JP2022148414A - パッケージデバイスの製造方法 - Google Patents
パッケージデバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022148414A JP2022148414A JP2021050091A JP2021050091A JP2022148414A JP 2022148414 A JP2022148414 A JP 2022148414A JP 2021050091 A JP2021050091 A JP 2021050091A JP 2021050091 A JP2021050091 A JP 2021050091A JP 2022148414 A JP2022148414 A JP 2022148414A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- grooves
- mold resin
- manufacturing
- dividing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 49
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 74
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 74
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 6
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 72
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 28
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 7
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【課題】ウェーハにクラックが形成されることを抑制しつつ、ウェーハとモールド樹脂との密着性を高めることができるパッケージデバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】パッケージデバイスの製造方法は、 表面に複数の分割予定ラインによって区画されたデバイス領域を有するウェーハを準備するウェーハ準備ステップ1001と、ウェーハの表面側から分割予定ラインに沿って所定の間隔をあけて二本の溝を形成する溝形成ステップ1002と、ウェーハの溝にモールド樹脂を充填するとともにウェーハの表面側をモールド樹脂で被覆するモールド樹脂被覆ステップ1003と、二本の溝の間に二本の溝の内側の間隔より大きく、二本の溝の外側の間隔より小さい幅でウェーハを分割する分割溝を形成し、側面の一部と表面とがモールド樹脂で被覆されたパッケージデバイスを得る分割ステップ1004と、を備える。【選択図】図2
Description
本発明は、表面側をモールド樹脂で封止したパッケージデバイスの製造方法に関する。
近年、ウェーハの状態でパッケージングまで行うWL-CSP(Wafer Level Chip Size Package)が注目されている。このWL-CSPでは、ウェーハの表面側に「形成された複数のデバイスをモールド樹脂で封止し、その後、ウェーハを各デバイスに対応する複数のパッケージデバイスへと分割する。
しかし、パッケージデバイスに分割した後に、モールド樹脂がウェーハから剥がれてしまう問題が発生している。
そこで、ウェーハの分割予定ラインに溝を形成し、モールド樹脂を溝の充填し、デバイスチップの表面と側面とにモールド樹脂を被覆することによって、樹脂とウェーハとの接触面積を高め、密着性を向上させるアイディアが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
しかし、通常、側面までモールド樹脂で被覆されたパッケージデバイスを形成するためには、パッケージデバイスに分割する際に形成する分割溝よりも広い加工溝を形成し、モールド樹脂を充填する必要があるため、加工溝の幅が広い分、加工負荷が高く、溝底にチッピングが発生しやすいため、モールド樹脂に圧力をかけて硬化する際に、形成されたハーフカット溝を起点にウェーハにクラックが発生してしまう恐れや、充填されたモールド樹脂が溝内で膨張するためウェーハにクラックが形成されやすいといった問題があった。
