JP2010166201A - Memsデバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】MEMSデバイスの動作精度を向上させる。
【解決手段】本発明のMEMSデバイスは、基板10と、該基板10上に形成されたMEMS構造体20とを具備し、該MEMS構造体20は、前記基板10上に形成された支持部22Sと、該支持部から延設されて前記基板10上で動作可能に構成された可動部22Mと、を備えた動作部構造22を有し、該動作部構造22は、前記可動部22Mに前記動作部構造22の前記支持部から前記可動部へ向かう方向と直交する断面の断面積が前記可動領域の断面積より小さい断面極小部22Bを有し、該断面極小部は、平面パターン20Uに設けられた境界パターン形状22vにより形成されることを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】本発明のMEMSデバイスは、基板10と、該基板10上に形成されたMEMS構造体20とを具備し、該MEMS構造体20は、前記基板10上に形成された支持部22Sと、該支持部から延設されて前記基板10上で動作可能に構成された可動部22Mと、を備えた動作部構造22を有し、該動作部構造22は、前記可動部22Mに前記動作部構造22の前記支持部から前記可動部へ向かう方向と直交する断面の断面積が前記可動領域の断面積より小さい断面極小部22Bを有し、該断面極小部は、平面パターン20Uに設けられた境界パターン形状22vにより形成されることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明はMEMSデバイス及びその製造方法に係り、特に、MEMS振動子の周波数精度を高める場合に好適な構造及び製造工程に関する。
MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)は微小構造体形成技術の一つで、例えばミクロンオーダー等の微細な電子機械システムを作る技術やその製品のことを言う。半導体チップはシリコン基板上にシリコン、酸化膜、金属等の薄膜を積み重ねて電子回路を作ることから、その回路構造は通常は平面的なパターンで構成されるが、MEMSで上記半導体チップの製造技術、すなわち半導体製造技術を用いる場合には、基板上に薄膜を形成し、この薄膜をエッチングにより部分的に基板より分離することによって、ミクロンサイズの板ばね、鏡、回転軸などを形成するので、MEMS構造体は立体的な構造を有し、少なくとも一部には可動部を備えたものとされる。
MEMSが注目されている分野として携帯電話機などを構成するための通信技術の分野がある。携帯電話機にはLSIの他にフィルタ、アンテナ・スイッチ、送受信スイッチなど多くの部品が組み込まれている。Bluetoothや無線LANを利用するマルチバンド化が進めば、アンテナの切り替えスイッチやバンド切り替えスイッチなどの受動部品が増えるので、小型化、省消費電力化を進めるためには上記の部品を一つの半導体チップに収めて部品点数を減らすことが最も効率の良い対策となる。この対策では、配線が短くなり、MEMS部品がメカニカルに動作することからノイズに強く低損失化などの性能向上も見込めるという利点もある。また、半導体を用いることでLSIと一体化させるなど、従来の既存の構成部品と合体させることも可能になる。特に、MEMS振動子では一体化により個別部品に比べて10倍以上損失が小さいフィルタを実現することができる。このようなMEMS振動子の一例としては、たとえば以下の特許文献1及び2に開示されているものがある。
MEMSデバイスでは、たとえば、固定電極と可動電極とが間隔を介して対向し、両電極間に働く静電力によって可動電極の可動部が動作するように構成される場合がある。このとき、MEMSデバイスの可動部の動作特性は、固定電極と可動電極の機械的構造と当該構造を構成する材料の弾性定数によって決定される。
特表2007−535275号公報
特表2007−533186号公報
しかしながら、従来のMEMSデバイスでは、前述のように動作特性が構造寸法によって定まるので、製造時に生ずる構造寸法のばらつきによって動作特性がばらつき、十分なデバイス精度が得られない場合がある。たとえば、MEMS振動子では周波数精度が高いほど振動子としての特性はよいとされるが、構造寸法の精度限界により、MEMS振動子の周波数特性を従来の水晶振動子の周波数精度(数ppm程度)に対応する精度で形成することは一般に困難である。
そこで本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、MEMSデバイスの動作精度を向上させることのできる構造及びその製造方法を提供することにある。
斯かる実情に鑑み、本発明のMEMSデバイスは、基板と、該基板上に形成されたMEMS構造体とを具備し、該MEMS構造体は、前記基板上に形成された支持部と、該支持部から延設されて前記基板上で動作可能に構成された可動部と、を備えた動作部構造を有し、該動作部構造は、前記可動部に、前記動作部構造の前記支持部から前記可動部へ向かう方向と直交する断面の断面積が前記可動領域の断面積より小さい断面極小部を有し、該断面極小部は、前記動作部構造の平面パターンに設けられた境界パターン形状により形成されることを特徴とする。
本発明によれば、動作部構造の可動部に、動作部構造の平面パターンに設けられた境界パターン形状により形成される断面極小部を設けることにより、その断面極小部の剛性がその両側よりも低下することとなるため、可動部の動作特性に対する断面極小部より支持部側の構造による影響が小さくなる。そして、上記断面極小部は境界パターン形状によって剛性が低下したものとされているので、動作部構造の可動部における境界パターン形状の平面パターン上のパターン精度で動作特性へ大きな影響を与える構造寸法が規定される。したがって、上記パターン精度以外の構造寸法の誤差やばらつき、たとえばパターンずれによる動作部構造の張り出し長さの誤差やばらつき、に起因する動作特性への影響を低減することができるため、MEMSデバイスの動作精度を高めることが可能になる。
