JP7084718B2 - 被加工物の加工方法 - Google Patents
被加工物の加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7084718B2 JP7084718B2 JP2017254370A JP2017254370A JP7084718B2 JP 7084718 B2 JP7084718 B2 JP 7084718B2 JP 2017254370 A JP2017254370 A JP 2017254370A JP 2017254370 A JP2017254370 A JP 2017254370A JP 7084718 B2 JP7084718 B2 JP 7084718B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- workpiece
- cutting
- grinding
- protective member
- work piece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
図1に示す被加工物Wは、円形板状の基板を有する被加工物の一例であって、例えば、WL-CSP(Wafer Level‐Chip Size Package)ウェーハである。被加工物Wの表面Waには、格子状に形成された複数の分割予定ラインSによって区画された領域にそれぞれデバイスDが形成されている。各デバイスDには、部分拡大図に示すように、ボール状のバンプ1が複数形成されている。バンプ1は、実装基板に接続される突起電極である。被加工物Wの表面Waと反対側の面は、例えば研削砥石によって研削が施され薄化される裏面Wbとなっている。また、本実施形態に示す被加工物Wは、中央側に複数のデバイスDが形成されたデバイス領域W1と、デバイス領域W1を囲繞する外周余剰領域W2とを有している。
次に、被加工物Wを個々のデバイスに分割する被加工物の加工方法の第1例について説明する。
図3に示すように、被加工物Wの表面WaのデバイスDが形成されたデバイス領域W1を研削用保護部材7で覆う。図示の例に示す研削用保護部材7は、被加工物Wと略同径に形成されている。研削用保護部材7は、例えば、ポリオレフィンやポリ塩化ビニル等なる基材に糊層(粘着層)が積層された粘着テープである。研削用保護部材7を被加工物Wの表面Waに貼着して、少なくともデバイス領域W1の全域を覆うことにより、被加工物Wの裏面Wbを研削するときに各デバイスDが保護される。
図4に示すように、例えば、研削装置10のチャックテーブル11で被加工物Wを保持し、チャックテーブル11の上方側に配設された研削手段12を用いて被加工物Wの裏面Wbを研削する。チャックテーブル11の上面は、被加工物Wを吸引保持する保持面11aとなっており、保持面11aには吸引源が接続されている。研削手段12は、保持面11aと直交する鉛直方向の軸心を有する回転軸13と、回転軸13の下端にマウント14を介して装着された研削ホイール15と、研削ホイール15の下部に円環状に固着された研削砥石16とを備えている。研削手段12には、図示しない昇降手段が接続されており、昇降手段によって研削ホイール15を回転させながら研削手段12の全体を昇降させることができる。
研削済みの被加工物Wを個々のデバイスDに分割するために、図5に示すように、研削された被加工物Wの裏面Wbに切削用保護部材9を貼着し、被加工物Wの表面Waに貼着された研削用保護部材7を剥離することにより保護部材を貼り替える。切削用保護部材9は、例えばダイシングテープにより構成される。保護部材の貼り替え動作としては、例えば、中央に開口を有するリングフレーム8の下部に切削用保護部材9を貼着してから、該中央から露出した切削用保護部材9に被加工物Wの裏面Wb側から貼着する。続いて、上向きに露出した被加工物Wの表面Waから研削用保護部材7を剥離する。研削用保護部材7の剥離動作としては、例えば、研削用保護部材7の外周縁に、研削用保護部材7よりも粘着力の高い剥離テープを貼着し、剥離テープを引き上げることによって被加工物Wの表面Waから研削用保護部材7の全てを剥がせばよい。このようにして、被加工物Wは、切削用保護部材9を介してリングフレーム8と一体となって支持された状態となる。
保護部材貼り替えステップを実施した後、研削装置10から例えば図6に示す切削装置20に被加工物Wを搬送する。切削装置20は、被加工物Wを保持する図示しないチャックテーブルと、チャックテーブルに保持された被加工物Wに切削を施す切削手段21とを備えている。切削手段21は、水平方向(図示の例ではY軸方向)の軸心を有するスピンドル22と、スピンドル22の先端に装着された切削ブレード23とを少なくとも備え、スピンドル22の回転によって切削ブレード23も回転する構成となっている。切削手段21には、切削手段21を切削送り方向(図示の例ではX軸方向)と直交するインデックス送り方向(Y軸方向)に移動させる図示しない移動手段と、切削手段21を鉛直方向に昇降させる昇降手段とが接続されている。
次いで、図7(a)に示すように、切削手段21は、被加工物Wの分割予定ラインSに沿って切削を施し、個々のデバイスDに分割する。具体的には、切削手段21は、スピンドル22を回転させることにより切削ブレード23をY軸方向の軸心を中心として例えば矢印B方向に回転させながら、切削ブレード23の刃先を被加工物Wの表面Wa側から切削用保護部材9に至るまで切り込ませる。切削ブレード23と被加工物Wとを相対的にX軸方向に移動させながら、回転する切削ブレード23をX軸方向に向く一列分の分割予定ラインSに沿って切削し、図7(b)に示すように、被加工物Wの表裏面を完全切断した溝G2を形成する。
上記の被加工物の加工方法の第1例では、表面保護ステップ及び研削ステップを実施した後第1研削ステップを実施する前に保護部材貼り替えステップを実施したが、保護部材貼り替えステップを実施する順番は、第1例の構成に限定されない。以下では、第1例と同様の被加工物Wに対し、上記研削装置10及び上記切削装置20を用いて個々のデバイスDに分割する被加工物の加工方法の第2例について説明する。
第1例と同様に、被加工物Wの表面WaのデバイスDが形成されたデバイス領域W1を研削用保護部材7で覆う。これにより、被加工物Wの裏面Wbを研削するときに各デバイスDが保護される。
