JP2020181876A - デバイスパッケージの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ウェーハの反りに起因する加工不良やウェーハの加工品質の悪化を抑制することができる側面が封止されたデバイスパッケージの製造方法を提供すること。【解決手段】デバイスパッケージの製造方法は、ウェーハを準備する準備ステップST1と、ウェーハの表面から第一の幅を有しデバイスパッケージの仕上げ厚みに至る深さの第一の溝をストリートに沿って形成する第一の溝形成ステップST2と、ウェーハの表面を封止材で封止するとともに第一の溝を封止材で埋設する封止ステップST3と、ウェーハの表面から第一の幅より狭い第二の幅を有し仕上げ厚みに至る深さの第二の溝を第一の溝に沿って形成する第二の溝形成ステップST5と、ウェーハの裏面を研削してデバイスパッケージの仕上げ厚みへと薄化して、側面が封止材で封止された複数のデバイスパッケージを形成する研削ステップST6と、を備える。【選択図】図3
Description
本発明は、デバイスパッケージの製造方法に関する。
デバイスチップの強度を向上させるため、デバイスチップの上面及び4側面を封止材で封止したデバイスパッケージが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
この種のデバイスパッケージは、従来は、以下の工程により製造されていた。まず、ウェーハの表面側に仕上げ厚み以上の深さの溝を形成し、ウェーハの表面を封止材で封止し、溝内を封止材で埋設する。ウェーハの封止材側に表面保護テープを貼着し、ウェーハの裏面を研削して仕上げ厚みへと薄化する。ウェーハの裏面にダイシングテープを貼着し、ウェーハの表面から表面保護テープを剥離して、ウェーハを表面保護テープからダイシングテープに転写する。切削ブレードやレーザ加工によりウェーハを溝に沿って、個々のデバイスパッケージに分割する。
前述した従来のデバイスパッケージの製造方法は、ウェーハと、熱硬化樹脂からなる封止材との熱膨張係数の差による熱応力に起因して、封止材で封止されたウェーハに反りが生じ易い。特に、研削して薄化された後の封止材で封止されたウェーハは反り易く、研削中にチャックテーブルでの吸引保持が出来なくなったり、研削後に個々のパッケージデバイスに分割する際にも吸引保持不良や加工品質悪化等を引き起こす虞があった。
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、本発明の目的は、ウェーハの反りに起因する加工品質の悪化を抑制することができる側面が封止されたデバイスパッケージの製造方法を提供することである。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のデバイスパッケージの製造方法は、デバイスパッケージの製造方法であって、交差する複数のストリートで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハを準備する準備ステップと、ウェーハの表面から第一の幅を有し該デバイスパッケージの仕上げ厚みに至る深さの第一の溝を該ストリートに沿って形成する第一の溝形成ステップと、該第一の溝形成ステップを実施した後、ウェーハの該表面を封止材で封止するとともに該第一の溝を該封止材で埋設する封止ステップと、該封止ステップを実施した後、ウェーハの該表面から該第一の幅より狭い第二の幅を有し該仕上げ厚みに至る深さの第二の溝を該封止材に埋設された該第一の溝に沿って形成する第二の溝形成ステップと、該第二の溝形成ステップを実施した後、ウェーハの裏面を研削して該デバイスパッケージの仕上げ厚みへと薄化して、側面が該封止材で封止された複数のデバイスパッケージを形成する研削ステップと、を備えたことを特徴とする。
本発明のデバイスパッケージの製造方法は、ウェーハの反りに起因する加工品質の悪化を抑制することができるという効果を奏する。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
〔実施形態1〕