たとえば、MEMS振動子の場合には、可動部を振動させた場合に上記断面極小部が振動の節となり、これによって、可動部の平面形状による影響が大きくなり、断面極小部より支持部側の構造による影響が低減されるので、周波数精度を高めることができる。
本発明の一の態様においては、前記境界パターン形状は、前記動作部構造の側縁に形成された切り込みにより構成される。動作部構造の側縁、すなわち、支持部から可動部へと伸びる動作部構造の縁部に設けられた切り込みで境界パターン形状が構成されることにより、平面パターンの外縁形状を変えるだけで断面極小部の剛性を容易に低下させることができる。
この場合にはさらに、前記切り込みは前記動作部構造の両側縁にそれぞれ形成されることが好ましい。切り込みを動作部構造の両側縁にそれぞれ形成することにより、断面極小部の剛性をさらに低下させることができる。
本発明の他の態様においては、前記動作部構造は、前記可動部が前記支持部により片持ち支持されてなる片持ち梁状に構成されることが好ましい。可動部は支持部により動作可能な状態で支持されていれば足りるため、本発明では、可動部を両側から支持部が支持する構造とされていても構わないが、支持部が可動部を片持ち梁状に支持することにより、動作部構造を簡易に構成することができるため、設計や製造が容易になり、製造コストも低減できる。
本発明の別の態様においては、前記支持部は前記可動部より広幅に構成される。支持部を可動部より広幅に構成することにより、可動部に対する支持部の剛性が高まるので、可動部以外の構造によるMEMSデバイスの動作特性への影響をさらに低減できる。たとえば、MEMS振動子では、可動部の振動の節が断面極小部に確実かつ正確に生じるようになるため、共振周波数の変動を低減することができる。
また、上記構成では支持部の幅を可動部の幅より大きくすることで、単に剛性が高められるだけでなく、構造の意図しないねじれ等を防止し、可動部の本来の動作態様以外の動作態様を抑制できるなど、動作態様の安定性を高めることができる。
本発明の或る態様においては、前記動作部構造は、前記基板上に固定された固定電極と、該固定電極上に間隙を介して対向する少なくとも前記可動部を含む可動電極とを有し、前記固定電極と前記可動電極の間の静電力により前記可動部が前記間隙を増減させる態様で動作する。このような構成は、静電振動子、静電スイッチ、静電アクチュエータなどに用いることができる。
上記各発明において、前記MEMS構造体は、前記可動部が振動する振動子を構成するMEMS振動子であることが好ましい。これによれば、断面極小部に振動の節が生じることで、周波数特性のばらつきを低減し、周波数精度を高めることができる。
次に、本発明のMEMSデバイスの製造方法は、基板上にMEMS構造体を形成する工程を具備し、該MEMS構造体は、前記基板上に形成された支持部と、該支持部から延設されて前記基板上で動作可能に構成された可動部と、を備えた動作部構造を有するMEMSデバイスの製造方法であって、前記MEMS構造体を形成する工程では、前記基板上に犠牲層を形成する段階と、該犠牲層上に前記可動部を配置してなる前記動作部構造を形成する段階と、前記犠牲層を除去する段階とが順次に実施され、前記動作部構造を形成する段階では、前記可動部に、前記動作部構造の前記支持部から前記可動部へ向かう方向と直交する断面の断面積が前記可動領域の断面積より小さい断面極小部が、当該動作部構造を構成する平面パターンに境界パターン形状を設けることにより形成されることを特徴とする。
この発明によれば、断面極小部の剛性が低下するので、可動部と境界パターン形状との間のパターン精度以外の構造寸法の精度やばらつきによる動作特性への影響を低減できるため、MEMSデバイスの動作精度を向上させることができるとともに、動作部構造を構成する平面パターンに境界パターン形状を設けることで断面極小部の剛性を低下させるようにしていることにより、単にパターニング形状を変えるだけで製造できるため、製造プロセスの複雑化や製造コストの増大を招くことなく対応することが可能になる。
本発明の一の態様においては、前記可動部の平面形状と前記境界パターン形状とが同一のパターニング処理によって形成される。これによれば、断面極小部から先の可動部の構造寸法を高精度に形成できるので、動作精度をさらに向上させることができる。この場合に、前記可動部の平面形状、前記境界パターン形状、及び、前記支持部の平面形状が同一のパターニング処理によって形成されることがさらに望ましい。可動部や境界領域だけでなく支持部の平面形状についても同一のパターニング処理によって形成されることで、可動部に近い支持部をも含め動作部構造の平面形状の再現性をさらに高めることができるので、動作精度を向上させる上で有利である。
本発明のMEMSデバイス及びその製造方法によれば、MEMSデバイスの動作精度を向上させることができ、また、製造プロセスの複雑化や製造コストの増大を回避できるという優れた効果を奏し得る。
次に、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。まず、図1及び図9乃至図12を参照して本発明のMEMSデバイス及びその製造方法について説明する。図1は本実施形態のMEMSデバイスの概略平面図(a)及び概略縦断面図(b)、図9乃至図12は、それぞれ本実施形態のMEMSデバイスの製造方法の各工程を模式的に示す概略平面図(a)及び概略工程断面図(b)である。なお、以下に説明するMEMSデバイスはMEMS振動子であるが、後述するように、本発明はMEMS振動子に限定されるものではない。
図1に示すように、本実施形態は、単結晶シリコン等の半導体等からなる基板(ウエハ)10を基体とし、この基板10上にMEMS構造体20を形成してなるMEMSデバイスである。ただし、基板10は半導体に限らず、ガラス、セラミックス、樹脂などの種々の素材で構成されたものを用いることが可能である。
