１はフィルター機能を発揮することになる。
【０００５】従来のＳＡＷフィルター１は図８に示すよ
うに、圧電基板（圧電体結晶製の基板）２上に金属膜６
を形成し、次にフォトエッチングにより図９に示すごと
く圧電基板２上にパターン７（入力用櫛形電極３、出力
用櫛形電極４）を形成することにより製造するようにし
ている。そして、上記パターン７の形成後、図１０に示
すごとく圧電基板２上にパターン７を形成したものをウ
ェハーの状態（複数のＳＡＷフィルター１に分割されて
いない状態）のままでプローブＰによって各ＳＡＷフィ
ルター１の中心周波数を測定し、中心周波数特性が異な
るものは圧電基板２上にＳｉＯ2 膜を付与、あるいはウ
ェハー全体（圧電基板２全体）の電極（パターン７）ま
たは圧電基板２における入力用、出力用の電極（パター
ン７）の間の部分をエッチングすることによって等価的
に電極膜厚を変えることにより中心周波数の微調整を行
っていた。この製造工程を模式的に示したのが図１１で
ある。
うに、圧電基板（圧電体結晶製の基板）２上に金属膜６
を形成し、次にフォトエッチングにより図９に示すごと
く圧電基板２上にパターン７（入力用櫛形電極３、出力
用櫛形電極４）を形成することにより製造するようにし
ている。そして、上記パターン７の形成後、図１０に示
すごとく圧電基板２上にパターン７を形成したものをウ
ェハーの状態（複数のＳＡＷフィルター１に分割されて
いない状態）のままでプローブＰによって各ＳＡＷフィ
ルター１の中心周波数を測定し、中心周波数特性が異な
るものは圧電基板２上にＳｉＯ2 膜を付与、あるいはウ
ェハー全体（圧電基板２全体）の電極（パターン７）ま
たは圧電基板２における入力用、出力用の電極（パター
ン７）の間の部分をエッチングすることによって等価的
に電極膜厚を変えることにより中心周波数の微調整を行
っていた。この製造工程を模式的に示したのが図１１で
ある。
【０００６】また、従来のＳＡＷフィルターの製造方法
の他の例として、特開昭５９−９４９１０号公報に提案
されているように、ＳＡＷフィルターの電極を形成した
後に、Ａｇ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｎｉなどの金属あるいは非金
属の化合物を付加蒸着することによって中心周波数を微
調整しようとするものがある。さらに他の従来例とし
て、特開平７−９９４１８号公報に示すように、電磁
波、粒子線、蛍光Ｘ線などを用いて金属膜の単位面積当
たりの質量を測定し、その後、ＳＡＷフィルターの電極
（パターン）を形成し、次に中心周波数の確認を行うも
のがある。
の他の例として、特開昭５９−９４９１０号公報に提案
されているように、ＳＡＷフィルターの電極を形成した
後に、Ａｇ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｎｉなどの金属あるいは非金
属の化合物を付加蒸着することによって中心周波数を微
調整しようとするものがある。さらに他の従来例とし
て、特開平７−９９４１８号公報に示すように、電磁
波、粒子線、蛍光Ｘ線などを用いて金属膜の単位面積当
たりの質量を測定し、その後、ＳＡＷフィルターの電極
（パターン）を形成し、次に中心周波数の確認を行うも
のがある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図８〜図１
１に示される従来のＳＡＷフィルター１の製造方法で
は、パターン７を形成する必要があり、その膜厚がウェ
ハー上の位置により異なること及び作製する度にその膜
質が異なること等からウェハー内の各ＳＡＷフィルター
１のパターン７を均一な厚さで作製することは困難であ
り、これによりウェハー内の各ＳＡＷフィルター１の中
心周波数にずれを生じる。通常、ウェハー内で最大の膜
厚と最小の膜厚で約１０〜１２％の厚さの違いが生じ、
これによりＳＡＷフィルターの中心周波数も電極膜厚、
電極構造などにもよるがウェハー内で最大と最小の中心
周波数で０．１〜１％程度のずれを生じる。
１に示される従来のＳＡＷフィルター１の製造方法で
は、パターン７を形成する必要があり、その膜厚がウェ
ハー上の位置により異なること及び作製する度にその膜
質が異なること等からウェハー内の各ＳＡＷフィルター
１のパターン７を均一な厚さで作製することは困難であ
り、これによりウェハー内の各ＳＡＷフィルター１の中
心周波数にずれを生じる。通常、ウェハー内で最大の膜
厚と最小の膜厚で約１０〜１２％の厚さの違いが生じ、
これによりＳＡＷフィルターの中心周波数も電極膜厚、
電極構造などにもよるがウェハー内で最大と最小の中心
周波数で０．１〜１％程度のずれを生じる。
【０００８】そして、上述した中心周波数のずれは隣接
チャンネルとの重なりを招くことになり、このような隣
接チャンネルとの重なりを防止する等のために、その中
心周波数を精度高く微調整することが望まれている。こ
のことは、例えばＡＭＰＳ・ＰＤＣ用の狭帯域ＳＡＷフ
ィルターを考えた場合、次のような事情があることから
明らかである。すなわち、これらのＳＡＷフィルター
は、中心周波数（ｆ）が８０〜１３０ＭＨｚで、３ｄＢ
帯域幅がｆ±１３〜１９ｋＨｚ必要な上に、隣接チャン
ネルがｆ±５０〜１００ｋＨｚと非常に近い。従って、
中心周波数が１３０ＭＨｚの場合、中心周波数から隣接
チャンネル（ｆ±５０〜１００ｋＨｚ）までの周波数は
０．０３８５〜０．０７７％程度しか離れていない。こ
のため、中心周波数がウェハー内で０．１％以上も変化
して（ずれて）しまうと素子（ＳＡＷフィルター）によ
っては隣接チャンネルと重なる虞がある。このような隣
接チャンネルとの重なりを招かないようにする上で、上
述したように微調整の正確さが必要とされることにな
る。
チャンネルとの重なりを招くことになり、このような隣
接チャンネルとの重なりを防止する等のために、その中
心周波数を精度高く微調整することが望まれている。こ
のことは、例えばＡＭＰＳ・ＰＤＣ用の狭帯域ＳＡＷフ
ィルターを考えた場合、次のような事情があることから
明らかである。すなわち、これらのＳＡＷフィルター
は、中心周波数（ｆ）が８０〜１３０ＭＨｚで、３ｄＢ
