TWI399801B - A control device for a substrate processing apparatus, and a substrate processing apparatus - Google Patents

A control device for a substrate processing apparatus, and a substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
TWI399801B
TWI399801B TW096107875A TW96107875A TWI399801B TW I399801 B TWI399801 B TW I399801B TW 096107875 A TW096107875 A TW 096107875A TW 96107875 A TW96107875 A TW 96107875A TW I399801 B TWI399801 B TW I399801B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
unit
saving mode
energy
energy saving
time
Prior art date
Application number
TW096107875A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200802561A (en
Inventor
Kiyohito Iijima
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW200802561A publication Critical patent/TW200802561A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI399801B publication Critical patent/TWI399801B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/41865—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by job scheduling, process planning, material flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/32—Operator till task planning
    • G05B2219/32021—Energy management, balance and limit power to tools
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/45—Nc applications
    • G05B2219/45031—Manufacturing semiconductor wafers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/10—Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P80/00—Climate change mitigation technologies for sector-wide applications
    • Y02P80/10—Efficient use of energy, e.g. using compressed air or pressurized fluid as energy carrier
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

基板處理裝置之控制裝置及基板處理裝置之控制方法
本發明係關於，一邊降低於基板處理裝置中所消耗之能源，一邊控制被處理基板的處理之控制裝置及該控制方法。
近年來，針對地球暖化的問題，乃根據京部議定書，對各國要求須降低暖化係數較高之二氧化碳(CO2 )等的排放量。日本的各家企業，亦正積極探索出一種，於維持國際性協調與競合之間的均衡中，以立足於環境管理之觀點而策略性的降低消耗能源，並藉此達成可長期性降低暖化係數較高之物質的排放之方法。尤其是，由於半導體工廠為24小時連續進行運轉，且於運轉中經常大量使用氣體或電力等之能源，因此於半導體製造商中，係嘗試進行將工廠內所產生的熱能再利用為其他能源，藉以有效利用能源之種種方式。當中之一種方式為，於工廠內使蒸氣吸收式冷凍機運轉，並以此蒸氣吸收式冷凍機為主，使渦輪冷凍機、LPG(Liquified Petroleum Gas：液化石油氣)燃燒吸收式冷凍機、煤油燃燒吸收式冷凍機適當地進行運轉，藉此將所回收的排放熱能利用於工廠內的空調熱源，而建構起可一邊維持管理無塵室，一邊以極高效率使半導體工廠全體運轉之系統。
不僅如此般之工廠全體之消耗能源的降低，於工廠內的半導體製造設備中，亦有人提出一種，以消耗能源的降低為目的而進行機器的選擇，或是以可降低消耗能源之方式地控制這些機器之方法(例如參照專利文獻1)。
於專利文獻1中，關於進行基板處理裝置中所設置之多數個單元的控制之模式，係設置有一般模式及省能源模式。在這當中，若選擇省能源模式，則能夠於僅啟動用以將被處理基板予以處理之最低限度的單元之狀態下，將被處理基板予以處理，此外，若需提高處理效率，則可於啟動追加的單元之狀態下將被處理基板予以處理。此外，於待機時，能夠僅啟動最低限度的單元並停止其他單元，或是停止全部單元。根據此，於將被處理基板予以處理時，可維持某種程度的處理量，並降低基板處理裝置所消耗之能源。
[專利文獻1]日本特開2004－200485號公報
然而，以上所述之技術，係用以於再次啟動各個單元時可瞬間回復處理室內的條件之裝置(例如大氣系統之基板處理裝置)之省能源而提出，其並未考量到，從省能源模式回復至一般模式為止乃要求某種程度的時間之基板處理裝置(例如真空系統之基板處理裝置)之控制。因此，於主要僅進行各個單元的停止/再啟動之以往技術中，從省能源模式回復至一般模式時，並無法精密地調整處理室內的條件。
實際上，為了能夠高精密地將被處理基板予以處理，從省能源模式回復至一般模式時將處理室內的條件保持於安定狀態之控制乃極為重要，於如此的控制中，不可或缺的是，能夠一邊達成省能源一邊於極佳時機中整合處理室內的條件之以往所累積的資料，以及執行各項控制之時機的管理。
因此，本發明係提供一種，一邊整合處理室內的條件一邊降低消耗能源以控制基板處理裝置之控制裝置及該控制方法。
亦即，為了解決上述課題，根據本發明之某項觀點，係提供一種，對於具有將被處理基板予以處理之處理室、及用以整合上述處理室內的狀態而設置之多數個單元之基板處理裝置，進行控制的控制裝置。此控制裝置係具備：將上述各個單元的狀態從抑制能源消耗的省能源模式回復至可進行被處理基板的處理之一般模式為止之所需時間，作為每個上述單元的回復時間而予以記憶之記憶部；及根據上述記憶部中所記憶之各個單元的回復時間，預估從省能源模式回復至一般模式為止之所需時間，而對每個單元求取處於省能源模式時之單元的回復開始時刻之管理部；及因應由上述管理部所求取之每個單元的回復開始時刻，以使處於省能源模式時的單元回復至一般模式為止之方式 ，各自獨立控制各個單元之單元控制部。
於使用高頻電力進行氣體的電離或解離而產生電漿，並以該電漿對被處理基板進行電漿處理之真空系統的基板處理裝置中，可藉由精密地控制電漿中的電子、離子、及自由基的特性，對被處理基板進行期望的處理。此外，為了精密地控制電漿中的電子、離子、及自由基的特性，從省能源模式回復至一般模式時之時間的管理及回復結束時之處理室內的條件，乃極為重要。
考量到此點，於本發明中，係預先於記憶部中，將能夠一邊達成省能源一邊於極佳時機中整合處理室內的條件之以往所累積的資料予以記憶，此外並使用各種計時器以進行精密的時間管理。藉此，可降低以往於閒置時所浪費的能源，並精密地調整回復後之處理室內的條件。
藉此，即使於從省能源模式回復至一般模式為止乃要求某種程度的時間，且為了使處理室內的條件達到安定而需充足的專技知識之真空系統的基板處理裝置中，亦能夠一邊達成省能源一邊精密地調整回復後之處理室內的條件。
此外，係以精密的時間管理來控制處理室內的條件，藉此，於本發明之基板處理系統中，亦可對應於帶給基板處理裝置較大衝擊之省能源模式。
亦即，上述單元控制部，係於在不會影響上述處理室內的狀態之範圍內一邊抑制能源消耗一邊控制各個單元之第1省能源模式、在會影響上述處理室內的狀態之範圍內 一邊抑制能源消耗一邊控制各個單元之第2省能源模式、及停止全部單元之第3省能源模式當中，以成為藉由使用者的選擇或自動選擇所指定之任一項的省能源模式之方式，各自控制各個單元。
上述單元控制部，亦能夠以於指定的回復結束時間為止之前結束從上述省能源模式進行的回復之方式，各自控制各個單元，以取代因應由上述管理部所求取之回復開始時刻而控制各個單元。
根據此，不僅可管理經驗上的省能源時間，並且可管理從省能源模式開始之回復時間，而能夠以儘可能維持較長的省能源狀態之方式地控制各個單元。藉此，可一邊精密地調整回復後之處理室內的條件，一邊以極有效率之方式降低各個單元的消耗能源。
上述單元控制部，亦可根據各個單元安定處於上述省能源模式的狀態之時間的長短，於第1、第2、及第3省能源模式當中，自動選擇任一項的省能源模式。
具體而言，例如上述記憶部可構成為，根據各個單元安定處於上述省能源模式的狀態之時間的長短，將各個單元分類為屬於節約模式(第1省能源模式)、休眠模式(第2省能源模式)及冬眠模式(第3省能源模式)當中任一項模式，並預先登錄該分類資訊，而單元選擇部可構成為自動選擇屬於所指定的省能源模式之單元。
此外亦可構成為，上述記憶部，係將上述各個單元的狀態從一般模式移行至省能源模式為止之所需時間，作為 每個上述單元的移行時間而予以記憶；上述管理部，係從一般模式開始移行至省能源模式之後，係從結束由省能源模式回復至一般模式為止之時間、以及上述記憶部中所記憶之移行時間及回復時間，求出各個單元安定處於上述省能源模式的狀態之時間；上述單元控制部，於上述管理部所求取之省能源模式的安定時間為特定時間以下之情況、或是判斷為無法以省能源模式的安定時間獲得各單元的省能源效果之情況的至少任一項情況下，並不將該單元控制為所指定的省能源模式，而是控制為維持一般模式。
