JP2007242854A - 基板処理装置の制御装置および基板処理装置の制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】コンディションを整え，消費エネルギーを低減するように基板処理装置を制御する制御装置を提供する。
【解決手段】データベース２５０は，通常モードから省エネモード（節約モード，休眠モード，冬眠モード）への移行時間Ａ，省エネモードから通常モードへの復旧時間ＢをＰＭ４００に設けられたユニット毎に予め記憶している。管理部２７０は，記憶された各ユニットの省エネ移行時間Ａおよび省エネ復旧時間Ｂに基づき，省エネ開始タイマ２８５ａ，省エネ終了タイマ２８５ｂを用いて，ユニット毎の省エネモードへの移行開始時刻，省エネモードからの復旧開始時刻を管理する。ユニット制御部２６０は，移行開始時刻および復旧開始時刻に応じて各ユニットを通常モードから省エネモードまで移行させ，省エネモードから通常モードまで復旧させるように各ユニットを独立してそれぞれ制御する。
【選択図】図１３

Description

本発明は，基板処理装置にて消費されるエネルギーを低減しながら，被処理基板の処理を制御する制御装置およびその制御方法に関する。

近年，地球温暖化の問題に対して，京都議定書に基づき温暖化係数の高い二酸化炭素（ＣＯ_２）等の排出量を削減する要求が各国に課されている。日本の各企業としても，国際的協調と競合とのバランスのもと，環境マネージメントに立脚した視点で戦略的に消費エネルギーを削減し，これにより温暖化係数の高い物質の排出を長期的に削減する方法を模索している。特に，半導体工場は２４時間連続稼働し，稼働中は常にガスや電力などのエネルギーを大量に使用するため，半導体製造メーカでは，工場内で生じる熱エネルギーを他のエネルギーに再利用することによりエネルギーを有効利用しようという種々の試みがなされている。その一つとしては，工場内で蒸気吸収式冷凍機を運転し，その蒸気吸収式冷凍機をベースとして，ターボ冷凍機，ＬＰＧ焚き吸収式冷凍機，灯油焚き教習冷凍機を適宜運転することによって回収した排熱を工場内の空調熱源に利用し，これによりクリーンルームを維持管理しながら半導体工場全体を常に高い効率で運転するシステムが構築されている。

このような工場全体における消費エネルギーの削減のみならず，工場内の半導体製造設備においても，消費エネルギーの削減を目的とした機器の選定や，消費エネルギーを削減するようにそれらの機器を制御する方法が提案されている（たとえば，特許文献１を参照。）。

特許文献１では，基板処理装置に設けられた複数のユニットを制御するモードとして，通常モードと省エネモードとが設けられている。そのうち，省エネモードが選択されると，被処理基板を処理するために最小限必要なユニットのみを起動した状態で被処理基板が処理され，さらに処理効率を高める必要があれば，追加ユニットを起動した状態で被処理基板が処理される。また，待機時には，最小限必要なユニットのみを起動して他のユニットを停止することや全ユニットを停止することができる。これによれば，被処理基板を処理する際，スループットをある程度維持しつつ，基板処理装置にて消費されるエネルギーを低減することができる。

特開２００４−２００４８５号公報

しかし，上述した技術は，各ユニットを再起動すれば，処理室内のコンディションが瞬時に復旧する装置（たとえば，大気系の基板処理装置）の省エネのために提案されていて，省エネモードから通常モードまで復旧するのにある程度の時間を要する基板処理装置（たとえば，真空系の基板処理装置）を制御することは考えられていない。このため，主に各ユニットの停止／再起動のみを制御している従来技術では，省エネモードから通常モードへ復旧する際，処理室内のコンディションを精密に調整することはできなかった。

実際，被処理基板を精度よく処理するためには，省エネモードから通常モードへ復旧させる際に処理室内のコンディションを安定状態に保つための制御が非常に大切であり，このような制御には，省エネを図りながら処理室内のコンディションをタイミングよく整えるための過去の蓄積データおよび各制御を実行するタイミングの管理が不可欠である。

そこで，本発明は，処理室内のコンディションを整えつつ消費エネルギーを低減しながら基板処理装置を制御する制御装置およびその制御方法を提供する。

すなわち，上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，被処理基板を処理する処理室と上記処理室内の状態を整えるために設けられた複数のユニットとを備えた基板処理装置を制御する制御装置が提供される。この制御装置は，上記各ユニットの状態が，エネルギーの消費を抑えた省エネモードから被処理基板の処理が可能な通常モードまで復旧するために必要な時間を復旧時間として上記ユニット毎に記憶する記憶部と，上記記憶部に記憶された各ユニットの復旧時間に基づき，省エネモードから通常モードまで復旧するために要する時間を見込んで省エネモードにあるユニットの復旧を開始する時刻をユニット毎に求める管理部と，上記管理部により求められたユニット毎の復旧開始時刻に応じて省エネモードにあるユニットを通常モードまで復旧させるように各ユニットを独立してそれぞれ制御するユニット制御部と，を備えている。

高周波電力を用いてガスを電離および解離させることによりプラズマを発生させ，そのプラズマにより被処理基板をプラズマ処理する真空系の基板処理装置では，プラズマ中の電子，イオン，ラジカルの挙動を精度よく制御することにより被処理基板に所望の処理を施すことができる。そして，プラズマ中の電子，イオン，ラジカルの挙動を精度よく制御するためには，省エネモードから通常モードへ復旧させる際の時間の管理および復旧完了時の処理室内のコンディションが非常に大切である。

この点を考慮して，本発明では，省エネを図りながら処理室内のコンディションをタイミングよく整えるための過去の蓄積データを記憶部に記憶しておき，さらに，各種タイマを用いて精密な時間管理を行う。これにより，従来，アイドル時に無駄に消費されていたエネルギーを低減しつつ，復旧後の処理室内のコンディションを精密に調整することができる。

これにより，省エネモードから通常モードまで復旧するのにある程度の時間を要し，かつ，処理室内のコンディションを安定化させるために多くのノウハウを必要とする真空系の基板処理装置であっても，省エネを図りながら復旧後の処理室内のコンディションを精密に調整することができる。

そして，このように処理室内のコンディションを精密な時間管理により制御することにより，本発明にかかる基板処理システムでは，基板処理装置にインパクトを与える程度の省エネモードにも対応することができる。

すなわち，上記ユニット制御部は，上記処理室内の状態に影響を与えない範囲でエネルギーの消費を抑えながら各ユニットを制御する第１の省エネモード，上記処理室内の状態に影響を与える範囲でエネルギーの消費を抑えながら各ユニットを制御する第２の省エネモードおよび全ユニットを停止する第３の省エネモードのうち，ユーザの選択または自動選択により指定されたいずれかの省エネモードになるように各ユニットをそれぞれ制御することができる。

上記ユニット制御部は，上記管理部により求められた復旧開始時刻に応じて各ユニットを制御する代わりに，指定された復旧終了時間までに上記省エネモードからの復旧を完了するように各ユニットをそれぞれ制御するようにしてもよい。

これによれば，実際の省エネ時間のみならず，省エネモードからの復旧時間を管理して，各ユニットができるだけ長く省エネ状態を維持するようにそれぞれ制御される。これにより，復旧後の処理室内のコンディションを精密に調整しながら，各ユニットの消費エネルギーを非常に効率よく低減することができる。

上記ユニット制御部は，各ユニットが上記省エネモードの状態に安定する時間の長さに基づいて，第１，第２および第３の省エネモードのうち，いずれかの省エネモードを自動選択してもよい。

具体的には，たとえば，記憶部は，各ユニットが上記省エネモードの状態に安定する時間の長さに基づいて，各ユニットを節約モード（第１の省エネモード），休眠モード（第２の省エネモード）および冬眠モード（第３の省エネモード）のいずれかに属するように分類し，その分類情報を予め登録しておき，ユニット選択部は，指定された省エネモードに属するユニットを自動選択するようにしてもよい。

上記記憶部は，上記各ユニットの状態が，通常モードから省エネモードまで移行するために必要な時間を移行時間として上記ユニット毎に記憶し，上記管理部は，通常モードから省エネモードへの移行を開始した後，省エネモードから通常モードへの復旧を完了するまでの時間と，上記記憶部に記憶された移行時間および復旧時間と，から各ユニットが省エネモードの状態に安定している時間を求め，上記ユニット制御部は，上記管理部により求められた省エネモードの安定時間が所定時間以下の場合または省エネモードの安定時間によっては各ユニットの省エネ効果が得られないと判断した場合の少なくともいずれかの場合には，該当ユニットを指定された省エネモードに制御することなく通常モードのまま制御するようにしてもよい。

これによれば，省エネの効果があるユニットは，指定された省エネモードに移行するように制御され，省エネの効果がないユニットは，通常モードのまま制御される。このようにして省エネの効果があるユニットのみを適切に制御し，省エネの効果がないユニットを通常モードのまま制御することにより，より効果的に消費エネルギーを低減することができるとともに，処理室内のコンディションをむやみに変動させないようにすることができる。処理室内のコンディションをむやみに変動させないことは，省エネモードに移行したユニットの復旧時間を短縮するという相乗効果もあり，これにより，なお一掃消費エネルギーを低減することができる。

さらに，通常モードから省エネモードへの移行開始前および省エネモードから通常モードへの復旧完了後に，上記基板処理装置を自動的にセットアップするセットアップ実行部を備えていてもよい。

これによれば，基板処理装置内を自動的にクリーニングし，基板処理装置の動作検証などのセットアップが自動的に実行される。これにより，基板処理装置内のコンディションの崩れが少なくなるため，各ユニットをよりスムーズに省エネモードへ移行させ，よりスムーズに省エネモードから復旧させることができる。

