KR101295794B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

기판 처리 장치가 개시된다. 기판 처리 장치는 내부에 공간이 형성된 공정 챔버; 상기 공정 챔부 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 척; 상기 공정 챔버 내부에 반응 가스를 공급하는 가스 공급부; 상기 척의 상부에 위치하며, 상기 반응 가스에 고주파 전력을 인가하는 상부 전극; 및 상기 상부 전극에 설치되며, 상기 상부 전극을 가열하는 히터를 포함한다.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
플라스마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성되며, 이온이나 전자, 라디칼등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 반도체 소자 제조 공정은 플라스마를 사용하여 식각 공정을 수행한다. 식각 공정은 플라스마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 이용하여 식각 공정을 수행한 기판들의 식각율을 나타내는 그래프이다. 도 1을 참조하면, 식각 공정이 시작된 후 약 5 매의 기판 처리가 완료될 때까지 식각율은 기준 식각율(L)에 미치지 못한다. 이는 식각 공정이 시작된 후 5매의 기판 처리가 완료될 때까지 공정 가스가 충분히 여기되지 못하였음을 의미한다. 이로 인해, 기준 식각율(L)에 근접하는 식각율을 얻기 위해서는 소정 시간이 걸리므로, 기판 처리에 대한 전체 공정시간이 늘어난다. 또한, 공정 초기에 제공된 기판들의 식각율은 기준 식각율에 미치지 못하므로, 기판 처리 효율이 낮아진다.
본 발명은 전체 공정 시간을 줄일 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 기준 식각율에 미치지 못하는 기판 처리 발생을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 내부에 공간이 형성된 공정 챔버;상기 공정 챔부 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 척; 상기 공정 챔버 내부에 반응 가스를 공급하는 가스 공급부; 상기 척의 상부에 위치하며, 상기 반응 가스에 고주파 전력을 인가하는 상부 전극; 상기 상부 전극에 설치되며, 상기 상부 전극을 가열하는 히터를 포함한다.
또한, 상기 상부 전극의 하부에 위치하며, 상기 반응 가스가 통과하는 분배홀들이 형성된 분배판을 더 포함할 수 있다.
또한, 히터는 상기 상부 전극 내에 매설될 수 있다.
또한, 상기 상부 전극에 제1주파수 전력을 인가하는 제1상부 전원; 및 상기 히터에 제2주파수 전력을 인가하는 제2상부 전원을 더 포함할 수 있다. 상기 제2주파수는 상기 제1주파수와 상이할 수 있다.
또한, 상기 제2상부 전원과 상기 히터 사이 구간에서 상기 제2상부 전원과 상기 히터에 전기적으로 연결되며, 상기 상부 전극에 인가된 제1주파수 전력이 상기 제2상부 전원에 인가되는 것을 차단하는 제1주파수 차단 필터를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1상부 전원과 상기 상부 전극 사이 구간에서 상기 제1상부 전원과 상기 상부 전극에 전기적으로 연결되며, 상기 히터에 인가된 제2주파수 전력이 상기 제1상부 전원에 인가되는 것을 차단하는 제2주파수 차단 필터를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 상부 전극은 상기 제1상부 전원과 전기적으로 연결되는 상부판; 및 상기 상부판의 하부에 위치하며, 상기 히터가 설치된, 그리고 상기 공정 가스를 공급하는 가스 공급홀들이 형성된 하부판을 포함할 수 있다.
또한, 상기 하부판은 상기 가스 공급홀들이 형성된 중심영역; 및 상기 중심영역을 에워싸는 가장자리영역을 가지되, 상기 히터는 상기 가장자리영역에 제공되며, 상기 중심영역을 둘러쌀 수 있다.
또한, 상기 제1주파수 전력은 13.56MHz 내지 100MHz 주파수를 가지고, 상기 제2주파수 전력은 60Hz 주파수를 가질 수 있다.
