JP2017152611A - パッケージ形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図2に示すように、デバイスウェーハ1の表面側を樹脂封止してWL−CSP(Wafer Level‐Chip Size Package)ウェーハWを形成する。具体的には、フィラー6を含有した封止材7をデバイス3上に供給してデバイス3と金属凸部5との少なくとも一部を覆う封止材層8を形成する。封止材7としては、加熱によって硬化する熱硬化性樹脂を使用することが好ましく、例えばエポキシ樹脂を使用する。また、封止材層8の形成は、例えばスピンコートにより行う。
図3に示すように、封止材供給ステップで形成したWL−CSPウェーハWを所定時間放置して封止材層8中のフィラー6を沈降させる。図3(a)に示すように、上記の封止材供給ステップを実施した直後のWL−CSPウェーハWにおいては、封止材層8の全域にフィラー6が分散しているが、この状態のWL−CSPウェーハWを所定時間放置すると、封止材層8中のフィラー6がその自重によって沈降する。すなわち、時間の経過にともなって封止材層8中でフィラー6が徐々に沈降していき、WL−CSPウェーハWの放置時間が所定時間経過した時点で、図3(b)に示すように、封止材層8の上部側にフィラー6が含まれていないフィラー無し部9を形成することができる。WL−CSPウェーハWの放置時間は、放置時間の異なる複数のパッケージを準備し、それぞれのパッケージについて加熱時の破損状況を検査し、破損や反りのないパッケージの放置時間を選択するのに加え、それぞれのパッケージにバイトによる切削を施してみて、バイトが異常摩耗しないかどうかを確認し、バイトが異常摩耗しない放置時間、即ちバイトの切り込み深さに至る領域にフィラー無し部9が形成されているパッケージの放置時間を選択するとよい。
次に、WL−CSPウェーハWを加熱して、封止材層8を硬化させる。例えば、図示しないヒータを用いて封止材層8を所定時間加熱することにより、完全に硬化させる。封止材層8を完全硬化させた場合に後述の加工が難しくなる場合には、加工ステップを実施する前に封止材層8を完全に硬化していない半硬化の状態にしておき、加工ステップを実施した後に封止材層8を完全硬化させてもよい。
図4に示すように、例えば、バイト切削手段20を用いて、図3(b)に示したフィラー無し部9の上面9aを金属凸部5とともにバイトによる切削を行う。バイト切削手段20は、鉛直方向の軸心を有するスピンドル21と、スピンドル21の下端においてマウント22を介して連結されたバイトホイール23と、バイトホイール23の下部に装着されたバイトユニット24とを備える。バイトユニット24は、シャンク240と、シャンク240に固定された切り刃241とを備える。切り刃241は、例えば、単結晶ダイヤモンドによって構成されている。図示しないモータによってスピンドル21を回転させると、バイトホイール23を所定の回転速度で回転させることができる。
5a:端面 6:フィラー 7:封止材 8:封止材層 8a:上面
9:フィラー無し部 9a:上面 10:余裕代
20:バイト切削手段 21:スピンドル 22:マウント 23:バイトホイール
24:バイトユニット 240:シャンク 241:切り刃
30:保持テーブル
W:WL−CSPウェーハ
Claims (1)
- 電極を有するデバイスと該デバイスの該電極とに接続する金属凸部が封止材で封止されたパッケージを形成するパッケージ形成方法であって、
フィラーを含有した封止材を該デバイス上に供給して該デバイスと該金属凸部との少なくとも一部を覆う封止材層を形成する封止材供給ステップと、
該封止材供給ステップで形成した該封止材層中で該フィラーを沈降させて該封止材層の上部にフィラー無し部を形成するフィラー無し部形成ステップと、
該フィラー無し部形成ステップを実施した後、該フィラー無し部の上面を該金属凸部とともに切削又は研削して該金属凸部の端面と該封止材層の上面とを平坦にする加工ステップと、を備えたパッケージ形成方法。
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