帯域幅がｆ±１３〜１９ｋＨｚ必要な上に、隣接チャン
ネルがｆ±５０〜１００ｋＨｚと非常に近い。従って、
中心周波数が１３０ＭＨｚの場合、中心周波数から隣接
チャンネル（ｆ±５０〜１００ｋＨｚ）までの周波数は
０．０３８５〜０．０７７％程度しか離れていない。こ
のため、中心周波数がウェハー内で０．１％以上も変化
して（ずれて）しまうと素子（ＳＡＷフィルター）によ
っては隣接チャンネルと重なる虞がある。このような隣
接チャンネルとの重なりを招かないようにする上で、上
述したように微調整の正確さが必要とされることにな
る。
【０００９】しかしながら、図８〜図１１に示される製
造方法では、ＳｉＯ2 膜を付与して中心周波数を微調整
するが、この微調整を行うためにはウェハー状態で膜を
作製しなければならず、ＳｉＯ2 の膜厚に関しても、上
述した電極膜厚の問題（膜厚の均一化が困難であるこ
と）と同様の問題を惹起することとなり、膜全体を均一
に微調整することが困難である。また、この製造方法で
は、電極（パターン７）または基板２を、例えばＩＢＥ
（Ion Beam Etching）でエッチングすることにより中心
周波数を微調整するが、そのエッチングはウェハー状態
（複数のＳＡＷフィルター１に分割されていない状態）
で行わなければならず、ウェハー全体を均一に微調整す
ることは困難である。
造方法では、ＳｉＯ2 膜を付与して中心周波数を微調整
するが、この微調整を行うためにはウェハー状態で膜を
作製しなければならず、ＳｉＯ2 の膜厚に関しても、上
述した電極膜厚の問題（膜厚の均一化が困難であるこ
と）と同様の問題を惹起することとなり、膜全体を均一
に微調整することが困難である。また、この製造方法で
は、電極（パターン７）または基板２を、例えばＩＢＥ
（Ion Beam Etching）でエッチングすることにより中心
周波数を微調整するが、そのエッチングはウェハー状態
（複数のＳＡＷフィルター１に分割されていない状態）
で行わなければならず、ウェハー全体を均一に微調整す
ることは困難である。
【００１０】また、他の製造方法の例として、電極膜厚
の均一性が不十分なウェハーは電極膜を除去してウェハ
ーを再利用するという方法があるが、この方法では、毎
回、電極膜厚の均一性を確認し、均一性が不十分なウェ
ハーがあった場合は金属膜を除去しなければならないた
め手間がかかる。更に、ＳｉＯ2 の膜厚を付与したもの
やＩＢＥを行った基板２はウェハーを再利用することは
困難であり、検査に不合格の素子は廃棄しなければなら
ず、この製造方法は、非常に大きなロスを伴うという問
題があった。
の均一性が不十分なウェハーは電極膜を除去してウェハ
ーを再利用するという方法があるが、この方法では、毎
回、電極膜厚の均一性を確認し、均一性が不十分なウェ
ハーがあった場合は金属膜を除去しなければならないた
め手間がかかる。更に、ＳｉＯ2 の膜厚を付与したもの
やＩＢＥを行った基板２はウェハーを再利用することは
困難であり、検査に不合格の素子は廃棄しなければなら
ず、この製造方法は、非常に大きなロスを伴うという問
題があった。
【００１１】また、前記特開昭５９−９４９１０号公報
に提案されている製造方法では、ＳＡＷフィルターの電
極を形成した後に、Ａｇ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｎｉなどの金属
あるいは非金属の化合物を付加蒸着することによって中
心周波数を微調整するようにしているが、現実には基板
全体（ウェハー全体）を均一に微調整することは容易に
は行えない。また特開平７−９９４１８号公報に示され
る製造方法では、ＳＡＷフィルターの電極を形成する前
に、電磁波、粒子線、蛍光Ｘ線などを用いて金属膜の単
位面積当たりの質量を測定し、中心周波数の確認を行う
ようにしているが、この製造方法によって得られたＳＡ
Ｗフィルターでは、付与した電極膜の厚みのばらつきに
起因して中心周波数のばらつきを生じる。
に提案されている製造方法では、ＳＡＷフィルターの電
極を形成した後に、Ａｇ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｎｉなどの金属
あるいは非金属の化合物を付加蒸着することによって中
心周波数を微調整するようにしているが、現実には基板
全体（ウェハー全体）を均一に微調整することは容易に
は行えない。また特開平７−９９４１８号公報に示され
る製造方法では、ＳＡＷフィルターの電極を形成する前
に、電磁波、粒子線、蛍光Ｘ線などを用いて金属膜の単
位面積当たりの質量を測定し、中心周波数の確認を行う
ようにしているが、この製造方法によって得られたＳＡ
Ｗフィルターでは、付与した電極膜の厚みのばらつきに
起因して中心周波数のばらつきを生じる。
【００１２】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、ウェハー全体のＳＡＷフィルターの中心周波数を精
度よく微調整でき、かつ、ウェハーを再利用するという
手間をかけず、不合格品をできるだけ無くして製造上の
歩留まりを向上させることができるＳＡＷフィルターの
製造方法を提供することを目的とする。
で、ウェハー全体のＳＡＷフィルターの中心周波数を精
度よく微調整でき、かつ、ウェハーを再利用するという
手間をかけず、不合格品をできるだけ無くして製造上の
歩留まりを向上させることができるＳＡＷフィルターの
製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基板上に金属膜を形成し、該金属膜をエッチングす
ることにより複数のＳＡＷフィルターの電極パターンを
形成し、前記複数のＳＡＷフィルターを個々に分割する
ように前記基板を切断し、その後、前記各ＳＡＷフィル
ター毎にその電極パターンに基づく中心周波数確認を行
い、当該中心周波数確認により周波数ずれがあったＳＡ
Ｗフィルターに関して周波数ずれに応じてグループ分け
し、各グループ毎に中心周波数の調整を行うことを特徴
とする。請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の構
成において、中心周波数の調整をイオン交換法により行