根據此，具有省能源的效果之單元，係以移行至所指定的省能源模式之方式地控制，不具有省能源的效果之單元，則控制為一般模式。如此，可適當地僅控制具有省能源的效果之單元，並將不具有省能源的效果之單元控制為一般模式，藉此，不僅可有效地降低能源消耗，且能夠不需隨意改變處理室內的條件。能夠不需隨意改變處理室內的條件者，亦具有可縮短移行至省能源模式之單元的回復時間之相乘效果，藉此可更進一步降低能源消耗。
此外，亦可更具備，於從一般模式往省能源模式之移行開始前、以及從省能源模式往一般模式之回復結束後，自動整備上述基板處理裝置之整備執行部。
根據此，可自動洗淨基板處理裝置內，並自動執行基板處理裝置的動作驗證等之整備。藉此，由於基板處理裝置內的條件變化之情形較少，因此能夠更順暢地將各個單元移行至省能源模式，而更順暢地從省能源模式中回復。
在此，上述單元控制部，於選擇上述第1省能源模式時，可進行排氣系單元之旋轉數的控制、從氣體供應單元往排氣系單元供應之淨化氣體的供應控制、及從冷卻單元所供應之介質的流量控制之至少任一項的控制。
根據此，係僅使省能源移行時間及省能源回復時間相對較短的單元，成為省能源的控制對象。結果為，可在不會影響處理室內的狀態之範圍內一邊抑制能源消耗一邊控制各個單元。
另一方面，上述單元控制部，於選擇上述第2省能源模式時，除了於選擇上述第1省能源模式時所能夠控制之上述單元的控制之外，可更進行溫度調整單元的溫度控制、從氣體供應單元往基板處理裝置內供應之淨化氣體的供應控制、及排氣系單元之旋轉停止及再啟動控制之至少任一項的控制。
根據此，係使省能源移行時間及省能源回復時間較選擇第1省能源模式時相對較長的單元，亦成為省能源的控制對象。結果為，雖然在會影響處理室內的狀態之範圍內，但能夠一邊抑制更多的能源消耗一邊控制各個單元。
再者，上述單元控制部，於選擇上述第3省能源模式時，可控制基板處理裝置之電源單元的切斷及投入。根據此，藉由切斷基板處理裝置的電源單元，即使為長時間不運轉之基板處理裝置，亦不需消耗用以保持閒置狀態之能源而保存。
上述控制裝置係控制多數個基板處理裝置；上述單元 控制部，係以成為藉由使用者的選擇或自動選擇而於基板處理裝置單位中所各自指定的省能源模式之方式，各自對每個基板處理裝置，控制設置於每個基板處理裝置之多數個單元。根據此，可將多數個基板處理裝置分別控制於不同等級的省能源模式。
上述基板處理裝置係具備，用以整合上述處理室中所連通設置之氣密室的狀態而設置之多數個單元；上述控制裝置的單元控制部，係控制被設置於上述處理室中之多數個單元以及被設置於上述氣密室之多數個單元。
根據此，不僅為基板處理裝置的處理室中所設置之多數個單元，連通設置於處理室之氣密室(例如承載室)中所設置之多數個單元亦受到控制。藉此，可降低於氣密室中所浪費之能源。
此外，為了解決上述課題，根據本發明之其他觀點，係提供一種，對於具有將被處理基板予以處理之處理室、及用以整合上述處理室內的狀態而設置之多數個單元之基板處理裝置，進行控制的控制方法。於此基板處理裝置之控制方法中，將各個單元的狀態從抑制能源消耗的省能源模式移行至可進行被處理基板的處理之一般模式為止之所需時間，作為每個上述單元的回復時間而記憶於記憶部；根據上述記憶部中所記憶之各個單元的回復時間，預估從省能源模式回復至一般模式為止之所需時間，而求取每個單元之處於省能源模式時之單元的回復開始時刻；因應上述所求取之每個單元的回復開始時刻，以使處於省能源模 式時的單元回復至一般模式為止之方式，各自獨立控制各個單元。
根據此，係預先於記憶部中，將能夠一邊達成省能源一邊於極佳時機中整合處理室內的條件之以往所累積的資料予以記憶，此外並使用各種計時器以進行精密的時間管理。藉此，可降低以往於閒置時所浪費的能源，並精密地調整回復後之處理室內的條件。
此外，亦能夠以於指定的回復結束時間為止之前結束從上述省能源模式進行的回復之方式，各自控制各個單元，以取代因應上述所求取之回復開始時刻而各自開始各個單元的控制。
此外，亦能夠將上述各個單元的狀態從一般模式移行至省能源模式為止之所需時間，作為每個上述單元的移行時間而記憶於上述記憶部；從一般模式開始移行至省能源模式之後，係從結束由省能源模式回復至一般模式為止之時間、以及上述記憶部中所記憶之移行時間及回復時間，求取各個單元安定處於上述省能源模式的狀態之時間；於上述管理部所求取之省能源模式的安定時間為特定時間以下之情況、或是判斷為無法以省能源模式的安定時間獲得各單元的省能源效果之情況的至少任一項情況下，並不將該單元控制為所指定的省能源模式，而是控制為維持一般模式。
如以上所說明般，根據基板處理裝置之控制裝置及其控制方法，可一邊整合處理室內的條件一邊降低消耗能源。
以下係參照附加圖式，詳細說明本發明之較佳實施型態。於以下的說明及附加圖式中，關於具有同一構成及功能之構成要素，係附加同一符號並藉此省略重複的說明。
(第1實施型態)
首先參照第1圖，說明使用有本發明之第1實施型態的控制系統之基板處理系統。於本實施型態中，係以成膜處理及蝕刻處理作為使用本系統之處理的一例而進行說明。
(基板處理系統)
首先參照第1圖，說明基板處理系統的全體構成。
基板處理系統10係具備，MES(Manufacturing Execution System：製造執行系統)100、EC(Equipment Controller：設備控制器)200、切換集線器650、n個MC(Module Controller：模組控制器)300a~300n、DIST(Distribution：配電)板750及P M(Process Module：製程模組)400a~400n。
MES100係以PC(Personal Computer：個人電腦)等的資訊處理裝置所構成，可用以管理設置有多數個PM400之工廠全體的製程，並對圖中未顯示之基礎系統進行所需資訊之接收傳送。MES100係以LAN(Local Area Network：區域網路)等的網路600與EC200連接。
EC200係對經由切換集線器650所連接之多數個MC300進行控制，藉此以統合性地控制於多數個PM400中所執行之處理。具體而言，EC200係根據表示出處理對象之晶圓W的處理方法之製程操作參數，於任意時機中將控制信號傳送至各個MC300。切換集線器650係將EC200所傳送來之控制信號的傳送目的地，切換為MC300a~MC300n當中任一個。各個MC300係控制為，根據所傳送來的控制信號對搬入至PM內的晶圓W進行期望的處理。在此，EC200具有主站側機器之功能，MC300具有副站側機器之功能。EC200係具有，於未執行處理之閒置時可將PM400的狀態從一般模式控制為省能源模式之功能，關於此點將於之後詳述。
MC300係藉由DIST板750，透過GHOST(General High－Speed Optimum Scalable Transceiver：全體高速最佳化擴充收發器)網路700而分別連接於各個PM400中所設置之多數個I/O埠(400a1~400a3、400b1~400b3、......、400n1~400n3)。GHOST網路700為以裝載於MC300的MC板之LSI(稱為GHOST)所控制之網路。在此，MC300具有主站側機器之功能，I/O埠具有副站側機器之功能。MC300，係將對應於從EC200所傳送來的控制信號之促動器驅動信號，送出至任一個I/O埠。
I/O埠，係將從MC300所傳送來的促動器驅動信號傳達至各個PM400中所設置之該單元中，藉此以遵循來自於EC200的指令而驅動各個單元，並將從該單元中所輸出之信號傳達至MC300。
接下來參照第2圖、第3圖，分別說明EC200及PM400的硬體構成。關於MES100及MC300的硬體構成，雖然於圖中未顯示，但具有與EC200相同之構成。
(EC的硬體構成)
如第2圖所示般，EC200係具備，ROM205、RAM210、CPU215、匯流排220、內部介面(內部I/F)225及外部介面(外部I/F)230。
ROM205中，係記錄有EC200所執行之基本程式及異常時所啟動之程式等。RAM210係儲存有各種程式或資料。ROM205及RAM210為記憶裝置的一例，亦可為EEPROM、光碟、光磁性碟、硬碟等之記憶裝置。
CPU215係將PM400控制為一般模式或省能源模式，並且控制成膜處理或蝕刻處理。匯流排220為各個裝置間進行資訊的溝通往來之路徑。
內部介面225係藉由操作人員的操作，從鍵盤705或觸控制面板710當中輸入所需的參數(資料)，並將必要的資料輸出至顯示器715或喇叭720。外部介面230係與MES100或MC300進行資料的接收傳送。
(PM的硬體構成)
如第3圖所示般，PM400(相當於基板處理裝置)係具備，用以進行晶圓W的搬出入之搬送系統H，及對晶圓W進行成膜處理或蝕刻處理之處理系統S。搬送系統H及處理系統S係隔著承載室405(LLM(Load Lock Module：承載模組)405a、405b)而連結。
搬送系統H具有晶圓匣承載台410及搬送承載台420。於晶圓匣承載台410中，設置有容器載置台410a，於容器載置台410a上，載置有3個晶圓匣容器410b1~410b3。各個晶圓匣容器410b，最多例如可將25片的晶圓W以多段方式收納。
於搬送承載台420上，設置有於該中心沿著搬送方向延伸之導引軌420a。於導引軌420a上，用以搬送晶圓W之2根搬送臂420b1、420b2，係以能夠由磁性驅動使導引軌420a滑動移動之方式地被支撐。搬送臂420b1、420b2係分別具有，可伸縮與旋轉之多關節狀的搬送臂主體420b11、420b21，以及裝設於搬送臂主體420b1的前端之叉狀物420b12、420b22，於叉狀物420b12、420b22上可將晶圓W予以保持。
於搬送承載台420的一端上，設置有用以進行晶圓W的定位之對位機構420c。對位機構420c係於載置有晶圓W的狀態下一邊使旋轉台420c1旋轉，一邊以光學感測器420c2偵測晶圓W之周緣部的狀態，藉此進行晶圓W的對位。
於LLM405a、405b中，分別於其內部設置有用以載置晶圓W之載置台405a1、405b1，並且於其兩端上分別設置可氣密地進行開閉之閘閥405a2、405a3、405b2、405b3。藉由該構成，搬送系統可於晶圓匣容器410b1~410b3、承載室405a、405b及對位機構420c之間，將晶圓W予以搬送。