本発明の目的は、ウェーハにクラックが形成されることを抑制しつつ、ウェーハとモールド樹脂との密着性を高めることができるパッケージデバイスの製造方法を提供することである。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のパッケージデバイスの製造方法は、表面に、複数の分割予定ラインによって区画されたデバイス領域を有するウェーハを準備するウェーハ準備ステップと、ウェーハの表面側から該分割予定ラインに沿って、所定の間隔をあけて二本の溝を形成する溝形成ステップと、該ウェーハの該溝にモールド樹脂を充填するとともに、ウェーハの表面側を該モールド樹脂で被覆するモールド樹脂被覆ステップと、該二本の溝の間に、該二本の溝の内側の間隔より大きく、該二本の溝の外側の間隔より小さい幅でウェーハを分割する分割溝を形成し、側面の一部と表面とが該モールド樹脂で被覆されたパッケージデバイスを得る分割ステップと、を備えることを特徴とする。
本発明は、ウェーハにクラックが形成されることを抑制しつつ、ウェーハとモールド樹脂との密着性を高めることができるという効果を奏する。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
〔実施形態1〕
本発明の実施形態1に係るパッケージデバイスの製造方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係るパッケージデバイスの製造方法により製造されるパッケージデバイスの一例を示す斜視図である。図2は、図1に示されたパッケージデバイスの製造方法の流れを示すフローチャートである。
本発明の実施形態1に係るパッケージデバイスの製造方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係るパッケージデバイスの製造方法により製造されるパッケージデバイスの一例を示す斜視図である。図2は、図1に示されたパッケージデバイスの製造方法の流れを示すフローチャートである。
実施形態1に係るパッケージデバイスの製造方法は、図1に示すパッケージデバイス1を製造する方法である。パッケージデバイス1は、図1に示すように、デバイスチップ2と、モールド樹脂3とを備える。デバイスチップ2は、図1に示すように、基板4と、基板4の表面5に形成されたデバイス6と、を備える。
基板4は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などで構成されている。基板4の平面形状は、四角形に形成されている。基板4は、厚み方向の中央に、中央から表面5側の平面形状を中央から表面5の裏側の裏面7側の平面形状よりも小さくする段差8を設けている。実施形態1では、デバイス6は、IC(Integrated Circuit)又はLSI(Large Scale Integration)等の集積回路である。実施形態1では、デバイス6の平面形状は、四角形である。
モールド樹脂3は、絶縁性を有する合成樹脂により構成され、デバイスチップ2の基板4の表面5即ちデバイス6と、デバイスチップ2の基板4の側面9の一部とを被覆して、デバイス6、基板4の表面5及び側面9の一部を封止している。実施形態1において、モールド樹脂3は、デバイスチップ2の基板4の側面9のうち基板4の厚み方向の中央と表面5側との間即ち側面9の段差8と表面5との間を被覆して、側面9の段差8と裏面7との間を露出させている。また、実施形態1では、モールド樹脂3は、熱硬化性樹脂により構成されている。こうして、パッケージデバイス1は、基板4の側面9の一部と基板4の表面5とがモールド樹脂3で被覆されている。
実施形態1に係るパッケージデバイスの製造方法は、パッケージデバイス1を製造する方法であって、図2に示すように、ウェーハ準備ステップ1001と、溝形成ステップ1002と、モールド樹脂被覆ステップ1003と、分割ステップ1004とを備える。
(ウェーハ準備ステップ)
図3は、図2に示されたパッケージデバイスの製造方法のウェーハ準備ステップにおいて準備されるウェーハの斜視図である。図4は、図3に示されたウェーハの一部の断面図である。ウェーハ準備ステップ1001は、図3に示すウェーハ20を準備するステップである。ウェーハ20は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基板4とする円板状の半導体ウェーハ等である。なお、ウェーハ20の説明において、デバイスチップ2と共通する部分には、同一符号を付して説明する。ウェーハ20は、図3に示すように、基板4の表面5に、互いに交差する複数の分割予定ライン21によって区画されたデバイス領域を有し、各デバイス領域にそれぞれデバイス6が形成されている。