本発明の実施形態1に係るデバイスパッケージを図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係るデバイスパッケージの製造方法により製造されるデバイスパッケージの一例を示す断面図である。図2は、図1に示されたデバイスパッケージのデバイスの平面図である。図3は、実施形態1に係るデバイスパッケージ製造方法の流れを示すフローチャートである。
本発明の実施形態1に係るデバイスパッケージを図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係るデバイスパッケージの製造方法により製造されるデバイスパッケージの一例を示す断面図である。図2は、図1に示されたデバイスパッケージのデバイスの平面図である。図3は、実施形態1に係るデバイスパッケージ製造方法の流れを示すフローチャートである。
実施形態1に係るデバイスパッケージ1は、図1に示すように、デバイスチップ2と、封止材3とを備える。デバイスチップ2は、図1に示すように、基板4と、基板4の表面5に形成されたデバイス6と、を備える。実施形態1では、デバイス6は、IC(Integrated Circuit)又はLSI(Large Scale Integration)等の集積回路である。
また、デバイス6は、図2に示すように、表面7に図示しない基板等に接続するための突起電極であるバンプ8を複数備える。バンプ8は、導電性の金属により構成されている。バンプ8は、デバイス6の表面7から突出しており、実施形態1では、球状に形成されている。実施形態1では、デバイス6の平面形状は、四角形である。
封止材3は、絶縁性を有する合成樹脂により構成され、デバイスチップ2のデバイス6の表面7と、デバイスチップ2の側面9とを被覆して、デバイス6の表面7及び側面9を封止している。また、封止材3は、バンプ8の先端を露出させている。実施形態1では、封止材3は、全ての側面9を封止している。また。実施形態1では、封止材3は、熱硬化性樹脂により構成されている。
実施形態1に係るデバイスパッケージの製造方法は、デバイスパッケージ1を製造する方法であって、図3に示すように、準備ステップST1と、第一の溝形成ステップST2と、封止ステップST3と、電極露出ステップST4と、第二の溝形成ステップST5と、研削ステップST6とを備える。
(準備ステップ)
図4は、図3に示されたデバイスパッケージの製造方法の準備ステップにおいて準備されるウェーハの斜視図である。準備ステップST1は、図4に示すウェーハ20を準備するステップである。ウェーハ20は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基板4とする円板状の半導体ウェーハ等である。なお、ウェーハ20の説明において、デバイスチップ2と共通する部分には、同一符号を付して説明する。ウェーハ20は、図4に示すように、基板4の表面5の交差する複数のストリート21で区画された各領域にそれぞれデバイス6が形成されている。ウェーハ20を準備すると、第一の溝形成ステップST2に進む。
図4は、図3に示されたデバイスパッケージの製造方法の準備ステップにおいて準備されるウェーハの斜視図である。準備ステップST1は、図4に示すウェーハ20を準備するステップである。ウェーハ20は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基板4とする円板状の半導体ウェーハ等である。なお、ウェーハ20の説明において、デバイスチップ2と共通する部分には、同一符号を付して説明する。ウェーハ20は、図4に示すように、基板4の表面5の交差する複数のストリート21で区画された各領域にそれぞれデバイス6が形成されている。ウェーハ20を準備すると、第一の溝形成ステップST2に進む。
(第一の溝形成ステップ)
図5は、図3に示されたデバイスパッケージの製造方法の第一の溝形成ステップを一部断面で示す側面図である。図6は、図3に示されたデバイスパッケージの製造方法の第一の溝形成ステップ後のウェーハの断面図である。第一の溝形成ステップST2は、ウェーハ20のデバイス6の表面7から突出したバンプ8の先端からデバイスパッケージ1の仕上げ厚み10(図1に示す)に至る深さ22(図5に示す)の第一の溝23(図6に示す)をストリート21に沿って形成するステップである。なお、デバイスパッケージ1の仕上げ厚み10は、デバイスパッケージ1の基板4の裏面11から封止材3の表面12に露出したバンプ8の先端までのデバイスパッケージ1の厚さである。