第1例と同様に、被加工物Wの研削用保護部材7側をチャックテーブル11の保持面11aで保持し、保持面11aと直交する回転軸13で回転する研削砥石16で被加工物Wの裏面Wbを研削し、被加工物Wを仕上がり厚さに相当する厚さに達するまで薄化する。
第1例と同様に、切削装置20のチャックテーブルに保持された被加工物Wの外周余剰領域W2に回転する切削ブレード23を所定量切り込ませた状態で被加工物Wを回転させることで外周余剰領域W2を円形に切削し、外周余剰領域W2とデバイス領域W1とを分離する。
第2例では、第1切削ステップを実施した後第2切削ステップを実施する前に、保護部材貼り替えステップを実施する。具体的には、図8に示すように、第1切削ステップ後の被加工物Wの裏面Wbに切削用保護部材9を貼着し、被加工物Wの表面Waに貼着された研削用保護部材7を剥離することにより保護部材を貼り替える。切削用保護部材9の貼着動作及び研削用保護部材7の剥離動作は、第1例と同様である。このようにして、溝G1が形成された被加工物Wは、切削用保護部材9を介してリングフレーム8と一体となって支持された状態となる。
第1例と同様に、回転する切削ブレード23によって全ての分割予定ラインSに沿って切削し、溝G2を形成して被加工物Wを個々のデバイスDに分割する。このとき、薄化後の被加工物Wの外周部Wcにひずみが内包されていても、デバイス領域W1の周囲を囲む溝G1によってひずみがデバイス領域W1に向けて伸展することが止められる。
7:研削用保護部材 8:リングフレーム 9:切削用保護部材
10:研削装置 11:チャックテーブル 12:研削手段 13:回転軸
14:マウント 15:研削ホイール 16:研削砥石
20:切削装置 21:切削手段 22:スピンドル 23:切削ブレード
Claims (2)
- 格子状に形成された複数の分割予定ラインに区画された領域にデバイスが形成された表面を有する被加工物を、個々のデバイスに分割する被加工物の加工方法であって、
被加工物の表面の該デバイスが形成されたデバイス領域を研削用保護部材で覆う表面保護ステップと、
被加工物の該研削用保護部材側をチャックテーブルの保持面で保持し、該保持面と直交する回転軸で回転する研削砥石で被加工物の裏面全面を研削し、被加工物を仕上がり厚さに相当する厚さまで薄化する研削ステップと、
研削された被加工物の該裏面に切削用保護部材を貼着し、被加工物の該表面に貼着された該研削用保護部材を剥離する保護部材貼り替えステップと、
保護部材貼り替えステップを実施した後、切削装置のチャックテーブルに保持された被加工物の外周余剰領域に、回転する切削ブレードを所定量切り込ませた状態で被加工物を回転させ該外周余剰領域を円形に切削し、該外周余剰領域と該デバイス領域とを分離して該外周余剰領域に内包されたひずみが該デバイス領域へ伸展するのを抑制する第1切削ステップと、
回転する切削ブレードによって該分割予定ラインに沿って切削し、被加工物を個々のデバイスに分割する第2切削ステップと、を備えることを特徴とする被加工物の加工方法。 - 格子状に形成された複数の分割予定ラインに区画された領域にデバイスが形成された表面を有する被加工物を、個々のデバイスに分割する被加工物の加工方法であって、
被加工物の表面の該デバイスが形成されたデバイス領域を研削用保護部材で覆う表面保護ステップと、
被加工物の該研削用保護部材側をチャックテーブルの保持面で保持し、該保持面と直交する回転軸で回転する研削砥石で被加工物の裏面全面を研削し、被加工物を仕上がり厚さに相当する厚さまで薄化する研削ステップと、
切削装置のチャックテーブルに保持された被加工物の外周余剰領域に、回転する切削ブレードを所定量切り込ませた状態で被加工物を回転させ外周余剰領域を円形に切削し、外周余剰領域と該デバイス領域とを分離して該外周余剰領域に内包されたひずみが該デバイス領域へ伸展するのを抑制する第1切削ステップと、
該第1切削ステップ後の被加工物の該裏面に切削用保護部材を貼着し、被加工物の該表面に貼着された該研削用保護部材を剥離する保護部材貼り替えステップと、
回転する切削ブレードによって該分割予定ラインに沿って切削し、被加工物を個々のデバイスに分割する第2切削ステップと、を備えることを特徴とする被加工物の加工方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017254370A JP7084718B2 (ja) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | 被加工物の加工方法 |
CN201811589755.4A CN109979878B (zh) | 2017-12-28 | 2018-12-25 | 被加工物的加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017254370A JP7084718B2 (ja) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | 被加工物の加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019121653A JP2019121653A (ja) | 2019-07-22 |
JP7084718B2 true JP7084718B2 (ja) | 2022-06-15 |
Family
ID=67076375
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017254370A Active JP7084718B2 (ja) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | 被加工物の加工方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7084718B2 (ja) |
CN (1) | CN109979878B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111070448A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-04-28 | 成都先进功率半导体股份有限公司 | 一种晶圆环形切割方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080242052A1 (en) | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Tao Feng | Method of forming ultra thin chips of power devices |