또한, 상기 척에 설치된 하부 전극; 상기 제1주파수 전력과 동일한 주파수 전력을 발생시키는 제1하부 전원; 상기 제1주파수 전력보다 낮은 주파수 전력을 발생시키는 제2하부 전원; 및 상기 제1하부 전원에서 발생된 주파수 전력과 상기 제2하부 전원에서 발생된 주파수 전력을 매칭시키며, 매칭된 주파수 전력은 상기 하부 전극에 인가하는 매칭부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1하부 전력은 100MHz 주파수 전력을 발생시키고, 상기 제2하부 전력은 2MHz 주파수 전력을 발생시킬 수 있다.
본 발명에 의하면, 기판 처리가 기준 식각율에 이르는데 별도의 공정 시간이 요구되지 않으므로, 전체 공정 시간이 단축될 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 식각 공정 초기에 제공되는 기판의 식각율이 기준 시각율에 다다를 수 있다.
도 1은 종래의 기판 처리 장치를 이용하여 식각 공정을 수행한 기판들의 식각율을 나타내는 그래프이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 처리한 기판들의 식각율을 나타내는 그래프이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라스마를 생성하여 기판(W)을 처리한다. 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 척(200), 가스 공급부(300), 그리고 플라스마 생성부(400), 그리고 가열 유닛(500)을 포함한다.
공정 챔버(100)는 내부에 공간(101)이 형성된다. 내부공간(101)은 기판(W)에 대한 플라스마 공정 처리를 수행하는 공간으로 제공된다. 기판(W)에 대한 플라스마 처리는 식각 공정을 포함한다. 공정 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(121)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 공정 챔버(100) 내부에 머무르는 가스는 배기 라인(121)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 공정 챔버(100)의 내부공간(101)은 소정 압력으로 감압된다.
공정 챔버(100)의 내부에는 척(200)이 위치한다. 척(200)은 기판(W)을 지지한다. 척(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착 고정하는 정전 척(200)을 포함한다. 정전 척(200)은 유전판(210), 하부 전극(220), 히터(230), 지지판(240), 그리고 절연판(270)을 포함한다.
유전판(210)은 정전 척(200)의 상단부에 위치한다. 유전판(210)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공된다. 유전판(210)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 유전판(210)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 때문에, 기판(W) 가장자리영역은 유전판(210)의 외측에 위치한다. 유전판(210)에는 제1공급 유로(211)가 형성된다. 제1공급 유로(211)는 유전판(210)의 상면으로부터 저면으로 제공된다. 제1공급 유로(211)는 서로 이격하여 복수개 형성되며, 기판(W)의 저면으로 열전달 매체가 공급되는 통로로 제공된다.
유전판(210)의 내부에는 하부 전극(220)과 히터(230)가 매설된다. 하부 전극(220)은 히터(230)의 상부에 위치한다. 하부 전극(220)은 하부 전력 공급부(221)와 연결된다. 하부 전력 공급부(221)는 하부 전극(220)에 전력을 인가한다. 하부 전력 공급부(221)는 두 개의 하부 전원(222, 223)과 매칭부(224)를 포함한다. 제1 및 제2하부 전원(222, 223)은 서로 상이한 크기의 주파수 전력을 발생시킨다. 제1하부 전원(222)은 제2하부 전원(224)보다 높은 주파수 전력을 발생시킬 수 있다. 제1하부 전원(222)은 13.56MHz 내지 100MHz의 주파수 전력을 발생시킬 수 있고, 제2하부 전원(223)은 2MHz의 주파수 전력을 발생시킬 수 있다. 매칭부(224)는 제1 및 제2 하부 전원(222, 223)들과 전기적으로 연결되며, 상이한 크기의 두 주파수 전력을 매칭하여 하부 전극(220)에 인가한다. 하부 전극(220)에 인가된 전력에 의해 하부 전극(220)과 기판(W) 사이에는 전기력이 작용하며, 전기력에 의해 기판(W)은 유전판(210)에 흡착된다
히터(230)는 외부 전원(미도시)과 전기적으로 연결된다. 히터(230)는 외부 전원으로부터 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 유전판(210)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(230)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다. 히터(230)는 나선 형상의 코일을 포함한다. 히터(230)는 균일한 간격으로 유전판(210)에 매설될 수 있다.