図5は、図3に示されたデバイスパッケージの製造方法の第一の溝形成ステップを一部断面で示す側面図である。図6は、図3に示されたデバイスパッケージの製造方法の第一の溝形成ステップ後のウェーハの断面図である。第一の溝形成ステップST2は、ウェーハ20のデバイス6の表面7から突出したバンプ8の先端からデバイスパッケージ1の仕上げ厚み10(図1に示す)に至る深さ22(図5に示す)の第一の溝23(図6に示す)をストリート21に沿って形成するステップである。なお、デバイスパッケージ1の仕上げ厚み10は、デバイスパッケージ1の基板4の裏面11から封止材3の表面12に露出したバンプ8の先端までのデバイスパッケージ1の厚さである。
実施形態1において、第一の溝形成ステップST2では、切削装置30のチャックテーブル31の保持面32にウェーハ20の裏面11側が載置され、切削装置30が開閉弁33を開放して吸引源34に保持面32を吸引させて、ウェーハ20の裏面11側をチャックテーブル31の保持面32に吸引保持する。第一の溝形成ステップST2では、切削装置30が、図示しない撮像手段がウェーハ20の表面5を撮像して、ストリート21を検出し、切削ユニット35の切削ブレード36とストリート21とを位置合わせするアライメントを遂行する。
第一の溝形成ステップST2では、切削装置30が、チャックテーブル31と切削ブレード36とをストリート21に沿って相対的に移動させながら、図5に示すように、切削ブレード36をバンプ8の先端から仕上げ厚み10に至る深さ22までウェーハ20の表面5側からストリート21の幅方向の中央に切り込ませる。第一の溝形成ステップST2では、切削装置30が、切削ブレード36でストリート21に第一の溝23を形成する。第一の溝形成ステップST2では、図6に示すように、全てのストリート21に第一の溝23を形成すると、封止ステップST3に進む。
なお、実施形態1では、切削ブレード36が第一の厚みを有して、第一の溝23は、第一の厚みと同等の第一の幅24を有する。また、実施形態1では、第一の溝23のバンプ8の先端から底面までの深さ22は、仕上げ厚み10と同じであるが、本発明では、仕上げ厚み10以上であれば良い。実施形態1では、ストリート21に切削ブレード36を切り込ませる切削加工により第一の溝23を形成したが、本発明では、ストリート21に沿ってウェーハ20に対して吸収性を有する波長のレーザビームを照射するアブレーション加工により第一の溝23を形成しても良い。
(封止ステップ)
図7は、図3に示されたデバイスパッケージの製造方法の封止ステップ後のウェーハの断面図である。封止ステップST3は、第一の溝形成ステップST2を実施した後、ウェーハ20のデバイス6の表面7を封止材3で封止するとともに、第一の溝23を封止材3で埋設するステップである。
図7は、図3に示されたデバイスパッケージの製造方法の封止ステップ後のウェーハの断面図である。封止ステップST3は、第一の溝形成ステップST2を実施した後、ウェーハ20のデバイス6の表面7を封止材3で封止するとともに、第一の溝23を封止材3で埋設するステップである。
封止ステップST3では、ウェーハ20のデバイス6の表面7側に封止材3を構成する熱硬化性樹脂を供給して、熱硬化性樹脂で表面7を被覆するとともに、第一の溝23を熱硬化性樹脂で埋める。封止ステップST3では、熱硬化性樹脂を加熱して硬化させて、図7に示すように、表面7を封止材3で封止するとともに、第一の溝23内を封止材3で埋設する。表面7を封止材3で封止し、第一の溝23を封止材3で埋めると、電極露出ステップST4に進む。なお、実施形態1では、封止材3によりバンプ8の全体を封止するが、本発明では、バンプ8の先端を表面12から露出した状態になるように、封止材3でウェーハ20のデバイス6の表面7側を封止しても良い。
(電極露出ステップ)