図9に示すように、基板10の表面上には必要に応じて酸化シリコン等よりなる絶縁膜11が形成され、基板10との絶縁が確保される。もっとも、基板10がガラス、セラミックス、樹脂、低ドーピングの半導体などの絶縁性の高い素材で構成されている場合、あるいは、表面に絶縁膜を形成済みの基板(例えばSOI基板など)を用いる場合には当該絶縁膜11は不要である。
また、基板10の表面上には後述するリリースエッチング等のエッチング工程に耐性を有する下地層12が形成される。一般的なシリコンをベースとした半導体製造技術を用いる場合には、下地層12はCVD法などで形成される窒化シリコン膜で構成される。この下地層12は上記エッチング工程において必要とされる範囲に限定的に形成されることが好ましい。
次に、図10に示すように、基板10上には、所定のパターニングにより導電体よりなる下層パターン20Lが形成され、固定電極(及び、必要な場合にはその配線部)として機能しうる下側構造部21と、この下側構造部21と離間して絶縁された下側支持部22SLとが形成される。また、この下側構造部21上には酸化シリコン等よりなる犠牲層23が形成される。図示例では犠牲層23は下側構造部21全体を被覆した状態に形成されている。これが上記の基板上に犠牲層を形成する段階である。この場合、犠牲層23はCVD法やスパッタリング法などで成膜することにより形成することもできるが、下側構造部21を表面酸化することによって形成してもよい。たとえば、下側構造部21がシリコン層で構成される場合、熱酸化法によって形成されるシリコン熱酸化膜を犠牲層23とすることができる。
次に、図11に示すように、上記犠牲層23及び下側支持部22SL上に導電体よりなる上層パターン20Uを形成する。この上層パターン20Uは、犠牲層23上に形成される可動部22Mと、この可動部22Mを支持する上側支持部22SUとを有し、可動部22Mには、上層パターン20Uの幅方向の側縁に切り込み22vを備えている。この切り込み22vは上層パターン20Uの側縁から幅方向内側に凹状に形成される。図示例の場合、上層パターン20Uの両側縁にはそれぞれ切り込み22vが互いに対向するように形成されている。このように上層パターン20Uを下層パターン20L上に形成することによって、上側構造部22が完成される。
上側構造部22は下側支持部22SLと上側パターン20Uとで構成される。そして、この上側構造部22は、犠牲層23上に配置される可動部22Mと、下側支持部22SLと上側支持部22SUよりなる支持部22Sとを有する上記の動作部構造に相当している。また、上記の切り込み22vは、上層パターン20Uのパターニング時、たとえば、上層パターンの成膜段階の後のパターニング段階(パターンエッチング)において、可動部22Mや上側支持部22SUのパターン形状と同時に形成される。以上が犠牲層上に可動部22Mを配置してなる動作部構造を形成する段階である。これによって、MEMS構造体20が完成される。
上記のMEMS構造体20において、図示例の場合、可動部22Mは下側構造部21に対して犠牲層23を介して対向している。この可動部22Mは図11の状態では基板10上に固定されているが、後述する工程を経て最終的に動作可能な状態とされる。また、本実施形態では下層パターン20L及び上層パターン20Uが導電体で構成されるが、MEMS構造体20を機能させるには少なくとも下側構造部21及び可動部22Mが導電体で構成されていればよい。
上記導電体を構成する素材としては、導電性を付与したシリコンを用いることが好ましい。たとえば、リンなどのn型ドーパントを不純物として導入した多結晶シリコン若しくはアモルファスシリコンである。ドーパントとしてはn型ドーパントに限らず、ホウ素などのp型ドーパントを用いることも可能である。このような素材はCVD法、スパッタリング法等により容易に成膜することができる。ただし、上記の素材としては、MEMS構造体20の動作に必要な程度の導電性を有する導電体であれば如何なるものであってもよく、たとえば、アルミニウム等の金属であってもよい。
次に、図12に示すように、必要に応じて上記構造の表面に開口13aを有する保護膜13を形成し、この開口13aによりMEMS構造体20の少なくとも上記犠牲層23が外部に露出した状態とする。図示例では、開口13aは下地層12の形成範囲内において上記可動部22M及び犠牲層23が露出するように形成され、しかも、下地層12の形成範囲外は全て保護膜13により被覆されるように構成される。この保護膜13は特に限定されないが、たとえば、感光性レジストを塗布し、露光、現像を行うことによって上記開口13aを形成してなるレジストマスクを用いることができる。この保護膜13は以下に説明するリリース工程時のエッチングが不要な部分を保護する。
次に、弗酸や緩衝弗酸などのエッチング液を用いて、上記開口13を通して上記の犠牲層23を除去する。これが上記の犠牲層を除去する段階(リリース段階)である。この段階により、MEMS構造体20の可動部22Mは犠牲層23から解放され、動作可能な状態、すなわち、振動可能な状態とされる。
上記のように構成されたMEMS構造体20では、基板10上に形成された支持部22Sと、該支持部22Sから延設されて基板10上で動作可能に構成(支持)された可動部22Mと、を備えている。ここで、上層パターン20Uに設けられた可動部22Mが下層パターン20Lに設けられた下側構造部21と間隙gを介して対向配置される。これによって可動部22Mは可動状態とされるので、固定電極である下側構造部21と可動電極である上側構造部22との間に交流信号を与えると、静電力により可動部22Mが上記間隙gを増減する態様で図示上下方向に振動する。
図1に示すように、本実施形態のMEMSデバイスにおいて、可動部22Mは、長さl、厚みt、幅wによって規定される帯状の平面パターン形状を有する。上層パターン20Uの可動部22Mと支持部22Sの幅wは同一に構成される。また、下側構造部21は長さl′、幅w′の帯状の平面パターン形状を有する。
この下側構造部21は可動部22Mの形成範囲全体と平面的に重なるように配置され、さらに可動部22Mの側縁と重なる平面位置より幅方向両側へそれぞれ張り出している。この上側構造部22(可動部22M)に対する下側構造部21の幅方向両側への張り出し量は、後述する幅方向のパターンずれによる動作特性への影響が問題とならないように十分に確保される。