另一方面，於處理系統S中，設置有移載室430及4個製程模組PM1~PM4。移載室430係隔著可氣密地進行開閉之閘閥440a~440d，分別與PM1~PM4接合。於移載室430中，設置有可伸縮與旋轉之運送臂430a。
於PM1~PM4中，設置有用以載置晶圓W之基座450a~450d。藉由該構成，處理系統可使用運送臂430a，將晶圓W從LLM405經由移載室430搬入至PM1~PM4，於載置於各個基座450之狀態下進行成膜處理，之後再經由移載室430搬出至LLM405。此外，於PM1~PM4中，分別設置有進行PM1~PM4的電源之導通/非導通之開關。
接下來參照第4圖所模式性顯示之LLM的縱向剖面圖，說明LLM405的內部構成。
(LLM的內部構成及功能)
第4圖所示之LLM405a，係具有以不使移載室430及PM1~PM4開放於大氣中為目的而採用氣密方式構成之大致呈圓筒狀的反應室CL，於反應室CL中，係具備用以載置晶圓W之承載台405a1及用以進行晶圓W的搬出入而開閉之閘閥405a2、405a3。於承載台405a1中，於其內部埋設有加熱器405a11。於加熱器405a11中，係於反應室CL的外部連接有交流電源505，並藉由從交流電源505所供應的交流電壓，將晶圓W保持於特定溫度。
於LLM405a的底部，配設有乾式泵浦510。於乾式泵浦510中連接有交流電源505，並隔著氣體管線515連接有N2 氣體供應源520。以圖中未顯示的反相器，適當地轉換交流電源505的頻率數而驅動馬達510a，藉此可控制乾式泵浦510的旋轉速度(轉數)及旋轉的停止或再啟動。此外，N2 氣體供應源520，係藉由依據閥522的開閉及依據質量流量控制器524的流量控制，而適當地將淨化氣體供應至乾式泵浦510。藉此，乾式泵浦510可一邊達成耐腐蝕目的，一邊將LLM405a減壓至特定程度為止。
(PM的內部構成及功能：成膜處理)
接下來參照第5圖所模式性顯示之PM的縱向剖面圖，說明於執行成膜處理時之PM的內部構成及功能。
PM係具備以氣密方式所構成之大致呈圓筒狀的反應室CP，於反應室CP的內部中，如上述般係設置有用以載置晶圓W之基座450。於反應室CP內，形成有用以處理晶圓W之處理室U。基座450係以圓筒狀的支撐構件451所支撐。於基座450中，於其外緣部上設置有用以導引晶圓W並使電漿予以聚焦之導引環452，並於其內部埋入有承載台加熱器454。
於反應室CP中，係設置有APC(Automatic Pressure Control：自動壓力控制器)530、TMP(Turbo Molecular Pump：渦輪分子泵浦)535及乾式泵浦540以作為排氣機構，藉由這些排氣機構，可將反應室CP減壓至特定真空度為止。
於APC530的內部，埋入有APC的加熱器530a。於承載台上所設置之加熱器454、APC的加熱器530a、TMP535及乾式泵浦540中，係於反應室CP的外部連接有交流電源525。這些加熱器454、530a係藉由從交流電源525所輸出之交流電壓，將晶圓W及APC530保持於特定溫度。此外，係以圖中未顯示的反相器，適當地轉換交流電源525的頻率數而分別驅動各個馬達535a、540a，藉此，可控制TMP535及乾式泵浦540於期望的旋轉速度(轉數)，以及旋轉的停止或再啟動。
於反應室CP的頂壁部458a上，係隔著絕緣構件459而設置有蓮蓬頭460。此蓮蓬頭460係由上段塊體460a、中段塊體460b及下段塊體460c所構成。各個塊體460上所形成之2系統的氣體通路(氣體通路460a1及氣體通路460a2)，係分別與交互形成於下段塊體460c之噴射孔460c1及噴射孔460c2連通。
氣體供應機構470係由，氣體供應源470a~470e、多數個閥472及多數個質量流量控制器474所構成。各個閥472可藉由控制該開閉，從各個氣體供應源當中選擇性地將氣體供應至反應室CP內。此外，各個質量流量控制器474，可藉由控制氣體的流量而將氣體調整為期望的濃度。
氣體供應源當中，N2 氣體供應源470a、TiCl4 氣體供應源470b及Ar氣體供應源470c，係藉由氣體管線465a與蓮蓬頭460連接，H2 氣體供應源470d及N2 氣體供應源470e，係藉由氣體管線465b與蓮蓬頭460連接。此外，N2 氣體供應源470e係藉由氣體管線465c與TMP535及乾式泵浦540連接。N2 氣體供應源470a、470e，係將淨化氣體供應至反應室CP內或各個泵浦內，TiCl4 氣體供應源470b、Ar氣體供應源470c及H2 氣體供應源470d，係將用以形成Ti膜之處理氣體的TiCl4 氣體、電漿激發氣體之Ar氣體及還原氣體之H2 氣體供應至反應室CP內。此外，N2 氣體供應源470e可藉由控制閥476、478的開閉，而適當地將淨化氣體分別供應至TMP535及乾式泵浦540。藉此，TMP535及乾式泵浦540可一邊達成耐腐蝕目的，一邊將反應室CP內減壓至特定程度為止。
於蓮蓬頭460中，係隔著匹配器490而連接有高頻電源545。另一方面，於基座450上埋設有作為蓮蓬頭460的對向電極之電極494。於電極494中，係隔著匹配器496而連接有高頻電源550，藉由從高頻電源550供應高頻電力至電極494，而產生偏壓電壓。
藉由該構成，係以從高頻電源545供應至蓮蓬頭460之高頻電力，將從氣體供應機構470透過蓮蓬頭460供應至反應室CP之氣體予以電漿化，並藉由該電漿，於晶圓W上形成Ti膜。
(PM的內部構成及功能：蝕刻處理)
接下來參照第6圖、第7圖所模式性顯示之PM的縱向剖面圖，說明對執行蝕刻處理之晶圓W進行COR(Chemical Oxide Removal：化學氧化物去除)處理及PHT(Post Heat Treatment：後熱處理)處理時之PM的內部構成及功能。COR處理，為使蝕刻處理後的晶圓W之蝕刻的凹部內面上所附著之自然氧化膜(SiO2 膜)與處理氣體的氣體分子進行化學反應，以生成反應生成物之處理，PHT處理為對COR處理後的晶圓W進行加熱以顯示出COR處理。
第6圖係模式性顯示對晶圓W進行PHT處理之PM(PHT處理裝置)的縱向剖面圖，第7圖係模式性顯示，鄰接設置於PM(PHT處理裝置)且對晶圓W進行COR處理之PM(COR處理裝置)的縱向剖面圖。
PHT處理裝置係具備氣密式反應室CP，其內部係成為用以處理基座450上所載置的晶圓W之處理室U。於反應室CP中設置有排氣泵浦560(例如乾式泵浦)，藉由適當地轉換交流電源525的頻率數而驅動馬達560a，藉此可控制排氣泵浦560的旋轉速度(轉數)及旋轉的停止或再啟動。此外，於PHT處理裝置中，係以氣體管線465連接有N2 氣體供應源470a，並藉由控制閥472、478的開閉，而適當地將淨化氣體分別供應至反應室CP及排氣泵浦560。藉此，排氣泵浦560可一邊達成耐腐蝕目的，一邊將反應室CP內減壓至特定程度為止。
第7圖的COR處理裝置亦相同，係具備氣密式反應室CP，其內部乃成為用以處理基座450上所載置的晶圓W之處理室U。於反應室CP中設置有排氣機構(APC530、TMP535及乾式泵浦540)，藉由使用交流電源525的交流電壓並於特定頻率數下而驅動馬達535a、540a，藉此可控制各個泵浦的旋轉速度(轉數)及旋轉的停止或再啟動。藉此，排氣泵浦560可一邊達成耐腐蝕目的，一邊將反應室CP內減壓至特定程度為止。
於N2 氣體供應源470a、NH3 氣體供應源470f、Ar氣體供應源470c及HF氣體供應源470g中，係隔著氣體管線465d~465g與蓮蓬頭460連接，並將MFC474所控制之期望流量的氣體，從設置於蓮蓬頭460之多數個噴射孔460c當中，選擇性地供應至反應室CP內，並經由圖中未顯示的氣體管線，適當地將N2 氣體供應源470a中所供應之淨化氣體分別供應至TMP535及乾式泵浦540。
於基座450的內部，設置有溫度調節器455。於溫度調節器455中，係經由管路570a而連接有冷卻供應源570。基座450的溫度，係藉由與從冷卻供應源570中所供應且於管路570a中循環之溫調用液體(例如為水)進行熱交換而予以調節，結果為可將晶圓W保持於期望的溫度。
於反應室CP的側壁及蓮蓬頭(上部電極)460中，分別設置有加熱器580a、580b、580c。於加熱器580a~580c及APC530內的加熱器530a中，連接有交流電源525，並藉由從交流電源525所供應的交流電壓，將蓮蓬頭460、反應室CP的側壁及APC530分別保持於期望的溫度。
(EC的功能構成)
接下來參照以方塊顯示各項功能之第8圖，說明EC200的各項功能。EC200係具備資料庫250、輸入部255、單元控制部260、單元選擇部265、管理部270、整備執行部275、基板處理控制部280、省能源開始計時器285a、省能源結束計時器285b、通訊部290及輸出部295的各個方塊所顯示之功能。
如第9圖所示般，於資料庫250(相當於記憶部)中，係於每個單元中，記憶有從以往所累積的資料所算出之各個單元的省能源移行時間A及省能源回復時間B。具體而言，省能源移行時間A及省能源回復時間可為上一個批次的經驗時間，亦可為至上一次為止之批次的經驗時間之平均值。此外，亦可考量到省能源移行時間A及省能源回復時間B因各個單元或製程條件的不同而有所不同之時間，而利用資料庫250中所記憶之省能源移行時間A及省能源回復時間B，而算出此次的省能源移行時間A及省能源回復時間B。
省能源移行時間A，為各個單元從可進行晶圓W的處理之一般模式移行至可抑制能源的消耗之省能源模式為止之所需時間。省能源回復時間B，為各個單元從省能源模式回復至一般模式為止之所需時間。
資料庫250的溫度控制單元，係記憶有於更新省能源移行時間A及省能源回復時間B的資料後所設定之省能源設定溫度Ta，及回復後所使用之製程操作參數中所設定之溫度(回復設定溫度Tb)。例如，於PM400的上部電極及下部電極及側壁上所設置之加熱器溫度，其省能源設定溫度Ta為40℃，回復設定溫度Tb為60℃。
輸入部255，例如將操作人員從參數選擇畫面當中所選擇之關於省能源對象的單元之資訊，或是關於省能源模式的等級之資訊予以輸入。省能源模式的等級，有節約模式(第1省能源模式)、休眠模式(第2省能源模式)及冬眠模式(第3省能源模式)。省能源模式，可於每個PM中分別指定1個各自不同的模式。