ここで，上記第１の省エネモードが選択された場合，上記ユニット制御部は，排気系ユニットの回転数の制御，ガス供給ユニットから排気系ユニットへ供給するパージガスの供給制御，冷却ユニットから供給される媒質の流量制御，の少なくともいずれかを制御するようにしてもよい。

これによれば，省エネ移行時間および省エネ復旧時間が比較的短いユニットのみが省エネの制御対象となる。この結果，処理室内の状態に影響を与えない範囲でエネルギーの消費を抑えながら各ユニットを制御することができる。

一方，上記第２の省エネモードが選択された場合，上記ユニット制御部は，上記第１の省エネモードが選択された場合に制御可能な上記ユニットの制御に加え，温度調整ユニットの温度制御，ガス供給ユニットから基板処理装置内へ供給するパージガスの供給制御，排気系ユニットの回転停止および再起動制御，の少なくともいずれかを制御するようにしてもよい。

これによれば，第１の省エネモードが選択された場合に比べて省エネ移行時間および省エネ復旧時間が比較的長いユニットも制御対象となる。この結果，処理室内の状態に影響を与える範囲ではあるが，より多くのエネルギーの消費を抑えながら各ユニットを制御することができる。

さらに，上記第３の省エネモードが選択された場合，上記ユニット制御部は，基板処理装置の電源ユニットの切断および投入を制御するようにしてもよい。これによれば，基板処理装置の電源を切断することにより，従来，長期間稼働しない基板処理装置であってもアイドル状態を保つために消費していたエネルギーを費やすことなく温存することができる。

上記制御装置は，複数の基板処理装置を制御し，上記ユニット制御部は，基板処理装置毎に設けられた複数のユニットを，ユーザの選択または自動選択により基板処理装置単位でそれぞれ指定された省エネモードになるように，基板処理装置毎にそれぞれ制御するようにしてもよい。これによれば，複数の基板処理装置を別々のレベルの省エネモードに制御することができる。

上記基板処理装置は，上記処理室に連設される気密室の状態を整えるために設けられた複数のユニットを備え，上記制御装置のユニット制御部は，上記処理室に設けられた複数のユニットとともに上記気密室に設けられた複数のユニットを制御するようにしてもよい。

これによれば，基板処理装置の処理室に設けられた複数のユニットとともに，処理室に連設された気密室（たとえば，ロードロック室）に設けられた複数のユニットも制御される。これにより，気密室にて無駄に消費されていたエネルギーも低減することができる。

また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，被処理基板を処理する処理室と上記処理室内の状態を整えるために設けられた複数のユニットとを備えた基板処理装置を制御する制御方法が提供される。この制御方法では，各ユニットの状態が，エネルギーの消費を抑えた省エネモードから被処理基板の処理が可能な通常モードまで移行するために必要な時間を復旧時間として上記ユニット毎に記憶部に記憶し，上記記憶部に記憶された各ユニットの復旧時間に基づき，省エネモードから通常モードまで復旧するために要する時間を見込んで省エネモードにあるユニットの復旧を開始する時刻をユニット毎に求め，上記求められたユニット毎の復旧開始時刻に応じて省エネモードにあるユニットを通常モードまで復旧させるように各ユニットを独立してそれぞれ制御する。

これによれば，省エネを図りながら処理室内のコンディションをタイミングよく整えるための過去の蓄積データを記憶部に記憶しておき，さらに，各種タイマを用いて精密な時間管理が行われる。これにより，従来，アイドル時に無駄に消費されていたエネルギーを低減しつつ，復旧後の処理室内のコンディションを精密に調整することができる。

また，上記求められた復旧開始時刻に応じて各ユニットの制御をそれぞれ開始する代わりに，指定された復旧終了時間までに上記省エネモードからの復旧を完了するように各ユニットをそれぞれ制御してもよい。

また，上記各ユニットの状態が，通常モードから省エネモードまで移行するために必要な時間を移行時間として上記ユニット毎に上記記憶部に記憶し，通常モードから省エネモードへの移行を開始した後，省エネモードから通常モードへの復旧を完了するまでの時間と，上記記憶部に記憶された移行時間および復旧時間と，から各ユニットが省エネモードの状態に安定している時間を求め，上記求められた省エネモードの安定時間が所定時間以下の場合または省エネモードの安定時間によっては各ユニットの省エネ効果が得られないと判断した場合の少なくともいずれかの場合には，該当ユニットを指定された省エネモードに制御することなく通常モードのまま制御するようにしてもよい。

以上説明したように，本発明にかかる基板処理装置の制御装置およびその制御方法よれば，処理室内のコンディションを整えつつ消費エネルギーを低減することができる。

以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお，以下の説明及び添付図面において，同一の構成及び機能を有する構成要素については，同一符号を付することにより，重複説明を省略する。

（第１実施形態）
まず，本発明の第１実施形態にかかる制御装置を用いた基板処理システムについて，図１を参照しながら説明する。なお，本実施形態では，本システムを用いた処理の一例として成膜処理およびエッチング処理を例に挙げて説明する。

（基板処理システム）
まず，基板処理システムの全体構成について，図１を参照しながら説明する。
基板処理システム１０は，ＭＥＳ（Manufacturing Execution System）１００，ＥＣ（Equipment Controller）２００，スイッチングハブ６５０，ｎ個のＭＣ（Module Controller）３００ａ〜３００ｎ，ＤＩＳＴ（Distribution）ボード７５０およびＰＭ（Process Module）４００ａ〜４００ｎを有している。

ＭＥＳ１００は，ＰＣ（Personal Computer）などの情報処理装置から構成されていて，複数のＰＭ４００が設置された工場全体の製造工程を管理するとともに，必要な情報を図示しない基幹システムに送受信する。ＭＥＳ１００は，ＬＡＮ（Local Area Network）などのネットワーク６００によりＥＣ２００と接続されている。

ＥＣ２００は，スイッチングハブ６５０を通じて接続された複数のＭＣ３００を制御することにより，複数のＰＭ４００にて実行されるプロセスを統括的に制御する。具体的には，ＥＣ２００は，処理対象のウエハＷの処理方法を示したレシピに基づいて，任意のタイミングに各ＭＣ３００に制御信号を送信する。スイッチングハブ６５０は，ＥＣ２００から送信された制御信号の送信先をＭＣ３００ａ〜ＭＣ３００ｎのいずれかに切り替える。各ＭＣ３００は，送信された制御信号に基づいてＰＭ内に搬入されたウエハＷに所望の処理を施すように制御する。ここでは，ＥＣ２００がマスタ側の機器として機能し，ＭＣ３００がスレーブ側の機器として機能する。なお，ＥＣ２００は，プロセスを実施していないアイドル時においてＰＭ４００の状態を通常モードから省エネモードに制御する機能も有するが，これについては後述する。

ＭＣ３００は，ＤＩＳＴボード７５０によってＧＨＯＳＴ（General High-Speed Optimum Scalable Transceiver）ネットワーク７００を介して各ＰＭ４００に備えられた複数のＩ／Ｏポート（４００ａ１〜４００ａ３，４００ｂ１〜４００ｂ３，・・・，４００ｎ１〜４００ｎ３）にそれぞれ接続されている。ＧＨＯＳＴネットワーク７００は，ＭＣ３００のＭＣボードに搭載されたＬＳＩ（ＧＨＯＳＴと称される。）により制御されるネットワークである。ここでは，ＭＣ３００がマスタ側の機器として機能し，Ｉ／Ｏポートがスレーブ側の機器として機能する。ＭＣ３００は，ＥＣ２００から送信された制御信号に対応するアクチュエータ駆動信号をいずれかのＩ／Ｏポートに送出する。

Ｉ／Ｏポートは，ＭＣ３００から送信されたアクチュエータ駆動信号を各ＰＭ４００に設けられた該当ユニットに伝達することにより各ユニットをＥＣ２００からの指令に従って駆動するとともに，該当ユニットから出力された信号をＭＣ３００に伝達する。

つぎに，ＥＣ２００およびＰＭ４００のハードウエア構成について，図２，３を参照しながらそれぞれ説明する。なお，ＭＥＳ１００およびＭＣ３００のハードウエア構成については図示していないが，ＥＣ２００と同様な構成である。

（ＥＣのハードウエア構成）
図２に示したように，ＥＣ２００は，ＲＯＭ２０５，ＲＡＭ２１０，ＣＰＵ２１５，バス２２０，内部インタフェース（内部Ｉ／Ｆ）２２５および外部インタフェース（外部Ｉ／Ｆ）２３０を有している。

ＲＯＭ２０５には，ＥＣ２００にて実行される基本的なプログラムや，異常時に起動するプログラム等が記録されている。ＲＡＭ２１０には，各種プログラムやデータが蓄積されている。ＲＯＭ２０５およびＲＡＭ２１０は，記憶装置の一例であり，ＥＥＰＲＯＭ，光ディスク，光磁気ディスク，ハードディスクなどの記憶装置であってもよい。

ＣＰＵ２１５は，ＰＭ４００を通常モードまたは省エネモードに制御するとともに成膜処理やエッチング処理を制御する。バス２２０は，各デバイス間で情報をやりとりする経路である。

内部インタフェース２２５は，オペレータの操作によりキーボード７０５やタッチパネル７１０から必要なパラメータ（データ）を入力するとともに，必要な情報をモニタ７１５やスピーカ７２０に出力するようになっている。外部インタフェース２３０は，ＭＥＳ１００やＭＣ３００とデータを送受信するようになっている。

（ＰＭのハードウエア構成）
図３に示したように，ＰＭ４００（基板処理装置に相当）は，ウエハＷを搬入出させる搬送システムＨとウエハＷに対して成膜処理またはエッチング処理を行う処理システムＳとを有している。搬送システムＨと処理システムＳとは，ロードロック室４０５（ＬＬＭ（Load Lock Module）４０５ａ，４０５ｂ）を介して連結されている。