上記のように、上下方向に見ると、下側構造部21と可動部22Mの間には上記犠牲層23の厚みに相当する間隙gが設けられる。すなわち、この間隙gを介して可動部22Mは下側構造部21と対向している。そして、可動部22Mには上記切り込み22vによって幅が縮小されることで断面極小部22Bが形成されている。図示例の場合、上下方向の間隙gは可動部22M、断面極小部22B及び上側支持部22SUの全体に亘り一定となっている。一方、基板10の表面に沿った長さ方向に見ると、下側構造部21は可動部22Mと平面的に重なる領域から上記断面極小部22Bを越えて上側支持部22SUと平面的に重なる領域にまで延在している。また、下側構造部21と下側支持部22SLとの間には上記長さ方向の間隙hが存在している。
切り込み22vは、境界領域22Bにおいて上層パターン20Uの側縁より幅方向内側に向けて形成され、深さdを有する。図示例では切り込み22vは平面視V字状に形成されている。そして、この切り込み22vは、上層パターン20Uの平面パターンの断面極小部22Bに設けられた境界パターン形状として設けられている。これらの切り込み22vを形成することにより、断面極小部22Bはその両側の可動部22M及び支持部22SU、22SLよりも断面積が縮小され、その結果、断面極小部22Bの剛性は局所的に低下している。
図2は上記MEMSデバイスの変形例を示す概略平面図(a)及び概略縦断面図(b)である。この例では、図1と基本構成について共通し、たとえば、可動部22Mの断面極小部22Bに切り込み22vが設けられている点で同様となっているが、断面極小部22Bが下側構造部21と平面的に重なる範囲の外側に配置されている点で異なる。すなわち、切り込み22vが設けられる断面極小部22Bは、下側構造部21と下側支持部22SLとの間の間隙hの上方に配置される。このような構造でも、切り込み22vを形成することにより、断面極小部22Bはその両側の可動部22M及び支持部22Sより断面積が縮小された断面極小部となり、その結果、断面極小部22Bの剛性は局所的に低下している。
図3は上記MEMSデバイスの別の変形例を示す概略平面図(a)及び概略断面図(b)である。この例では、下側支持部22SLと上層パターン20Uによって構成される動作部構造(上側構造部22)において、可動部22Mの幅wより支持部22Sの幅w″が大きくなるように構成される。図示例の場合、下側支持部22SLと上側支持部22SUとは幅方向に一致して設けられ、これらの幅は共に同一の幅w″とされる。また、図示例の場合、支持部22Sの幅方向の側縁は可動部22Mの幅方向両側に張り出し、これによって上側構造部22は平面視T字状とされている。また、支持部22Sは可動部22Mの側縁から幅方向両側に同一の張り出し量を有している。
なお、図3に示すMEMSデバイスにおいて、図示例では、図1に示すものと同様に、境界領域22Bが下側構造部21の上方において下側構造部21と平面的に重なる範囲内に配置されているが、図2に示すものと同様に、境界領域22Bが下側構造部21と平面的に重なる範囲外に配置されていてもよい。
図4は、本実施形態のMEMSデバイスの共振周波数の依存性を示すグラフである。このグラフにおいては、本実施形態に係る実施例1、2、3を比較例と対比して示してある。
ここで、実施例1は、図1に示す構造において、可動部22Mの先端部から切り込み22vの先端側の境界位置までの長さl=43μm、厚みt=2μm、幅w=10μm、切り込み22vの深さd=3μm、切り込み22vの側縁上の幅s=2μm、切り込み22vの支持部22S側の境界位置から下側構造部21の端縁までの平面方向の距離p=5μm、間隙h=2μm、支持部22Sの長さq=10μmとしたものである。ここで、可動部22Mの長さは支持部22Sから張り出した張り出し長さL=l+s+p+hとなる。また、実施例2は、切り込み22vの深さd=4μmとした以外は上記実施例1と同じ構造寸法を有する。さらに、実施例3は、図3に示す構造において、支持部22Sの幅w″を20μmとし、可動部22Mの幅方向両側に支持部22Sを等しい量だけ張り出させた以外は上記実施例1と同様の構造寸法を有するものである。
また、比較例は、図6(a)及び(b)に模式的に示すように、上層パターンと下層パターンで構成された下側構造部及び上側構造部を有し、上側構造部には可動部と支持部が設けられている。そして、切り込み22vを形成していない以外は実施例1の構造寸法と同じ寸法を有している。ただし、この比較例では、切り込み22vを設けないことで断面極小部22Bが存在しないので、上側構造部における支持部からの張り出し長さ(すなわち、可動部の長さ)Lを、実施例1における可動部22Mの先端部と切り込み22vとの間の長さlと、切り込み22vの幅sと、上記距離pと、間隙hとの合計値と一致するように構成してある。
なお、図4のグラフは、上記実施例1〜3及び比較例において、上記張り出し長さ(すなわち、可動部の長さ)L(=l+s+p+h)の変化に対する共振周波数の変化を構造解析によりコンピューターで計算した結果を示すものである。なお、上記張り出し長さL(=l+s+p+h)はいずれの場合でも52μmを基準値とし、張り出し長さLが基準値に対して1μm増加した場合と、1μm減少した場合とでそれぞれ構造解析を行って共振周波数を求めることで、張り出し長さLの変化に起因する共振周波数の変動態様を導出した。
図4に示すように、比較例では張り出し長さLが変化すると共振周波数が大きく変化するのに対し、実施例1〜3では共振周波数の変化が比較例よりも小さくなっている。特に、比較例では張り出し長さLが2μm変化すると共振周波数が62kHz変化するのに対し、実施例3では張り出し長さLが2μm変化しても共振周波数の変化量は35kHz程度と大幅に小さい。したがって、本実施形態では、切り込み22vを設けることで、共振周波数の変化量を低減できることがわかる。
