JP7084718B2 - 被加工物の加工方法 - Google Patents

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Description

本発明は、ウェーハなどの被加工物を個々のデバイスに分割する被加工物の加工方法に関する。
半導体デバイスチップの製造プロセスにおいては、シリコンや化合物半導体からなる被加工物の表面にストリートと呼ばれる格子状の分割予定ラインが形成され、分割予定ラインによって区画される各領域にIC、LSI等のデバイスが形成される。これらの被加工物は裏面が研削されて所定の厚みへと薄化された後、分割予定ラインに沿って切削装置によって分割されることで個々の半導体デバイスチップが製造される。
近年、WL-CSP(Wafer Level‐Chip Size Package)という技術が半導体デバイスの分野で盛んに用いられている。WL-CSPとは、被加工物の状態で再配線層や電極(金属ポスト)を形成後、被加工物の表面を樹脂で封止し、切削ブレード等で各パッケージに分割する技術であり、被加工物を個片化したパッケージの大きさが半導体デバイスチップの大きさになるため、小型化及び軽量化の観点からも広く採用されている(例えば、下記の特許文献1及び2を参照)。
特開2013-8898号公報 特開2015-23078号公報
しかしながら、被加工物の外周部に大きな段差のあるデバイスが形成された被加工物では、被加工物の裏面研削時に外周部にひずみが内包される。その後、分割予定ラインに沿って切削し被加工物を個々のデバイスに分割すると、外周部のひずみが伸展しデバイス領域におけるクラック発生の原因となってしまう。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、被加工物を分割するときに、クラックが発生するおそれを防止しうる被加工物の加工方法を提供することを目的としている。
本発明は、格子状に形成された複数の分割予定ラインに区画された領域にデバイスが形成された表面を有する被加工物を、個々のデバイスに分割する被加工物の加工方法であって、被加工物の表面の該デバイスが形成されたデバイス領域を研削用保護部材で覆う表面保護ステップと、被加工物の該研削用保護部材側をチャックテーブルの保持面で保持し、該保持面と直交する回転軸で回転する研削砥石で被加工物の裏面全面を研削し、被加工物を仕上がり厚さに相当する厚さまで薄化する研削ステップと、研削された被加工物の該裏面に切削用保護部材を貼着し、被加工物の該表面に貼着された該研削用保護部材を剥離する保護部材貼り替えステップと、保護部材貼り替えステップを実施した後、切削装置のチャックテーブルに保持された被加工物の外周余剰領域に、回転する切削ブレードを所定量切り込ませた状態で被加工物を回転させ該外周余剰領域を円形に切削し、該外周余剰領域と該デバイス領域とを分離して該外周余剰領域に内包されたひずみが該デバイス領域へ伸展するのを抑制する第1切削ステップと、回転する切削ブレードによって該分割予定ラインに沿って切削し、被加工物を個々のデバイスに分割する第2切削ステップと、を備える。
また、本発明は、格子状に形成された複数の分割予定ラインに区画された領域にデバイスが形成された表面を有する被加工物を、個々のデバイスに分割する被加工物の加工方法であって、被加工物の表面の該デバイスが形成されたデバイス領域を研削用保護部材で覆う表面保護ステップと、被加工物の該研削用保護部材側をチャックテーブルの保持面で保持し、該保持面と直交する回転軸で回転する研削砥石で被加工物の裏面全面を研削し、被加工物を仕上がり厚さに相当する厚さまで薄化する研削ステップと、切削装置のチャックテーブルに保持された被加工物の外周余剰領域に、回転する切削ブレードを所定量切り込ませた状態で被加工物を回転させ外周余剰領域を円形に切削し、外周余剰領域と該デバイス領域とを分離して該外周余剰領域に内包されたひずみが該デバイス領域へ伸展するのを抑制する第1切削ステップと、該第1切削ステップ後の被加工物の該裏面に切削用保護部材を貼着し、被加工物の該表面に貼着された該研削用保護部材を剥離する保護部材貼り替えステップと、回転する切削ブレードによって該分割予定ラインに沿って切削し、被加工物を個々のデバイスに分割する第2切削ステップと、を備える。