搬送システムＨは，カセットステージ４１０と搬送ステージ４２０を有している。カセットステージ４１０には，容器載置台４１０ａが設けられていて，容器載置台４１０ａには，３つのカセット容器４１０ｂ１〜４１０ｂ３が載置されている。各カセット容器４１０ｂは，たとえば，最大で２５枚のウエハＷを多段に収容することができる。

搬送ステージ４２０には，その中心にて搬送方向に沿って延びる案内レール４２０ａが設けられている。案内レール４２０ａには，ウエハＷを搬送する２本の搬送アーム４２０ｂ１，４２０ｂ２が，磁気駆動により案内レール４２０ａをスライド移動するように支持されている。搬送アーム４２０ｂ１，４２０ｂ２は，屈伸および旋回可能な多関節状の搬送アーム本体４２０ｂ１１，４２０ｂ２１と搬送アーム本体４２０ｂ１の先端に取り付けたフォーク４２０ｂ１２，４２０ｂ２２とをそれぞれ有しており，フォーク４２０ｂ１２，４２０ｂ２２上にウエハＷを保持するようになっている。

搬送ステージ４２０の一端には，ウエハＷの位置決めを行う位置合わせ機構４２０ｃが設けられている。位置合わせ機構４２０ｃは，ウエハＷを載置した状態で回転台４２０ｃ１を回転させながら，光学センサ４２０ｃ２によりウエハＷの周縁部の状態を検出することにより，ウエハＷの位置を合わせるようになっている。

ＬＬＭ４０５ａ，４０５ｂには，その内部にてウエハＷを載置する載置台４０５ａ１，４０５ｂ１がそれぞれ設けられているとともに，その両端にて気密に開閉可能なゲートバルブ４０５ａ２，４０５ａ３，４０５ｂ２，４０５ｂ３がそれぞれ設けられている。かかる構成により，搬送システムは，ウエハＷを，カセット容器４１０ｂ１〜４１０ｂ３とロードロック室４０５ａ，４０５ｂと位置合わせ機構４２０ｃとの間で搬送するようになっている。

一方，処理システムＳには，移載室４３０および４つのプロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ４が設けられている。移載室４３０は，気密に開閉可能なゲートバルブ４４０ａ〜４４０ｄを介してＰＭ１〜ＰＭ４とそれぞれ接合されている。移載室４３０には，屈伸および旋回可能なアーム４３０ａが設けられている。

ＰＭ１〜ＰＭ４には，ウエハを載置するサセプタ４５０ａ〜４５０ｄが設けられている。かかる構成により，処理システムは，アーム４３０ａを用いてウエハＷをＬＬＭ４０５から移載室４３０を経由してＰＭ１〜ＰＭ４に搬入し，各サセプタ４５０に載置された状態で成膜処理した後，再び，移載室４３０を経由してＬＬＭ４０５へ搬出するようになっている。また，ＰＭ１〜ＰＭ４には，ＰＭ１〜ＰＭ４の電源をオン／オフするスイッチがそれぞれ設けられている。

つぎに，ＬＬＭ４０５の内部構成および機能について，図４に模式的に示したＬＬＭの縦断面図を参照しながら説明する。
（ＬＬＭの内部構成および機能）

図４に示したＬＬＭ４０５ａは，移載室４３０およびＰＭ１〜ＰＭ４を大気に開放しないことを目的として気密に構成された略円筒状のチャンバＣＬを有していて，チャンバＣＬには，ウエハＷを載置するステージ４０５ａ１およびウエハＷを搬入，搬出するために開閉するゲートバルブ４０５ａ２，４０５ａ３が備えられている。ステージ４０５ａ１には，その内部にてヒータ４０５ａ１１が埋設されている。ヒータ４０５ａ１１には，チャンバＣＬの外部にて交流電源５０５が接続され，交流電源５０５から供給される交流電圧によりウエハＷを所定の温度に保持するようになっている。

ＬＬＭ４０５ａの底部には，ドライポンプ５１０が配設されている。ドライポンプ５１０には，交流電源５０５が接続されるとともにとともに，ガスライン５１５を介してＮ_２ガス供給源５２０が接続されている。図示しないインバータにより交流電源５０５の周波数を適宜変換させてモータ５１０ａを駆動することにより，ドライポンプ５１０の回転速度（回転数）や回転の停止，再起動が制御される。また，Ｎ_２ガス供給源５２０は，バルブ５２２の開閉およびマスフローコントローラ５２４による流量制御により，適宜，パージガスをドライポンプ５１０に供給する。これにより，ドライポンプ５１０は，耐蝕対策を図りながら，ＬＬＭ４０５ａ内を所望の程度まで減圧するようになっている。

（ＰＭの内部構成および機能：成膜処理）
つぎに，成膜処理を実行する場合のＰＭの内部構成および機能について，図５に模式的に示したＰＭの縦断面図を参照しながら説明する。

ＰＭは，気密に構成された略円筒状のチャンバＣＰを備えており，チャンバＣＰの内部には，前述したようにウエハＷを載置するサセプタ４５０が設けられている。チャンバＣＰ内には，ウエハＷを処理する処理室Ｕが形成されている。サセプタ４５０は，円筒状の支持部材４５１により支持されている。サセプタ４５０には，その外縁部にてウエハＷをガイドするとともにプラズマをフォーカシングするガイドリング４５２が設けられ，その内部にてステージヒータ４５４が埋め込まれている。

チャンバＣＰには，排気機構として，ＡＰＣ（自動圧力調整器：Automatic Pressure Control）５３０，ＴＭＰ（Turbo Molecular Pump）５３５およびドライポンプ５４０が設けられていて，これらの排気機構により，チャンバＣＰ内は所定の真空度まで減圧される。

ＡＰＣ５３０の内部には，ＡＰＣのヒータ５３０ａが埋め込まれている。ステージに設けられたヒータ４５４，ＡＰＣのヒータ５３０ａ，ＴＭＰ５３５およびドライポンプ５４０には，チャンバＣＰの外部にて交流電源５２５が接続されている。これらのヒータ４５４，５３０ａは，交流電源５２５から出力される交流電圧により，ウエハＷおよびＡＰＣ５４０内を所定の温度にそれぞれ保持する。また，図示しないインバータによって交流電源５２５の周波数を適宜変換させて各モータ５３５ａ，５４０ａをそれぞれ駆動させることにより，ＴＭＰ５３５およびドライポンプ５４０は，所望の回転速度（回転数）に制御されるとともに回転の停止や再起動が制御される。

チャンバＣＰの天井壁部４５８ａには，絶縁部材４５９を介してシャワーヘッド４６０が設けられている。このシャワーヘッド４６０は，上段ブロック体４６０ａ，中段ブロック体４６０ｂおよび下段ブロック体４６０ｃから構成されている。各ブロック体４６０に形成された２系統のガス通路（ガス通路４６０ａ１およびガス通路４６０ａ２）は，下段ブロック４６０ｃに交互に形成された噴射孔４６０ｃ１および噴射孔４６０ｃ２とそれぞれ連通している。

ガス供給機構４７０は，ガス供給源４７０ａ〜４７０ｅ，複数のバルブ４７２および複数のマスフローコントローラ４７４から構成されている。各バルブ４７２は，その開閉を制御することにより，各ガス供給源からガスを選択的にチャンバＣＰ内に供給する。また，各マスフローコントローラ４７４は，ガスの流量を制御することによりガスを所望の濃度に調整する。

ガス供給源のうち，Ｎ_２ガス供給源４７０ａ，ＴｉＣｌ_４ガス供給源４７０ｂおよびＡｒ供給源４７０ｃは，ガスライン４６５ａによりシャワーヘッド４６０と接続され，Ｈ_２供給源４７０ｄおよびＮ_２ガス供給源４７０ｅは，ガスライン４６５ｂによりシャワーヘッド４６０と接続されている。さらに，Ｎ_２ガス供給源４７０ｅは，ガスライン４６５ｃによりＴＭＰ５３５，ドライポンプ５４０と接続されている。Ｎ_２ガス供給源４７０ａ，４７０ｅは，パージガスをチャンバＣＰ内や各ポンプに供給し，ＴｉＣｌ_４ガス供給源４７０ｂ，Ａｒ供給源４７０ｃ，Ｈ_２供給源４７０ｄは，Ｔｉ膜形成のための処理ガスであるＴｉＣｌ_４ガス，プラズマ励起ガスであるＡｒガス，還元ガスであるＨ_２ガスをチャンバＣＰ内に供給する。また，Ｎ_２ガス供給源４７０ｅは，バルブ４７６，４７８の開閉を制御することにより，適宜，パージガスをＴＭＰ５３５，ドライポンプ５４０にそれぞれ供給する。これにより，ＴＭＰ５３５，ドライポンプ５４０は，耐蝕対策を図りながら，ＣＰ内を所定の真空度まで減圧するようになっている。

シャワーヘッド４６０には，整合器４９０を介して高周波電源５４５が接続されている。一方，サセプタ４５０には，シャワーヘッド４６０の対向電極として電極４９４が埋設されている。電極４９４には，整合器４９６を介して高周波電極５５０が接続されていて，高周波電源５５０から電極４９４に高周波電力が供給されることによりバイアス電圧が生成される。

かかる構成により，高周波電源５４５からシャワーヘッド４６０に供給された高周波電力によって，ガス供給機構４７０からシャワーヘッド４６０を介してチャンバＣＰに供給されたガスがプラズマ化され，そのプラズマによりウエハＷにＴｉ膜が形成される。

（ＰＭの内部構成および機能：エッチング処理）
つぎに，エッチング処理を実行したウエハＷに対してＣＯＲ（Chemical Oxide Removal）処理およびＰＨＴ（Post Heat Treatment）処理を行う場合のＰＭの内部構成および機能について，図６，図７に模式的に示したＰＭの縦断面図を参照しながら説明する。ＣＯＲ処理は，ウエハＷをエッチング処理後にエッチングした凹部の内面に付着した自然酸化膜（ＳｉＯ_２膜）と処理ガスのガス分子とを化学反応させ，反応生成物を生成させる処理であり，ＰＨＴ処理は，ＣＯＲ処理後のウエハＷを加熱して，ＣＯＲ処理を示す。