図3は、図2に示されたパッケージデバイスの製造方法のウェーハ準備ステップにおいて準備されるウェーハの斜視図である。図4は、図3に示されたウェーハの一部の断面図である。ウェーハ準備ステップ1001は、図3に示すウェーハ20を準備するステップである。ウェーハ20は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基板4とする円板状の半導体ウェーハ等である。なお、ウェーハ20の説明において、デバイスチップ2と共通する部分には、同一符号を付して説明する。ウェーハ20は、図3に示すように、基板4の表面5に、互いに交差する複数の分割予定ライン21によって区画されたデバイス領域を有し、各デバイス領域にそれぞれデバイス6が形成されている。
また、実施形態1では、ウェーハ20は、図4に示すように、裏面7にウェーハ20よりも大径な円板状の粘着テープ22が貼着され、粘着テープ22の外縁部に内径がウェーハ20の外径よりも大径な円環状の図示しない環状フレームが貼着されて、環状フレームの内側の開口内に支持される。
(溝形成ステップ)
図5は、図2に示されたパッケージデバイスの製造方法の溝形成ステップを実施する切削装置の構成例を示す斜視図である。図6は、図2に示されたパッケージデバイスの製造方法の溝形成ステップ後のウェーハの一部の断面図である。
図5は、図2に示されたパッケージデバイスの製造方法の溝形成ステップを実施する切削装置の構成例を示す斜視図である。図6は、図2に示されたパッケージデバイスの製造方法の溝形成ステップ後のウェーハの一部の断面図である。
溝形成ステップ1002は、図5に示す切削装置30がウェーハ20の表面5側から分割予定ライン21に沿って、所定の間隔をあけてウェーハ20に二本の溝10(図6に示す)を形成するステップである。二本の溝10はウェーハ20を完全に分割する分割溝でも良いし、ウェーハ20を完全に分割しないハーフカット溝でもよい。実施形態1において、溝形成ステップ1002では、図5に示す切削装置30がチャックテーブル31の保持面32にウェーハ20の裏面7側を粘着テープ22を介して吸引保持し、環状フレームをクランプ部33でクランプする。
溝形成ステップ1002では、切削装置30が、チャックテーブル31を撮像ユニット34の下方に移動し、撮像ユニット34でウェーハ20の表面5を撮像して、分割予定ライン21を検出し、切削ユニット35の切削ブレード36と分割予定ライン21とを位置合わせするアライメントを遂行する。切削ブレード36は、円環状の円形基台と、円形基台の外周縁に配設されてウェーハ20を切削加工する円環状の切り刃37(図6に示す)とを備える所謂ハブブレードである。切り刃37は、ダイヤモンドやCBN(Cubic Boron Nitride)等の砥粒と、金属や樹脂等の砥粒を固定するボンド材(結合材)とからなり厚み一定のリング状に形成されている。
また、本発明では、切削ブレード36は、切り刃37のみで構成された所謂ワッシャーブレードでも良い。なお、実施形態1において、切削ブレード36の切り刃37の厚み38は、分割予定ライン21の幅23よりも薄く、各分割予定ライン21の幅方向の両縁部に溝10を形成しても、形成された溝10同士が間隔をあける(即ち、二本の溝10間に切削ブレード36により切削加工されていない基板4が残存する)厚みである。
溝形成ステップ1002では、切削装置30が、チャックテーブル31と切削ブレード36とを分割予定ライン21に沿って相対的に移動させながら、切削ブレード36を表面5から厚み方向の中央に至る深さまでウェーハ20の表面5側から分割予定ライン21の幅方向の両縁部に切り込ませる。溝形成ステップ1002では、切削装置30が、切削ブレード36で分割予定ライン21の幅方向の両縁部に分割予定ライン21と平行な溝10を形成して、図6に示すように、各分割予定ライン21に二本の溝10を形成する。溝10の幅11は、切削ブレード36の切り刃37の厚み38と同等でかつ分割予定ライン21の幅23よりも狭い。溝形成ステップ1002では、図6に示すように、全ての分割予定ライン21に二本の溝10を形成する。
なお、実施形態1において、溝形成ステップ1002では、同じ切削ブレード36をウェーハ20に切り込ませて二本の溝10の幅11を同じにしたが、本発明では、互いに異なる切削ブレード36をウェーハ20に切り込ませて二本の溝10を形成しても良く、更に、互いに切り刃37の厚み38が異なる切削ブレード36をウェーハ20に切り込ませて二本の溝10の幅11を異ならせても良い。
(モールド樹脂被覆ステップ)
図7は、図2に示されたパッケージデバイスの製造方法のモールド樹脂被覆ステップ後のウェーハの一部の断面図である。モールド樹脂被覆ステップ1003は、ウェーハ20の溝10にモールド樹脂3を充填するとともにウェーハ20の表面5側をモールド樹脂3で被覆するステップである。
