JP7175698B2 - ウェーハの加工方法 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態1に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。図2は、実施形態1に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。
図3は、図2に示されたウェーハの加工方法の保護部材貼着ステップを示す斜視図である。図4は、図2に示されたウェーハの加工方法の保護部材貼着ステップ後のウェーハを示す斜視図である。
図5は、図2に示されたウェーハの加工方法の研削ステップを一部断面で示す側面図である。図6は、図2に示されたウェーハの加工方法の研削ステップ後のウェーハの要部の断面図である。研削ステップST3は、ウェーハ1の粘着テープ200側を研削装置20のチャックテーブル21の保持面22で保持し、砥粒をボンドで固定した研削砥石23でウェーハ1の表面3の裏側の裏面6側を研削して薄化するステップである。
図7は、図2に示されたウェーハの加工方法の研磨ステップを示す側面図である。図8は、図2に示されたウェーハの加工方法の研磨ステップ後のウェーハの要部の側面図である。研磨ステップST4は、研削ステップST3の後、ウェーハ1の裏面6側にスラリーを供給しつつ回転する研磨装置30の研磨パッド33を押圧し、研削で形成された研削歪み層7が僅かに残存する状態になるまでウェーハ1の裏面6側を研磨して、ゲッタリング層7-1を生成するステップと、を備えるウェーハの加工方法。
図9は、図2に示されたウェーハの加工方法の研磨条件選定ステップ前のウェーハの要部の断面図である。研磨条件選定ステップST5は、研磨ステップST4の研磨条件を決定するために、研削ステップST3実施後のウェーハ1を研磨して、研磨された後のウェーハ1の裏面6側の表面粗さRaを、研磨パッド33の押圧力又は研磨時間毎に測定し、研磨ステップST4で仕上げる表面粗さRaに対応する研磨条件を選定するステップである。
本発明の実施形態1に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図10は、実施形態2に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハを示す斜視図である。図11は、図10中のXI-XI線に沿う断面図である。図12は、実施形態2に係るウェーハの加工方法の加工後のウェーハを示す斜視図である。図13は、図12中のXIII-XIII線に沿う断面図である。図14は、図13中のXIVを拡大して示す図である。なお、図10、図11、図12、図13及び図14において、実施形態1と同一部分に同意何時符号を付して説明を省略する。
1-2 ウェーハ(パッケージウェーハ)
3,11-1 表面
6 裏面
7 研削歪み層
7-1 ゲッタリング層
11 支持基板
12 モールド樹脂
12-1 モールド樹脂の表面(ウェーハの裏面)
21 チャックテーブル
22 保持面
23 研削砥石
33 研磨パッド
200 粘着テープ(保護部材)
ST2 保護部材貼着ステップ
ST3 研削ステップ
ST4 研磨ステップ
ST5 研磨条件選定ステップ
Claims (3)
- ウェーハを薄化するウェーハの加工方法であって、
該ウェーハの表面側に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、
該ウェーハの保護部材側をチャックテーブルの保持面で保持し、砥粒をボンド材で固定した研削砥石で該ウェーハの裏面側を研削して薄化する研削ステップと、
該研削ステップの後、該ウェーハの裏面側にスラリーを供給しつつ回転する研磨パッドを押圧し、研削で形成された研削歪み層が僅かに残存する状態になるまで該ウェーハの裏面側を研磨してゲッタリング層を生成する研磨ステップと、を備え、
該ウェーハは、板状の支持基板に搭載されたデバイスチップがモールド樹脂で覆われたパッケージウェーハであって、
該研削ステップでは、該デバイスチップが露出するまでモールド樹脂側を研削し、
該研磨ステップでは、研削で露出した該デバイスチップの表面に該研削歪み層が僅かに残存する状態になるまでパッケージウェーハの該モールド樹脂側の面を研磨するウェーハの加工方法。 - 該研磨ステップの研磨条件を決定するために、該研削ステップ実施後の該ウェーハを研磨して、研磨された後の該ウェーハの該裏面側の表面粗さを、該研磨パッドの押圧力又は研磨時間毎に測定し、該研磨ステップで仕上げる表面粗さに対応する研磨条件を選定する研磨条件選定ステップを、更に備える請求項1に記載のウェーハの加工方法。
- 該研磨ステップでは、該研削歪み層の表面粗さが1nmを超え10nm以下になるよう該ウェーハの裏面側を研磨する請求項1または請求項2に記載のウェーハの加工方法。
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