節約模式為在不會影響處理室U內的狀態之範圍內一邊抑制能源消耗一邊控制各個單元之模式。關於適用於節約模式之單元，例如有從此次批次結束時開始至下一次批次開始時為止之時間較短，且其回復亦僅花費少許時間之單元。具體而言，於第9圖所示之單元當中，省能源移行時間A及省能源回復時間B為4、5秒以內之單元，為適用於節約模式之單元。
休眠模式為在會影響處理室U內的狀態之範圍內一邊抑制能源消耗一邊控制各個單元之模式。關於適用於休眠模式之單元，例如有從此次批次結束時開始至下一次批次開始時為止之時間，例如較節約模式稍長，且其回復亦較節約模式稍長之單元。具體而言，省能源移行時間A及省能源回復時間B約為10~20分鐘之溫度控制單元、用以控制將N2 淨化氣體供應至PM及LLM的處理室U之單元、用以控制乾式泵浦的停止及再啟動之單元，為適用於休眠模式之單元。
溫度控制單元為適用於休眠模式之單元者，係由於從將加熱器溫度控制於設定溫度開始至處理室U內安定處於該溫度為止，會花費某種程度的時間，因此會影響處理室U內的狀態之故。此外，N2 淨化氣體供應控制單元為適用於休眠模式之單元者，係由於從以N2 氣體淨化處理室U開始至處理室U內的壓力調整為期望的壓力為止，會花費某種程度的時間，因此會影響處理室U內的狀態之故。同樣的，乾式泵浦的停止/再啟動控制單元為適用於休眠模式之單元者，係由於在停止乾式泵浦後進行再啟動的情況下，至處理室U內的壓力調整為期望的壓力為止，會花費某種程度的時間，因此會影響處理室U內的狀態之故。
冬眠模式，為暫時停止系統的運轉、或是洗淨PM等的維護等之至下一次批次開始時為止之時間為長時間的情況時，用以控制各個單元之模式。關於適用於冬眠模式之單元，例如有從此次批次結束時開始至下一次批次開始時為止之時間，例如為數十分鐘至數小時以上之較休眠模式更長之單元，具體而言有用以控制PM之電源的切斷及投入之PM電源單元。
單元控制部260，係包含LLM單元控制部260a及PM單元控制部260b而構成。LLM單元控制部260a係具備乾式泵浦控制部260a1、N2 淨化控制部260a2及加熱器溫度控制部260a3。PM單元控制部260b係具備乾式泵浦控制部260b1、N2 淨化控制部260b2、加熱器溫度控制部260b3、冷卻器流量控制部260b4及PM電源控制部260b5。
在此，所謂的單元，是指依循藉由各個單元控制部260所傳送，且經由第1圖的各個I/O埠從MC300所傳送之促動器驅動信號，而個別獨立進行動作之單位部分。亦即，單元控制部260係於特定時機中各自獨立控制對象單元。
如第9圖所示般，PM及LLM的乾式泵浦及TMP，為排氣系單元。此外，N2 氣體供應源為氣體供應單元。冷卻供應源570為冷卻供應單元。反應室CP的側壁及蓮蓬頭(上部電極)460的加熱器580a、580b、580c、APC530的加熱器530a，及基座的加熱器454，為溫度調整單元。於每個PM中所設置之電源SW500，為PM的電源單元。
例如，一旦因應從乾式泵浦控制部260a1所傳送的控制信號之促動器驅動信號，經由I/O埠傳送至第4圖的交流電源505，則依循此促動器驅動信號從交流電源505中輸出期望的交流電壓，藉此以控制馬達510a之圖中未顯示的轉子的轉數。如此，乾式泵浦控制部260a1係控制乾式泵浦510的轉數、旋轉的停止及再啟動。
此外，一旦因應從N2 淨化控制部260a2所傳送的控制信號之促動器驅動信號，經由I/O埠傳送至閥522，則依循此促動器驅動信號而開啟閥522，藉此使N2 淨化氣體從N2 氣體供應源520供應至乾式泵浦510。如此，N2 淨化控制部260a2係控制供應至乾式泵浦510之N2 淨化氣體。
此外，一旦因應從加熱器溫度控制部260a3所傳送的控制信號之促動器驅動信號，經由I/O埠傳送至交流電源505，則依循此促動器驅動信號從交流電源505中輸出期望的交流電壓，藉此以控制埋設於基座405a1之加熱器405a11的溫度。如此，加熱器溫度控制部260a3係控制加熱器405a11的溫度。
此外，一旦因應從乾式泵浦控制部260b1所傳送的控制信號之促動器驅動信號，經由I/O埠傳送至第5圖的交流電源525，則依循此促動器驅動信號從交流電源525中輸出期望的交流電壓，藉此以控制乾式泵浦540(亦包含防氫爆規格的乾式泵浦)的馬達540a之圖中未顯示的轉子的轉數。藉此，乾式泵浦控制部260b1係控制乾式泵浦540的轉數、旋轉的停止及再啟動。
防氫爆規格的乾式泵浦，係用以避免因可燃物質的氫之洩漏等而導致爆炸之危險性所設置，係於氫供應至處理室U內時予以驅動。此防氫爆規格的乾式泵浦亦可與乾式泵浦540另外設置，亦可為同一個。
此外，一旦因應從N2 淨化控制部260b2所傳送的控制信號之促動器驅動信號，經由I/O埠傳送至閥476或閥478至少任一個，則依循此促動器驅動信號而開啟閥476、閥478，藉此使N2 淨化氣體從N2 氣體供應源470e供應至TMP535或乾式泵浦540。如此，N2 淨化控制部260b2係控制供應至TMP535或乾式泵浦540之N2 淨化氣體。
此外，一旦因應從加熱器溫度控制部260b3所傳送的控制信號之促動器驅動信號，經由I/O埠傳送至第5圖或第7圖的交流電源525，則依循此促動器驅動信號從交流電源525中輸出期望的交流電壓，藉此以控制分別設置於第7圖之反應室CP的側壁及蓮蓬頭460(上部電極)之加熱器580a、580b、580c、設置於第5圖的基座450(下部電極)之加熱器454、及設置於APC530之加熱器530a的溫度。如此，加熱器溫度控制部260b3係控制各個加熱器的溫度。
此外，一旦因應從冷卻器流量控制部260b4所傳送的控制信號之促動器驅動信號，經由I/O埠傳送至第7圖的冷卻供應源570，則依循此促動器驅動信號，從冷卻供應源570中所供應之特定量的介質於管路570a中循環，藉此以控制基座450中所設置之溫度調節器455的溫度及上部電極的溫度。如此，冷卻器流量控制部260b4係控制溫度調節器455的溫度及上部電極的溫度。
此外，一旦因應從PM電源控制部260b5所傳送的控制信號之促動器驅動信號，經由I/O埠傳送至第3圖的每個PM中所設置之電源SW500，則依循此促動器驅動信號使電源SW500導通/非導通，藉此以控制各個PM(PM1~PM4)的主電源之投入/切斷。如此，PM電源控制部260b5係控制電源SW500。
單元選擇部265，係以將所指定的單元控制為所指定的省能源模式之方式地指示單元控制部260。例如，於輸入部255因應操作人員的操作，將冷卻供應源570之冷卻器的流量控制為節約模式之資訊予以輸入時，單元選擇部265係選擇冷卻器流量控制部260b4，以控制為省能源模式之方式地指示單元控制部260。此外，亦能夠以自動地選擇單元，並將所選擇的單元控制為所指定的省能源模式之方式地指示單元控制部260，以取代因應操作人員的指示而選擇任一種單元控制之方式。
此時，例如可根據各個單元安定處於上述省能源模式的狀態之時間的長短，將各個單元分類為屬於節約模式(第1省能源模式)、休眠模式(第2省能源模式)及冬眠模式(第3省能源模式)當中任一項模式，並預先將該分類資訊登錄於資料庫250，而單元選擇部250可構成為，從該分類資訊當中，自動選擇屬於所指定的省能源模式之單元。
例如，於選擇節約模式時，單元控制部260可根據資料庫250中所記憶之分類資訊，進行排氣系單元之旋轉數的控制、從氣體供應單元往排氣系單元供應之淨化氣體的供應控制、及從冷卻單元所供應之介質的流量控制之至少任一項的控制。
此外，於選擇休眠模式時，單元控制部260可根據資料庫250中所記憶之分類資訊，除了於選擇節約模式時所能夠控制之單元的控制之外，更進行溫度調整單元的溫度控制、從氣體供應單元往基板處理裝置內供應之淨化氣體的供應控制、及排氣系單元之旋轉停止及再啟動控制之至少任一項的控制。
再者，於選擇冬眠模式時，單元控制部260可根據資料庫250中所記憶之分類資訊，進行該PM之電源單元的切斷及投入之控制。
省能源開始計時器285a，係計算從省能源處理開始時(目前時點)開始，至開始往省能源模式移行為止之時間(省能源模式移行時間Ts)。因此，於省能源模式移行時間Ts設定為「0」時，係代表著立即開始往省能源模式移行。
省能源結束計時器285b，係計算開始往省能源模式移行後，至開始從省能源模式中回復為止之時間(省能源模式回復時間Te)。亦即計算實施省能源模式之時間。
管理部270係根據資料庫250中所記憶之省能源移行時間A及省能源回復時間B，使用省能源開始計時器285a，將由單元選擇部265所選擇之單元控制部260從一般模式開始移行至省能源模式之時刻予以管理，並且使用省能源結束計時器285b，將從省能源模式開始回復至一般模式之時刻予以管理。
整備執行部275，係於從一般模式開始移行至省能源模之前以及從省能源模式結束回復至一般模式之後，自動進行PM內的動作驗證等之整備處理。於此整備處理中，亦包含用以移行至省能源模式至準備處理。基板處理控制部280係依循製程操作參數，將用以對PM內所搬入之晶圓W進行成膜處理或蝕刻處理予以控制。
一旦從單元控制部260接收指令，則通訊部290係將，用以使因應此指令所選擇之單元移行至省能源模式之控制信號，傳送至MC300。藉此，PM及LLM可於管理部270所管理之特定時間內，成為可抑制能源消耗之省能源狀態。
此外，一旦從整備執行部275接收指令，則通訊部290係將用以因應此指令而執行M內的整備之控制信號，傳送至MC300。藉此，即使例如於以手工操作進行PM、LLM內的洗淨後，在不會影響PM、LLM內的條件之範圍內將各個單元控制為省能源模式後，亦可依循對一連串處理進行編程後之製程操作參數，因此可自動進行PM內的各個單元之動作驗證或依據測試晶圓之製程驗證，結果為可自動地整合PM內的條件。
此外，一旦從基板處理控制部280接收指令，則通訊部290係將用以因應此指令而控制PM400之控制信號，傳送至MC300。藉此，於PM400中，係依循製程操作參數對晶圓W進行基板處理。輸出部295，於各項處理中產生缺失時，可將該缺失顯示於顯示器715中以對操作人員送出警告，並輸出必要資訊。
以上所說明之EC200的各項功能可藉由下列方式而達成，亦即，實際上可藉由CPU215將記述有實現這些功能的處理步驟之程式予以執行，或是控制用以實現各項功能之圖中未顯示的IC等。例如，於本實施型態中，單元選擇部265、管理部270、整備執行部275、基板處理控制部280的各項功能，可藉由CPU215將記述有實現這些功能的處理步驟之程式或製程操作參數予以執行而藉此達成。
(EC的動作)