図7は、図2に示されたパッケージデバイスの製造方法のモールド樹脂被覆ステップ後のウェーハの一部の断面図である。モールド樹脂被覆ステップ1003は、ウェーハ20の溝10にモールド樹脂3を充填するとともにウェーハ20の表面5側をモールド樹脂3で被覆するステップである。
モールド樹脂被覆ステップ1003では、ウェーハ20の表面5側にモールド樹脂3を構成する熱硬化性樹脂を供給して、熱硬化性樹脂を溝10内に充填するととともに、熱硬化性樹脂によりウェーハ20の表面5を被覆する。モールド樹脂被覆ステップ1003では、圧力を付与しながら熱硬化性樹脂を加熱して硬化させて、図7に示すように、溝10内にモールド樹脂3を充填し、ウェーハ20の表面5をモールド樹脂3で被覆、封止する。
(分割ステップ)
図8は、図2に示されたパッケージデバイスの製造方法の分割ステップ後のウェーハの一部の断面図である。分割ステップ1004は、二本の溝10の間に、二本の溝10の内側の間隔12(図7に示す)より大きく、二本の溝10の外側の間隔13(図8に示す)より小さい幅15でウェーハ20を分割する分割溝14を形成し、側面9の一部と表面5とがモールド樹脂3で被覆されたパッケージデバイス1を得るステップである。
図8は、図2に示されたパッケージデバイスの製造方法の分割ステップ後のウェーハの一部の断面図である。分割ステップ1004は、二本の溝10の間に、二本の溝10の内側の間隔12(図7に示す)より大きく、二本の溝10の外側の間隔13(図8に示す)より小さい幅15でウェーハ20を分割する分割溝14を形成し、側面9の一部と表面5とがモールド樹脂3で被覆されたパッケージデバイス1を得るステップである。
実施形態1において、分割ステップ1004では、切削装置30がチャックテーブル31の保持面32にウェーハ20の裏面7側を裏面7に貼着された粘着テープ22を介して吸引保持し、クランプ部33で環状フレームをクランプする。分割ステップ1004では、切削装置30が、チャックテーブル31を撮像ユニット34の下方に移動し、撮像ユニット34でウェーハ20の表面5を撮像して、分割予定ライン21を検出し、切削ユニット35の切削ブレード39と分割予定ライン21とを位置合わせするアライメントを遂行する。
切削ブレード39は、円環状の円形基台と、円形基台の外周縁に配設されてウェーハ20を切削加工する円環状の切り刃40(図8に示す)とを備える所謂ハブブレードである。切り刃40は、ダイヤモンドやCBN(Cubic Boron Nitride)等の砥粒と、金属や樹脂等の砥粒を固定するボンド材(結合材)とからなり厚み一定のリング状に形成されている。また、本発明では、切削ブレード39は、切り刃40のみで構成された所謂ワッシャーブレードでも良い。
なお、実施形態1において、切削ブレード39の切り刃40の厚み41は、分割予定ライン21の幅23よりも薄い。実施形態1において、切削ブレード39の切り刃40の厚み41は、各分割予定ライン21に形成された二本の溝10同士の互いに近接した縁間の間隔12(二本の溝10の内側の間隔12に相当する)よりも厚く、二本の溝10同士の互いに離れた側の縁間の間隔13(二本の溝10の外側の間隔13に相当する)よりも薄い。
また、実施形態1では、分割ステップ1004の切削ブレード39の切り刃40の厚み41は、溝形成ステップ1002の切削ブレード36の切り刃37の厚み38よりも厚く、分割ステップ1004の切削ブレード39は溝形成ステップ1002の切削ブレード36と異なる。しかしながら、本発明では、分割ステップ1004の切削ブレード39は、切り刃40の厚み41が間隔12よりも厚くかつ間隔13よりも薄いのであれば、溝形成ステップ1002の切削ブレード36と同じ切削ブレードでも良い。また分割ステップ1004の切削ブレード39の切り刃40の厚み41が厚い場合でも、分割予定ライン21の一部は溝形成ステップ1002で形成された溝10によって除去されているため、加工負荷を小さく抑え、パッケージデバイス1の裏面側や表面側へのチッピングの発生も防ぐことができる。
分割ステップ1004では、切削装置30が、チャックテーブル31と切削ブレード39とを分割予定ライン21に沿って相対的に移動させながら、図8に示すように、切削ブレード39の切り刃40を粘着テープ22に至るまでウェーハ20の表面5側から各分割予定ライン21に形成された溝10間の中央に切り込ませる。分割ステップ1004では、切削装置30が、図8に示すように、切削ブレード39で間隔12よりも大きくかつ間隔13よりも小さい幅15の分割溝14をウェーハ20の各分割予定ライン21に形成し、ウェーハ20を個々のデバイス6毎に分割して、前述した構成のパッケージデバイス1を得る。なお、個々に分割されたパッケージデバイス1は、周知のピッカーにより粘着テープ22からピックアップされる。