また、図4において比較例と実施例1及び2を対比すればわかるように、切り込み22vを設けると共振周波数が低下する。一方、実施例3では共振周波数が増大していることから、支持部の幅w″を可動部22Mの幅wより大きくすることで、切り込み22vを設けたことによる共振周波数の低下を補償することができることがわかる。
上記の共振周波数の変化を確認するために、実施例1(上記張り出し長さLを上記基準値としたもの)をベースとし、支持部22Sの幅w″以外は実施例1と同じ構成とした実施例3において支持部22Sの幅w″を徐々に増大させて共振周波数を計算した。この結果を図5に示す。図5は共振周波数の支持部22Sの幅w″に対する依存性を示すグラフである。図5からわかるように、支持部22Sの幅w″を可動部22Mの幅wより大きくしていくと共振周波数が増大し、やがて幅w″が幅wの3倍前後に近づくと共振周波数が飽和し、ほぼ一定の値となる。
したがって、切り込み22vを設けることによる周波数の低下が支持部22Sの幅w″によって補償されるように、すなわち、w<w″となる幅w″の値を設計することで、切り込み22vを設けない場合に対して共振周波数を変化させずに周波数精度を高めることができる。また、支持部22Sの幅w″を可動部22Mの幅wの3倍以上とすることで、共振周波数を安定させることができ、共振周波数のさらなる高精度化や再現性の向上を図ることができる。
上記の計算結果により示される動作特性(周波数特性)が得られる理由は以下のように考えられる。MEMS構造体20の共振周波数Frは、上側構造部22の支持部からの張り出し長さをL、厚みをtとし、幅wの影響を無視すると、以下の数式1で表わされる。
上記の数式1から、上側構造部22の張り出し長さLが変化すると、厚みtが変化した場合に比べて桁違いに共振周波数Frが大きく変化することがわかる。また、幅wについては共振周波数Frへの影響が厚みtよりさらに小さいことがわかっている。したがって、MEMSデバイスの共振周波数その他の周波数特性への影響は、MEMS構造体20の構造寸法のうち上記の張り出し長さLがきわめて大きく、この張り出し長さLによる影響を低減することがMEMSデバイスの周波数精度の向上に効果的である。
そして、上記の張り出し長さLは、下層パターン20Lに対する上層パターン20Uの当該長さ方向へのパターンずれによって変化する。このパターンずれは、例えば、フォトリソグラフィ技術によって各パターンを形成する場合には、主として、露光段階における露光パターンのずれ(露光マスクのずれ)によって生じる。図7(a)〜(c)はこのパターンずれによる比較例への影響を説明するための説明用平面図、図8(a)〜(c)は実施例への影響を説明するための説明用平面図である。
図7(a)〜(c)に示すように、上記比較例においては、下層パターン20Lに対して上層パターン20Uが長さ方向にずれると、その長さ方向のずれ量と等しい量だけ上側構造部の張り出し長さLが変化する。したがって、上記切り込み22vが存在しない場合には、上記数式1に示すように、上記パターンずれの量の約2乗に反比例する態様で共振周波数Frが変化することになる。
一方、本実施形態においては、図8(a)〜(c)に示すように、上層パターン20Uに切り込み22vが含まれていると、上側構造部22の張り出し長さLは比較例と同様に変化するが、可動部22Mの先端部と切り込み22vとの間の長さlには上記パターンずれによる影響はない。また、この場合には、切り込み22vが設けられることで断面極小部22Bの剛性が低下するため、振動の節が断面極小部22Bに生ずることとなるので、共振周波数は張り出し長さLによる影響を受けにくくなり、主として可動部22Mの先端部と切り込み22vとの間の長さlによって定まることとなる。そして、上層パターン20U内のパターン精度は一般に上記パターンずれに比べると遥かに小さい。このため、実施例における共振周波数の変動(ばらつき)は比較例の場合に比べて小さくなるものと思われる。
なお、MEMSデバイスの周波数特性は、上側構造部(可動電極)22の下側構造部(固定電極)21に対する重なり範囲のばらつきによっても影響を受ける。すなわち、図8に示す場合でも、厳密にいえば、上側構造部22の下側構造部21に対する重なり範囲(長さ範囲)、例えば、上記張り出し長さLから図1に示す間隙hを差し引いた長さ(=L−h)は変動し、これに伴って上側構造部22が受ける静電力も変化する。しかしながら、共振周波数はあくまでも可動部22Mの先端部と切り込み22vとの間の長さlその他の構造寸法と素材の弾性定数によって定まるので、周波数精度の向上に大きな支障はない。このことは、上記図1及び図3に示す構造と、上記図2に示す構造とで、動作精度(周波数精度)の向上効果に関しては本質的な差異がないことを意味する。
また、製造プロセスでは上記の長さ方向のパターンずれ以外に幅方向のパターンずれも生じうるが、当該幅方向のパターンずれは、上記実施形態のように、下側構造部(固定電極)21が上側構造部(可動電極)22に対して幅方向に十分な余裕を持って広がるように形成されていれば、MEMSデバイスの周波数特性に大きな影響を与えるものではない。
以上のように、本実施形態では、上側構造部22(動作部構造)において可動部22Mに切り込み22vを設けて断面極小部22Bを構成し、これによって断面極小部22Bの剛性を低下させているので、MEMSデバイスの振動の節が断面極小部22Bに生ずるため、下層パターン20Lに対する上層パターン20Uのパターンずれによる周波数特性への影響を抑制することができる。
特に、上記切り込み22vは上層パターン20Uの一部とされ、上層パターン20Uの形成工程(パターニング工程)において同時に形成されるため、上層パターン20U内のパターン精度によって可動部22Mの先端部と切り込み22vとの間の長さlが決定されることから、当該長さlに依存する周波数精度を上記パターン精度に対応する程度まで高めることができるという利点がある。
さらに、本実施形態では、上層パターン20Uのパターン形状を変更するだけで製造できるので、製造プロセスの複雑化や製造コストの増大を招くことなく対応できるという利点も有する。