本発明に係る被加工物の加工方法は、被加工物の表面のデバイスが形成されたデバイス領域を研削用保護部材で覆う表面保護ステップと、被加工物の研削用保護部材側をチャックテーブルの保持面で保持し、保持面と直交する回転軸で回転する研削砥石で被加工物の裏面全面を研削し、被加工物を仕上がり厚さに相当する厚さまで薄化する研削ステップと、研削された被加工物の裏面に切削用保護部材を貼着し、被加工物の表面に貼着された研削用保護部材を剥離する保護部材貼り替えステップと、保護部材貼り替えステップを実施した後、切削装置のチャックテーブルに保持された被加工物の外周余剰領域に、回転する切削ブレードを所定量切り込ませた状態で被加工物を回転させ外周余剰領域を円形に切削し、外周余剰領域とデバイス領域とを分離して外周余剰領域に内包されたひずみがデバイス領域へ伸展するのを抑制する第1切削ステップと、回転する切削ブレードによって分割予定ラインに沿って切削し、被加工物を個々のデバイスに分割する第2切削ステップとを備えたため、研削ステップで被加工物の外周部にひずみが生じたとしても、被加工物を個々のデバイスに分割する際に、被加工物の外周部に内包されたひずみがデバイス領域へ伸展するのを抑制することができ、デバイス領域においてクラックが発生するおそれを防止することができる。
また、本発明に係る被加工物の加工方法は、被加工物の表面のデバイスが形成されたデバイス領域を研削用保護部材で覆う表面保護ステップと、被加工物の研削用保護部材側をチャックテーブルの保持面で保持し、保持面と直交する回転軸で回転する研削砥石で被加工物の裏面全面を研削し、被加工物を仕上がり厚さに相当する厚さまで薄化する研削ステップと、切削装置のチャックテーブルに保持された被加工物の外周余剰領域に、回転する切削ブレードを所定量切り込ませた状態で被加工物を回転させ外周余剰領域を円形に切削し、外周余剰領域とデバイス領域とを分離して外周余剰領域に内包されたひずみがデバイス領域へ伸展するのを抑制する第1切削ステップと、第1切削ステップ後の被加工物の裏面に切削用保護部材を貼着し、被加工物の表面に貼着された研削用保護部材を剥離する保護部材貼り替えステップと、回転する切削ブレードによって分割予定ラインに沿って切削し、被加工物を個々のデバイスに分割する第2切削ステップとを備え、上記同様に、被加工物を個々のデバイスに分割する前に被加工物の外周余剰領域とデバイス領域とを分離することから、被加工物を個々のデバイスに分割する際に、被加工物の外周部に内包されたひずみがデバイス領域へ伸展するのを抑制することができ、デバイス領域においてクラックが発生するおそれを防止することができる。
被加工物の一例の構成を示す斜視図である。 被加工物の一例の構成を示す部分拡大断面図である。 表面保護ステップを示す斜視図である。 研削ステップを示す斜視図である。 保護部材貼り替えステップを示す斜視図である。 (a)は、第1切削ステップを示す斜視図である。(b)は、第1切削ステップを示す断面図である。 (a)は、第2切削ステップを示す斜視図である。(b)は、第2切削ステップを示す断面図である。 被加工物の加工方法の第2例における保護部材貼り替えステップを示す斜視図である。
1 被加工物
図1に示す被加工物Wは、円形板状の基板を有する被加工物の一例であって、例えば、WL-CSP(Wafer Level‐Chip Size Package)ウェーハである。被加工物Wの表面Waには、格子状に形成された複数の分割予定ラインSによって区画された領域にそれぞれデバイスDが形成されている。各デバイスDには、部分拡大図に示すように、ボール状のバンプ1が複数形成されている。バンプ1は、実装基板に接続される突起電極である。被加工物Wの表面Waと反対側の面は、例えば研削砥石によって研削が施され薄化される裏面Wbとなっている。また、本実施形態に示す被加工物Wは、中央側に複数のデバイスDが形成されたデバイス領域W1と、デバイス領域W1を囲繞する外周余剰領域W2とを有している。
図2に示すように、被加工物Wの表面Wa上には、再配線層2が形成されており、再配線層2には、デバイスD中の電極3に接続される導電ポスト4が複数配設されている。導電ポスト4の突端には、バンプ1が形成されている。被加工物Wの表面Waには、導電ポスト4が埋設された封止樹脂6によって封止されている。バンプ1は、封止樹脂6の表面から突出した状態となっている。
2 被加工物の加工方法の第1例
次に、被加工物Wを個々のデバイスに分割する被加工物の加工方法の第1例について説明する。
(1)表面保護ステップ