従来、側面の少なくとも一部と表面とが被覆されたパッケージデバイスを得ようとすると、樹脂で封止されたウェーハ20をデバイスチップに分割する分割溝を形成する前に分割溝よりも広い幅の加工溝を形成してその加工溝にモールド樹脂を充填する必要があった。しかし一般に、切削ブレードは、切り刃の厚みが厚くなると加工負荷が高くなる。また加工時間の長時間化を抑制するために、切り刃を構成する砥粒の粒径が大きくなる傾向がある。また、一般に砥粒の大きな切削ブレードをウェーハ20の表面5側から厚み方向の中央まで切り込ませて溝を形成すると、溝の底から裏面7側に向かって伸展するクラックの長さが長くなるとともに、クラックの数が増加し、溝の底にチッピングが発生しやすくなる。よってモールド樹脂を充填するための加工溝を形成した段階で、デバイスチップに欠けやクラックを発生させる恐れがあった。
また、一般に砥粒の大きな切削ブレードをウェーハ20の表面5側から厚み方向の中央まで切り込ませて形成した溝内にモールド樹脂3を充填すると、溝の幅が広いために充填されたモールド樹脂3が溝内で膨張した際に、デバイスチップにクラックが形成されやすいといった問題があった。
そこで、実施形態1に係るパッケージデバイスの製造方法は、溝形成ステップ1002において、分割予定ライン21の幅23よりも薄く、各分割予定ライン21の幅方向の両縁部に溝10を形成しても、形成された溝10同士が間隔をあける厚み38の切り刃37を備える切削ブレード36を切り込ませて溝10を形成する。このために、実施形態1に係るパッケージデバイスの製造方法は、溝形成ステップ1002の切削ブレード36の厚み38を抑制して、各分割予定ライン21の幅方向の両縁部に溝10を形成して、各分割予定ライン21に二本の溝10を形成することができ、溝10の底から裏面7に向かって伸展するクラックの長さ及び数を抑制できるとともに、溝10の底に発生するチッピングを抑制することができる。
また、実施形態1に係るパッケージデバイスの製造方法は、溝形成ステップ1002において、各分割予定ライン21に二本の溝10を形成し、モールド樹脂被覆ステップ1003において、各溝10にモールド樹脂3を充填するので、溝10内でモールド樹脂3が膨張したとしても溝10の幅11が狭いため、応力が分散されクラックが形成されにくくなる。
また、実施形態1に係るパッケージデバイスの製造方法は、分割ステップ1004において、前述した間隔12よりも大きくかつ間隔13よりも小さい幅15の分割溝14を形成するので、基板4の表面5だけでなく基板4の側面9の一部がモールド樹脂3で被覆されたパッケージデバイス1を得ることができる。このために、実施形態1に係るパッケージデバイスの製造方法は、基板4とモールド樹脂3との接着面積が増え、密着性が向上し、基板4からモールド樹脂3が剥がれてしまうことを抑制できる。
こうして、実施形態1に係るパッケージデバイスの製造方法は、ウェーハ20にクラックが形成されることを抑制しつつ、ウェーハ20とモールド樹脂3との密着性を高めることができるという効果を奏する。
〔実施形態2〕
本発明の実施形態2に係るパッケージデバイスの製造方法を図面に基づいて説明する。図9は、実施形態2に係るパッケージデバイスの製造方法により製造されるパッケージデバイスの一例を示す斜視図である。図10は、図9に示されたパッケージデバイスの製造方法の流れを示すフローチャートである。図11は、図9に示されたパッケージデバイスの製造方法の研削ステップを模式的に示す側面図である。図12は、図9に示されたパッケージデバイスの製造方法の研削ステップ後のウェーハの一部の断面図である。なお、図9、図19、図11及び図12は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
本発明の実施形態2に係るパッケージデバイスの製造方法を図面に基づいて説明する。図9は、実施形態2に係るパッケージデバイスの製造方法により製造されるパッケージデバイスの一例を示す斜視図である。図10は、図9に示されたパッケージデバイスの製造方法の流れを示すフローチャートである。図11は、図9に示されたパッケージデバイスの製造方法の研削ステップを模式的に示す側面図である。図12は、図9に示されたパッケージデバイスの製造方法の研削ステップ後のウェーハの一部の断面図である。なお、図9、図19、図11及び図12は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
実施形態2に係るパッケージデバイスの製造方法は、図9に示すパッケージデバイス1-2を製造する方法である。パッケージデバイス1-2は、図9に示すように、基板4の側面9に段差8が形成されることなく、基板4の側面9全体がモールド樹脂3により被覆されている事以外、パッケージデバイス1と同じ構成である。