図13は、断面極小部22Bに設ける境界パターン形状の他の例を示す概略平面図(a)〜(c)である。これらの境界パターン形状は、上記切り込み22v以外の断面極小部22Bのパターン形状を例示するものである。たとえば、図13(a)に示す例では、断面極小部22Bにおいて、上記切り込み22vの平面視V字状ではなく、平面視半円状或いは平面視U字状の切り込み22v′が設けられている。また、図13(b)に示す例では、平面視矩形状或いは平面視多角形状の切り込み22v″が形成される。このように、切り込みの平面形状は任意であり、結果的に断面極小部22Bの剛性低下に寄与するパターン形状であればよい。
また、図13(c)に示す例では、上側構造部22(上層パターン20U)の側縁には切り込みが設けられておらず、その代りに、断面極小部22Bにおいて開口22wが設けられている。図示例の場合、断面極小部22Bにおいて幅方向に沿って複数の開口22wが形成される。このように開口22wを設けることでも断面極小部22Bの剛性低下に寄与することができる。すなわち、境界パターン形状によって可動部に断面極小部22Bが設けられていればよく、そのパターン形状そのものは特に限定されない。
本実施形態ではさらに、支持部22Sの幅w″を可動部22Mの幅wより大きくすることで、支持部22Sの剛性が高められ、支持部22Sと断面極小部22Bとの剛性の差が増大するので、可動部の振動の節が断面極小部22Bに確実かつ正確に生じるようになるため、共振周波数の変動を低減することができるという利点がある。たとえば、上述のように境界パターン形状を設けたことによる共振周波数の変動を補償できる。また、支持部22Sの剛性向上により、可動部22Mの振動の安定性が向上し、本来の振動モード以外の他の振動モードの発生を抑制できる。
尚、本発明のMEMSデバイスの製造方法は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。たとえば、上記実施形態ではMEMSデバイスとして片持ち梁状の動作部構造を有するMEMSデバイスを例に説明したが、本発明のMEMSデバイスとしては、可動部の両側に支持部がそれぞれ接続されてなる両持ち梁状の動作部構造を有するものであっても良く、さらには、可動部の周囲に3以上の支持部がそれぞれ接続されてなる動作部構造を有するものであっても構わない。これらの場合には、可動部にそれぞれ境界パターン形状による上記断面極小部を設ければよい。
また、上記実施形態ではMEMS振動子を例示して説明を行ったが、本発明は、支持部によって動作可能に支持された可動部を有するものであれば、たとえば、MEMSアクチュエータ、MEMSスイッチ、MEMSセンサ(加速度センサや圧力センサなど)のように、種々のMEMSデバイスに広く適用できるものである。これらの各種のMEMSデバイスにおいても、可動部に断面極小部を設けることで可動部の動作特性が可動部の構造寸法以外によって影響されにくくなり、上記パターンずれによる影響を低減できるので、可動部の動作特性、たとえば、可動部の加速度、移動方向、移動抵抗などのばらつきを軽減することが可能になり、MEMSデバイスの動作精度を高めることが可能になる。
10…基板、11…絶縁膜、12…下地層、13…保護膜、13a…開口、20…MEMS構造体、20L…下層パターン、20U…上層パターン、21…下側構造部、22…上側構造部、22M…可動部、22B…断面極小部、22S…支持部、22SL…下側支持部、22SU…上側支持部、22v、22v′、22v″…切り込み(境界パターン形状)、22w…開口(境界パターン形状)、23…犠牲層
Claims (9)
- 基板と、該基板上に形成されたMEMS構造体とを具備し、
該MEMS構造体は、前記基板上に形成された支持部と、該支持部から延設されて前記基板上で動作可能に構成された可動部と、を備えた動作部構造を有し、
該動作部構造は、前記可動部に、前記動作部構造の前記支持部から前記可動部へ向かう方向と直交する断面の断面積が前記可動領域の断面積より小さい断面極小部を有し、該断面極小部は、前記動作部構造の平面パターンに設けられた境界パターン形状により形成されることを特徴とするMEMSデバイス。 - 前記境界パターン形状は、前記動作部構造の側縁に形成された切り込みにより構成されることを特徴とする請求項1に記載のMEMSデバイス。
- 前記切り込みは前記動作部構造の両側縁にそれぞれ形成されることを特徴とする請求項2に記載のMEMSデバイス。
- 前記動作部構造は、前記可動部が前記支持部により片持ち支持されてなる片持ち梁状に構成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のMEMSデバイス。
- 前記支持部は前記可動部より広幅に構成されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のMEMSデバイス。
- 前記動作部構造は、前記基板上に固定された固定電極と、該固定電極上に間隙を介して対向する少なくとも前記可動部を含む可動電極とを有し、前記固定電極と前記可動電極の間の静電力により前記可動部が前記間隙を増減させる態様で動作することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載のMEMSデバイス。
- 前記MEMS構造体は、前記可動部が振動する振動子を構成するMEMS振動子であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載のMEMSデバイス。
- 基板上にMEMS構造体を形成する工程を具備し、該MEMS構造体は、前記基板上に形成された支持部と、該支持部から延設されて前記基板上で動作可能に構成された可動部と、を備えた動作部構造を有するMEMSデバイスの製造方法であって、
前記MEMS構造体を形成する工程では、前記基板上に犠牲層を形成する段階と、該犠牲層上に前記可動部を配置してなる前記動作部構造を形成する段階と、前記犠牲層を除去する段階とが順次に実施され、