図3に示すように、被加工物Wの表面WaのデバイスDが形成されたデバイス領域W1を研削用保護部材7で覆う。図示の例に示す研削用保護部材7は、被加工物Wと略同径に形成されている。研削用保護部材7は、例えば、ポリオレフィンやポリ塩化ビニル等なる基材に糊層(粘着層)が積層された粘着テープである。研削用保護部材7を被加工物Wの表面Waに貼着して、少なくともデバイス領域W1の全域を覆うことにより、被加工物Wの裏面Wbを研削するときに各デバイスDが保護される。
(2)研削ステップ
図4に示すように、例えば、研削装置10のチャックテーブル11で被加工物Wを保持し、チャックテーブル11の上方側に配設された研削手段12を用いて被加工物Wの裏面Wbを研削する。チャックテーブル11の上面は、被加工物Wを吸引保持する保持面11aとなっており、保持面11aには吸引源が接続されている。研削手段12は、保持面11aと直交する鉛直方向の軸心を有する回転軸13と、回転軸13の下端にマウント14を介して装着された研削ホイール15と、研削ホイール15の下部に円環状に固着された研削砥石16とを備えている。研削手段12には、図示しない昇降手段が接続されており、昇降手段によって研削ホイール15を回転させながら研削手段12の全体を昇降させることができる。
被加工物Wの裏面Wbを研削する際には、被加工物Wの表面Waに貼着された研削用保護部材7側をチャックテーブル11の保持面11aで吸引保持して、被加工物Wの裏面Wbを上向きに露出させ、チャックテーブル11を例えば矢印A方向に回転させる。次いで、研削手段12は、研削ホイール15を例えば矢印A方向に回転させながら、所定の研削送り速度で下降させ、回転する研削砥石16で被加工物Wの裏面Wbを押圧しながら仕上がり厚さに相当する厚さに至るまで研削して薄化する。なお、被加工物Wの仕上がり厚さは、特に限定されるものではない。
(3)保護部材貼り替えステップ
研削済みの被加工物Wを個々のデバイスDに分割するために、図5に示すように、研削された被加工物Wの裏面Wbに切削用保護部材9を貼着し、被加工物Wの表面Waに貼着された研削用保護部材7を剥離することにより保護部材を貼り替える。切削用保護部材9は、例えばダイシングテープにより構成される。保護部材の貼り替え動作としては、例えば、中央に開口を有するリングフレーム8の下部に切削用保護部材9を貼着してから、該中央から露出した切削用保護部材9に被加工物Wの裏面Wb側から貼着する。続いて、上向きに露出した被加工物Wの表面Waから研削用保護部材7を剥離する。研削用保護部材7の剥離動作としては、例えば、研削用保護部材7の外周縁に、研削用保護部材7よりも粘着力の高い剥離テープを貼着し、剥離テープを引き上げることによって被加工物Wの表面Waから研削用保護部材7の全てを剥がせばよい。このようにして、被加工物Wは、切削用保護部材9を介してリングフレーム8と一体となって支持された状態となる。
(4)第1切削ステップ
保護部材貼り替えステップを実施した後、研削装置10から例えば図6に示す切削装置20に被加工物Wを搬送する。切削装置20は、被加工物Wを保持する図示しないチャックテーブルと、チャックテーブルに保持された被加工物Wに切削を施す切削手段21とを備えている。切削手段21は、水平方向(図示の例ではY軸方向)の軸心を有するスピンドル22と、スピンドル22の先端に装着された切削ブレード23とを少なくとも備え、スピンドル22の回転によって切削ブレード23も回転する構成となっている。切削手段21には、切削手段21を切削送り方向(図示の例ではX軸方向)と直交するインデックス送り方向(Y軸方向)に移動させる図示しない移動手段と、切削手段21を鉛直方向に昇降させる昇降手段とが接続されている。
被加工物Wの裏面Wbに貼着された切削用保護部材9側を図示しないチャックテーブルで被加工物Wを吸引保持したら、図6(a)に示すように、切削手段21は、スピンドル22を回転させ、切削ブレード23をY軸方向の軸心を中心として例えば矢印B方向に回転させる。続いて、切削ブレード23を被加工物Wの表面Waに接近する方向に下降させることにより、被加工物Wの外周余剰領域W2に、回転する切削ブレード23を所定量の切り込み深さに至るまで切り込ませる。この状態において、被加工物Wを少なくとも1回転させることで、被加工物Wの外周余剰領域W2を円形に切削する。これにより、被加工物Wのデバイス領域W1の外側を囲むリング状の溝G1が形成される。図6(b)に示すように、溝G1は、被加工物Wの表裏面(表面Wa及び裏面Wb)を完全切断した深さとなっている。かかる溝G1が境界となって外周余剰領域W2とデバイス領域W1とが完全に分離される。