유전판(210)의 하부에는 지지판(240)이 위치한다. 유전판(210)의 저면과 지지판(240)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다. 지지판(240)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 지지판(240)의 상면은 중심 영역이 가장자리영역보다 높게 위치되도록 단차질 수 있다. 지지판(240)의 상면 중심 영역은 유전판(210)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 유전판(210)의 저면과 접착된다. 지지판(240)에는 제1순환 유로(241), 제2순환 유로(242), 그리고 제2공급 유로(243)가 형성된다.
제1순환 유로(241)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공된다. 제1순환 유로(241)는 지지판(240) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1순환 유로(241)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1순환 유로(241)들은 서로 연통될 수 있다. 제1순환 유로(241)들은 동일한 높이에 형성된다.
제2순환 유로(242)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 제2순환 유로(242)는 지지판(240) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제2순환 유로(242)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제2순환 유로(242)들은 서로 연통될 수 있다. 제2순환 유로(242)는 제1순환 유로(241)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 제2순환 유로(242)들은 동일한 높이에 형성된다. 제2순환 유로(242)는 제1순환 유로(241)의 하부에 위치될 수 있다.
제2공급 유로(243)는 제1순환 유로(241)부터 상부로 연장되며, 지지판(240)의 상면으로 제공된다. 제2공급 유로(243)는 제1공급 유로(211)에 대응하는 개수로 제공되며, 제1순환 유로(241)와 제1공급 유로(211)를 연결한다.
제1순환 유로(241)는 열전달 매체 공급라인(251)을 통해 열전달 매체 저장부(252)와 연결된다. 열전달 매체 저장부(252)에는 열전달 매체가 저장된다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 공급 라인(251)을 통해 제1순환 유로(241)에 공급되며, 제2공급 유로(243)와 제1공급 유로(211)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 플라스마에서 기판(W)으로 전달된 열이 정전 척(200)으로 전달되는 매개체 역할을 한다. 플라스마에 함유된 이온 입자들은 정전 척(200)에 형성된 전기력에 끌려 정전 척(200)으로 이동하며, 이동하는 과정에서 기판(W)과 충돌하여 식각 공정을 수행한다. 이온 입자들이 기판(W)에 충돌하는 과정에서 기판(W)에는 열이 발생한다. 기판(W)에서 발생된 열은 기판(W) 저면과 유전판(210)의 상면 사이 공간에 공급된 헬륨 가스를 통해 정전 척(200)으로 전달된다. 이에 의해, 기판(W)은 설정온도로 유지될 수 있다.
제2순환 유로(242)는 냉각 유체 공급라인(261)을 통해 냉각 유체 저장부(262)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(262)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 저장부(262) 내에는 냉각기(263)가 제공될 수 있다. 냉각기(263)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킨다. 이와 달리, 냉각기(263)는 냉각 유체 공급 라인(261) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(261)을 통해 제2순환 유로(242)에 공급된 냉각 유체는 제2순환 유로(242)를 따라 순환하며 지지판(240)을 냉각한다. 지지판(240)의 냉각은 유전판(210)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다.
지지판(240)의 하부에는 절연판(270)이 제공된다. 절연판(270)은 지지판(240)에 상응하는 크기로 제공된다. 절연판(270)은 지지판(240)과 챔버(100)의 바닥면 사이에 위치한다. 절연판(270)은 절연 재질로 제공되며, 지지판(240)과 챔버(100)를 전기적으로 절연시킨다.
포커스 링(280)은 정전 척(200)의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(200)은 링 형상을 가지며, 유전판(210)의 둘레를 따라 배치된다. 포커스 링(280)의 상면은 외측부(280a)가 내측부(280b)보다 높도록 단차질 수 있다. 포커스 링(280)의 상면 내측부(280b)는 유전판(210)의 상면과 동일 높이에 위치된다. 포커스 링(280)의 상면 내측부(280b)는 유전판(210)의 외측에 위치된 기판(W)의 가장자리영역을 지지한다. 포커스 링(280)의 외측부(280a)는 기판(W) 가장자리영역을 둘러싸도록 제공된다. 포커스 링(280)은 플라스마가 형성되는 영역의 중심에 기판(W)이 위치하도록 전기장 형성 영역을 확장시킨다. 이에 의해, 기판(W)의 전체 영역에 걸쳐 플라스마가 균일하게 형성되어 기판(W)의 각 영역이 균일하게 식각될 수 있다.