うことを特徴とする。請求項３に記載の発明は、請求項
１に記載の構成において、中心周波数の調整をプロトン
交換法により行うことを特徴とする。
は、基板上に金属膜を形成し、該金属膜をエッチングす
ることにより複数のＳＡＷフィルターの電極パターンを
形成し、前記複数のＳＡＷフィルターを個々に分割する
ように前記基板を切断し、その後、前記各ＳＡＷフィル
ター毎にその電極パターンに基づく中心周波数確認を行
い、当該中心周波数確認により周波数ずれがあったＳＡ
Ｗフィルターに関して周波数ずれに応じてグループ分け
し、各グループ毎に中心周波数の調整を行うことを特徴
とする。請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の構
成において、中心周波数の調整をイオン交換法により行
うことを特徴とする。請求項３に記載の発明は、請求項
１に記載の構成において、中心周波数の調整をプロトン
交換法により行うことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態のＳ
ＡＷフィルターの製造方法を図１ないし図７に基づいて
説明する。まず、図１及び図２に示すように、ガラス製
の基板１０の上面に、Ａｌ等の導電体よりなる厚さ数千
オングストロームの金属膜６がスパッタにより形成され
る（ステップS1）。なお、基板１０はガラス製のものに
代えてＬｉＮｂＯ3 製、ＬｉＴａＯ3 製又はＬｉ2 Ｂ4
Ｏ7 製としてもよい。次に、金属膜６がある程度の膜厚
になるように、膜厚確認を行い（ステップS2）、ある程
度の精度の膜厚が形成されると、次のステップS3に進
む。
ＡＷフィルターの製造方法を図１ないし図７に基づいて
説明する。まず、図１及び図２に示すように、ガラス製
の基板１０の上面に、Ａｌ等の導電体よりなる厚さ数千
オングストロームの金属膜６がスパッタにより形成され
る（ステップS1）。なお、基板１０はガラス製のものに
代えてＬｉＮｂＯ3 製、ＬｉＴａＯ3 製又はＬｉ2 Ｂ4
Ｏ7 製としてもよい。次に、金属膜６がある程度の膜厚
になるように、膜厚確認を行い（ステップS2）、ある程
度の精度の膜厚が形成されると、次のステップS3に進
む。
【００１５】このように電極膜厚を管理する（ステップ
S2）のは次の理由に基づくものである。すなわち、金属
膜６の膜厚は成膜する度に一致するものとは限らないた
め、成膜する度にズレを生じる。したがって、膜厚を完
全に制御するのは困難であるため、膜厚を精密に管理す
るよりも最後に微調整を行った方が適切な中心周波数管
理が行えるが、微調整は時間がかかるため、この段階
（ステップS2）で、ある程度の膜厚になるように電極膜
厚を管理するようにしている。
S2）のは次の理由に基づくものである。すなわち、金属
膜６の膜厚は成膜する度に一致するものとは限らないた
め、成膜する度にズレを生じる。したがって、膜厚を完
全に制御するのは困難であるため、膜厚を精密に管理す
るよりも最後に微調整を行った方が適切な中心周波数管
理が行えるが、微調整は時間がかかるため、この段階
（ステップS2）で、ある程度の膜厚になるように電極膜
厚を管理するようにしている。
【００１６】ステップS2に続く前記ステップS3でエッチ
ング処理により電極パターン７を作製し、次に、その電
極パターン７をウェハー上で検査する（ステップS4）。
ステップS4の検査で電極パターン７が良好であることが
確認される（OKと判定される）とステップS5に進む一
方、電極パターン７が良好でないとされる（NOと判定さ
れる）とステップS6に進む。ステップS6では金属膜６の
除去を行いステップS1に戻る。
ング処理により電極パターン７を作製し、次に、その電
極パターン７をウェハー上で検査する（ステップS4）。
ステップS4の検査で電極パターン７が良好であることが
確認される（OKと判定される）とステップS5に進む一
方、電極パターン７が良好でないとされる（NOと判定さ
れる）とステップS6に進む。ステップS6では金属膜６の
除去を行いステップS1に戻る。
【００１７】ステップS5では、ウェハーが切断されて複
数のＳＡＷフィルター１（素子）に分割される。続い
て、分割された複数のＳＡＷフィルター１について個々
に中心周波数を測定し（ステップS7）、中心周波数がず
れていないものについては、ステップS8で図４に示すよ
うにパッケージ１５に取付ける（パッケージ１５への合
格品の取付けを行う）一方、中心周波数がずれているも
のについてはその周波数ずれの大きさに応じてグループ
分けする（ステップS9）。
数のＳＡＷフィルター１（素子）に分割される。続い
て、分割された複数のＳＡＷフィルター１について個々
に中心周波数を測定し（ステップS7）、中心周波数がず
れていないものについては、ステップS8で図４に示すよ
うにパッケージ１５に取付ける（パッケージ１５への合
格品の取付けを行う）一方、中心周波数がずれているも
のについてはその周波数ずれの大きさに応じてグループ
分けする（ステップS9）。
【００１８】ステップS9の処理により、グループ内のＳ
ＡＷフィルター１が一定量集まると、これらに対してイ
オン交換法を用いて中心周波数を微調整する（ステップ
S10）。この際、Ａｌ等の導電体は金属であるためイオ
ン交換（及び後述するプロトン交換）されることがな
く、安定な状態に維持される。ステップS10 で中心周波
数の微調整が行われたＳＡＷフィルター１に対して中心
周波数の確認が行われる（ステップS11 ）。
ＡＷフィルター１が一定量集まると、これらに対してイ
オン交換法を用いて中心周波数を微調整する（ステップ
S10）。この際、Ａｌ等の導電体は金属であるためイオ
ン交換（及び後述するプロトン交換）されることがな
く、安定な状態に維持される。ステップS10 で中心周波
数の微調整が行われたＳＡＷフィルター１に対して中心
周波数の確認が行われる（ステップS11 ）。
【００１９】ステップS11 において、中心周波数のずれ
がないことが確認される（OKと判定される）とステップ
S8の処理（パッケージ１５への合格品の取付け）が行わ
れる一方、中心周波数のずれがあると判定される（NOと
判定される）と前記ステップS10 に戻り、再度、イオン