(5)第2切削ステップ
次いで、図7(a)に示すように、切削手段21は、被加工物Wの分割予定ラインSに沿って切削を施し、個々のデバイスDに分割する。具体的には、切削手段21は、スピンドル22を回転させることにより切削ブレード23をY軸方向の軸心を中心として例えば矢印B方向に回転させながら、切削ブレード23の刃先を被加工物Wの表面Wa側から切削用保護部材9に至るまで切り込ませる。切削ブレード23と被加工物Wとを相対的にX軸方向に移動させながら、回転する切削ブレード23をX軸方向に向く一列分の分割予定ラインSに沿って切削し、図7(b)に示すように、被加工物Wの表裏面を完全切断した溝G2を形成する。
X軸方向に向く一列分の分割予定ラインSに沿って溝G2を形成したら、切削手段21をY軸方向にインデックス送りしながら、2列目、3列目…の分割予定ラインSに沿って順次切削を行って溝G2を形成していく。X軸方向に向く全ての分割予定ラインSに対して上記の切削を繰り返し行って溝G2を形成したら、被加工物Wを90°回転させ、Y軸方向に向いている分割予定ラインSをX軸方向に向かせて上記同様の切削を繰り返し行い、全ての分割予定ラインSに沿って切削することで溝G2を形成して、被加工物Wを個々のデバイスDに分割する。このとき、上記研削ステップ後の被加工物Wの外周部Wcにひずみが内包されている場合であっても、デバイス領域W1の周囲を囲む溝G1によってひずみがデバイス領域W1に向けて伸展することが止められる。その結果、被加工物Wから高品質な複数のデバイスDを取得することができる。なお、被加工物Wの裏面Wbには切削用保護部材9が貼着されているため、被加工物Wを完全に切断した後も各デバイスDがばらばらになることはなく、被加工物Wの形状が維持されている。
このように、本発明に係る被加工物の加工方法の第1例では、表面保護ステップ及び研削ステップを実施して被加工物Wを薄化した後、保護部材貼り替えステップと第1切削ステップとを順次実施することにより、被加工物Wを個々のデバイスDに分割する第2切削ステップを実施する前に被加工物Wの外周余剰領域W2とデバイス領域W1とを分離しておくことができる。したがって、研削ステップで被加工物Wの外周部Wcにひずみが生じたとしても、本発明によれば、被加工物Wを個々のデバイスDに分割する際に、外周余剰領域W2とデバイス領域W1とが溝G1によって分離されているため、被加工物Wの外周部Wcに内包されたひずみがデバイス領域W1へ伸展するのを抑制することができ、デバイス領域W1においてクラックが発生するおそれを防止できる。
3 被加工物の加工方法の第2例
上記の被加工物の加工方法の第1例では、表面保護ステップ及び研削ステップを実施した後第1研削ステップを実施する前に保護部材貼り替えステップを実施したが、保護部材貼り替えステップを実施する順番は、第1例の構成に限定されない。以下では、第1例と同様の被加工物Wに対し、上記研削装置10及び上記切削装置20を用いて個々のデバイスDに分割する被加工物の加工方法の第2例について説明する。
(1) 表面保護ステップ
第1例と同様に、被加工物Wの表面WaのデバイスDが形成されたデバイス領域W1を研削用保護部材7で覆う。これにより、被加工物Wの裏面Wbを研削するときに各デバイスDが保護される。
(2) 研削ステップ
第1例と同様に、被加工物Wの研削用保護部材7側をチャックテーブル11の保持面11aで保持し、保持面11aと直交する回転軸13で回転する研削砥石16で被加工物Wの裏面Wbを研削し、被加工物Wを仕上がり厚さに相当する厚さに達するまで薄化する。
(3) 第1切削ステップ
第1例と同様に、切削装置20のチャックテーブルに保持された被加工物Wの外周余剰領域W2に回転する切削ブレード23を所定量切り込ませた状態で被加工物Wを回転させることで外周余剰領域W2を円形に切削し、外周余剰領域W2とデバイス領域W1とを分離する。
(4) 保護部材貼り替えステップ
第2例では、第1切削ステップを実施した後第2切削ステップを実施する前に、保護部材貼り替えステップを実施する。具体的には、図8に示すように、第1切削ステップ後の被加工物Wの裏面Wbに切削用保護部材9を貼着し、被加工物Wの表面Waに貼着された研削用保護部材7を剥離することにより保護部材を貼り替える。切削用保護部材9の貼着動作及び研削用保護部材7の剥離動作は、第1例と同様である。このようにして、溝G1が形成された被加工物Wは、切削用保護部材9を介してリングフレーム8と一体となって支持された状態となる。