JP2010186971A (ja) | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2015177170A (ja) | 2014-03-18 | 2015-10-05 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2016157903A (ja) | 2015-02-26 | 2016-09-01 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法及びチャックテーブル |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5500942B2 (ja) * | 2009-10-28 | 2014-05-21 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
-
2017
- 2017-12-28 JP JP2017254370A patent/JP7084718B2/ja active Active
-
2018
- 2018-12-25 CN CN201811589755.4A patent/CN109979878B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080242052A1 (en) | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Tao Feng | Method of forming ultra thin chips of power devices |
JP2010186971A (ja) | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2015177170A (ja) | 2014-03-18 | 2015-10-05 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2016157903A (ja) | 2015-02-26 | 2016-09-01 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法及びチャックテーブル |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019121653A (ja) | 2019-07-22 |
CN109979878B (zh) | 2024-02-09 |
CN109979878A (zh) | 2019-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI732949B (zh) | 晶圓的加工方法 | |
TWI811317B (zh) | 板狀物的加工方法 | |
JP2017041574A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
TWI755563B (zh) | 多刀切割刀片及工件的加工方法 | |
TWI729180B (zh) | 積層晶圓的加工方法 | |
JP2017168736A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
TW201820447A (zh) | 晶圓的加工方法 | |
JP2020145418A (ja) | 基板を製造する方法、及び基板の製造用システム | |
JP7084718B2 (ja) | 被加工物の加工方法 | |
TW201528359A (zh) | 裝置晶圓之加工方法 | |
JP2014090127A (ja) | チップ形成方法 | |
JP2015041687A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
KR20090083845A (ko) | 범프들이 형성되어 있는 웨이퍼를 처리하는 웨이퍼 처리 방법 | |
CN105551950B (zh) | 封装基板的磨削方法 | |
JP2019012773A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
TWI752239B (zh) | 半導體封裝件的製造方法 | |
JP7175628B2 (ja) | チャックテーブル | |
JP2018148135A (ja) | リチウムタンタレートウェーハの加工方法 | |
CN111276397B (zh) | 晶片的加工方法 | |
JP6896346B2 (ja) | 被加工物の加工方法 | |
JP6896347B2 (ja) | 被加工物の加工方法 | |
JP6955977B2 (ja) | チップの形成方法 | |
CN111293069A (zh) | 器件芯片的制造方法 | |
JP2016082192A (ja) | パッケージ基板の分割方法 | |
KR102680920B1 (ko) | 피가공물의 절삭 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201015 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210924 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211005 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211206 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220510 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220603 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7084718 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |