JP7397598B2 - パッケージの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態1に係るパッケージの製造方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係るパッケージの製造方法により製造されるパッケージの一例を示す平面図である。図2は、図1中のII-II線に沿う断面図である。図3は、実施形態1に係るパッケージの製造方法の流れを示すフローチャートである。
図4は、図3に示されたパッケージの製造方法のデバイスウェーハ準備ステップにおいて準備されるウェーハの斜視図である。図5は、図4中のV部を拡大して示す平面図である。デバイスウェーハ準備ステップST1は、図4に示すデバイスウェーハ20を準備するステップである。
図6は、図3に示されたパッケージの製造方法の溝形成ステップを模式的に示す斜視図である。溝形成ステップST2は、デバイスウェーハ20の基板4の表面5側から分割予定ライン21に沿ってデバイスチップ2の仕上げ厚み12(図2に示す)に至る深さ24-1の溝24を形成するステップである。なお、デバイスチップ2の仕上げ厚み12は、バンプ8の先端11から金属膜10までのデバイスチップ2の厚みである。
図7は、図3に示されたパッケージの製造方法の表面封止ステップ後のデバイスウェーハの断面図である。表面封止ステップST3は、溝形成ステップST2を実施した後、デバイスウェーハ20のデバイス6の表面7側を封止材3で封止するとともに、溝24を封止材3で充填するステップである。
図8は、図3に示されたパッケージの製造方法の表面平坦化ステップを模式的に一部断面で示す側面図である。図9は、図3に示されたパッケージの製造方法の表面平坦化ステップ後のデバイスウェーハの断面図である。表面平坦化ステップST4は、表面封止ステップST3を実施した後、裏面研削ステップST5を実施する前に、デバイスウェーハ20のデバイス6の表面7側の封止材3の表面13を平坦化するとともにバンプ8の先端11を露出させるステップである。
図10は、図3に示されたパッケージの製造方法の裏面研削ステップを模式的に示す斜視図である。図11は、図3に示されたパッケージの製造方法の裏面研削ステップ後のデバイスウェーハの断面図である。裏面研削ステップST5は、表面封止ステップST3を実施した後、デバイス領域22に対応するデバイスウェーハ20の基板4の裏面9を研削して、溝24に至る深さの凹部25を形成するとともに、凹部25を囲繞する外周余剰領域23に対応した環状凸部26を形成するステップである。
図12は、図3に示されたパッケージの製造方法の金属膜形成ステップ後のデバイスウェーハの断面図である。金属膜形成ステップST6は、凹部25の底に金属膜10を形成するステップである。実施形態1において、金属膜形成ステップST6では、図12に示すように、凹部25の底全体に厚みが一様の金属膜10を形成すると、裏面封止ステップST7に進む。
図13は、図3に示されたパッケージの製造方法の裏面封止ステップ後のデバイスウェーハの断面図である。裏面封止ステップST7は、裏面研削ステップST5を実施した後、凹部25に封止材3を充填して封止するステップである。
図14は、図3に示されたパッケージの製造方法の平坦化ステップを模式的に一部断面で示す側面図である。平坦化ステップST8は、裏面封止ステップST7を実施した後、分割ステップST9を実施する前に、デバイスウェーハ20の基板4の裏面9側の封止材3の表面14を平坦化するステップである。
図15は、図3に示されたパッケージの製造方法の分割ステップを模式的に示す斜視図である。図16は、図15中のXVI部を拡大して示す平面図である。図17は、図3に示されたパッケージの製造方法の分割ステップ後のデバイスウェーハの断面図である。分割ステップST9は、裏面封止ステップST7を実施した後、デバイスウェーハ20の封止材3の表面13から溝24よりも幅27-2の狭い分割溝27を溝24に沿って形成し、デバイスウェーハ20を分割し、複数のパッケージ1を形成するステップである。
2 デバイスチップ
3 封止材
5 表面
6 デバイス
8 バンプ(突起電極)
9 裏面
11 先端(端部)
12 仕上げ厚み
20 デバイスウェーハ
21 分割予定ライン
22 デバイス領域
23 外周余剰領域
24 溝
24-1 深さ
25 凹部
26 環状凸部
27 分割溝
27-2 幅
ST1 デバイスウェーハ準備ステップ
ST2 溝形成ステップ
ST3 表面封止ステップ
ST4 表面平坦化ステップ
ST5 裏面研削ステップ
ST7 裏面封止ステップ
ST8 平坦化ステップ
ST9 分割ステップ
Claims (3)
- デバイスチップが封止材で封止されたパッケージの製造方法であって、
交差する複数の分割予定ラインで区画された領域にそれぞれ突起電極を有するデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えた表面を有するデバイスウェーハを準備するデバイスウェーハ準備ステップと、
該デバイスウェーハの表面から該分割予定ラインに沿ってデバイスチップの仕上げ厚みに至る深さの溝を形成する溝形成ステップと、
該溝形成ステップを実施した後、該デバイスウェーハの該表面を封止材で封止するとともに該溝を該封止材で充填する表面封止ステップと、
該表面封止ステップを実施した後、該デバイス領域に対応する該デバイスウェーハの裏面を研削して該溝に至る深さの凹部を形成するとともに該凹部を囲繞する該外周余剰領域に対応した環状凸部を形成する裏面研削ステップと、
該凹部の底に金属膜を形成する金属膜形成ステップと、
該裏面研削ステップ及び該金属膜形成ステップを実施した後、該凹部に封止材を充填して封止する裏面封止ステップと、
該裏面封止ステップを実施した後、該デバイスウェーハの該表面から該溝よりも幅の狭い分割溝を該溝に沿って形成し、該デバイスウェーハを分割し、デバイスチップが封止材で封止された複数のパッケージを形成する分割ステップと、を備えて、
基板の裏面に該金属膜が形成された該デバイスチップと、該デバイスチップの該デバイスの表面と該デバイスチップの側面と該金属膜とを被覆するとともに該突起電極の端部を露出させた該封止材と、を備えたパッケージを製造するパッケージの製造方法。 - 該表面封止ステップでは該突起電極を覆うように該封止材で封止し、
該表面封止ステップを実施した後、該裏面研削ステップを実施する前に、該デバイスウェーハの該表面の該封止材を平坦化するとともに該突起電極の端部を露出させる表面平坦化ステップを更に備えた、請求項1に記載のパッケージの製造方法。 - 該裏面封止ステップを実施した後、該分割ステップを実施する前に、該デバイスウェーハの該裏面の該封止材を平坦化する平坦化ステップを更に備えた、請求項1または請求項2に記載のパッケージの製造方法。
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