図8は、図3に示されたデバイスパッケージの製造方法の電極露出ステップを示す斜視図である。電極露出ステップST4は、封止材3の表面12に研削加工、研磨加工のうち少なくとも一方を施して、封止材3の表面12にバンプ8を露出させるステップである。
図8は、図3に示されたデバイスパッケージの製造方法の電極露出ステップを示す斜視図である。電極露出ステップST4は、封止材3の表面12に研削加工、研磨加工のうち少なくとも一方を施して、封止材3の表面12にバンプ8を露出させるステップである。
実施形態1において、電極露出ステップST4では、研削装置40が、チャックテーブル41の保持面42にウェーハ20の裏面11側を吸引保持する。電極露出ステップST4では、図8に示すように、スピンドル43により研削用の研削ホイール44を回転しかつチャックテーブル41を軸心回りに回転させ、図示しない研削液ノズルから研削液を供給しつつ、研削ホイール44の研削砥石45を封止材3の表面12に当接させてチャックテーブル51に所定の送り速度で近づけて、研削砥石45で封止材3の表面12を研削する。
電極露出ステップST4では、バンプ8の先端が露出する所定の厚さになるまで、ウェーハ20のデバイス6の表面7を封止した封止材3を研削する。所定の厚さまでウェーハ20を研削すると第二の溝形成ステップST5に進む。なお、実施形態1において、電極露出ステップST4では、封止材3の表面12に研削加工を施して、封止材3の表面12にバンプ8を露出させたが、本発明では、研磨装置が、ウェーハ20の裏面側を保持したチャックテーブルを軸心回りに回転させながらスピンドルより回転された研磨用の研磨ホイールの研磨パッドを封止材3の表面12に当接させて、封止材3の表面12に研磨加工を施して、封止材3の表面12にバンプ8を露出させても良い。要するに、本発明では、電極露出ステップST4において、封止材3の表面に研削加工、研磨加工のうち少なくとも一方を施して、封止材3の表面12にバンプ8を露出させれば良い。本発明では、封止ステップST3において、バンプ8の先端を表面12から露出させた状態で封止材3を封止した場合には、電極露出ステップST4を実施しなくても良い。
(第二の溝形成ステップ)
図9は、図3に示されたデバイスパッケージの製造方法の第二の溝形成ステップを一部断面で示す側面図である。図10は、図3に示されたデバイスパッケージの製造方法の第二の溝形成ステップ後のウェーハの断面図である。第二の溝形成ステップST5は、封止ステップST3を実施した後、ウェーハ20のデバイス6の表面7から突出したバンプ8の先端からデバイスパッケージ1の仕上げ厚み10に至る深さ25(図9に示す)の第二の溝26(図10に示す)を封止材3に埋設された第一の溝23に沿って形成するステップである。
図9は、図3に示されたデバイスパッケージの製造方法の第二の溝形成ステップを一部断面で示す側面図である。図10は、図3に示されたデバイスパッケージの製造方法の第二の溝形成ステップ後のウェーハの断面図である。第二の溝形成ステップST5は、封止ステップST3を実施した後、ウェーハ20のデバイス6の表面7から突出したバンプ8の先端からデバイスパッケージ1の仕上げ厚み10に至る深さ25(図9に示す)の第二の溝26(図10に示す)を封止材3に埋設された第一の溝23に沿って形成するステップである。
実施形態1において、第二の溝形成ステップST5では、切削装置50のチャックテーブル51の保持面52にウェーハ20の裏面11側が載置され、切削装置50が開閉弁53を開放して吸引源54に保持面52を吸引させて、ウェーハ20の裏面11側をチャックテーブル51の保持面52に吸引保持する。第二の溝形成ステップST5では、切削装置50が、撮像手段でウェーハ20の表面7を封止した封止材3の表面12を撮像して、封止材3で封止された第一の溝23を検出し、切削ユニット55の切削ブレード56と第一の溝23とを位置合わせするアライメントを遂行する。なお、第二の溝形成ステップST5で用いられる切削ブレード56の第二の厚みは、第一の溝形成ステップST2で用いられる切削ブレード36の第一の厚みよりも薄い。