가스 공급부(300)는 공정 챔버(100)에 공정가스를 공급한다. 가스 공급 부(300)는 가스 저장부(310), 가스 공급 라인(320), 그리고 가스 유입 포트(330)를 포함한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(310)와 가스 유입 포트(330)를 연결하며, 가스 저장부(310)에 저장된 공정 가스를 가스 유입 포트(330)에 공급한다. 가스 유입 포트(330)는 상부 전극(410)에 형성된 가스 공급홀(412)들과 연결된다.
플라스마 생성부(400)는 공정 챔버(100) 내부에 머무르는 공정 가스를 여기시킨다. 플라스마 생성부(400)는 상부 전극(410), 분배판(420) 그리고 상부 전력 공급부(440)를 포함한다.
상부 전극(410)은 원판 형상으로 제공되며, 정전 척(200)의 상부에 위치한다. 상부 전극(410)은 상부판(410a)과 하부판(410b)을 포함한다. 상부판(410a)은 원판 형상으로 제공된다. 상부판(410a)은 제1상부 전원(441)과 전기적으로 연결된다. 상부판(410a)은 제1상부 전원(441)에서 발생된 고주파 전력을 공정 챔버(100) 내부에 머무르는 공정 가스에 인가하여 공정 가스를 여기시킨다. 공정 가스는 여기되어 플라스마 상태로 변환된다. 상부판(410a)의 저면은 중심영역이 가장자리영역보다 높게 위치하도록 단차진다. 상부판(410a)의 중심 영역에는 가스 공급홀(412)들이 형성된다. 가스 공급홀(412)들은 가스 유입 포트(330)와 연결되며, 버퍼 공간(414)으로 공정 가스를 공급한다. 상부판(410a)의 내부에는 냉각 유로(411)가 형성될 수 있다. 냉각 유로(411)는 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 냉각 유로(411)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 냉각 유로(411)는 냉각 유체 공급 라인(431)을 통해 냉각 유체 저장부(432)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(432)는 냉각 유체를 저장한다. 냉각 유체 저장부(432)에 저장된 냉각 유체는 냉각 유체 공급 라인(431)을 통해 냉각 유로(411)에 공급된다. 냉각 유체는 냉각 유로(411)를 순환하며, 상부판(410a)을 냉각시킨다.
하부판(410b)은 상부판(410a)의 하부에 위치한다. 하부판(410b)은 상부판(410a)에 상응하는 크기로 제공되며, 상부판(410a)과 마주하여 위치한다. 하부판(410b)의 상면은 중심영역이 가장자리영역보다 낮게 위치하도록 단차진다. 하부판(410b)의 상면과 상부판(410a)의 저면은 서로 조합되어 버퍼공간(414)을 형성한다. 버퍼 공간(414)은 가스 공급홀(412)들을 통해 공급된 가스가 공정 챔버(100) 내부로 공급되지 전에 일시적으로 머무르는 공간으로 제공된다. 하부판(410b)의 중심영역에는 가스 공급홀(413)들이 형성된다. 가스 공급홀(413)들은 일정 간격으로 이격되어 복수개 형성된다. 가스 공급홀(413)들은 버퍼 공간(414)과 연결된다.
하부판(410b)의 하부에는 분배판(420)이 위치한다. 분배판(420)은 원판 형상으로 제공된다. 분배판(420)에는 분배홀(421)들이 형성된다. 분배홀(421)들은 분배판(420)의 상면으로부터 하면으로 제공된다. 분배홀(421)들은 가스 공급홀(413)에 대응하는 개수로 제공되며, 가스 공급홀(413)들이 위치된 지점에 대응하여 위치된다. 버퍼 공간(414)에 머무르는 공정 가스는 가스 공급홀(413)과 분배홀(421)들을 통해 공정 챔버(100) 내부로 균일하게 공급된다.