前記動作部構造を形成する段階では、前記可動部に、前記動作部構造の前記支持部から前記可動部へ向かう方向と直交する断面の断面積が前記可動領域の断面積より小さい断面極小部が、当該動作部構造を構成する平面パターンに境界パターン形状を設けることにより形成されることを特徴とするMEMSデバイスの製造方法。 - 前記可動部の平面形状と前記境界パターン形状とが同一のパターニング処理によって形成されることを特徴とする請求項8に記載のMEMSデバイスの製造方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012085085A (ja) * | 2010-10-12 | 2012-04-26 | Seiko Epson Corp | Mems振動子、発振器、およびmems振動子の製造方法 |
US8305152B2 (en) | 2009-12-22 | 2012-11-06 | Seiko Epson Corporation | MEMS oscillator and method of manufacturing thereof |
JP2014170997A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Seiko Epson Corp | Mems振動子、mems振動子の製造方法、電子機器、及び移動体 |
WO2015041152A1 (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-26 | 株式会社村田製作所 | 振動装置及びその製造方法 |
US9083309B2 (en) | 2010-11-30 | 2015-07-14 | Seiko Epson Corporation | Microelectronic device and electronic apparatus |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5630243B2 (ja) | 2010-11-30 | 2014-11-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電子装置、電子機器及び電子装置の製造方法 |
JP2012129605A (ja) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Seiko Epson Corp | Mems振動子、発振器、およびmems振動子の製造方法 |
JP2014072876A (ja) | 2012-10-02 | 2014-04-21 | Seiko Epson Corp | Mems素子および発振器 |
JP2014116707A (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-26 | Seiko Epson Corp | 振動子の製造方法 |
JP2014212409A (ja) * | 2013-04-18 | 2014-11-13 | セイコーエプソン株式会社 | Mems振動子、電子機器、及び移動体 |
US10663357B2 (en) | 2014-12-10 | 2020-05-26 | Paul D OKULOV | Micro electro-mechanical strain displacement sensor and usage monitoring system |
CN105300369A (zh) * | 2015-10-26 | 2016-02-03 | 马国才 | 一种电子系统多轴结构 |
WO2018132977A1 (zh) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | L 型静电驱动微型机器人及其制造方法、控制方法 |
JP7037144B2 (ja) * | 2017-08-09 | 2022-03-16 | 国立大学法人静岡大学 | Mems振動素子の製造方法およびmems振動素子 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007037150A1 (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 共振器及びこれを用いたフィルタ |
JP2007116693A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Seiko Epson Corp | フラップ振動子、フラップ振動子の製造方法およびフラップ振動子を含む集積回路 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2940643B2 (ja) * | 1995-09-01 | 1999-08-25 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 振れセンサを組み込んだカンチレバー |
DE69930169T2 (de) * | 1999-11-18 | 2006-08-03 | Nec Corp. | Mikromechanischer schalter |
US6630871B2 (en) * | 2001-09-28 | 2003-10-07 | Intel Corporation | Center-mass-reduced microbridge structures for ultra-high frequency MEM resonator |
US6710680B2 (en) * | 2001-12-20 | 2004-03-23 | Motorola, Inc. | Reduced size, low loss MEMS torsional hinges and MEMS resonators employing such hinges |
US6784768B1 (en) * | 2003-04-09 | 2004-08-31 | M/A - Com, Inc. | Method and apparatus for coupling energy to/from dielectric resonators |