交換が行われる。
がないことが確認される（OKと判定される）とステップ
S8の処理（パッケージ１５への合格品の取付け）が行わ
れる一方、中心周波数のずれがあると判定される（NOと
判定される）と前記ステップS10 に戻り、再度、イオン
交換が行われる。
【００２０】前記ステップS8に続いて、中心周波数の確
認が行われる（ステップS12 ）。ステップS12 で中心周
波数のずれがないことが確認される（OKと判定される）
と製品が完成される（ステップS13 ）一方、中心周波数
のずれがある（NOと判定される）とそのＳＡＷフィルタ
ー１は廃棄される（ステップS14 ）。
認が行われる（ステップS12 ）。ステップS12 で中心周
波数のずれがないことが確認される（OKと判定される）
と製品が完成される（ステップS13 ）一方、中心周波数
のずれがある（NOと判定される）とそのＳＡＷフィルタ
ー１は廃棄される（ステップS14 ）。
【００２１】ここで、前記ステップS10 でＳＡＷフィル
ター１に施されるイオン交換法について説明する。通
常、ガラス製の基板（基板１０）はＳｉＯ2 やＢ2 Ｏ3
などのガラス形成酸化物中にＮａ2 Ｏ，Ｋ2 Ｏ，ＣａＯ
等の添加酸化物が転在している構造を持っている。高温
中では、この添加酸化物はイオン化し、例えば、ＳｉＯ
2 の網目構造の中を動き回る。したがって、ガラスをあ
る温度以上に熱し、外部から別のイオンをガラス内部へ
拡散させ、内部のＮａ+ イオンなどと置き換えることが
できる。そうすると、ガラスの表面密度が変化すること
によって、後述するように密度（表面密度）と一定の対
応関係にあるＳＡＷ速度が変化することになる。したが
って、中心周波数を正確に微調整することができる。こ
の場合、ガラス製の基板（基板１０）に電界を印加する
と、イオンの拡散は促進される。
ター１に施されるイオン交換法について説明する。通
常、ガラス製の基板（基板１０）はＳｉＯ2 やＢ2 Ｏ3
などのガラス形成酸化物中にＮａ2 Ｏ，Ｋ2 Ｏ，ＣａＯ
等の添加酸化物が転在している構造を持っている。高温
中では、この添加酸化物はイオン化し、例えば、ＳｉＯ
2 の網目構造の中を動き回る。したがって、ガラスをあ
る温度以上に熱し、外部から別のイオンをガラス内部へ
拡散させ、内部のＮａ+ イオンなどと置き換えることが
できる。そうすると、ガラスの表面密度が変化すること
によって、後述するように密度（表面密度）と一定の対
応関係にあるＳＡＷ速度が変化することになる。したが
って、中心周波数を正確に微調整することができる。こ
の場合、ガラス製の基板（基板１０）に電界を印加する
と、イオンの拡散は促進される。
【００２２】そして、前記ステップS10 ではイオン交換
法により次のようにして中心周波数の微調整を行ってい
る。まず、図３に示すようなるつぼ１１の中に適当な一
価の金属イオン（Ａｇ+ ，Ｋ+ ，Ｔｌ+ など）を含む中
性塩１２を用意し、これを恒温槽１３の中に入れて融点
以上に加熱して、この中にガラス１４を一定時間浸す。
これによって、ガラス１４の表面近くでＮａ+ イオンが
一価の金属イオンに置換される。中性塩１２としてはＡ
ｇＮＯ3 （融点２０８℃）、ＫＮＯ3 （３３９℃）、Ｔ
ＩＮＯ3 （２３０℃）等を用いる。イオン源としている
ＡｇＮＯ3 、ＫＮＯ3 は、アルミナのるつぼ１１の中に
入れ、恒温槽１３中で溶融する。これらの溶融塩の中に
ガラス１４を浸す。イオン交換後、溶融塩中からガラス
製の基板１０を取り出し、十分に冷却してから水洗いす
れば、ガラス製の基板１０に付着して固まった塩を容易
に取り除くことができる。
法により次のようにして中心周波数の微調整を行ってい
る。まず、図３に示すようなるつぼ１１の中に適当な一
価の金属イオン（Ａｇ+ ，Ｋ+ ，Ｔｌ+ など）を含む中
性塩１２を用意し、これを恒温槽１３の中に入れて融点
以上に加熱して、この中にガラス１４を一定時間浸す。
これによって、ガラス１４の表面近くでＮａ+ イオンが
一価の金属イオンに置換される。中性塩１２としてはＡ
ｇＮＯ3 （融点２０８℃）、ＫＮＯ3 （３３９℃）、Ｔ
ＩＮＯ3 （２３０℃）等を用いる。イオン源としている
ＡｇＮＯ3 、ＫＮＯ3 は、アルミナのるつぼ１１の中に
入れ、恒温槽１３中で溶融する。これらの溶融塩の中に
ガラス１４を浸す。イオン交換後、溶融塩中からガラス
製の基板１０を取り出し、十分に冷却してから水洗いす
れば、ガラス製の基板１０に付着して固まった塩を容易
に取り除くことができる。
【００２３】密度（表面密度）とＳＡＷ速度とは次のよ
うな一定の対応関係にあり、イオン交換することにより
表面密度を調整することによりＳＡＷ速度ひいては中心
周波数を調整できることになる。ここでは、簡単な例と
してＳＨ波（horizontal shear waves）を例にして説明
する。例えば半無限圧電体では（例えば、六方晶系の圧
電結晶、または圧電セラミック板のｃ軸、または分極軸
が結晶表面に平行なとき）、粒子速度が波の伝搬方向に
垂直で、かつ表面に平行な成分だけを持つＳＨ波的な波
が存在する。
うな一定の対応関係にあり、イオン交換することにより
表面密度を調整することによりＳＡＷ速度ひいては中心
周波数を調整できることになる。ここでは、簡単な例と
してＳＨ波（horizontal shear waves）を例にして説明
する。例えば半無限圧電体では（例えば、六方晶系の圧
電結晶、または圧電セラミック板のｃ軸、または分極軸
が結晶表面に平行なとき）、粒子速度が波の伝搬方向に
垂直で、かつ表面に平行な成分だけを持つＳＨ波的な波
が存在する。
【００２４】この表面波の伝搬速度は、表面を電気的に
短絡した場合、次式（１）のように短絡時伝搬速度Ｖ
metallizedで示される。また、表面を電気的に解放した
場合、表面波の伝搬速度は、次式（２）のように開放時
伝搬速度Ｖfreeで示される。
短絡した場合、次式（１）のように短絡時伝搬速度Ｖ
metallizedで示される。また、表面を電気的に解放した
場合、表面波の伝搬速度は、次式（２）のように開放時
伝搬速度Ｖfreeで示される。