図６は，ウエハＷに対してＰＨＴ処理を施すＰＭ（ＰＨＴ処理装置）を模式的に示した縦断面図であり，図７は，ＰＭ（ＰＨＴ処理装置）に隣接させて設けられ，ウエハＷに対してＣＯＲ処理を施すＰＭ（ＣＯＲ処理装置）を模式的に示した縦断面図である。

ＰＨＴ処理装置は，気密なチャンバＣＰを備えており，その内部は，サセプタ４５０に載置されたウエハＷを処理する処理室Ｕとなっている。チャンバＣＰには，排気ポンプ５６０（たとえば，ドライポンプ）が設けられていて，交流電源５２５の周波数を適宜変換させてモータ５６０ａを駆動させることにより，排気ポンプ５６０の回転速度（回転数）や回転の停止，再起動が制御される。また，ＰＨＴ処理装置には，ガスライン４６５によりＮ_２ガス供給源４７０ａが接続されていて，バルブ４７２，４７８の開閉を制御することにより，適宜，パージガスをチャンバＣＰおよび排気ポンプ５６０にそれぞれ供給する。これにより，排気ポンプ５６０は，耐蝕対策を図りながらＣＰ内を所定の真空度にまで減圧するようになっている。

図７のＣＯＲ処理装置も同様に，気密なチャンバＣＰを備えており，その内部は，サセプタ４５０に載置されたウエハＷを処理する処理室Ｕとなっている。チャンバＣＰには，排気機構（ＡＰＣ５３０，ＴＭＰ５３５，ドライポンプ５４０）が設けられていて，交流電源５２５の交流電圧を用いて所定の周波数でモータ５３５ａ，５４０ａを駆動させることにより，各ポンプの回転速度（回転数）や回転の停止，再起動が制御される。これにより，排気ポンプ５６０は，ＣＰ内を所定の真空度にまで減圧するようになっている。

Ｎ_２ガス供給源４７０ａ，ＮＨ３ガス供給源４７０ｆ，Ａｒガス供給源４７０ｃおよびＨＦガス供給源４７０ｇには，ガスライン４６５ｄ〜４６５ｇを介してシャワーヘッド４６０が接続されていて，バルブ４７２，ＭＦＣ４７４により制御された所望の流量のガスをシャワーヘッド４６０に設けられた複数の噴射孔４６０ｃから選択的にチャンバＣＰ内に供給するとともに，適宜，Ｎ_２ガス供給源４７０ａから供給されたパージガスを図示しないガスラインを介してＴＭＰ５３５，ドライポンプ５４０にそれぞれ供給する。

サセプタ４５０の内部には，温度調節器４５５が設けられている。温度調節器４５５には，管路５７０ａを経由して冷却供給源５７０が接続されている。サセプタ４５０の温度は，冷却供給源５７０から供給され，管路５７０ａを循環する温調用の液体（たとえば，水）との熱交換により調節され，この結果，ウエハＷの温度が所望の温度に保持される。

チャンバＣＰの側壁およびシャワーヘッド（上部電極）４６０には，ヒータ５８０ａ，５８０ｂ，５８０ｃがそれぞれ設けられている。ヒータ５８０ａ〜５８０ｃおよびＡＰＣ５３０内のヒータ５３０ａには，交流電源５２５が接続されていて，交流電源５２５から供給された交流電圧により，シャワーヘッド４６０，チャンバＣＰの側壁およびＡＰＣ５３０は，所望の温度にそれぞれ保持される。

（ＥＣの機能構成）
つぎに，ＥＣ２００の各機能について，各機能をブロックにて示した図８を参照しながら説明する。ＥＣ２００は，データベース２５０，入力部２５５，ユニット制御部２６０，ユニット選択部２６５，管理部２７０，セットアップ実行部２７５，基板処理制御部２８０，省エネ開始タイマ２８５ａ，省エネ終了タイマ２８５ｂ，通信部２９０および出力部２９５の各ブロックにより示される機能を有している。

図９に示したように，データベース２５０（記憶部に相当）には，過去の蓄積データから算出された各ユニットの省エネ移行時間Ａおよび省エネ復旧時間Ｂがユニット毎に記憶されている。具体的には，省エネ移行時間Ａおよび省エネ復旧時間Ｂは，前回のロットの実績時間であってもよいし，前回までのロットの実績時間の平均値であってもよい。また，省エネ移行時間Ａおよび省エネ復旧時間Ｂが各ユニットやプロセス条件によって異なる時間となることを考慮して，今回の省エネ移行時間Ａおよび省エネ復旧時間Ｂは，データベース２５０に記憶された省エネ移行時間Ａおよび省エネ復旧時間Ｂを利用して算出するようにしてもよい。

省エネ移行時間Ａは，各ユニットがウエハＷの処理が可能な通常モードからエネルギーの消費を抑えた省エネモードまで移行するために必要な時間である。省エネ復旧時間Ｂは，各ユニットが省エネモードから通常モードまで復旧するために必要な時間である。

データベース２５０の温度制御ユニットには，省エネ移行時間Ａおよび省エネ復旧時間Ｂのデータを更新したときに設定された省エネ設定温度Ｔａおよび復旧後に使用するレシピに設定された温度（復旧設定温度Ｔｂ）が記憶されている。たとえば，ＰＭ４００の上部および下部電極および側壁に設けられたヒータ温度は，省エネ設定温度Ｔａが４０℃，復旧設定温度Ｔｂが６０℃となっている。

入力部２５５は，たとえば，パラメータ選択画面からオペレータにより選択された省エネ対象のユニットに関する情報や省エネモードのレベルに関する情報を入力する。省エネモードのレベルとしては，節約モード（第１の省エネモード），休眠モード（第２の省エネモード）および冬眠モード（第３の省エネモード）がある。省エネモードは，ＰＭ毎に別々に異なるモードを１つずつ指定することができる。

節約モードは，処理室Ｕ内の状態に影響を与えない範囲でエネルギーの消費を抑えながら各ユニットを制御するモードである。節約モードに適したユニットとしては，今回のロット終了時から次回のロット処理開始時までの時間が短く，復旧も短時間しかかからないユニットが挙げられる。具体的には，図９に示したユニットのうち，省エネ移行時間Ａおよび省エネ復旧時間Ｂが４，５秒までのユニットが，節約モードに適したユニットである。

休眠モードは，処理室Ｕ内の状態に影響を与えてもよい範囲でエネルギーの消費を抑えながら各ユニットを制御するモードである。休眠モードに適したユニットとしては，今回のロット終了時から次回のロット処理開始時までの時間が，たとえば，節約モードより長く，復旧も節約モードより長時間必要なユニットが挙げられる。具体的には，省エネ移行時間Ａおよび省エネ復旧時間Ｂが１０分〜２０分程度の温度制御ユニット，ＰＭおよびＬＬＭの処理室ＵへＮ２パージガスの供給を制御するユニット，ドライポンプの停止および再起動を制御するユニットが，休眠モードに適したユニットである。

温度制御ユニットが休眠モードに適したユニットであるのは，ヒータ温度を設定温度に制御してから処理室Ｕ内がその温度に安定するまでにはある程度の時間がかかるため，処理室Ｕ内の状態に影響を与えると考えられるからである。また，Ｎ２パージガス供給制御ユニットが休眠モードに適したユニットであるのは，処理室ＵへＮ２ガスをパージしてから処理室Ｕ内の圧力が所望の圧力に調整されるまでにはある程度の時間がかかるため，処理室Ｕ内の状態に影響を与えると考えられるからである。同様に，ドライポンプ停止／再起動制御ユニットが休眠モードに適したユニットであるのは，ドライポンプを停止しその後再起動した場合，処理室Ｕ内の圧力が所望の圧力に調整されるまでにある程度の時間がかかるため，処理室Ｕ内の状態に影響を与えると考えられるからである。

冬眠モードは，システムの稼働を一時停止したり，ＰＭを洗浄するなどのメンテナンスの場合など，次回のロット開始までの時間が長時間の場合に各ユニットを制御するモードである。冬眠モードに適したユニットとしては，今回のロット終了時から次回のロット処理開始時までの時間が，たとえば，数十分から数時間以上と休眠モードより長いユニットであって，具体的には，ＰＭの電源の切断および投入を制御するＰＭ電源ユニットが挙げられる。

ユニット制御部２６０は，ＬＬＭユニット制御部２６０ａおよびＰＭユニット制御部２６０ｂを含んで構成されている。ＬＬＭユニット制御部２６０ａは，ドライポンプ制御部２６０ａ１，Ｎ_２パージ制御部２６０ａ２およびヒータ温度制御部２６０ａ３を有している。ＰＭユニット制御部２６０ｂは，ドライポンプ制御部２６０ｂ１，Ｎ_２パージ制御部２６０ｂ２，ヒータ温度制御部２６０ｂ３，チラー流量制御部２６０ｂ４およびＰＭ電源制御部２６０ｂ５を有している。

ここで，ユニットとは，各ユニット制御部２６０により送信される図１の各Ｉ／Ｏポートを介してＭＣ３００から送信されたアクチュエータ駆動信号にしたがって別個独立して動作する単位部分をいう。すなわち，ユニット制御部２６０は，対象ユニットを所定のタイミングに別個独立に制御する。

図９に示したように，ＰＭおよびＬＬＭのドライポンプ，ＴＭＰは，排気系ユニットである。また，Ｎ_２ガス供給源は，ガス供給ユニットである。冷却供給源５７０は，冷却ユニットである。チャンバＣＰの側壁およびシャワーヘッド（上部電極）４６０のヒータ５８０ａ，５８０ｂ，５８０ｃ，ＡＰＣのヒータ５３０ａ，サセプタのヒータ４５４は，温度調整ユニットである。ＰＭ毎に設けられた電源ＳＷ５００は，ＰＭの電源ユニットである。

たとえば，ドライポンプ制御部２６０ａ１から送信された制御信号に応じたアクチュエータ駆動信号がＩ／Ｏポートを介して図４の交流電源５０５に伝送されると，このアクチュエータ駆動信号にしたがい交流電源５０５から所望の交流電圧が出力され，これにより，モータ５１０ａの図示しないロータの回転数が制御される。このようにして，ドライポンプ制御部２６０ａ１は，ドライポンプ５１０の回転数，回転停止および再起動を制御するようになっている。

また，Ｎ_２パージ制御部２６０ａ２から送信された制御信号に応じたアクチュエータ駆動信号がＩ／Ｏポートを介してバルブ５２２に伝送されると，このアクチュエータ駆動信号にしたがいバルブ５２２が開かれ，これにより，Ｎ_２ガス供給源５２０からドライポンプ５１０へＮ_２パージガスが供給される。このようにして，Ｎ_２パージ制御部２６０ａ２は，ドライポンプ５１０へ供給するＮ_２パージガスを制御するようになっている。

また，ヒータ温度制御部２６０ａ３から送信された制御信号に応じたアクチュエータ駆動信号がＩ／Ｏポートを介して交流電源５０５に伝送されると，このアクチュエータ駆動信号にしたがい交流電源５０５から所望の交流電圧が出力され，これにより，サセプタ４０５ａ１に埋設されたヒータ４０５ａ１１の温度が制御される。このようにして，ヒータ温度制御部２６０ａ３は，ヒータ４０５ａ１１の温度を制御するようになっている。

また，ドライポンプ制御部２６０ｂ１から送信された制御信号に応じたアクチュエータ駆動信号がＩ／Ｏポートを介して図５の交流電源５２５に伝送されると，このアクチュエータ駆動信号にしたがい交流電源５２５から所望の交流電圧が出力され，これにより，ドライポンプ５４０（水素防爆仕様のドライポンプも含む）のモータ５４０ａの図示しないロータの回転数が制御される。これにより，ドライポンプ制御部２６０ｂ１は，ドライポンプ５４０の回転数，回転停止および再起動を制御するようになっている。

なお，水素防爆仕様のドライポンプは，可燃物質である水素が漏洩等により爆発する危険性を回避するために設けられていて，水素が処理室Ｕ内に供給されているときに駆動する。この水素防爆仕様のドライポンプは，ドライポンプ５４０と別に設けられていても，同一物であってもよい。

また，Ｎ_２パージ制御部２６０ｂ２から送信された制御信号に応じたアクチュエータ駆動信号がＩ／Ｏポートを介してバルブ４７６またはバルブ４７８の少なくともいずれかに伝送されると，このアクチュエータ駆動信号にしたがいバルブ４７６，バルブ４７８が開かれ，これにより，Ｎ_２ガス供給源４７０ｅからＴＭＰ５３５またはドライポンプ５４０へＮ_２パージガスが供給される。このようにして，Ｎ_２パージ制御部２６０ｂ２は，ＴＭＰ５３５またはドライポンプ５４０へ供給するＮ_２パージガスを制御するようになっている。

また，ヒータ温度制御部２６０ｂ３から送信された制御信号に応じたアクチュエータ駆動信号が，Ｉ／Ｏポートを介して図５または図７の交流電源５２５に伝送されると，このアクチュエータ駆動信号にしたがい交流電源５２５から所望の交流電圧が出力され，これにより，図７の側壁およびシャワーヘッド４６０（上部電極）にそれぞれ設けられたヒータ５８０ａ，５８０ｂ，５８０ｃ，図５のサセプタ４５０（下部電極）に設けられたヒータ４５４，およびＡＰＣ５３０に設けられたヒータ５３０ａの温度がそれぞれ制御される。このようにして，ヒータ温度制御部２６０ｂ３は，各ヒータの温度を制御するようになっている。

また，チラー流量制御部２６０ｂ４から送信された制御信号に応じたアクチュエータ駆動信号が，Ｉ／Ｏポートを介して図７の冷却供給源５７０に伝送されると，このアクチュエータ駆動信号にしたがい冷却供給源５７０から供給された所定量の媒質が管路５７０ａを循環し，これにより，サセプタ４５０内部に設けられた温度調節器４５５の温度および上部電極の温度が制御される。このようにして，チラー流量制御部２６０ｂ４は，温度調節器４５５の温度および上部電極の温度を制御するようになっている。

また，ＰＭ電源制御部２６０ｂ５から送信された制御信号に応じたアクチュエータ駆動信号が，Ｉ／Ｏポートを介して図３のＰＭ毎に設けられた電源ＳＷ５００に伝送されると，このアクチュエータ駆動信号にしたがい電源ＳＷ５００がオン／オフされ，これにより，各ＰＭ（ＰＭ１〜４）の主電源が投入／切断される。このようにして，ＰＭ電源制御部２６０ｂ５は，電源ＳＷ５００を制御するようになっている。

ユニット選択部２６５は，指定されたユニットを指定された省エネモードに制御するようにユニット制御部２６０に指示する。たとえば，オペレータの操作に応じて，入力部２５５が冷却供給源５７０のチラーの流量を節約モードにて制御する情報を入力した場合，ユニット選択部２６５は，チラー流量制御部２６０ｂ４を選択し，省エネモードに制御するようにユニット制御部２６０に指示する。なお，ユニット選択部２６５は，オペレータ（ユーザ）の指示に応じていずれかのユニット制御を選択する代わりに，ユニットを自動選択し，選択されたユニットを指定された省エネモードに制御するようにユニット制御部２６０に指示してもよい。

この場合，たとえば，各ユニットが上記省エネモードの状態に安定する時間の長さに基づいて，各ユニットを節約モード（第１の省エネモード），休眠モード（第２の省エネモード）および冬眠モード（第３の省エネモード）のいずれかに属するように分類し，その分類情報をデータベース２５０に予め登録しておき，ユニット選択部２６５は，その分類情報から指定された省エネモードに属するユニットを自動選択するようにしてもよい。

たとえば，節約モードが選択された場合，データベース２５０に記憶された分類情報に基づき，ユニット制御部２６０は，排気系ユニットの回転数の制御，ガス供給ユニットから排気系ユニットへ供給するパージガスの供給制御，冷却ユニットから供給される媒質の流量制御，の少なくともいずれかを制御するようにしてもよい。

また，休眠モードが選択された場合，データベース２５０に記憶された分類情報に基づき，ユニット制御部２６０は，節約モードが選択された場合に制御可能なユニットの制御に加え，温度調整ユニットの温度制御，ガス供給ユニットから基板処理装置内へ供給するパージガスの供給制御，排気系ユニットの回転停止および再起動制御，の少なくともいずれかを制御するようにしてもよい。

さらに，冬眠モードが選択された場合，データベース２５０に記憶された分類情報に基づき，ユニット制御部２６０は，該当ＰＭの電源ユニットの切断および投入を制御してもよい。

省エネ開始タイマ２８５ａは，省エネ処理開始時（現時点）から省エネモードへの移行を開始するまでの時間（省エネモード移行時間Ｔｓ）をカウントする。よって，省エネモード移行時間Ｔｓに「０」が設定されている場合には，即時，省エネモードへ移行することとなる。

省エネ終了タイマ２８５ｂは，省エネモードへ移行してから省エネモードからの復旧を開始するまでの時間（省エネモード復旧時間Ｔｅ），すなわち，省エネを実施している時間をカウントする。

管理部２７０は，データベース２５０に記憶された省エネ移行時間Ａおよび省エネ復旧時間Ｂに基づき，省エネ開始タイマ２８５ａを用いて，ユニット選択部２６５により選択されたユニット制御部２６０が通常モードから省エネモードへの移行を開始する時刻を管理するとともに，省エネ終了タイマ２８５ｂを用いて省エネモードから通常モードへの復旧を開始する時刻を管理する。

セットアップ実行部２７５は，通常モードから省エネモードへの移行を開始する前および省エネモードから通常モードへの復旧を完了した後に，ＰＭ内の動作検証などのセットアップ処理を自動的に行う。このセットアップの処理中には，省エネモードに移行するため準備処理も含まれる。基板処理制御部２８０は，プロセスレシピにしたがって，ＰＭ内に搬入されたウエハＷに成膜処理やエッチング処理を施すための制御を行う。

通信部２９０は，ユニット制御部２６０から指令を受けると，これに応じて選択されたユニットを省エネモードに移行するための制御信号をＭＣ３００に送信し，さらに省エネモードから復旧するための制御信号をＭＣ３００に送信する。これにより，ＰＭおよびＬＬＭは，管理部２７０により管理された所定時間，消費エネルギーを抑えた省エネ状態となる。

また，通信部２９０は，セットアップ実行部２７５から指令を受けると，これに応じてＰＭ内のセットアップを実行するための制御信号をＭＣ３００に送信する。これにより，たとえば，ＰＭ，ＬＬＭ内を手作業にてクリーニングした後や，ＰＭ，ＬＬＭ内のコンディションに影響を与えてもよい範囲で各ユニットを省エネモードに制御した後であっても，一連の処理がプログラム化されたレシピにしたがってＰＭ内の各ユニットの動作検証やダミーウエハによるプロセス検証が自動化され，この結果，ＰＭ内のコンディションが自動的に整えられる。

さらに，通信部２９０は，基板処理制御部２８０から指令を受けると，これに応じてＰＭ４００を制御するための制御信号をＭＣ３００に送信する。これにより，ＰＭ４００内において，ウエハＷが，プロセスレシピにしたがい基板処理される。出力部２９５は，各処理中に不具合が生じたとき，その不具合をモニタ７１５に表示するなどしてオペレータに警告したり，必要な情報を出力する。

