JP2007335424A - 半導体装置および半導体装置の実装体および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の半導体チップ2を有する半導体ウエハ1の表面を第一の封止樹脂7で覆い、半導体チップ2間を第一の封止樹脂7側からダイシングすることにより、半導体チップ2間に、第一の封止樹脂7側から半導体回路形成層2aを超える深さまで第一の溝14を形成し、第一の封止樹脂7側から第一の溝14に第二の封止樹脂15を充填し、第一の溝14より狭いダイシング幅W1によってダイシングし、第二の封止樹脂15を第一の封止樹脂7の側面と半導体回路形成層2aの側面と半導体チップ2の側面とに残した状態で、個片化する。
【選択図】図1
Description
上記ウエハレベルCSPの従来の製造方法と構造について、図12を用いて以下に説明する。
その後、図12(c)に示すように、半導体チップ2の境界をダイシングにより切り落とし、個片化された複数の半導体装置9に分割する。
半導体チップの表面に設けられた半導体電極と、
半導体チップの表面を絶縁して保護する絶縁樹脂と、
半導体電極と電気的に接続される再配線と、
再配線と電気的に接続されるポストと、
半導体チップの表面と再配線とポストとを保護する第一の封止樹脂とを有し、
半導体チップの側面に、外側方へ張り出す張り出し部が形成され、
張り出し部は第一の封止樹脂側から半導体回路形成層を超えた深さに位置し、
第二の封止樹脂が、張り出し部による段差を埋めるとともに、第一の封止樹脂の側面と半導体回路形成層の側面と半導体チップの張り出し部までの側面とを覆うものである。
半導体チップの表面に設けられた半導体電極と、
半導体チップの表面を絶縁して保護する絶縁樹脂と、
半導体電極と電気的に接続される再配線と、
再配線と電気的に接続されるポストと、
半導体チップの表面と再配線とポストとを保護する第一の封止樹脂とを有し、
第二の封止樹脂が第一の封止樹脂の側面と半導体回路形成層の側面と半導体チップの側面の一部分とを覆うとともに、第三の封止樹脂が半導体チップの側面の残りの部分を覆うものである。
これによると、半導体チップの裏面が第三の封止樹脂によって保護される。
半導体チップの表面に設けられた半導体電極と、
半導体チップの表面を絶縁して保護する絶縁樹脂と、
半導体電極と電気的に接続される再配線と、
再配線と電気的に接続されるポストと、
半導体チップの表面と再配線とポストとを保護する第一の封止樹脂とを有し、
第二の封止樹脂が第一の封止樹脂の側面と半導体回路形成層の側面と半導体チップの側面全体とを覆うものである。
流れ止め用段差部は第一の封止樹脂側から半導体回路形成層を超えた深さに位置しているものである。
半導体装置のポストに外部電極が設けられ、
外部電極と実装基板とが電気的に接続され、
半導体装置と実装基板との間にアンダーフィル樹脂が充填されて実装部が保護され、
アンダーフィル樹脂のフィレットが流れ止め用段差部まで達しているものである。
半導体装置は、表面に半導体回路形成層を有する半導体チップと、半導体チップの表面に設けられた半導体電極と、半導体チップの表面を絶縁して保護する絶縁樹脂と、半導体電極と電気的に接続される再配線と、再配線と電気的に接続されるポストと、半導体チップの表面と再配線とポストとを保護する第一の封止樹脂とを有し、
半導体チップの側面に、外側方へ張り出してポスト側から半導体チップの裏面側へ向かうアンダーフィル樹脂の流れを止める流れ止め用段差部が形成され、
流れ止め用段差部は第一の封止樹脂側から半導体回路形成層を超えた深さに位置しており、
半導体装置のポストに外部電極が設けられ、
外部電極と実装基板とが電気的に接続され、
半導体装置と実装基板との間にアンダーフィル樹脂が充填されて実装部が保護され、
アンダーフィル樹脂のフィレットが流れ止め用段差部まで達しているものである。
複数の半導体チップを有する半導体ウエハの表面を第一の封止樹脂で覆う工程と、
半導体チップの間を第一の封止樹脂側からダイシングすることにより、半導体チップの間に、第一の封止樹脂側から半導体回路形成層を超える深さまで第一の溝を形成する工程と、
第一の封止樹脂側から第一の溝に第二の封止樹脂を充填する工程と、
第一の溝より狭いダイシング幅によってダイシングし、第二の封止樹脂を第一の封止樹脂の側面と半導体回路形成層の側面と半導体チップの側面とに残した状態で、個片化する工程とを有するものである。