第二の溝形成ステップST5では、切削装置50が、チャックテーブル51と切削ブレード56とを第一の溝23に沿って相対的に移動させながら、図9に示すように、切削ブレード56をバンプ8の先端から仕上げ厚み10に至る深さ25までウェーハ20の表面7側から第一の溝23内を埋設した封止材3の幅方向の中央に切り込ませる。第二の溝形成ステップST5では、切削装置50が、切削ブレード56で第一の溝23を封止した封止材3に第二の溝26を形成する。第一の溝形成ステップST2では、図10に示すように、全ての第一の溝23を封止した封止材3に第二の溝26を形成すると、研削ステップST6に進む。
なお、実施形態1では、切削ブレード56の第二の厚みが第一の厚みより薄いので、第二の溝26は、第二の厚みと同等でかつ第一の幅24よりも狭い第二の幅27を有する。また、実施形態1では、第二の溝26のバンプ8の先端から底面までの深さ25は、仕上げ厚み10よりも深いが、本発明では、仕上げ厚み10以上であれば良い。実施形態1では、第一の溝23内を埋設した封止材3に切削ブレード56を切り込ませる切削加工により第二の溝26を形成したが、本発明では、第一の溝23に沿って封止材3に対して吸収性を有する波長のレーザビームを照射するアブレーション加工により第二の溝26を形成しても良い。
(研削ステップ)
図11は、図3に示されたデバイスパッケージの製造方法の研削ステップにおいて封止材の表面に表面保護テープを貼着した状態を示す断面図である。図12は、図3に示されたデバイスパッケージの製造方法の研削ステップにおいてウェーハの表面保護テープ側をチャックテーブルに吸引保持した状態を示す断面図である。図13は、図3に示されたデバイスパッケージの製造方法の研削ステップにおいてウェーハの裏面側を研削する状態を示す断面図である。
図11は、図3に示されたデバイスパッケージの製造方法の研削ステップにおいて封止材の表面に表面保護テープを貼着した状態を示す断面図である。図12は、図3に示されたデバイスパッケージの製造方法の研削ステップにおいてウェーハの表面保護テープ側をチャックテーブルに吸引保持した状態を示す断面図である。図13は、図3に示されたデバイスパッケージの製造方法の研削ステップにおいてウェーハの裏面側を研削する状態を示す断面図である。
研削ステップST6は、第二の溝形成ステップST5を実施した後、ウェーハ20の裏面11を研削してデバイスパッケージ1の仕上げ厚み10へと薄化して、デバイスチップ2の側面9が封止材3で封止された複数のデバイスパッケージ1を形成するステップである。
実施形態1において、研削ステップST6では、図11に示すように、封止材3の表面12に表面保護テープ100を貼着する。実施形態1では、表面保護テープ100は、外径がウェーハ20の外径と略等しい(よりも若干小さい)円板状に形成されている。研削ステップST6では、研削装置60が、チャックテーブル61の保持面62にウェーハ20に貼着された表面保護テープ100が載置され、図12に示すように、開閉弁63を開放して吸引源64に保持面62を吸引させて、ウェーハ20の封止材3側を表面保護テープ100を介してチャックテーブル41の保持面42に吸引保持する。
研削ステップST6では、図12に示すように、スピンドル65により研削用の研削ホイール66を回転しかつチャックテーブル61を軸心回りに回転させ、図示しない研削液ノズルから研削液を供給しつつ、研削ホイール66の研削砥石67をウェーハ20の基板4の裏面11に当接させてチャックテーブル61に所定の送り速度で近づけて、研削砥石67でウェーハ20の裏面11側を研削する。
研削ステップST6では、ウェーハ20の厚みがデバイスパッケージ1の仕上げ厚み10になるまで、ウェーハ20の裏面11側を研削する。仕上げ厚み10まで研削されると、第一の溝23の深さ22が仕上げ厚み10と等しく、第二の溝26の深さ25が仕上げ厚み10よりも深いので、ウェーハ20は、裏面11側に第二の溝26が表出して、個々のデバイスチップ2に分割される。また、第一の溝23の第一の幅24よりも第二の溝26の第二の幅27が狭いので、個々のデバイスチップ2の側面9は、封止材3により被覆されている。研削ステップST6において、仕上げ厚み10まで薄化されると、ウェーハ20は、個々のデバイスパッケージ1に分割されることとなる。ウェーハ20が個々のデバイスパッケージ1に分割されると、実施形態1に係るデバイスパッケージの製造方法は、終了する。なお、個々に分割されたデバイスパッケージ1は、周知のピッカーにより表面保護テープ100からピックアップされる。