なお，以上に説明したＥＣ２００の各機能は，実際には，ＣＰＵ２１５がこれらの機能を実現する処理手順を記述したプログラムを実行することにより，または，各機能を実現するための図示しないＩＣ等を制御することにより達成される。たとえば，本実施形態では，ユニット選択部２６５，管理部２７０，セットアップ実行部２７５，基板処理制御部２８０の各機能は，ＣＰＵ２１５がこれらの機能を実現する処理手順を記述したプログラムやレシピを実行することにより達成される。

（ＥＣの動作）
つぎに，ＥＣ２００の動作について，図１０〜図１２を参照しながら説明する。図１０は，ＥＣ２００が実行する省エネ処理（メインルーチン）を示したフローチャートである。図１１は，図１０のメインルーチンにて呼び出される省エネモード移行処理（節約モード移行処理，休眠モード移行処理，冬眠モード移行処理）を示したフローチャートである。図１２は，図１０のメインルーチンにて呼び出される省エネモード復旧処理（節約モード復旧処理，休眠モード復旧処理，冬眠モード復旧処理）を示したフローチャートである。

なお，省エネ処理を開始する前に，省エネ処理開始時（現時点）から省エネモードへ移行するまでの時間Ｔｓおよび省エネモードから通常モードへ復旧を開始するまでの時間（省エネモード復旧時間Ｔｅ）が予め設定されている。また，省エネモードは，節約モードが「１」，休眠モードが「２」，冬眠モードが「３」として指定される。

（省エネ処理）
オペレータが省エネスタートボタンを「ＯＮ」すると（または，ロット処理終了後，自動的に），図１０のステップ１０００から省エネ処理が開始され，ステップ１００５に進んで，管理部２７０は，省エネ開始タイマ２８５ａに「０」を設定する。

つぎに，ステップ１０１０に進んで，管理部２７０は，指定された省エネモードが「１」〜「３」のいずれかであるかを判定し，省エネモードが「１」の場合にはステップ１０１５の節約モード移行処理に進み，省エネモードが「２」の場合にはステップ１０２０の休眠モード移行処理に進み，省エネモードが「３」の場合にはステップ１０２５の冬眠モード移行処理に進む。

（省エネ移行処理）
各移行処理は，図１１のステップ１１００から処理が開始され，ステップ１１０５に進むと，管理部２７０は，オートセットアップ処理を実行するか否かを判定する。オートセットアップ処理の実行が指定されている場合，セットアップ実行部２７５は，ステップ１１１０に進み，一連のセットアップ用レシピにしたがって，オートセットアップ処理を実行した後，ステップ１１１５に進む。一方，オートセットアップ処理の実行が指定されていない場合，管理部２７０は，直ちにステップ１１１５に進む。

管理部２７０は，ステップ１１１５にて，省エネ開始タイマ２８５ａが省エネモード移行時間Ｔｓ以上であるか否かを判定し，省エネモード移行時間Ｔｓを経過したら（図１３参照），ステップ１１２０に進んで省エネ終了タイマ２８５ｂに「０」を設定し，ステップ１１２５に進む。

ステップ１１２５にて，ユニット選択部２６５は，オペレータまたは自動により選択されたユニット制御部２６０を選択し，選択されたユニット制御部２６０は，指定されたユニットを指定された省エネモードに制御し，ステップ１１９５にて本処理を終了する。

省エネ移行処理が終了すると，図１０のステップ１０３０に進んで，管理部２７０は，省エネモードに移行したか否かを確認する。この時点では，省エネモードに移行しているので，「ＹＥＳ」と判定して，省エネモードが「１」の場合にはステップ１０３５の節約モード復旧処理に進み，省エネモードが「２」の場合にはステップ１０４０の休眠モード復旧処理に進み，省エネモードが「３」の場合にはステップ１０４５の冬眠モード復旧処理に進む。

（省エネ復旧処理）
各復旧処理は，図１２のステップ１２００から処理が開始され，ステップ１２０５に進むと，管理部２７０は，省エネ終了タイマ２８５ｂが省エネモード復旧時間Ｔｅ以上であるか否かを判定し，省エネモード復旧時間Ｔｅを経過したら，ステップ１２１０に進む。ユニット選択部２６５は，ステップ１２１０にて，指定されたユニットを指定された省エネモードから復旧するように制御し，ステップ１２１５に進む。

管理部２７０は，ステップ１２１５にて，オートセットアップ処理を実行するか否かを判定する。オートセットアップ処理の実行が指定されている場合，セットアップ実行部２７５は，ステップ１２２０に進み，一連のレシピにしたがってオートセットアップ処理を実行した後，ステップ１２９５に進んで省エネ復旧処理を終了する。一方，オートセットアップ処理の実行が指定されていない場合，直ちにステップ１２９５に進んで省エネ復旧処理を終了し，これにより，図１０のステップ１０９５にて省エネ処理が終了する。

本実施形態にかかる省エネ処理によれば，図１３に示したように，たとえば，省エネモード移行時間Ｔｓが３０分，省エネモード復旧時間Ｔｅが２時間の場合，省エネ処理開始時から３０分間は，ＰＭ内はアイドル状態が維持され，その後，自動的に省エネモードへの移行を開始し，各ユニットの省エネモード移行時間Ａ終了後，ＰＭ内は所定時間Ｃの間省エネ中となり，省エネモード移行開始時から２時間後に自動的に省エネモードからの復旧を開始し，各ユニットの省エネモード復旧時間Ｂ終了後，ＰＭ内はアイドル状態に戻る。

これによれば，省エネモードから通常モードまで復旧するのにある程度の時間を要する場合であっても，省エネモードから通常モード（アイドル状態）へ復旧する際，処理室Ｕ内のコンディションを精密に調整することができる。

特に，高周波電力を用いてガスを電離および解離させることによりプラズマを発生させ，そのプラズマによりウエハＷを処理する真空系のＰＭでは，プラズマ中の電子，イオン，ラジカルの挙動を精度よく制御することによりウエハＷに所望の処理を施すことができる。このプラズマ中の電子，イオン，ラジカルの挙動を精度よく制御するためには，省エネモードから通常モードへ復旧させる際，復旧時の処理室内のコンディションおよび復旧までの時間の管理が非常に大切である。

この点を考慮して，本実施形態では，省エネを図りながら処理室内のコンディションをタイミングよく整えるための過去の蓄積データをデータベース２５０に予め記憶しておき，さらに，各種タイマを用いて精密な時間管理を行う。これにより，従来，ＰＭのアイドル時に無駄に消費されていたエネルギーを低減しつつ，ウエハ処理時の処理室Ｕ内のコンディションをプロセス条件に合わせて精密に調整することができる。

（第２実施形態）
つぎに，第２実施形態にかかる基板処理システム１０について説明する。第２実施形態にかかる基板処理システム１０では，省エネモードへ移行してから省エネモードからの復旧が「終了」するまでの時間を管理する点において，省エネモードへ移行してから省エネモードからの復旧を「開始」するまでの時間を管理する第１実施形態にかかる基板処理システム１０と動作上相異する。よって，この相違点を中心に本実施形態にかかる基板処理システム１０のＥＣ２００の動作について，図１４を参照しながら説明する。

（ＥＣの動作）
図１４は，図１０の省エネ処理（メインルーチン）のステップ１０３５，１０４０，１０４５にて呼び出される本実施形態の省エネモード復旧処理（節約モード復旧処理，休眠モード復旧処理，冬眠モード復旧処理）を示したフローチャートである。

なお，省エネ処理を開始する前に，省エネモード移行時間Ｔｓおよび省エネモードへ移行してから省エネモードからの復旧が完了するまでの時間Ｔｈが予め設定されている。

（省エネ処理）
オペレータが省エネスタートボタンを「ＯＮ」すると（または，ロット処理終了後，自動的に），図１０のステップ１０００から省エネ処理が開始され，ステップ１００５，１０１０に続くステップ１０１５，１０２０，１０２５にて図１１の省エネ移行処理が実行され，ステップ１０３０にて「ＹＥＳ」と判定して，ステップ１０３５，１０４０，１０４５にて省エネ復旧処理が実行される。

（省エネ復旧処理）
各復旧処理は，図１４のステップ１４００から処理が開始され，ステップ１４０５に進んで，管理部２７０は，データベース２５０に記憶された省エネ復旧時間Ｂのうち，ユニット選択部２６５により選択された各ユニットの省エネ復旧時間Ｂの最大値をＴｈｍａｘに設定して（図１５参照），ステップ１４１０に進む。

つぎに，管理部２７０は，ステップ１４１０にて省エネ終了タイマ２８５ｂが，Ｔｈ−Ｔｈｍａｘ以上であるか否かを判定する。管理部２７０は，省エネ終了タイマ２８５ｂが，Ｔｈ−Ｔｈｍａｘ以上になったと判定したら，ステップ１２１０に進んで，ユニット選択部２６５により選択された各ユニットのユニット制御部２６０は，各ユニットを指定された省エネモードから復旧するように制御し，ステップ１２１５に進む。

このとき，各ユニット制御部２６０は，アイドル状態への復旧のタイミングを，各ユニットができるだけ省エネ状態を長く保つことができるように制御する。たとえば，ユニット選択部２６５により選択されたユニットが，図８のドライポンプ制御部２６０ｂ１，Ｎ_２パージ制御部２６０ｂ２，チラー流量制御部２６０ｂ４の場合，図９に示したように，ドライポンプ制御部２６０ｂ１によるドライポンプの再起動制御，Ｎ_２パージ制御部２６０ｂ２による希釈Ｎ_２パージガスの再起動制御，チラー流量制御部２６０ｂ４による冷却供給源のチラー流量制御の省エネ復旧時間Ｂは，１０秒，１〜２秒，４〜５秒である。よって，ステップ１４０５にてＴｈｍａｘには「１０（秒）」が設定される。そして，図１５に示したように，ユニットａ（すなわち，ドライポンプ制御部２６０ｂ１によるドライポンプの再起動制御）は，省エネモードからの復旧終了１０秒前に復旧動作を開始する。その後，ユニットｂ（すなわち，チラー流量制御部２６０ｂ４による冷却供給源のチラー流量制御）は，省エネモードからの復旧終了５秒前に復旧動作を開始し，ユニットｃ（すなわち，Ｎ_２パージ制御部２６０ｂ２による希釈Ｎ_２パージガスの再起動制御）は，省エネモードからの復旧終了２秒前に復旧動作を開始する。