【数１】 なお、式（１）、（２）で、 ρ ：質量密度 ε0 ：真空の誘電率 εij S ：誘電率 ｅij ：圧電係数 ｃij E ：弾性率 Ｋ ：電気機械結合係数 を示す。
【００２５】式（１）または式（２）に示されるよう
に、表面の質量密度ρと表面波（ＳＡＷ）速度とは一定
の対応関係があり、上述したように表面の質量密度ρを
変えることによりＳＡＷの速度を変えること、ひいては
中心周波数を調整できることになる。
に、表面の質量密度ρと表面波（ＳＡＷ）速度とは一定
の対応関係があり、上述したように表面の質量密度ρを
変えることによりＳＡＷの速度を変えること、ひいては
中心周波数を調整できることになる。
【００２６】上述したように、本実施の形態では、基板
１０の上面に金属膜６を形成し（ステップS1）、エッチ
ング処理により電極パターン７を作製し（ステップS
3）、基板１０を切断して（ステップS5）、複数のＳＡ
Ｗフィルター１を個々に分割し、その後、前記各ＳＡＷ
フィルター１毎にその電極パターン７に基づく中心周波
数確認を行い（ステップS7）、ステップS7の中心周波数
確認により周波数ずれがあったＳＡＷフィルター１に関
して周波数ずれに応じてグループ分けし（ステップS
9）、各グループ毎にその周波数ずれの大きさに応じて
イオン交換法により中心周波数の微調整を行い（ステッ
プS10 ）、その後、ステップS10 で中心周波数の微調整
が行われたＳＡＷフィルター１に対して中心周波数の確
認が行われ（ステップS11 ）、ステップS11 で検査対象
となったＳＡＷフィルター１のうち合格品となったもの
がパッケージ１５に取り付けられ、この後、ステップS1
2 で中心周波数のずれがないことが確認されて製品が完
成される（ステップS13 ）。
１０の上面に金属膜６を形成し（ステップS1）、エッチ
ング処理により電極パターン７を作製し（ステップS
3）、基板１０を切断して（ステップS5）、複数のＳＡ
Ｗフィルター１を個々に分割し、その後、前記各ＳＡＷ
フィルター１毎にその電極パターン７に基づく中心周波
数確認を行い（ステップS7）、ステップS7の中心周波数
確認により周波数ずれがあったＳＡＷフィルター１に関
して周波数ずれに応じてグループ分けし（ステップS
9）、各グループ毎にその周波数ずれの大きさに応じて
イオン交換法により中心周波数の微調整を行い（ステッ
プS10 ）、その後、ステップS10 で中心周波数の微調整
が行われたＳＡＷフィルター１に対して中心周波数の確
認が行われ（ステップS11 ）、ステップS11 で検査対象
となったＳＡＷフィルター１のうち合格品となったもの
がパッケージ１５に取り付けられ、この後、ステップS1
2 で中心周波数のずれがないことが確認されて製品が完
成される（ステップS13 ）。
【００２７】そして、ウェハーを切断して複数のＳＡＷ
フィルター１を得た後に、中心周波数のずれの大きさに
応じてＳＡＷフィルター１（素子）をグループ分けし、
全てのＳＡＷフィルター１についてその中心周波数をほ
ぼ個別に調整することが可能となるため、廃棄する基板
２が少なくて済む（すなわち、ロスを必要最小限に抑え
ることができる）。すなわち、ウェハー状態で中心周波
数の微調整を行う従来技術に比して、ＳＡＷフィルター
１がほぼ個別に微調整されることにより、精度高く微調
整を行うことが可能であり、その分、ロスが少なくなる
（歩留りの向上を図ることができる）。
フィルター１を得た後に、中心周波数のずれの大きさに
応じてＳＡＷフィルター１（素子）をグループ分けし、
全てのＳＡＷフィルター１についてその中心周波数をほ
ぼ個別に調整することが可能となるため、廃棄する基板
２が少なくて済む（すなわち、ロスを必要最小限に抑え
ることができる）。すなわち、ウェハー状態で中心周波
数の微調整を行う従来技術に比して、ＳＡＷフィルター
１がほぼ個別に微調整されることにより、精度高く微調
整を行うことが可能であり、その分、ロスが少なくなる
（歩留りの向上を図ることができる）。
【００２８】また、ウェハーを切断して複数のＳＡＷフ
ィルター１を得た後に、中心周波数のずれの大きさに応
じてＳＡＷフィルター１（素子）をグループ分けし、グ
ループ毎に中心周波数の微調整を行うので、中心周波数
のずれの大きさにかかわらずに一括して微調整する場合
に比して、各ＳＡＷフィルター１が均等に微調整され
（すなわち、ばらつきが少なくなり）、微調整の精度向
上及び迅速化を図ることができる。また、ＳＡＷフィル
ター１の中心周波数をほぼ個別に微調整できるので、ウ
ェハー全体を広範囲に有効利用できることになり、この
分、有効面積が広がることになる。
ィルター１を得た後に、中心周波数のずれの大きさに応
じてＳＡＷフィルター１（素子）をグループ分けし、グ
ループ毎に中心周波数の微調整を行うので、中心周波数
のずれの大きさにかかわらずに一括して微調整する場合
に比して、各ＳＡＷフィルター１が均等に微調整され
（すなわち、ばらつきが少なくなり）、微調整の精度向
上及び迅速化を図ることができる。また、ＳＡＷフィル
ター１の中心周波数をほぼ個別に微調整できるので、ウ
ェハー全体を広範囲に有効利用できることになり、この
分、有効面積が広がることになる。
【００２９】上記実施の形態では、ステップS11 におい
て中心周波数のずれがあると判定される（NOと判定され
る）とステップS10 に戻り、再度、イオン交換（微調
整）が行われるので、一旦は不合格品となったものも再
度イオン交換（微調整）する（ステップS10 ）ことによ
り合格品とすることが可能であり、この分、不合格品が
少なくなり、ロスを少なくできる。なお、金属膜６の膜
厚がある程度以上あり、中心周波数が大きくずれていな
ければ、上述したようにイオン交換することにより、合
格品とすることが可能であるので、従来技術で行うよう
な金属膜６の除去による基板１０の再利用を行わずにロ
スの低減を図ることができるので、金属膜６の除去作業
を廃止でき、ひいては生産性を向上できる。
て中心周波数のずれがあると判定される（NOと判定され
る）とステップS10 に戻り、再度、イオン交換（微調
整）が行われるので、一旦は不合格品となったものも再
度イオン交換（微調整）する（ステップS10 ）ことによ
り合格品とすることが可能であり、この分、不合格品が