複数の半導体チップを有する半導体ウエハの表面を第一の封止樹脂で覆う工程と、
半導体チップの間を第一の封止樹脂側からダイシングすることにより、半導体チップの間に、第一の封止樹脂側から半導体回路形成層を超える深さまで第一の溝を形成する工程と、
第一の封止樹脂側から第一の溝に第二の封止樹脂を充填する工程と、
半導体チップの間を第一の封止樹脂とは反対側からダイシングすることにより、半導体チップの間に、第一の溝内の第二の封止樹脂に達する第二の溝を形成する工程と、
第一の封止樹脂とは反対側から第二の溝に第三の封止樹脂を充填する工程と、
第一および第二の溝より狭いダイシング幅によってダイシングし、第二の封止樹脂を第一の封止樹脂の側面と半導体回路形成層の側面と半導体チップの側面とに残すとともに第三の封止樹脂を半導体チップの側面と裏面とに残した状態で、個片化する工程とを有するものである。
その後、ダイシングにより個片化する工程を行うものである。
その後、ダイシングにより、第三の封止樹脂を半導体チップの側面に残した状態で、個片化する工程を行うものである。
その後、第三の溝よりも狭いダイシング幅によってダイシングし、個片化する工程を行うものである。
その後、第三の溝よりも狭いダイシング幅によってダイシングし、個片化する工程を行うものである。
(実施の形態1)
まず、実施の形態1における半導体装置について、図面を参照しながら具体的に説明する。
従来と同様に、図12(a)に示すように、半導体ウエハ1は、複数の半導体チップ2を有している。各半導体チップ2は、表面に、半導体回路形成層2aと半導体電極3とを有している。
次に、図1(c)に示すように、第一および第二の封止樹脂7,15を研削して、ポスト6の端部を露出させ、露出した部分に外部電極8を形成する。また、半導体チップ2(半導体ウエハ1)の裏面側を研削して所定の厚みにする。
図1(d)に示すように、半導体装置16は、表面に半導体回路形成層2aを有する半導体チップ2と、半導体回路形成層2aの表面に設けられた半導体電極3と、半導体回路形成層2aの表面を絶縁して保護する絶縁保護膜4(絶縁樹脂の一例)と、半導体電極3と電気的に接続される再配線5と、再配線5と電気的に接続されるポスト6と、半導体回路形成層2aの表面と再配線5とポスト6とを保護する第一の封止樹脂7とを有している。
次に、実施の形態2における半導体装置について、図面を参照しながら具体的に説明する。実施の形態2は半導体チップの側面全面と裏面全面を封止樹脂にて保護することを特徴とする。
先述した実施の形態1と同様に、図1(b)に示すように、第一の溝14に第二の封止樹脂15を充填し、第一の封止樹脂7の表面を第二の封止樹脂15で覆った後、半導体チップ2の裏面側を研削して所定の厚さにし、次に、図2(a)に示すように、各半導体チップ2の間を第一の封止樹脂7とは反対側(すなわち半導体チップ2の裏面側)からダイシングすることにより、各半導体チップ2の間に、第一の溝14内の第二の封止樹脂15に達する第二の溝17を形成する。
次に、図2(d)に示すように、第一および第二の溝14,17より狭いダイシング幅W1によってダイシングして切り落とし、第二の封止樹脂15を第一の封止樹脂7の側面と半導体回路形成層2aの側面と半導体チップ2の側面とに残すとともに第三の封止樹脂18を半導体チップ2の側面と裏面とに残した状態で、個片化する。これにより、複数の半導体装置20(ウエハレベルCSP)が製造される。
図2(d)に示すように、半導体装置20は、表面に半導体回路形成層2aを有する半導体チップ2と、半導体回路形成層2aの表面に設けられた半導体電極3と、半導体回路形成層2aの表面を絶縁して保護する絶縁保護膜4(絶縁樹脂の一例)と、半導体電極3と電気的に接続される再配線5と、再配線5と電気的に接続されるポスト6と、半導体回路形成層2aの表面と再配線5とポスト6とを保護する第一の封止樹脂7とを有している。
次に、実施の形態3における半導体装置について、図面を参照しながら具体的に説明する。
先述した実施の形態1と同様に、第一の溝14に第二の封止樹脂15を充填し、図1(c)に示すように、ポスト6の端部を露出させ、露出させた部分に外部電極8を形成した後、図3(a)に示すように、半導体チップ2の裏面側を第一の溝14内の第二の封止樹脂15に達するまで研削する。
次に、実施の形態4における半導体装置について、図面を参照しながら具体的に説明する。
次に、実施の形態5における半導体装置とその実装体について、図面を参照しながら具体的に説明する。