以上説明した実施形態1に係るデバイスパッケージの製造方法は、第二の溝形成ステップST5において、表面が封止材で封止されたウェーハ20に表面7側から第一の溝23を埋設した封止材3に第二の溝26を形成する。このために、デバイスパッケージの製造方法は、ウェーハ20を構成する基板4と封止材3を構成する熱硬化性樹脂との熱膨張係数の差による熱応力により封止ステップST3後のウェーハ20が反っても、第二の溝26を形成することで、熱応力が開放されて、表面7が封止材3で封止されたウェーハ20の反りを抑制して、ウェーハ20を平坦な状態にすることができる。
その結果、デバイスパッケージの製造方法は、研削ステップST6においてウェーハ20を薄化する際に、ウェーハ20をチャックテーブル61の保持面62に吸引保持することができ、ウェーハ20全体を仕上げ厚み10まで薄化することができる。よって、デバイスパッケージの製造方法は、ウェーハ20の反りに起因する加工品質の悪化を抑制することができ、側面9が封止されたデバイスパッケージ1を製造することができる。
また、デバイスパッケージの製造方法は、封止ステップST3においてウェーハ20の表面7側を封止した後、次いで、第二の溝形成ステップにおいて第二の溝26を形成し、裏面11を研削するため、研削ステップST6において研削加工前に表面保護テープ100を貼着するだけで良い。このために、デバイスパッケージの製造方法は、ストリート21に沿った溝を封止材3で封止し、仕上げ厚みへと薄化してから表面保護テープが貼着されウェーハ20にダイシングテープを貼着した後に、表面保護テープを剥がす、転写ステップが不要となり、工程が簡略化できる上、転写に伴うウェーハ20の破損リスクを抑えることが可能である。更に、デバイスパッケージの製造方法は、転写ステップが不要であるので、加工に係るテープも削減することができる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
1 デバイスパッケージ
3 封止材
6 デバイス
7 表面
9 側面
10 仕上げ厚み
11 裏面
20 ウェーハ
21 ストリート
22 深さ
23 第一の溝
24 第一の幅
25 深さ
26 第二の溝
27 第二の幅
ST1 準備ステップ
ST2 第一の溝形成ステップ
ST3 封止ステップ
ST5 第二の溝形成ステップ
ST6 研削ステップ
3 封止材
6 デバイス
7 表面
9 側面
10 仕上げ厚み
11 裏面
20 ウェーハ
21 ストリート
22 深さ
23 第一の溝
24 第一の幅
25 深さ
26 第二の溝
27 第二の幅
ST1 準備ステップ
ST2 第一の溝形成ステップ
ST3 封止ステップ
ST5 第二の溝形成ステップ
ST6 研削ステップ
Claims (1)
- デバイスパッケージの製造方法であって、
交差する複数のストリートで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハを準備する準備ステップと、
ウェーハの表面から第一の幅を有し該デバイスパッケージの仕上げ厚みに至る深さの第一の溝を該ストリートに沿って形成する第一の溝形成ステップと、
該第一の溝形成ステップを実施した後、ウェーハの該表面を封止材で封止するとともに該第一の溝を該封止材で埋設する封止ステップと、
該封止ステップを実施した後、ウェーハの該表面から該第一の幅より狭い第二の幅を有し該仕上げ厚みに至る深さの第二の溝を該封止材に埋設された該第一の溝に沿って形成する第二の溝形成ステップと、
該第二の溝形成ステップを実施した後、ウェーハの裏面を研削して該デバイスパッケージの仕上げ厚みへと薄化して、側面が該封止材で封止された複数のデバイスパッケージを形成する研削ステップと、を備えたデバイスパッケージの製造方法。
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