少なくなり、ロスを少なくできる。なお、金属膜６の膜
厚がある程度以上あり、中心周波数が大きくずれていな
ければ、上述したようにイオン交換することにより、合
格品とすることが可能であるので、従来技術で行うよう
な金属膜６の除去による基板１０の再利用を行わずにロ
スの低減を図ることができるので、金属膜６の除去作業
を廃止でき、ひいては生産性を向上できる。
【００３０】上記実施の形態では、ステップS10 におけ
る中心周波数の微調整をイオン交換法により行う場合を
例にしたが、これに代えてプロトン交換法により行うよ
うに構成してもよい。ここで、プロトン交換法について
説明する。通常、安息香酸（Ｃ6 Ｈ5 ＣＯＯＨ）やＨ3
ＰＯ4 を用意し、これを融点以上に加熱してこの中にＬ
ｉＮｂＯ3 製やＬｉＴａＯ3 製のような圧電性部材から
なる基板を一定時間浸すことによって、Ｌｉ+ ←→Ｈ+
（「←→」は双方向変化を示すために便宜上用いた記号
である。）の交換がおこり、結晶表面にＨx Ｌｉ1- x Ｎ
ｂＯ3 なる層を得る。そうすると、基板の表面密度が変
化することによってＳＡＷ速度が変化することになる。
したがって、中心周波数を微調整することができる。
る中心周波数の微調整をイオン交換法により行う場合を
例にしたが、これに代えてプロトン交換法により行うよ
うに構成してもよい。ここで、プロトン交換法について
説明する。通常、安息香酸（Ｃ6 Ｈ5 ＣＯＯＨ）やＨ3
ＰＯ4 を用意し、これを融点以上に加熱してこの中にＬ
ｉＮｂＯ3 製やＬｉＴａＯ3 製のような圧電性部材から
なる基板を一定時間浸すことによって、Ｌｉ+ ←→Ｈ+
（「←→」は双方向変化を示すために便宜上用いた記号
である。）の交換がおこり、結晶表面にＨx Ｌｉ1- x Ｎ
ｂＯ3 なる層を得る。そうすると、基板の表面密度が変
化することによってＳＡＷ速度が変化することになる。
したがって、中心周波数を微調整することができる。
【００３１】そして、ステップS10 においてプロトン交
換法により次のようにして中心周波数の微調整を行う。
まず、るつぼ等に安息香酸とＬｉＮｂＯ3 やＬｉＴａＯ
3 等の結晶を入れ、これを恒温槽にいれ、融点以上に加
熱してＬｉＮｂＯ3 製又はＬｉＴａＯ3 製の基板を一定
時間浸してプロトン交換を行う。そして、ある時間プロ
トン交換を行った後、恒温槽からるつぼを取り出す。冷
却後、エチルアルコールにるつぼを浸し、安息香酸を溶
かす。プロトン交換後、結晶を大気中でアニールすると
結晶は安定する。
換法により次のようにして中心周波数の微調整を行う。
まず、るつぼ等に安息香酸とＬｉＮｂＯ3 やＬｉＴａＯ
3 等の結晶を入れ、これを恒温槽にいれ、融点以上に加
熱してＬｉＮｂＯ3 製又はＬｉＴａＯ3 製の基板を一定
時間浸してプロトン交換を行う。そして、ある時間プロ
トン交換を行った後、恒温槽からるつぼを取り出す。冷
却後、エチルアルコールにるつぼを浸し、安息香酸を溶
かす。プロトン交換後、結晶を大気中でアニールすると
結晶は安定する。
【００３２】ＬｉＮｂＯ3 製またはＬｉＴａＯ3 製の基
板に対してプロトン交換することにより例えば図５及び
図６に示すようなデータが得られ、これにより、プロト
ン交換層の厚さとＳＡＷ速度との間には一定の対応関係
（略比例する関係）があることが分かる。図５は１２８
°ＬｉＮｂＯ3 製の基板をＨ3 ＰＯ4 でプロトン交換し
た時のＳＡＷの速度変化を示す（Jpn.J.Appl.Phys.Vo13
2(1993)pp2359-2361に記載）。また、図６は、３６°Ｌ
ｉＴａＯ3 製の基板をＣ6 Ｈ5 ＣＯＯＨでプロトン交換
した時のＳＡＷの速度変化を示す（Jpn.J.Appl.Phys.Vo
136(1997)pp3064-3067に記載）。図５及び図６で横軸の
ｋｄ（ｋ：ＳＡＷの波数、ｄ：プロトン交換した層の厚
さ）は、プロトン層の厚さを電極波長で割った値で、正
規化したプロトン交換層の厚さとなる。このｋｄの値が
１に近づくほどプロトン交換層の厚さとＳＡＷの波長は
等しくなる。縦軸はＳＡＷ速度ＶP （Phase Velocity）
である。よって、プロトン交換層の厚さとＳＡＷ速度は
ほぼ比例しており、これにより中心周波数を正確に微調
整できる。
板に対してプロトン交換することにより例えば図５及び
図６に示すようなデータが得られ、これにより、プロト
ン交換層の厚さとＳＡＷ速度との間には一定の対応関係
（略比例する関係）があることが分かる。図５は１２８
°ＬｉＮｂＯ3 製の基板をＨ3 ＰＯ4 でプロトン交換し
た時のＳＡＷの速度変化を示す（Jpn.J.Appl.Phys.Vo13
2(1993)pp2359-2361に記載）。また、図６は、３６°Ｌ
ｉＴａＯ3 製の基板をＣ6 Ｈ5 ＣＯＯＨでプロトン交換
した時のＳＡＷの速度変化を示す（Jpn.J.Appl.Phys.Vo
136(1997)pp3064-3067に記載）。図５及び図６で横軸の
ｋｄ（ｋ：ＳＡＷの波数、ｄ：プロトン交換した層の厚
さ）は、プロトン層の厚さを電極波長で割った値で、正
規化したプロトン交換層の厚さとなる。このｋｄの値が
１に近づくほどプロトン交換層の厚さとＳＡＷの波長は
等しくなる。縦軸はＳＡＷ速度ＶP （Phase Velocity）
である。よって、プロトン交換層の厚さとＳＡＷ速度は
ほぼ比例しており、これにより中心周波数を正確に微調
整できる。
【００３３】なお、イオン交換法を用いた上記実施の形
態は、上述したように、一旦は不合格品となったものも
再度イオン交換する（ステップS10 ）ことにより合格品
とすることが可能であり、この分、ロスを少なくできる
ものであるが、このことは、プロトン交換法を用いた場
合にも言えることである。また、上述したイオン交換法
の場合と同様に、プロトン交換法を用いた場合にも、従
来技術で行うような、金属膜の除去による基板の再利用
を行わずにロスの低減を図ることができるので、金属膜
の除去作業を廃止でき、ひいては生産性を向上できる。
態は、上述したように、一旦は不合格品となったものも
再度イオン交換する（ステップS10 ）ことにより合格品
とすることが可能であり、この分、ロスを少なくできる
ものであるが、このことは、プロトン交換法を用いた場