なお，このような復旧処理を始めて実行する場合には，データベース２５０に実績値が記憶されていないので，ユニット制御部２６０は，予め指定されたタイミングに復旧を開始する。

ついで，ステップ１２１５に進んで，管理部２７０は，オートセットアップ処理を実行するか否かを判定し，ステップ１２２０にてオートセットアップ処理を実行した後（または，ステップ１２２０のオートセットアップ処理を実行せずに），ステップ１４９５に進んで省エネ復旧処理を終了し，これにより，図１０のステップ１０９５にて省エネ処理が終了する。

本実施形態にかかる省エネ処理によれば，実際の省エネモード処理中の時間のみならず，省エネモードからの復旧時間を考慮して，選択された各ユニットができるだけ長く省エネ状態を維持するようにそれぞれ制御される。これにより，処理室Ｕ内のコンディションを精密に調整しながら，各ユニットの消費エネルギーを最も効率よく低減することができる。

（第３実施形態）
つぎに，第３実施形態にかかる基板処理システム１０について説明する。第３実施形態にかかる基板処理システム１０では，所定の条件を満たす場合，選択された各ユニットに対して省エネ処理を実行しない点において，選択された各ユニットに対して必ず省エネ処理を実行する第２実施形態にかかる基板処理システム１０と動作上相異する。よって，この相違点を中心に本実施形態にかかる基板処理システム１０のＥＣ２００の動作について，図１６を参照しながら説明する。

（ＥＣの動作）
図１６は，図１０の省エネ処理（メインルーチン）にて呼び出される省エネモード移行処理（節約モード移行処理，休眠モード移行処理，冬眠モード移行処理）を示したフローチャートである。

なお，第２実施形態と同様に，省エネ処理を開始する前に，省エネモード移行時間Ｔｓおよび省エネモード復旧完了時間Ｔｈが予め設定されている。

（省エネ処理）
オペレータが省エネスタートボタンを「ＯＮ」すると（または，ロット処理終了後，自動的に），図１０のステップ１０００から省エネ処理が開始され，ステップ１００５，１０１０に続くステップ１０１５，１０２０，１０２５にて図１６の省エネ移行処理が実行される。

（省エネ移行処理）
各移行処理は，図１６のステップ１６００から処理が開始され，ステップ１１０５，１１１０にてオートセットアップ処理が実行され，ステップ１４０５にて，管理部２７０は，データベース２５０に記憶された省エネ復旧時間Ｂのうち，ユニット選択部２６５により選択された各ユニットの省エネ復旧時間Ｂの最大値をＴｈｍａｘに設定してステップ１６０５に進む。

つぎに，管理部２７０は，データベース２５０に記憶された省エネ移行時間Ａのうち，ユニット選択部２６５により選択された各ユニットの省エネ移行時間Ａの最大値をＴｉｍａｘに設定して，ステップ１６１０に進む。ここで，省エネモード復旧完了時間Ｔｈから省エネ復旧時間Ｂの最大値Ｔｈｍａｘと省エネ移行時間Ａの最大値Ｔｉｍａｘとを減算した値が「０」以下であれば，図１５に示した省エネ安定時間Ｃが存在しない（図１５参照）。そこで，この場合，管理部２７０は，省エネモードに移行しても省エネ効果を充分に得ることはできないと判断して，ステップ１６１０にて「ＮＯ」と判定して，省エネ移行処理を実行することなく直ちにステップ１６９５に進んで，図１０のステップ１０３０に戻る。さらに，この場合には，省エネモードに移行していないので，ステップ１０３０にて「ＮＯ」と判定し，省エネ移行処理を実行することなく直ちにステップ１６９５に進んで省エネ処理が終了される。

一方，省エネモード復旧完了時間Ｔｈから省エネ復旧時間Ｂの最大値Ｔｈｍａｘと省エネ移行時間Ａの最大値Ｔｉｍａｘとを減算した値が「０」より大きければ，図１５に示した省エネ安定時間Ｃが存在する。そこで，この場合，管理部２７０は，ステップ１６１０にて「ＹＥＳ」と判定してステップ１６１５に進み，ユニット制御部２６０は，選択された各ユニットを省エネの効果があるか否かを判定する。

省エネの効果があるか否かの判定には，図示していないが，予め，データベース２５０やＲＡＭ２１０などの記憶領域に登録された各ユニットの再起動時の電力消費量が用いられる。すなわち，ユニット制御部２６０は，各ユニットの再起動時の電力消費量と算出された省エネ安定時間Ｃとの関係から，選択された各ユニットについて省エネモードに移行すべきか否かをそれぞれ判定する。これは，起動時に各ユニットが消費する消費電力（消費エネルギー）と，各ユニットを省エネ安定時間Ｃだけ省エネ安定状態にすることにより節約できる消費エネルギーと，を比較することにより，消費するエネルギーより節約するエネルギーが大きい場合のみ，省エネモードへ移行しようとするものである。

このようにして，ユニット制御部２６０が省エネの効果があると判定した場合，ユニット制御部２６０は，ステップ１１１５に進み，省エネ開始タイマ２８５ａが省エネモード移行時間Ｔｓ以上になったとき，ステップ１１２０に続くステップ１１２５にて，ユニット制御部２６０は，選択された各ユニットを指定された省エネモードに制御し，ステップ１６９５にて本処理を終了し，図１０のステップ１０３０に戻る。

一方，ユニット制御部２６０が省エネの効果がないと判定した場合，ユニット制御部２６０は，ステップ１６１５にて「ＮＯ」と判定して直ちにステップ１６９５に進んで省エネ移行処理を終了し，図１０のステップ１０３０に戻る。

管理部２７０は，省エネモードに移行した場合のみ，ステップ１０３０にて「ＹＥＳ」と判定し，ステップ１０３５〜１０４５のいずれかにて省エネ復旧処理を実行してステップ１０９５に進み，一方，省エネモードに移行していない場合，直ちにステップ１０９５に進み省エネ処理が終了される。

本実施形態にかかる省エネ処理によれば，各ユニットの再起動時の電力消費量と算出された省エネ安定時間Ｃとの関係から，選択された各ユニットについて省エネモードに移行すべきか否かがそれぞれ判定される。この結果，省エネの効果があるユニットは，指定された省エネモードに移行するように制御され，省エネの効果がないユニットは，通常モードのまま制御される。これにより，省エネの効果があるユニットのみを適切に制御することにより，より効果的に消費エネルギーを低減することができるとともに，省エネの効果がないユニットを通常モードのまま制御することにより，ＰＭ４００内のコンディションをむやみに変動させないようにすることができる。ＰＭ４００内のコンディションをむやみに変動させないことは，省エネモードに移行したユニットの復旧時間を短縮するという相乗効果もあり，これにより，なお一掃消費エネルギーを低減することができる。

なお，省エネの効果があるか否かの判定には，各ユニットの再起動時の電力消費量と算出された省エネ安定時間Ｃとの関係が用いられた。しかし，図９の上部／下部電極および側壁のヒータ温度制御，ＡＰＣのヒータ温度制御，サセプタのヒータ温度制御では，省エネ移行時間Ａおよび省エネ復旧時間Ｂに基づき算出される省エネ安定時間Ｃの他，データ更新時（省エネ移行時間Ａおよび省エネ復旧時間Ｂの更新時）の省エネ設定温度Ｔａおよびデータ更新時の復旧後のプロセスレシピに設定された設定温度Ｔｂも考慮する必要がある。たとえば，上部／下部電極および側壁のヒータ温度制御に対しては，データ更新時の省エネ設定温度Ｔａおよびデータ更新時の復旧設定温度Ｔｂの差が２０℃であるから，復旧後の処理室Ｕ内の温度を所定の設定温度（ここでは，６０℃）に安定するために，通常の復旧時間Ｂに比べて，復旧により時間がかかることが想定される。そこで，ユニット制御部２６０は，温度に関する制御を行うユニットに関しては，各ユニットの再起動時の電力消費量，算出された省エネ安定時間Ｃに加え，上記設定温度の差を考慮して省エネの効果があるか否かを判定するようにしてもよい。

また，ステップ１６１０では，省エネモードの安定時間が「０」以下の場合，選択されたユニットを指定された省エネモードに制御することなく移行処理を終了したが，これに限られず，省エネモードの安定時間が予め定められた所定時間以下であればよい。

また，上記各実施形態の移行処理では，オートセットアップ処理実行後，省エネ開始タイマ２８５ａが省エネモード移行時間Ｔｓ以上であるか否かを判定し，省エネモード移行時間Ｔｓを経過したら，省エネモード移行処理を実行していた（図１１，図１６参照）。しかし，各実施形態の移行処理は，これに限られず，省エネ開始タイマ２８５ａが省エネモード移行時間Ｔｓ以上であるか否かを判定し，省エネモード移行時間Ｔｓを経過したら，オートセットアップ処理を実行し，その後，省エネモード移行処理を実行してもよい。

また，オートセットアップ処理では，オペレータの選択によりその内容を変更することができる。よって，省エネ移行処理および省エネ復旧処理をそれぞれ別内容に設定することも可能である。このため，セットアップ実行部２７５は，オートセットアップ処理の経過時間をカウントしておき，省エネ復旧時間を調整するためにこの経過時間を使用するようにしてもよい。