US6870444B1 (en) * | 2003-08-28 | 2005-03-22 | Motorola, Inc. | Electromechanical resonator and method of operating same |
US20050073078A1 (en) * | 2003-10-03 | 2005-04-07 | Markus Lutz | Frequency compensated oscillator design for process tolerances |
EP1585219A1 (en) * | 2004-04-06 | 2005-10-12 | Seiko Epson Corporation | A micro-flap type nano/micro mechanical device and fabrication method thereof |
US7102467B2 (en) * | 2004-04-28 | 2006-09-05 | Robert Bosch Gmbh | Method for adjusting the frequency of a MEMS resonator |
US7176770B2 (en) * | 2004-08-24 | 2007-02-13 | Georgia Tech Research Corp. | Capacitive vertical silicon bulk acoustic resonator |
US7639104B1 (en) * | 2007-03-09 | 2009-12-29 | Silicon Clocks, Inc. | Method for temperature compensation in MEMS resonators with isolated regions of distinct material |
US8063720B2 (en) * | 2009-08-31 | 2011-11-22 | Georgia Tech Research Corporation | MEMS resonators having resonator bodies therein with concave-shaped sides that support high quality factor and low temperature coefficient of resonant frequency |
-
2009
- 2009-01-14 JP JP2009005409A patent/JP2010166201A/ja not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-01-12 US US12/685,720 patent/US20100176898A1/en not_active Abandoned
- 2010-01-14 CN CN201010003178A patent/CN101780941A/zh active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007037150A1 (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 共振器及びこれを用いたフィルタ |
JP2007116693A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Seiko Epson Corp | フラップ振動子、フラップ振動子の製造方法およびフラップ振動子を含む集積回路 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8305152B2 (en) | 2009-12-22 | 2012-11-06 | Seiko Epson Corporation | MEMS oscillator and method of manufacturing thereof |
JP2012085085A (ja) * | 2010-10-12 | 2012-04-26 | Seiko Epson Corp | Mems振動子、発振器、およびmems振動子の製造方法 |
US9083309B2 (en) | 2010-11-30 | 2015-07-14 | Seiko Epson Corporation | Microelectronic device and electronic apparatus |
JP2014170997A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Seiko Epson Corp | Mems振動子、mems振動子の製造方法、電子機器、及び移動体 |
WO2015041152A1 (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-26 | 株式会社村田製作所 | 振動装置及びその製造方法 |
JPWO2015041152A1 (ja) * | 2013-09-20 | 2017-03-02 | 株式会社村田製作所 | 振動装置及びその製造方法 |
US10291202B2 (en) | 2013-09-20 | 2019-05-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Vibration device and manufacturing method of the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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US20100176898A1 (en) | 2010-07-15 |
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