合にも言えることである。また、上述したイオン交換法
の場合と同様に、プロトン交換法を用いた場合にも、従
来技術で行うような、金属膜の除去による基板の再利用
を行わずにロスの低減を図ることができるので、金属膜
の除去作業を廃止でき、ひいては生産性を向上できる。
【００３４】
【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、基板上
に金属膜を形成し、該金属膜をエッチングすることによ
り複数のＳＡＷフィルターの電極パターンを形成し、前
記複数のＳＡＷフィルターを個々に分割するように前記
基板を切断し、その後、前記各ＳＡＷフィルター毎にそ
の電極パターンに基づく中心周波数確認を行い、当該中
心周波数確認により周波数ずれがあったＳＡＷフィルタ
ーに関して周波数ずれに応じてグループ分けし、各グル
ープ毎に中心周波数の調整を行っており、ＳＡＷフィル
ターの中心周波数がほぼ個別に微調整されることにな
り、精度高く微調整を行うことが可能であり、その分、
ロスが少なくなる（歩留りの向上を図ることができ
る）。また、グループ毎に中心周波数の微調整を行うの
で、中心周波数のずれの大きさにかかわらずに一括して
微調整する場合に比して、各ＳＡＷフィルターが均等に
微調整され（すなわち、ばらつきが少なくなり）、微調
整の精度向上及び迅速化を図ることができる。また、Ｓ
ＡＷフィルターの中心周波数をほぼ個別に微調整できる
ので、ウェハー全体を広範囲に有効利用できることにな
り、この分、有効面積が広がることになる。請求項２ま
たは請求項３に記載の発明によれば、ＳＡＷフィルター
の中心周波数の確認で一旦は不合格品となったものも再
度イオン交換法またはプロトン交換法を行うことにより
合格品とすることが可能であり、この分、ロスを少なく
できる。
に金属膜を形成し、該金属膜をエッチングすることによ
り複数のＳＡＷフィルターの電極パターンを形成し、前
記複数のＳＡＷフィルターを個々に分割するように前記
基板を切断し、その後、前記各ＳＡＷフィルター毎にそ
の電極パターンに基づく中心周波数確認を行い、当該中
心周波数確認により周波数ずれがあったＳＡＷフィルタ
ーに関して周波数ずれに応じてグループ分けし、各グル
ープ毎に中心周波数の調整を行っており、ＳＡＷフィル
ターの中心周波数がほぼ個別に微調整されることにな
り、精度高く微調整を行うことが可能であり、その分、
ロスが少なくなる（歩留りの向上を図ることができ
る）。また、グループ毎に中心周波数の微調整を行うの
で、中心周波数のずれの大きさにかかわらずに一括して
微調整する場合に比して、各ＳＡＷフィルターが均等に
微調整され（すなわち、ばらつきが少なくなり）、微調
整の精度向上及び迅速化を図ることができる。また、Ｓ
ＡＷフィルターの中心周波数をほぼ個別に微調整できる
ので、ウェハー全体を広範囲に有効利用できることにな
り、この分、有効面積が広がることになる。請求項２ま
たは請求項３に記載の発明によれば、ＳＡＷフィルター
の中心周波数の確認で一旦は不合格品となったものも再
度イオン交換法またはプロトン交換法を行うことにより
合格品とすることが可能であり、この分、ロスを少なく
できる。
【図１】本発明の一実施の形態のＳＡＷフィルターの製
造方法を示すフローチャートである。
造方法を示すフローチャートである。
【図２】図１の製造方法が適用される基板を示す断面図
である。
である。
【図３】図１の製造方法における一工程を説明するため
の断面図である。
の断面図である。
【図４】パッケージに入れたＳＡＷフィルターを示す断
面図である。
面図である。
【図５】１２８°ＬｉＮｂＯ3 製の基板をＨ3 ＰＯ4 で
プロトン交換した時のＳＡＷの速度変化を示す図であ
る。
プロトン交換した時のＳＡＷの速度変化を示す図であ
る。
【図６】３６°ＬｉＴａＯ3 製の基板をＣ6 Ｈ5 ＣＯＯ
Ｈでプロトン交換した時のＳＡＷの速度変化を示す図で
ある。
Ｈでプロトン交換した時のＳＡＷの速度変化を示す図で
ある。
【図７】ＳＡＷフィルターを模式的に示す平面図であ
る。
る。
【図８】電極膜成膜後の基板を示す断面図である。
【図９】フォトエッチング後の基板を示す断面図であ
る。
る。
【図１０】ＳＡＷフィルターの中心周波数の測定方法の
一例を模式的に示す図である。
一例を模式的に示す図である。
【図１１】ＳＡＷフィルターの製造方法の従来の一例を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
１ ＳＡＷフィルター ２ 基板 ６ 金属膜 ７ 電極パターン
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に金属膜を形成し、該金属膜をエ
ッチングすることにより複数のＳＡＷフィルターの電極
パターンを形成し、前記複数のＳＡＷフィルターを個々
に分割するように前記基板を切断し、その後、前記各Ｓ
ＡＷフィルター毎にその電極パターンに基づく中心周波
数確認を行い、当該中心周波数確認により周波数ずれが
あったＳＡＷフィルターに関して周波数ずれに応じてグ
ループ分けし、各グループ毎に中心周波数の調整を行う
ことを特徴とするＳＡＷフィルターの製造方法。 - 【請求項２】 中心周波数の調整をイオン交換法により
行うことを特徴とする請求項１に記載のＳＡＷフィルタ
ーの製造方法。 - 【請求項３】 中心周波数の調整をプロトン交換法によ
り行うことを特徴とする請求項１に記載のＳＡＷフィル
ターの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32851399A JP2001148617A (ja) | 1999-11-18 | 1999-11-18 | Ｓａｗフィルターの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32851399A JP2001148617A (ja) | 1999-11-18 | 1999-11-18 | Ｓａｗフィルターの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001148617A true JP2001148617A (ja) | 2001-05-29 |