上記実施形態において，各部の動作はお互いに関連しており，互いの関連を考慮しながら，一連の動作として置き換えることができる。そして，このように置き換えることにより，基板処理装置（ＰＭ）を制御する制御装置の実施形態を，基板処理装置を制御する制御方法の実施形態とすることができる。

また，上記各部の動作を，各部の処理と置き換えることにより，プログラムの実施形態とすることができる。また，プログラムをコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記憶させることにより，プログラムの実施形態をプログラムに記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体の実施形態とすることができる。

以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

たとえば，本発明にかかる基板処理装置の種類は問わず，容量結合型プラズマ処理装置であっても，誘導結合型プラズマ処理装置であっても，マイクロ波プラズマ処理装置であってもよい。また，本発明にかかる基板処理装置は，大型のガラス基板を処理する装置であっても，通常のウエハサイズの基板を処理する装置であってもよい。

また，本発明にかかる基板処理装置では，成膜処理またはエッチング処理に限られず，熱拡散処理，アッシング処理，スパッタリング処理等のあらゆる基板処理を行うことができる。

また，本発明に係る制御装置の機能は，ＥＣ２００またはＭＣ３００の少なくともいずれかにより達成されることができる。

本発明の各実施形態にかかる基板処理システムを示す図である。 各実施形態にかかるＥＣのハードウエア構成図である。 各実施形態にかかるＰＭのハードウエア構成図である。 各実施形態にかかるＬＬＭの縦断面図である。 各実施形態にかかるＰＭ（成膜装置）の縦断面図である。 各実施形態にかかるＰＭ（ＰＨＴ処理装置）の縦断面図である。 各実施形態にかかるＰＭ（ＣＯＲ処理装置）の縦断面図である。 各実施形態にかかるＥＣの機能構成図である。 データベースに記憶されたデータを例示した図である。 各実施形態にて実行される省エネ処理ルーチンを示したフローチャートである。 第１，第２実施形態にて実行される省エネ移行処理ルーチンを示したフローチャートである。 第１，第３実施形態にて実行される省エネ復旧処理ルーチンを示したフローチャートである。 第１実施形態における省エネ状態の一例を説明するための図である。 第２実施形態にて実行される省エネ復旧処理ルーチンを示したフローチャートである。 第２，第３実施形態における省エネ状態の一例を説明するための図である。 第３実施形態にて実行される省エネ移行処理ルーチンを示したフローチャートである。

符号の説明

１００ ＭＥＳ
２００ ＥＣ
２５０ データベース
２６０ ユニット制御部
２６０ａ ＬＬＭユニット制御部
２６０ａ１ ドライポンプ制御部
２６０ａ２ Ｎ_２パージ制御部
２６０ａ３ ヒータ温度制御部
２６０ｂ ＰＭユニット制御部
２６０ｂ１ ドライポンプ制御部
２６０ｂ２ Ｎ_２パージ制御部
２６０ｂ３ ヒータ温度制御部
２６０ｂ４ チラー流量制御部
２６０ｂ５ ＰＭ電源制御部
２６５ ユニット選択部
２７０ 管理部
２７５ セットアップ実行部
２８０ 基板処理制御部
２８５ａ 省エネ開始タイマ
２８５ｂ 省エネ終了タイマ
２９０ 通信部

Claims (15)

1. 被処理基板を処理する処理室と前記処理室内の状態を整えるために設けられた複数のユニットとを備えた基板処理装置を制御する制御装置であって，
   各ユニットの状態が，エネルギーの消費を抑えた省エネモードから被処理基板の処理が可能な通常モードまで復旧するために必要な時間を復旧時間として前記ユニット毎に記憶する記憶部と，
   前記記憶部に記憶された各ユニットの復旧時間に基づき，省エネモードから通常モードまで復旧するために要する時間を見込んで省エネモードにあるユニットの復旧を開始する時刻をユニット毎に求める管理部と，
   前記管理部により求められたユニット毎の復旧開始時刻に応じて省エネモードにあるユニットを通常モードまで復旧させるように各ユニットを独立してそれぞれ制御するユニット制御部と，を備える基板処理装置の制御装置。
2. 前記ユニット制御部は，
   前記管理部により求められた復旧開始時刻に応じて各ユニットを制御する代わりに，指定された復旧終了時間までに前記省エネモードからの復旧を完了するように各ユニットをそれぞれ制御する請求項１に記載された基板処理装置の制御装置。
3. 前記ユニット制御部は，
   前記処理室内の状態に影響を与えない範囲でエネルギーの消費を抑えながら各ユニットを制御する第１の省エネモード，前記処理室内の状態に影響を与える範囲でエネルギーの消費を抑えながら各ユニットを制御する第２の省エネモードおよび全ユニットを停止する第３の省エネモードのうち，ユーザの選択または自動選択により指定されたいずれかの省エネモードになるように各ユニットをそれぞれ制御する請求項１または請求項２のいずれかに記載された基板処理装置の制御装置。
4. 前記ユニット制御部は，
   各ユニットが前記省エネモードの状態に安定する時間の長さに基づいて，第１，第２および第３の省エネモードのうち，いずれかの省エネモードを自動選択する請求項３に記載された基板処理装置の制御装置。
5. 前記記憶部は，
   前記各ユニットの状態が，通常モードから省エネモードまで移行するために必要な時間を移行時間として前記ユニット毎に記憶し，
   前記管理部は，
   通常モードから省エネモードへの移行を開始した後，省エネモードから通常モードへの復旧を完了するまでの時間と，前記記憶部に記憶された移行時間および復旧時間と，から各ユニットが省エネモードの状態に安定している時間を求め，
   前記ユニット制御部は，
   前記管理部により求められた省エネモードの安定時間が所定時間以下の場合または前記省エネモードの安定時間によっては各ユニットの省エネ効果が得られないと判断した場合の少なくともいずれかの場合には，該当ユニットを指定された省エネモードに制御することなく通常モードのまま制御する請求項３または請求項４のいずれかに記載された基板処理装置の制御装置。
6. さらに，通常モードから省エネモードへの移行開始前および省エネモードから通常モードへの復旧完了後に，前記基板処理装置を自動的にセットアップするセットアップ実行部を備える請求項５に記載された基板処理装置の制御装置。
7. 前記ユニット制御部は，
   前記第１の省エネモードが選択された場合，排気系ユニットの回転数の制御，ガス供給ユニットから排気系ユニットへ供給するパージガスの供給制御，冷却ユニットから供給される媒質の流量制御，の少なくともいずれかを制御する請求項３〜請求項６のいずれかに記載された基板処理装置の制御装置。
8. 前記ユニット制御部は，
   前記第２の省エネモードが選択された場合，前記第１の省エネモードが選択された場合に制御可能な前記ユニットの制御に加え，温度調整ユニットの温度制御，ガス供給ユニットから基板処理装置内へ供給するパージガスの供給制御，排気系ユニットの回転停止および再起動制御，の少なくともいずれかを制御する請求項７に記載された基板処理装置の制御装置。
9. 前記ユニット制御部は，
   前記第３の省エネモードが選択された場合，基板処理装置の電源ユニットの切断および投入を制御する請求項３〜請求項８のいずれかに記載された基板処理装置の制御装置。
10. 前記制御装置は，
    複数の基板処理装置を制御し，
    前記ユニット制御部は，
    基板処理装置毎に設けられた複数のユニットを，ユーザの選択または自動選択により基板処理装置単位でそれぞれ指定された省エネモードになるように，基板処理装置毎にそれぞれ制御する請求項３〜請求項９のいずれかに記載された基板処理装置の制御装置。
11. 前記基板処理装置は，
    前記処理室に連設される気密室の状態を整えるために設けられた複数のユニットを備え，
    前記制御装置のユニット制御部は，
    前記処理室に設けられた複数のユニットとともに前記気密室に設けられた複数のユニットを制御する請求項１〜１０のいずれかに記載された基板処理装置の制御装置。
12. 前記基板処理装置は，
    真空系の基板処理装置である請求項１〜１１のいずれかに記載された基板処理装置の制御装置。
13. 被処理基板を処理する処理室と前記処理室内の状態を整えるために設けられた複数のユニットとを備えた基板処理装置を制御する制御方法であって，
    各ユニットの状態が，エネルギーの消費を抑えた省エネモードから被処理基板の処理が可能な通常モードまで移行するために必要な時間を復旧時間として前記ユニット毎に記憶部に記憶し，
    前記記憶部に記憶された各ユニットの復旧時間に基づき，省エネモードから通常モードまで復旧するために要する時間を見込んで省エネモードにあるユニットの復旧を開始する時刻をユニット毎に求め，
    前記求められたユニット毎の復旧開始時刻に応じて省エネモードにあるユニットを通常モードまで復旧させるように各ユニットを独立してそれぞれ制御する基板処理装置の制御方法。
14. 前記求められた復旧開始時刻に応じて各ユニットの制御をそれぞれ開始する代わりに，指定された復旧終了時間までに前記省エネモードからの復旧を完了するように各ユニットをそれぞれ制御する請求項１３に記載された基板処理装置の制御方法。
15. 前記各ユニットの状態が，通常モードから省エネモードまで移行するために必要な時間を移行時間として前記ユニット毎に前記記憶部に記憶し，
    通常モードから省エネモードへの移行を開始した後，省エネモードから通常モードへの復旧を完了するまでの時間と，前記記憶部に記憶された移行時間および復旧時間と，から各ユニットが省エネモードの状態に安定している時間を求め，
    前記求められた省エネモードの安定時間が所定時間以下の場合または省エネモードの安定時間によっては各ユニットの省エネ効果が得られないと判断した場合の少なくともいずれかの場合には，該当ユニットを指定された省エネモードに制御することなく通常モードのまま制御する請求項１３または請求項１４のいずれかに記載された基板処理装置の制御方法。

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