接下來參照第10圖~第12圖，說明EC200的動作。第10圖係顯示EC200所執行之省能源處理(主程序)之流程圖。第11圖係顯示以第10圖的主程序所讀取出之省能源模式移行處理(節約模式移行處理、休眠模式移行處理、冬眠模式移行處理)之流程圖。第12圖係顯示以第10圖的主程序所讀取出之省能源模式回復處理(節約模式回復處理、休眠模式回復處理、冬眠模式回復處理)之流程圖。
於開始省能源處理前，係預先設定從省能源處理開始時(目前時點)開始，至開始往省能源模式移行為止之時間Ts，以及從省能源模式開始至開始往一般模式回復為止之時間(省能源模式回復時間Te)。此外，省能源模式係指定為，節約模式為「1」、休眠模式為「2」、冬眠模式為「3」。
(省能源處理)
一旦操作人員將省能源啟動按鍵設定為「ON」(或是於分批處理結束後自動進行)，則從第10圖的步驟1000開始進行省能源處理，進行步驟1005，管理部270將省能源開始計時器285a設定為「0」。
接著進行步驟1010，管理部270判定所指定的省能源模式為「1」~「3」當中的何者，於省能源模式為「1」時，進行步驟1015之節約模式移行處理，於省能源模式為「2」時，進行步驟1020之休眠模式移行處理，於省能源模式為「3」時，進行步驟1025之冬眠模式移行處理。
(省能源移行處理)
各項移行處理係從第11圖的步驟1100開始進行處理，一旦進行步驟1105，則管理部270判定是否執行自動整備處理。於指定自動整備處理的執行時，整備執行部275係進行步驟1110，依循一連串的整備用製程操作參數以執行自動整備處理，之後進行步驟1115。另一方面，於未指定自動整備處理的執行時，管理部270直接進行步驟1115。
於步驟1115中，管理部270判定是否省能源開始計時器285a為省能源模式移行時間Ts以上，若為經過省能源模式移行時間Ts(參照第13圖)，則進行步驟1120並將省能源結束計時器285b設定為「0」，並進行步驟1125。
於步驟1125中，單元選擇部265係選擇由操作人員或是以自動方式所選擇之單元控制部260，所選擇的單元控制部260，係將所指定的單元控制為所指定的省能源模式，並於步驟1195中結束本處理。
一旦結束省能源移行處理，則進行第10圖的步驟1030，管理部270確認是否已移行至省能源模式。於此時點中，由於已移行至省能源模式，因此判定為「YES」，於省能源模式為「1」時，進行步驟1035之節約模式回復處理，於省能源模式為「2」時，進行步驟1040之休眠模式回復處理，於省能源模式為「3」時，進行步驟1045之冬眠模式回復處理。
(省能源回復處理)
各項回復處理係從第12圖的步驟1200開始進行處理，一旦進行步驟1205，則管理部270判定是否省能源結束計時器285b為省能源模式回復時間Te以上，若為經過省能源模式回復時間Te，則進行步驟1210。於步驟1210中，單元選擇部265係控制為將所指定的單元從所指定的省能源模式當中回復，並進行步驟1215。
於步驟1215中，管理部270判定是否執行自動整備處理。於指定自動整備處理的執行時，整備執行部275係進行步驟1220，依循一連串的製程操作參數以執行自動整備處理，之後進行步驟1295而結束省能源回復處理。另一方面，於未指定自動整備處理的執行時，直接進行步驟1295並結束省能源回復處理，藉此，於第10圖的步驟1095中結束省能源處理。
根據本實施型態之省能源處理，如第13圖所示般，例如於省能源模式移行時間Ts為30分鐘，省能源模式回復時間Te為2小時時，於省能源處理開始的30分鐘之間，PM內維持於閒置狀態，之後自動開始移行至省能源模式，於各個單元之省能源移行時間A的結束後，PM於特定時間C之間處於省能源狀態，從省能源模式開始時的2小時後，係自動開始從省能源模式當中回復，於各個單元之省能源回復時間B的結束後，PM內返回閒置狀態。
根據此，即使於從省能源模式回復至一般模式為止乃要求某種程度的時間，於從省能源模式回復至一般模式(閒置狀態)時，亦可精密地調整處理室U內的條件。
尤其是，於使用高頻電力進行氣體的電離或解離而產生電漿，並以該電漿對晶圓W進行電漿處理之真空系統的PM中，可藉由精密地控制電漿中的電子、離子、及自由基的特性，對晶圓W進行期望的處理。此外，為了精密地控制電漿中的電子、離子、及自由基的特性，從省能源模式回復至一般模式時，回復時之處理室內的條件及回復為止之時間的管理，乃極為重要。
考量到此點，於本實施型態中，係預先於記憶部250中，將能夠一邊達成省能源一邊於極佳時機中整合處理室內的條件之以往所累積的資料予以記憶，此外並使用各種計時器以進行精密的時間管理。藉此，可降低以往於PM的閒置時所浪費之能源，並配合製程條件，精密地調整晶圓處理時之處理室內的條件。
(第2實施型態)
接下來說明第2實施型態之基板處理系統10。於第2實施型態之基板處理系統10中，關於將移行至省能源模式後開始至「結束」從省能源模式當中回復為止之時間予以管理之點，與將移行至省能源模式後開始至「開始」從省能源模式當中回復為止之時間予以管理之第1實施型態之基板處理系統10，就動作上係有所不同。因此，接下來參照第14圖，以此不同點為中心，說明本實施型態之基板處理系統10之EC200的動作。
(EC的動作)
第14圖係顯示，以第10圖的省能源處理(主程序)的步驟1035、1040、1045所讀取出之本實施型態的省能源模式回復處理(節約模式回復處理、休眠模式回復處理、冬眠模式回復處理)之流程圖。
於開始省能源處理前，係預先設定省能源模式移行時間Ts，以及從移行至省能源模式後開始至結束從省能源模式當中回復為止之時間Th。
(省能源處理)
一旦操作人員將省能源啟動按鍵設定為「ON」(或是於分批處理結束後自動進行)，則從第10圖的步驟1000開始進行省能源處理，並於接著步驟1005、1010之步驟1015、1020、1025中，執行省能源移行處理，於步驟1030中判定為「YES」，並於步驟1035、1040、1045中執行省能源模式回復處理。
(省能源回復處理)
各項回復處理係從第14圖的步驟1400開始進行處理，首先進行步驟1405，管理部270係於資料庫250中所記憶之省能源回復時間B當中，將單元選擇部265所選擇之各個單元的省能源回復時間B之最大值，設定為Thmax(參照第15圖)，並進行步驟1410。
接下來，管理部270於步驟1410中判定是否省能源結束計時器285b為Th－Thmax以上。於管理部270判定省能源結束計時器285b為Th－Thmax以上，則進行步驟1210，由單元選擇部265所選擇之各個單元的單元控制部260，係將各個單元控制為從所指定的省能源模式當中回復，並進行步驟1215。
此時，各個單元控制部260係以各個單元儘可能保持於較長的省能源狀態之方式，控制回復至閒置狀態的時機。例如，於由單元選擇部265所選擇之各個單元為第8圖的乾式泵浦控制部260b1、N2 淨化控制部260b2、冷卻器流量控制部260b4時，如第9圖所示般，依據乾式泵浦控制部260b1之乾式泵浦的再啟動控制、依據N2 淨化控制部260b2之稀釋N2 淨化氣體的再啟動控制、依據冷卻器流量控制部260b4之冷卻供應源的冷卻器流量控制之省能源回復時間B，係分別設定為10秒、1~2秒、4~5秒。因此，於步驟1405中Thmax係設定為「10(秒)」。此外，如第15圖所示般，單元a(亦即依據冷卻器流量控制部260b4之冷卻供應源的冷卻器流量控制)，係於從省能源模式之回復結束前5秒開始進行回復動作，單元c(亦即依據N2 淨化控制部260b2之稀釋N2 淨化氣體的再啟動控制)，係於從省能源模式之回復結束前2秒開始進行回復動作。
於開始執行如此的回復處理時，由於在資料庫250中尚未記憶有經驗值，因此單元控制部260係於預先指定的時機中開始進行回復。
接下來進行步驟1215，管理部270係判定是否執行自動整備處理，於步驟1220中執行自動整備處理後(或是於步驟1220中不執行自動整備處理)，則進行步驟1495並結束省能源回復處理，藉此，於第10圖的步驟1095中結束省能源處理。
根據本實施型態之省能源處理，不僅考量實際上的省能源模式處理中的時間，並考量到從省能源模式之回復時間，而以各個單元儘可能保持於較長的省能源狀態之方式分別進行控制。藉此，可一邊精密地調整處理室U內的條件，一邊以最有效率之方式降低各個單元之消耗能源。
(第3實施型態)
接下來說明第3實施型態之基板處理系統10。於第3實施型態之基板處理系統10中，關於未對所選擇的各個單元執行省能源處理之點，與必定對所選擇的各個單元執行省能源處理之第2實施型態之基板處理系統10，就動作上係有所不同。因此，接下來參照第16圖，以此不同點為中心，說明本實施型態之基板處理系統10之EC200的動作。
(EC的動作)
第16圖係顯示，以第10圖的省能源處理(主程序)所讀取出之省能源模式移行處理(節約模式移行處理、休眠模式移行處理、冬眠模式移行處理)之流程圖。
與第2實施型態相同，於開始省能源處理前，係預先設定省能源模式移行時間Th，以及省能源模式回復結束時間Th。
(省能源處理)
一旦操作人員將省能源啟動按鍵設定為「ON」(或是於分批處理結束後自動進行)，則從第10圖的步驟1000開始進行省能源處理，並於接著步驟1005、1010之步驟1015、1020、1025中，執行第16圖的省能源移行處理。
(省能源移行處理)
各項移行處理係從第16圖的步驟1600開始進行處理，於步驟1105、1110中執行自動整備處理，並於步驟1405中，管理部270係於資料庫250中所記憶之省能源回復時間B當中，將單元選擇部265所選擇之各個單元的省能源回復時間B之最大值，設定為Thmax，並進行步驟1605。
接下來，管理部270於資料庫250中所記憶之省能源移行時間A當中，將單元選擇部265所選擇之各個單元的省能源移行時間A之最大值，設定為Timax，並進行步驟1610。在此，若從省能源模式回復結束時間Th當中減算省能源回復時間B的最大值Thmax及省能源移行時間A的最大值Timax後之值為「0」以下，則第15圖所示之省能源安定時間C並不存在(參照第15圖)。因此，此時管理部270係判斷為即使移行至省能源模式，亦無法充分發揮省能源效果，因此於步驟1610中判定為「NO」，不執行省能源移行處理而直接進行步驟1695，並返回第10圖的步驟1030。此外，由於此時不會移行至省能源模式，因此於步驟1030中判定為「NO」，不執行省能源移行處理而直接進行步驟1695，並結束省能源處理。