상부 전력 공급부(440)는 상부판(410a)에 고주파 전력을 인가한다. 전력 공급부(440)는 제1상부 전원(441)과 필터(442)를 포함한다. 제1상부 전원(441)은 상부판(410a)과 전기적으로 연결되며, 고주파 전력을 발생시킨다. 제1상부 전원(441)은 제1주파수 전력을 발생시킨다. 제1상부 전원(441)은 제1하부 전원(222)과 동일한 주파수 전력을 발생시킬 수있다. 제1상부 전원(441)은 13.56MHz 내지 100MHz의 주파수 전력을 발생시킬 수 있다.
필터(442)는 제1상부 전원(441)과 상부판(410a) 사이 구간에서 제1상부 전원(441)과 상부판(410a)에 전기적으로 연결된다. 필터(442)는 제1상부 전원(441)에서 발생된 제1주파수 전력이 상부판(410a)에 인가되도록 제1주파수 전력을 통과시킨다. 그리고, 필터(442)는 히터(510)에 인가된 제2주파수 전력이 제1상부 전원(442)으로 전달되는 것을 차단한다. 필터(442)는 하이 패스 필터(high-pass filter)를 포함한다.
가열 유닛(500)은 하부판(410b)을 가열한다. 가열 유닛(500)은 히터(510), 제2상부 전원(520), 그리고 필터(530)를 포함한다. 히터(510)는 하부판(410b)의 내부에 설치된다. 히터(510)는 하부판(410b)의 가장자리영역에 제공될 수 있다. 히터(510)는 히팅 코일을 포함하며, 하부판(410b)의 중심영역을 둘러싸도록 제공될 수 있다. 제2상부 전원(520)은 히터(510)와 전기적으로 연결된다. 제2상부 전원(520)은 제2주파수 전력을 발생시킨다. 제2주파수 전력은 제1주파수 전력과 상이하다. 제2주파수 전력은 제1주파수 전력보다 낮은 주파수로 제공될 수 있다. 제2주파수 전력은 60Hz 주파수를 가질 수 있다. 제2상부 전원(520)은 직류 전력을 발생시킬 수 있다. 또는, 제2상부 전원(520)은 교류 전력을 발생시킬 수 있다. 제2상부 전원(520)에서 발생된 제2주파수 전력은 히터(510)에 인가되며, 히터(510)는 인가된 전류에 저항함으로써 발열한다. 히터(510)에서 발생된 열은 하부판(410b)을 가열하며, 가열된 하부판(410b)은 그 아래에 위치된 분배판(420)를 소정 온도로 가열한다. 하부판(420)은 60℃~300℃ 온도로 가열될 수 있다.
필터(530)는 제2상부 전원(520)과 히터(510) 사이 구간에서 제2상부 전원(520) 및 히터(510)와 전기적으로 연결된다. 필터(530)는 제2상부 전원(520)에서 발생된 제2주파수 전력이 히터(510)에 인가되도록, 제2주파수 전력을 통과시킨다. 그리고, 필터(530)는 상부판(410a)에 인가된 제1주파수 전력이 제2상부 전원(520)으로 전달되는 것을 차단한다. 필터(530)는 로우 패스 필터(Low-pass filter)를 포함한다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 처리한 기판들의 식각율을 나타내는 그래프이다.