Family
ID=18211127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32851399A Pending JP2001148617A (ja) | 1999-11-18 | 1999-11-18 | Ｓａｗフィルターの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001148617A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007535275A (ja) * | 2004-04-28 | 2007-11-29 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | Ｍｅｍ共振器の周波数を調整するための方法 |
| CN102412802A (zh) * | 2011-11-24 | 2012-04-11 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 基片级声表面波器件的频率修正方法 |
| JP2018042209A (ja) * | 2016-09-09 | 2018-03-15 | 株式会社ディスコ | 表面弾性波デバイスチップの製造方法 |
-
1999
- 1999-11-18 JP JP32851399A patent/JP2001148617A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007535275A (ja) * | 2004-04-28 | 2007-11-29 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | Ｍｅｍ共振器の周波数を調整するための方法 |
| CN102412802A (zh) * | 2011-11-24 | 2012-04-11 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 基片级声表面波器件的频率修正方法 |
| JP2018042209A (ja) * | 2016-09-09 | 2018-03-15 | 株式会社ディスコ | 表面弾性波デバイスチップの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9209779B2 (en) | Heterogenous acoustic structure formed from a homogeneous material | |
| TWI762832B (zh) | 聲表面波器件 | |
| US7019604B2 (en) | Piezoelectric filter, duplexer, composite piezoelectric resonator, communication device and method for adjusting frequency of piezoelectric filter | |
| US7170215B2 (en) | Electronic component and method for manufacturing the same | |
| US6856218B2 (en) | Surface acoustic wave device and communications apparatus using the same | |
| JP2007300287A (ja) | 弾性表面波素子および弾性表面波デバイス並びに電子機器 | |
| EP1720251B1 (en) | Surface acoustic wave element, method of manufacturing the same and surface acoustic wave device | |
| JPH10133159A (ja) | 光導波路デバイス、進行波形光変調器および光導波路デバイスの製造方法 | |
| JP6025850B2 (ja) | 微細加工された垂直構造上に形成された周期的強誘電分極を有する電気−音響トランスデューサ | |
| JP5036215B2 (ja) | 圧電薄膜共振子及び圧電薄膜共振子の共振周波数の調整方法 | |
| JP2005130218A (ja) | 水晶片形成方法および水晶片 | |
| JPH07263998A (ja) | 端面反射型表面波共振子 | |
| EP1041716B1 (en) | Surface acoustic wave device | |
| JP2001148617A (ja) | Ｓａｗフィルターの製造方法 | |
| DE10202856A1 (de) | Oberflächenakustikwellenvorrichtung | |
| JPH02295211A (ja) | エネルギー閉じ込め型弾性表面波素子 | |
| JP2007036670A (ja) | 弾性表面波素子の製造方法、及び弾性表面波素子 | |
| US6621194B1 (en) | Piezoelectric element having thickness shear vibration and mobile communication device using the same | |
| JPH04294622A (ja) | 圧電素子の製造方法 | |
| EP0141487B1 (en) | Method of manufacturing surface acoustic wave device | |
| JPS5829648B2 (ja) | 音叉形水晶振動子の固有周波数調整方法 | |
| JP3733020B2 (ja) | 圧電素子およびそれを用いた移動体通信装置 | |
| WO2024027033A1 (en) | Acoustic resonator | |
| JP3140759B2 (ja) | 弾性表面波素子の製造方法 | |
| JPS61236207A (ja) | 弾性表面波共振子の製造方法 |