実施形態2に係るパッケージデバイスの製造方法は、パッケージデバイス1-2を製造する方法であって、図10に示すように、ウェーハ準備ステップ1001と、溝形成ステップ1002と、モールド樹脂被覆ステップ1003と、分割ステップ1004とに加え、研削ステップ1005を備える。
実施形態2に係るパッケージデバイスの製造方法は、溝形成ステップ1002において、切削装置30がウェーハ20の各分割予定ライン21の幅方向の両縁部に切削ブレード36の切り刃37をパッケージデバイス1-2の基板4の厚み以上の深さまで切り込ませて、各分割予定ライン21にパッケージデバイス1-2の基板4の厚み以上の深さの溝10を二本形成する。
実施形態2に係るパッケージデバイスの製造方法の研削ステップ1005は、モールド樹脂被覆ステップ1003を実施した後、分割ステップ1004を実施する前に、ウェーハ20の裏面7を研削してモールド樹脂3とウェーハ20とを合わせた厚みをパッケージデバイス1-2の厚みへと薄化して、ウェーハ20の裏面7側に溝10に充填されたモールド樹脂3を露出させるステップである。実施形態2において、研削ステップ1005では、図11に示すように、研削装置50が、ウェーハ20の基板4の表面5を被覆したモールド樹脂3をチャックテーブル51の保持面52に吸引保持する。
研削ステップ1005では、図11に示すように、スピンドル53により研削用の研削ホイール54を回転しかつチャックテーブル51を軸心回りに回転させ、図示しない研削液ノズルから研削液を供給しつつ、研削ホイール54の研削砥石55をウェーハ20の基板4の裏面7に当接させてチャックテーブル51に所定の送り速度で近づけて、研削砥石55でウェーハ20の裏面7側を研削する。
研削ステップ1005では、モールド樹脂3とウェーハ20とを合わせた厚みが所望されるパッケージデバイス1-2の厚みになるまで、ウェーハ20の裏面7側を研削する。モールド樹脂3とウェーハ20とを合わせた厚みがパッケージデバイス1-2の厚みまで裏面7が研削されると、溝10の深さがパッケージデバイス1の基板4の厚み以上であるので、ウェーハ20は、図12に示すように、裏面7側に溝10及び溝10内のモールド樹脂3が露出する。その後、実施形態2に係るパッケージデバイスの製造方法は、分割ステップ1004において、ウェーハ20を個々のデバイス6毎に分割して図9に示されたパッケージデバイス1-2を得る。
実施形態2に係るパッケージデバイスの製造方法は、溝形成ステップ1002において各分割予定ライン21に二本の溝10を形成し、モールド樹脂被覆ステップ1003において各溝10にモールド樹脂3を充填するので、実施形態1と同様に、ウェーハ20にクラックが形成されることを抑制しつつ、ウェーハ20とモールド樹脂3との密着性を高めることができるという効果を奏する。
また、実施形態2に係るパッケージデバイスの製造方法は、パッケージデバイス1-2の基板4の側面9全体をモールド樹脂3により被覆するので、基板4とモールド樹脂3との接着面積を向上でき、基板4とモールド樹脂3との密着性を向上でき、基板4からモールド樹脂3が剥がれてしまうことを抑制することができる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
1,1-2 パッケージデバイス
3 モールド樹脂
5 表面
6 デバイス
9 側面
10 溝
12 間隔(内側の間隔)
13 間隔(外側の間隔)
14 分割溝
15 幅
20 ウェーハ
21 分割予定ライン
1001 ウェーハ準備ステップ
1002 溝形成ステップ
1003 モールド樹脂被覆ステップ
1004 分割ステップ
1005 研削ステップ
3 モールド樹脂
5 表面
6 デバイス
9 側面
10 溝
12 間隔(内側の間隔)
13 間隔(外側の間隔)
14 分割溝
15 幅
20 ウェーハ
21 分割予定ライン
1001 ウェーハ準備ステップ
1002 溝形成ステップ
1003 モールド樹脂被覆ステップ
1004 分割ステップ
1005 研削ステップ
Claims (1)
- 表面に、複数の分割予定ラインによって区画されたデバイス領域を有するウェーハを準備するウェーハ準備ステップと、
ウェーハの表面側から該分割予定ラインに沿って、所定の間隔をあけて二本の溝を形成する溝形成ステップと、
該ウェーハの該溝にモールド樹脂を充填するとともに、ウェーハの表面側を該モールド樹脂で被覆するモールド樹脂被覆ステップと、