另一方面，若從省能源模式回復結束時間Th當中減算省能源回復時間B的最大值Thmax及省能源移行時間A的最大值Timax後之值為「0」以上，則第15圖所示之省能源安定時間C為存在。因此，此時管理部270係於步驟1610中判定為「YES」並進行步驟1615，單元控制部260係判定是否所選擇的各個單元具有省能源效果。
關於是否具有省能源效果者，雖然於圖中未顯示，但可使用預先登錄於資料庫250或RAM210等的記憶區域之各個單元於再啟動時的電力消耗量。亦即，單元控制部260可從各個單元於再啟動時的電力消耗量與省能源安定時間C之間的關係中，分別對所選擇的各個單元判定是否應移行至省能源模式。此可藉由將於啟動時各個單元所消耗的消耗電力(消耗能源)，與使各個單元僅於省能源安定時間C中成為省能源安定狀態時所能夠節約之消耗能源予以比較，藉此，係僅於消耗能源較節約能源還大時，才移行至省能源模式。
如此，於單元控制部260判定具有省能源效果時，單元控制部260進行步驟1115，於省能源開始計時器285a成為省能源模式移行時間Ts以上時，於接著步驟1120之步驟1125中，單元控制部260係將所選擇的各個單元控制為所指定的省能源模式，於步驟1195中結束本處理，並返回第10圖的步驟1030。
另一方面，於單元控制部260判定不具有省能源效果時，單元控制部260於步驟1615判定為「NO」，直接進行步驟1695並結束省能源移行處理，然後返回第10圖的步驟1030。
管理部270僅於移行至省能源模式時，於步驟1030中判定為「YES」，於步驟1035~1045當中任一步驟中執行省能源回復處理，並進行步驟1095，另一方面，於未移行至省能源模式時，直接進行步驟1695，並結束省能源處理。
根據本實施型態之省能源處理，係從各個單元於再啟動時的電力消耗量與所算出之省能源安定時間C之間的關係中，分別對所選擇的各個單元判定是否應移行至省能源模式。結果為，具有省能源的效果之單元，係以移行至所指定的省能源模式之方式地控制，不具有省能源的效果之單元，則控制為一般模式。藉此，不僅能夠適當地僅控制具有省能源的效果之單元而更為有效地降低消耗能源，並且可藉由將不具有省能源的效果之單元控制為一般模式，而能夠不需隨意改變PM400內的條件。能夠不需隨意改變PM400內的條件者，亦具有可縮短移行至省能源模式之單元的回復時間之相乘效果，藉此可更進一步降低能源消耗。
此外，關於是否具有省能源效果之判定，係使用各個單元於再啟動時的電力消耗量與所算出之省能源安定時間C之間的關係而進行。然而，於第9圖的上部/下部電極及側壁之加熱器溫度控制、APC之加熱器溫度控制、基座之加熱器溫度控制中，除了根據省能源移行時間A及省能源回復時間B所算出之省能源安定時間C之外，亦必須考量到資料更新時(省能源移行時間A及省能源回復時間B的更新時)的省能源設定溫度Ta，及資料更新時之回復後的製程操作參數中所設定之設定溫度Tb。例如，對於上部/下部電極及側壁之加熱器溫度控制，由於資料更新時的省能源設定溫度Ta及資料更新時的回復設定溫度Tb之間的差為20℃，因此一般係假定為，為了使回復後之處理室U內的溫度安定處於特定的設定溫度(例如為60℃)，於回復時乃須較一般的回復時間更為花費時間。因此，單元控制部260，對於進行與溫度相關的控制之單元，除了各個單元於再啟動時的電力消耗量與所算出之省能源安定時間C之外，更可考量上述設定溫度的差而判定是否具有省能源效果。
此外，於步驟1610中，於省能源模式的安定時間為「0」以下時，並不將所選擇的單元控制為所指定的省能源模式而結束移行處理，但並不限定於此，只要省能源模式的安定時間設定為預定的特定時間以下者即可。
此外，於上述各實施型態之移行處理中，係於執行自動整備處理後，判定是否省能源開始計時器285a為省能源模式移行時間Ts以上，若為經過省能源模式移行時間Ts，則執行省能源移行處理(參照第11圖、第16圖)。然而，各實施型態之移行處理並不限定於此，亦可構成為，判定是否省能源開始計時器285a為省能源模式移行時間Ts以上，若為經過省能源模式移行時間Ts，則執行自動整備處理，之後再執行省能源移行處理。
此外，於自動整備處理中，可藉由操作人員的選擇而變更其內容。因此，亦可將省能源移行處理及省能源回復處理分別設定為不同內容。因此，整備執行部275可預先計算自動整備處理的經過時間，並使用該經過時間以用於調整省能源回復時間。
於上述實施型態中，各部分的動作乃互相關聯，因此可考量此互相關聯性，做為一連串的動作予以置換。此外，藉由如此的置換，可將用以控制基板處理裝置(PM)之控制裝置的實施型態，構成為用以控制基板處理裝置之控制方法的實施型態。
此外，可藉由將上述各部分的動作與各部分的處理予以置換，而構成為程式的實施型態。此外，可藉由將程式記憶於電腦可讀取的記錄媒體中，而將程式的實施型態，構成為記錄有程式之電腦可讀取的記錄媒體的實施型態。
以上係參照附加圖式，說明本發明的較佳實施型態，但是本發明並不限定於此例子。對相關領域的該業者而言極為明確的是，於申請專利範圍所記載之範疇中，可思考出各種變更例或修正例，並且這些變更例及修正例亦屬於本發明之技術性範圍。
例如，本發明之基板處理裝置的種類並無限定，可為電容耦合型電漿處理裝置、感應耦合型電漿處理裝置、或是微波電漿處理裝置。此外，本發明之基板處理裝置可為用以處理大型的玻璃基板之裝置，亦可為用以處理一般晶圓尺寸的基板之裝置。
此外，於本發明之基板處理裝置中，並不限於成膜處理或蝕刻處理，亦可進行熱擴散處理、灰化處理、濺鍍處理等之所有的基板處理。
此外，本發明之控制裝置的功能，可藉由EC200或MC300的至少任一項而達成。
100．．．MES(Manufacturing Execution System：製造執行系統)
200．．．EC(Equipment Controller：設備控制器)
250．．．資料庫
260．．．單元控制部
260a．．．LLM(Load Lock Module：承載模組)單元控制部
260a1．．．乾式泵浦控制部
260a2．．．N2 淨化控制部
260a3．．．加熱器溫度控制部
260b．．．PM(Process Module製程模組)單元控制部
260b1．．．乾式泵浦控制部
260b2．．．N2 淨化控制部
260b3．．．加熱器溫度控制部
260b4．．．冷卻器流量控制部
260b5．．．PM電源控制部
265．．．單元選擇部
270．．．管理部
275．．．整備執行部
280．．．基板處理控制部
285a．．．省能源開始計時器
285b．．．省能源結束計時器
290．．．通訊部
第1圖係顯示本發明的各項實施型態之基板處理系統之圖式。
第2圖係顯示各項實施型態之EC(Equipment Controller：設備控制器)的硬體構成圖。
第3圖係顯示各項實施型態之PM(Process Module：製程模組)的硬體構成圖。
第4圖係顯示各項實施型態之LLM(Load Lock Module：承載模組)的縱向剖面圖。
第5圖係顯示各項實施型態之PM(成膜裝置)的縱向剖面圖。
第6圖係顯示各項實施型態之PM(PHT處理裝置)的縱向剖面圖。
第7圖係顯示各項實施型態之PM(COR處理裝置)的縱向剖面圖。
第8圖係顯示各項實施型態之EC的功能構成圖。
第9圖係以例子顯示資料庫中所記憶之資料之圖式。
第10圖係顯示於各項實施型態中所執行之省能源處理程序之流程圖。
第11圖係顯示於第1、第2實施型態中所執行之省能源移行處理程序之流程圖。
第12圖係顯示於第1、第3實施型態中所執行之省能源回復處理程序之流程圖。
第13圖係顯示用以說明第1實施型態之省能源狀態的一例之圖式。
第14圖係顯示於第2實施型態中所執行之省能源回復處理程序之流程圖。
第15圖係顯示用以說明第2、第3實施型態之省能源狀態的一例之圖式。
第16圖係顯示於第3實施型態中所執行之省能源移行處理程序之流程圖。
A．．．省能源模式移行時間
B．．．省能源模式回復時間
C．．．特定時間
Te．．．省能源模式回復時間
Ts．．．省能源模式移行時間

Claims (15)

  1. 一種基板處理裝置之控制裝置，係對於具有將被處理基板予以處理之處理室、及用以整合上述處理室內的狀態而設置之多數個單元之基板處理裝置，進行控制的控制裝置，其特徵為：具備：記憶部，將各個單元的狀態從抑制能源消耗的省能源模式回復至可進行被處理基板的處理之一般模式為止之所需時間，作為每個上述單元的回復時間而予以記憶；管理部，根據上述記憶部中所記憶之各個單元的回復時間，預估從省能源模式回復至一般模式為止之所需時間，而對每個單元求取處於省能源模式時之單元的回復開始時刻；及單元控制部，因應由上述管理部所求取之每個單元的回復開始時刻，以使處於省能源模式時的單元回復至一般模式為止之方式，各自獨立控制各個單元。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置之控制裝置，其中，上述單元控制部，係以於指定的回復結束時間為止之前結束從上述省能源模式進行的回復之方式，各自控制各個單元，以取代因應由上述管理部所求取之回復開始時刻而控制各個單元。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置之 控制裝置，其中，上述單元控制部，係於在不會影響上述處理室內的狀態之範圍內一邊抑制能源消耗一邊控制各個單元之第1省能源模式、在會影響上述處理室內的狀態之範圍內一邊抑制能源消耗一邊控制各個單元之第2省能源模式、及停止全部單元之第3省能源模式當中，以成為藉由使用者的選擇或自動選擇所指定之任一項的省能源模式之方式，各自控制各個單元。
  4. 如申請專利範圍第3項所記載之基板處理裝置之控制裝置，其中，上述單元控制部，係根據各個單元安定處於上述省能源模式的狀態之時間的長短，自動選擇第1、第2、及第3省能源模式中之任一的省能源模式。
  5. 如申請專利範圍第3項所記載之基板處理裝置之控制裝置，其中，上述記憶部，係將上述各個單元的狀態從一般模式移行至省能源模式為止之所需時間，作為每個上述單元的移行時間而予以記憶；上述管理部，係從一般模式開始移行至省能源模式之後，係從結束由省能源模式回復至一般模式為止之時間、以及上述記憶部中所記憶之移行時間及回復時間，求出各個單元安定處於上述省能源模式的狀態之時間；上述單元控制部，於上述管理部所求取之省能源模式的安定時間為特定時間以下之情況、或是判斷為無法以省能源模式的安定時間獲得各單元的省能源效果之情況的至少任一項情況下，並不將該單元控制為所指定的省能源模式，而是控制為維持一般模式。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載之基板處理裝置之控制裝置，其中，更具備，於從一般模式往省能源模式之移行開始前、以及從省能源模式往一般模式之回復結束後，自動整備上述基板處理裝置之整備執行部。