上記実装体30の製造方法としては、先ず、半導体装置27の外部電極8を実装部11によって実装基板10に実装し、外部電極8と実装基板10とを電気的に接続する。次に、半導体装置27と実装基板10との間にアンダーフィル樹脂12を充填し、半導体装置27の周辺にフィレット12aを形成する。
次に、実施の形態6における半導体装置とその実装体について、図面を参照しながら具体的に説明する。
次に、実施の形態7における半導体装置とその実装体について、図面を参照しながら具体的に説明する。
次に、実施の形態8における半導体装置とその実装体について、図面を参照しながら具体的に説明する。
次に、実施の形態9における半導体装置とその実装体について、図面を参照しながら具体的に説明する。
その後、図10(a)に示すように、所定のダイシング幅W4により、第一の封止樹脂7の表面側から半導体回路形成層2aを超える深さまで溝38を形成する。
上記実装体40の製造方法としては、先ず、半導体装置39の外部電極8を実装部11によって実装基板10に実装し、外部電極8と実装基板10とを電気的に接続する。次に、半導体装置39と実装基板10との間にアンダーフィル樹脂12を充填し、半導体装置39の周辺にフィレット12aを形成する。
2 半導体チップ
2a 半導体回路形成層
2b 張り出し部
3 半導体電極
4 絶縁保護膜(絶縁樹脂)
5 再配線
6 ポスト
7 第一の封止樹脂
8 外部電極
10 実装基板
11 実装部
12 アンダーフィル樹脂
12a フィレット
14 第一の溝
15 第二の封止樹脂
16 半導体装置
17 第二の溝
18 第三の封止樹脂
20,22,24,27,32,34,36,39 半導体装置
26 第三の溝
28 流れ止め用段差部
30,40 実装体
W1〜W3 ダイシング幅
Claims (13)
- 表面に半導体回路形成層を有する半導体チップと、
半導体チップの表面に設けられた半導体電極と、
半導体チップの表面を絶縁して保護する絶縁樹脂と、
半導体電極と電気的に接続される再配線と、
再配線と電気的に接続されるポストと、
半導体チップの表面と再配線とポストとを保護する第一の封止樹脂とを有し、
半導体チップの側面に、外側方へ張り出す張り出し部が形成され、
張り出し部は第一の封止樹脂側から半導体回路形成層を超えた深さに位置し、
第二の封止樹脂が、張り出し部による段差を埋めるとともに、第一の封止樹脂の側面と半導体回路形成層の側面と半導体チップの張り出し部までの側面とを覆うことを特徴とする半導体装置。 - 表面に半導体回路形成層を有する半導体チップと、
半導体チップの表面に設けられた半導体電極と、
半導体チップの表面を絶縁して保護する絶縁樹脂と、
半導体電極と電気的に接続される再配線と、
再配線と電気的に接続されるポストと、
半導体チップの表面と再配線とポストとを保護する第一の封止樹脂とを有し、
第二の封止樹脂が第一の封止樹脂の側面と半導体回路形成層の側面と半導体チップの側面の一部分とを覆うとともに、第三の封止樹脂が半導体チップの側面の残りの部分を覆うことを特徴とする半導体装置。 - 第三の封止樹脂が半導体チップの裏面を覆うことを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 表面に半導体回路形成層を有する半導体チップと、
半導体チップの表面に設けられた半導体電極と、
半導体チップの表面を絶縁して保護する絶縁樹脂と、
半導体電極と電気的に接続される再配線と、
再配線と電気的に接続されるポストと、
半導体チップの表面と再配線とポストとを保護する第一の封止樹脂とを有し、
第二の封止樹脂が第一の封止樹脂の側面と半導体回路形成層の側面と半導体チップの側面全体とを覆うことを特徴とする半導体装置。 - 側面に、外側方へ張り出してポスト側から半導体チップの裏面側へ向かうアンダーフィル樹脂の流れを止める流れ止め用段差部が形成され、
流れ止め用段差部は第一の封止樹脂側から半導体回路形成層を超えた深さに位置していることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 上記請求項5に記載の半導体装置を実装基板に実装した実装体であって、
半導体装置のポストに外部電極が設けられ、
外部電極と実装基板とが電気的に接続され、
半導体装置と実装基板との間にアンダーフィル樹脂が充填されて実装部が保護され、