도 3를 참조하면, 기판들은 순차적으로 플라스마에 의한 식각 공정에 제공된다. 본 발명의 기판 처리 장치를 이용하여 기판들을 식각한 결과, 식각 공정에 최초 제공되는 기판과 그 이후에 제공되는 기판들의 식각율은 기준 식각율(L)에 근접한다. 이는 히터(510)에서 발생된 열에 의해, 하부판(410b)과 분배판(420)이 신속하게 소정 온도로 가열됨으로써, 공정 챔버(100) 내부에 머무르는 공정 가스가 공정 초기부터 활발하게 여기되기 때문이다. 이와 같이, 본 발명은 식각 공정이 시작된 직후부터 식각율이 기준 식각율에 다다르므로, 식각율이 기준 식각율에 이르는데 별도의 시간이 요구되지 않는다. 따라서, 전체 공정 시간이 줄어들 뿐만 아니라, 기준 식각율에 미치지 못하는 기판 처리 발생을 방지할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 공정 챔버 200: 정전 척
300: 가스 공급부 400: 플라스마 생성부
500: 가열 유닛

Claims (12)

  1. 내부에 공간이 형성된 공정 챔버;
    상기 공정 챔부 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 척;
    상기 공정 챔버 내부에 반응 가스를 공급하는 가스 공급부;
    상기 척의 상부에 위치하며, 상기 반응 가스에 고주파 전력을 인가하는 상부 전극;
    상기 상부 전극에 설치되며, 상기 상부 전극을 가열하는 히터;
    상기 상부 전극에 제1주파수 전력을 인가하는 제1상부 전원;
    상기 히터에 제2주파수 전력을 인가하는 제2상부 전원; 및
    상기 제2상부 전원과 상기 히터 사이 구간에서 상기 제2상부 전원과 상기 히터에 전기적으로 연결되며, 상기 상부 전극에 인가된 제1주파수 전력이 상기 제2상부 전원에 인가되는 것을 차단하는 제1주파수 차단 필터;를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 전극의 하부에 위치하며, 상기 반응 가스가 통과하는 분배홀들이 형성된 분배판을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 히터는 상기 상부 전극 내부에 매설되는 기판 처리 장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2주파수는 상기 제1주파수와 상이한 기판 처리 장치.
  7. 내부에 공간이 형성된 공정 챔버;
    상기 공정 챔부 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 척;
    상기 공정 챔버 내부에 반응 가스를 공급하는 가스 공급부;
    상기 척의 상부에 위치하며, 상기 반응 가스에 고주파 전력을 인가하는 상부 전극;
    상기 상부 전극에 설치되며, 상기 상부 전극을 가열하는 히터;
    상기 상부 전극에 제1주파수 전력을 인가하는 제1상부 전원;
    상기 히터에 제2주파수 전력을 인가하는 제2상부 전원; 및
    상기 제1상부 전원과 상기 상부 전극 사이 구간에서 상기 제1상부 전원과 상기 상부 전극에 전기적으로 연결되며, 상기 히터에 인가된 제2주파수 전력이 상기 제1상부 전원에 인가되는 것을 차단하는 제2주파수 차단 필터;를 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 내부에 공간이 형성된 공정 챔버;
    상기 공정 챔부 내부에 위치하며, 기판을 지지하는 척;
    상기 공정 챔버 내부에 반응 가스를 공급하는 가스 공급부;
    상기 척의 상부에 위치하며, 상기 반응 가스에 고주파 전력을 인가하는 상부 전극;
    상기 상부 전극에 설치되며, 상기 상부 전극을 가열하는 히터;
    상기 상부 전극에 제1주파수 전력을 인가하는 제1상부 전원; 및
    상기 히터에 제2주파수 전력을 인가하는 제2상부 전원;을 포함하되,
    상기 상부 전극은
    상기 제1상부 전원과 전기적으로 연결되는 상부판; 및
    상기 상부판의 하부에 위치하며, 상기 히터가 설치된, 그리고 상기 공정 가스를 공급되는 가스 공급홀들이 형성된 하부판을 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 하부판은
    상기 가스 공급홀들이 형성된 중심영역; 및
    상기 중심영역을 에워싸는 가장자리영역을 가지되,
    상기 히터는 상기 가장자리영역에 제공되며, 상기 중심영역을 둘러싸는 기판 처리 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 3 항, 제 6 항 및 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1주파수 전력은 13.56MHz 내지 100MHz 주파수를 가지고, 상기 제2주파수 전력은 60Hz 주파수를 가지는 기판 처리 장치.
  11. 제 1 항 내지 제 3 항, 제 6 항 및 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 척에 설치된 하부 전극;
    상기 제1주파수 전력과 동일한 주파수 전력을 발생시키는 제1하부 전원;
    상기 제1주파수 전력보다 낮은 주파수 전력을 발생시키는 제2하부 전원; 및
    상기 제1하부 전원에서 발생된 주파수 전력과 상기 제2하부 전원에서 발생된 주파수 전력을 매칭시키며, 매칭된 주파수 전력은 상기 하부 전극에 인가하는 매칭부를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제1하부 전원은 100MHz 주파수 전력을 발생시키고, 상기 제2하부 전원은 2MHz 주파수 전력을 발생시키는 기판 처리 장치.
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