  7. 如申請專利範圍第3項所記載之基板處理裝置之控制裝置，其中，上述單元控制部，於選擇上述第1省能源模式時，係進行排氣系單元之旋轉數的控制、從氣體供應單元往排氣系單元供應之淨化氣體的供應控制、及從冷卻單元所供應之介質的流量控制之至少任一項的控制。
  8. 如申請專利範圍第7項所記載之基板處理裝置之控制裝置，其中，上述單元控制部，於選擇上述第2省能源模式時，除了於選擇上述第1省能源模式時所能夠控制之上述單元的控制之外，更進行溫度調整單元的溫度控制、從氣體供應單元往基板處理裝置內供應之淨化氣體的供應控制、及排氣系單元之旋轉停止及再啟動控制之至少任一項的控制。
  9. 如申請專利範圍第3項所記載之基板處理裝置之控制裝置，其中，上述單元控制部，於選擇上述第3省能源模式時，控制基板處理裝置之電源單元的切斷及投入。
  10. 如申請專利範圍第3項所記載之基板處理裝置之控制裝置，其中，上述控制裝置係控制多數個基板處理裝置；上述單元控制部，係以成為藉由使用者的選擇或自動選擇而以基板處理裝置單位各自被指定的省能源模式之方 式，各自對每個基板處理裝置，控制設置於每個基板處理裝置之多數個單元。
  11. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置之控制裝置，其中，上述基板處理裝置係具備，用以整合上述處理室中所連通設置之氣密室的狀態而設置之多數個單元；上述控制裝置的單元控制部，係控制被設置於上述處理室之多數個單元以及被設置於上述氣密室之多數個單元。
  12. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置之控制裝置，其中，上述基板處理裝置為真空系的基板處理裝置。
  13. 一種基板處理裝置之控制方法，係對於具有將被處理基板予以處理之處理室、及用以整合上述處理室內的狀態而設置之多數個單元之基板處理裝置，進行控制的控制方法，其特徵為：將各個單元的狀態從抑制能源消耗的省能源模式移行至可進行被處理基板的處理之一般模式為止之所需時間，作為每個上述單元的回復時間而記憶於記憶部；根據上述記憶部中所記憶之各個單元的回復時間，預估從省能源模式回復至一般模式為止之所需時間，而求取每個單元之處於省能源模式時之單元的回復開始時刻；因應上述所求取之每個單元的回復開始時刻，以使處於省能源模式時的單元回復至一般模式為止之方式，各自 獨立控制各個單元。
  14. 如申請專利範圍第13項所記載之基板處理裝置之控制方法，其中，係以於指定的回復結束時間為止之前結束從上述省能源模式進行的回復之方式，各自控制各個單元，以取代因應上述所求取之回復開始時刻而各自開始各個單元的控制。
  15. 如申請專利範圍第13項所記載之基板處理裝置之控制方法，其中，將上述各個單元的狀態從一般模式移行至省能源模式為止之所需時間，作為每個上述單元的移行時間而記憶於上述記憶部；從一般模式開始移行至省能源模式之後，係從結束由省能源模式回復至一般模式為止之時間、以及上述記憶部中所記憶之移行時間及回復時間，求取各個單元安定處於上述省能源模式的狀態之時間；於上述所求取之省能源模式的安定時間為特定時間以下之情況、或是判斷為無法以省能源模式的安定時間獲得各單元的省能源效果之情況的至少任一項情況下，並不將該單元控制為所指定的省能源模式，而是控制為維持一般模式。
TW096107875A 2006-03-08 2007-03-07 A control device for a substrate processing apparatus, and a substrate processing apparatus TWI399801B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006062666A JP5091413B2 (ja) 2006-03-08 2006-03-08 基板処理装置および基板処理装置の制御方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200802561A TW200802561A (en) 2008-01-01
TWI399801B true TWI399801B (zh) 2013-06-21

Family

ID=38588109

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096107875A TWI399801B (zh) 2006-03-08 2007-03-07 A control device for a substrate processing apparatus, and a substrate processing apparatus

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7681055B2 (zh)
JP (1) JP5091413B2 (zh)
KR (1) KR100826693B1 (zh)
CN (1) CN101034285B (zh)
TW (1) TWI399801B (zh)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5374039B2 (ja) * 2007-12-27 2013-12-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体
JP2009176982A (ja) * 2008-01-25 2009-08-06 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び基板処理方法
JP2010093125A (ja) * 2008-10-09 2010-04-22 Toray Eng Co Ltd 基板処理システムおよび基板処理方法
JP5460197B2 (ja) * 2009-09-10 2014-04-02 キヤノン株式会社 デバイス製造装置およびデバイス製造方法
JP5396357B2 (ja) * 2010-09-14 2014-01-22 株式会社アマダ レーザ加工装置及びその制御方法
DE102010048810A1 (de) 2010-10-20 2012-04-26 Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg System zur Bedienung mehrerer Plasma- und/oder Induktionserwärmungsprozesse
DE102010048809A1 (de) 2010-10-20 2012-04-26 Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Leistungsversorgungssystem für eine Plasmaanwendung und/oder eine Induktionserwärmungsanwendung
JP5921152B2 (ja) * 2010-11-10 2016-05-24 株式会社日立国際電気 表示方法、監視装置、基板処理システム及び基板処理装置並びにプログラム
GB2490487A (en) * 2011-04-27 2012-11-07 Edwards Ltd Apparatus And Method For Self-Tuning A Processing System
KR101295794B1 (ko) * 2011-05-31 2013-08-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP2013045933A (ja) * 2011-08-25 2013-03-04 Spp Technologies Co Ltd プラズマ基板処理装置、その制御プログラム、これを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
EP2729854B1 (de) * 2011-09-29 2016-11-02 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur ermittlung von komponentenparametern und vorrichtung
EP2729853A1 (de) * 2011-09-29 2014-05-14 Siemens Aktiengesellschaft Werkzeug zur unterstützung einer energieeffizienten steuerung und verfahren hierzu
WO2013077191A1 (ja) 2011-11-25 2013-05-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置群コントローラ、生産処理システム、処理装置群制御方法、生産効率化システム、生産効率化装置および生産効率化方法
JP6017134B2 (ja) 2011-12-13 2016-10-26 東京エレクトロン株式会社 生産効率化システム、生産効率化装置および生産効率化方法
CN104160346B (zh) * 2012-03-06 2017-03-29 西门子公司 用于节能地控制设备的方法和装置
JP5998010B2 (ja) * 2012-10-24 2016-09-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理システム、基板処理装置の制御方法、プログラムおよび記録媒体