(5) 第2切削ステップ
第1例と同様に、回転する切削ブレード23によって全ての分割予定ラインSに沿って切削し、溝G2を形成して被加工物Wを個々のデバイスDに分割する。このとき、薄化後の被加工物Wの外周部Wcにひずみが内包されていても、デバイス領域W1の周囲を囲む溝G1によってひずみがデバイス領域W1に向けて伸展することが止められる。
このように、本発明に係る被加工物の加工方法の第2例では、表面保護ステップ及び研削ステップを実施して被加工物Wを薄化した後、第1切削ステップを実施してから保護部材貼り替えステップを実施するように構成したが、この場合であっても、被加工物Wを個々のデバイスDに分割する第2切削ステップを実施する前に被加工物Wの外周余剰領域W2とデバイス領域W1とを分離しておくことができる。したがって、第1例と同様に、被加工物Wを個々のデバイスに分割する際に、外周余剰領域W2とデバイス領域W1とが溝G1によって分離されているため、被加工物Wの外周部Wcに内包されたひずみがデバイス領域W1へ伸展するのを抑制でき、デバイス領域W1においてクラックが発生するおそれを防止できる。
本実施形態に示した被加工物の加工方法の第1例及び第2例では、第1切削ステップと第2切削ステップとを実施する際に、同じ切削装置20で実施した場合を説明したが、この場合に限られず、第1切削ステップと第2切削ステップとを別々の切削装置でそれぞれ実施してもよい。
1:バンプ 2:再配線層 3:電極 5:導電ポスト 6:封止樹脂
7:研削用保護部材 8:リングフレーム 9:切削用保護部材
10:研削装置 11:チャックテーブル 12:研削手段 13:回転軸
14:マウント 15:研削ホイール 16:研削砥石
20:切削装置 21:切削手段 22:スピンドル 23:切削ブレード

Claims (2)

  1. 格子状に形成された複数の分割予定ラインに区画された領域にデバイスが形成された表面を有する被加工物を、個々のデバイスに分割する被加工物の加工方法であって、
    被加工物の表面の該デバイスが形成されたデバイス領域を研削用保護部材で覆う表面保護ステップと、
    被加工物の該研削用保護部材側をチャックテーブルの保持面で保持し、該保持面と直交する回転軸で回転する研削砥石で被加工物の裏面全面を研削し、被加工物を仕上がり厚さに相当する厚さまで薄化する研削ステップと、
    研削された被加工物の該裏面に切削用保護部材を貼着し、被加工物の該表面に貼着された該研削用保護部材を剥離する保護部材貼り替えステップと、
    保護部材貼り替えステップを実施した後、切削装置のチャックテーブルに保持された被加工物の外周余剰領域に、回転する切削ブレードを所定量切り込ませた状態で被加工物を回転させ該外周余剰領域を円形に切削し、該外周余剰領域と該デバイス領域とを分離して該外周余剰領域に内包されたひずみが該デバイス領域へ伸展するのを抑制する第1切削ステップと、
    回転する切削ブレードによって該分割予定ラインに沿って切削し、被加工物を個々のデバイスに分割する第2切削ステップと、を備えることを特徴とする被加工物の加工方法。
  2. 格子状に形成された複数の分割予定ラインに区画された領域にデバイスが形成された表面を有する被加工物を、個々のデバイスに分割する被加工物の加工方法であって、
    被加工物の表面の該デバイスが形成されたデバイス領域を研削用保護部材で覆う表面保護ステップと、
    被加工物の該研削用保護部材側をチャックテーブルの保持面で保持し、該保持面と直交する回転軸で回転する研削砥石で被加工物の裏面全面を研削し、被加工物を仕上がり厚さに相当する厚さまで薄化する研削ステップと、
    切削装置のチャックテーブルに保持された被加工物の外周余剰領域に、回転する切削ブレードを所定量切り込ませた状態で被加工物を回転させ外周余剰領域を円形に切削し、外周余剰領域と該デバイス領域とを分離して該外周余剰領域に内包されたひずみが該デバイス領域へ伸展するのを抑制する第1切削ステップと、
    該第1切削ステップ後の被加工物の該裏面に切削用保護部材を貼着し、被加工物の該表面に貼着された該研削用保護部材を剥離する保護部材貼り替えステップと、
    回転する切削ブレードによって該分割予定ラインに沿って切削し、被加工物を個々のデバイスに分割する第2切削ステップと、を備えることを特徴とする被加工物の加工方法。
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