該二本の溝の間に、該二本の溝の内側の間隔より大きく、該二本の溝の外側の間隔より小さい幅でウェーハを分割する分割溝を形成し、側面の一部と表面とが該モールド樹脂で被覆されたパッケージデバイスを得る分割ステップと、を備えることを特徴とする
パッケージデバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021050091A JP2022148414A (ja) | 2021-03-24 | 2021-03-24 | パッケージデバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021050091A JP2022148414A (ja) | 2021-03-24 | 2021-03-24 | パッケージデバイスの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022148414A true JP2022148414A (ja) | 2022-10-06 |
Family
ID=83462794
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021050091A Pending JP2022148414A (ja) | 2021-03-24 | 2021-03-24 | パッケージデバイスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2022148414A (ja) |
-
2021
- 2021-03-24 JP JP2021050091A patent/JP2022148414A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI767022B (zh) | 基板處理方法及基板處理系統 | |
JP4342832B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2007096115A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2012069747A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
TW201943028A (zh) | 板狀物的加工方法 | |
JP7241518B2 (ja) | パッケージデバイスの製造方法 | |
US8052505B2 (en) | Wafer processing method for processing wafer having bumps formed thereon | |
JP7407561B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2022148414A (ja) | パッケージデバイスの製造方法 | |
JP7175698B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
US6264535B1 (en) | Wafer sawing/grinding process | |
JP3803214B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR102253564B1 (ko) | 패키지 웨이퍼의 제조 방법 | |
TWI805872B (zh) | 晶圓的加工方法 | |
CN113990740A (zh) | 一种晶圆背面减薄的方法及晶圆结构 | |
JP2004207591A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP7084718B2 (ja) | 被加工物の加工方法 | |
JP2000340530A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP7397598B2 (ja) | パッケージの製造方法 | |
JP6558541B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP7450460B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP7191467B2 (ja) | 被加工物の研削方法 | |
US20220172952A1 (en) | Processing method of wafer | |
JP2020181876A (ja) | デバイスパッケージの製造方法 | |
JP7455470B2 (ja) | ウェーハの加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20240219 |