アンダーフィル樹脂のフィレットが流れ止め用段差部まで達していることを特徴とする半導体装置の実装体。 - 半導体装置を実装基板に実装した実装体であって、
半導体装置は、表面に半導体回路形成層を有する半導体チップと、半導体チップの表面に設けられた半導体電極と、半導体チップの表面を絶縁して保護する絶縁樹脂と、半導体電極と電気的に接続される再配線と、再配線と電気的に接続されるポストと、半導体チップの表面と再配線とポストとを保護する第一の封止樹脂とを有し、
半導体チップの側面に、外側方へ張り出してポスト側から半導体チップの裏面側へ向かうアンダーフィル樹脂の流れを止める流れ止め用段差部が形成され、
流れ止め用段差部は第一の封止樹脂側から半導体回路形成層を超えた深さに位置しており、
半導体装置のポストに外部電極が設けられ、
外部電極と実装基板とが電気的に接続され、
半導体装置と実装基板との間にアンダーフィル樹脂が充填されて実装部が保護され、
アンダーフィル樹脂のフィレットが流れ止め用段差部まで達していることを特徴とする半導体装置の実装体。 - 表面に半導体回路形成層を備えた複数の半導体チップを有する半導体ウエハをダイシングして半導体装置を製造する方法であって、
複数の半導体チップを有する半導体ウエハの表面を第一の封止樹脂で覆う工程と、
半導体チップの間を第一の封止樹脂側からダイシングすることにより、半導体チップの間に、第一の封止樹脂側から半導体回路形成層を超える深さまで第一の溝を形成する工程と、
第一の封止樹脂側から第一の溝に第二の封止樹脂を充填する工程と、
第一の溝より狭いダイシング幅によってダイシングし、第二の封止樹脂を第一の封止樹脂の側面と半導体回路形成層の側面と半導体チップの側面とに残した状態で、個片化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 表面に半導体回路形成層を備えた複数の半導体チップを有する半導体ウエハをダイシングして半導体装置を製造する方法であって、
複数の半導体チップを有する半導体ウエハの表面を第一の封止樹脂で覆う工程と、
半導体チップの間を第一の封止樹脂側からダイシングすることにより、半導体チップの間に、第一の封止樹脂側から半導体回路形成層を超える深さまで第一の溝を形成する工程と、
第一の封止樹脂側から第一の溝に第二の封止樹脂を充填する工程と、
半導体チップの間を第一の封止樹脂とは反対側からダイシングすることにより、半導体チップの間に、第一の溝内の第二の封止樹脂に達する第二の溝を形成する工程と、
第一の封止樹脂とは反対側から第二の溝に第三の封止樹脂を充填する工程と、
第一および第二の溝より狭いダイシング幅によってダイシングし、第二の封止樹脂を第一の封止樹脂の側面と半導体回路形成層の側面と半導体チップの側面とに残すとともに第三の封止樹脂を半導体チップの側面と裏面とに残した状態で、個片化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第一の溝に第二の封止樹脂を充填する工程後、半導体チップの裏面側を第一の溝内の第二の封止樹脂に達するまで研削する工程を行い、
その後、ダイシングにより個片化する工程を行うことを特徴とする請求項8記載の半導体装置の製造方法。 - 第二の溝に第三の封止樹脂を充填する工程後、半導体チップの裏面側に残った第三の封止樹脂を研削して除去する工程を行い、
その後、ダイシングにより、第三の封止樹脂を半導体チップの側面に残した状態で、個片化する工程を行うことを特徴とする請求項9記載の半導体装置の製造方法。 - 第一の溝に第二の封止樹脂を充填する工程後、第一の溝より狭いダイシング幅により、第二の封止樹脂側から半導体回路形成層を超える深さまで第三の溝を形成する工程を行い、
その後、第三の溝よりも狭いダイシング幅によってダイシングし、個片化する工程を行うことを特徴とする請求項8又は請求項10に記載の半導体装置の製造方法。 - 第二の溝に第三の封止樹脂を充填する工程後、第一および第二の溝より狭いダイシング幅により、第二の封止樹脂側から半導体回路形成層を超える深さまで第三の溝を形成する工程を行い、
その後、第三の溝よりも狭いダイシング幅によってダイシングし、個片化する工程を行うことを特徴とする請求項9又は請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
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