JP2014135381A (ja) * 2013-01-10 2014-07-24 Sokudo Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP5689495B2 (ja) * 2013-04-15 2015-03-25 ファナック株式会社 消費電力の削減制御を行うレーザ加工装置
JP5717802B2 (ja) * 2013-07-03 2015-05-13 ファナック株式会社 機械の制御装置
GB201316911D0 (en) * 2013-09-24 2013-11-06 Alan Nuttall Ltd Energy saving food storage unit
JP6422673B2 (ja) * 2014-05-30 2018-11-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR101704403B1 (ko) * 2014-11-21 2017-02-09 멜콘 주식회사 기판 처리 시스템의 절전 구동 장치 및 방법
JP6077147B2 (ja) * 2016-01-21 2017-02-08 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 プラズマ基板処理装置、その制御プログラム、これを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US9964863B1 (en) * 2016-12-20 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Post exposure processing apparatus
KR102268279B1 (ko) * 2018-10-18 2021-06-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 이의 제어 방법 및 기억 매체

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6134482A (en) * 1997-10-15 2000-10-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method and apparatus for controlling semiconductor wafer fabrication equipment based on a remaining process time applicable to the processors
US6275740B1 (en) * 1998-04-23 2001-08-14 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US20030023340A1 (en) * 2001-07-05 2003-01-30 Toru Kitamoto Substrate processing system managing apparatus information of substrate processing apparatus
US20030046034A1 (en) * 2001-09-06 2003-03-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing system managing apparatus information of substrate processing apparatus
US6937917B2 (en) * 2002-12-19 2005-08-30 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus, operation method thereof and program

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4545252B2 (ja) * 1999-09-01 2010-09-15 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置
JP4334817B2 (ja) * 2002-05-15 2009-09-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP4295490B2 (ja) 2002-11-15 2009-07-15 東京エレクトロン株式会社 処理装置並びに処理装置用のチラー制御方法及びチラー制御装置
JP2004193401A (ja) * 2002-12-12 2004-07-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
CN100373545C (zh) * 2004-03-05 2008-03-05 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理方法及程序
JP4393976B2 (ja) * 2004-12-06 2010-01-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6134482A (en) * 1997-10-15 2000-10-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method and apparatus for controlling semiconductor wafer fabrication equipment based on a remaining process time applicable to the processors
US6275740B1 (en) * 1998-04-23 2001-08-14 Sandia Corporation Method and apparatus for monitoring plasma processing operations
US20030023340A1 (en) * 2001-07-05 2003-01-30 Toru Kitamoto Substrate processing system managing apparatus information of substrate processing apparatus
US20030046034A1 (en) * 2001-09-06 2003-03-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing system managing apparatus information of substrate processing apparatus
US6937917B2 (en) * 2002-12-19 2005-08-30 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus, operation method thereof and program

Also Published As

Publication number Publication date
US20070213864A1 (en) 2007-09-13
TW200802561A (en) 2008-01-01
CN101034285B (zh) 2010-05-26
JP2007242854A (ja) 2007-09-20
JP5091413B2 (ja) 2012-12-05
CN101034285A (zh) 2007-09-12
KR100826693B1 (ko) 2008-04-30
US7681055B2 (en) 2010-03-16
KR20070092148A (ko) 2007-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI399801B (zh) A control device for a substrate processing apparatus, and a substrate processing apparatus
TWI637440B (zh) Substrate processing system, manufacturing method of semiconductor device, program, and recording medium
CN102737945B (zh) 等离子体处理装置、等离子体处理方法
TWI453787B (zh) Substrate processing device, substrate processing condition review method
US7937189B2 (en) Method and system for controlling semiconductor manufacturing equipment
US20110178626A1 (en) Substrate transfer apparatus, substrate transfer module, substrate transfer method and computer readable storage medium
TWI496230B (zh) A substrate processing apparatus, and a substrate processing apparatus
KR101498379B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 기판 처리 장치의 제어 방법 및 기록 매체
US20150370245A1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, semiconductor device manufacturing method, and control program
JP4451076B2 (ja) 真空処理装置
JP4796574B2 (ja) 基板処理装置の制御装置および基板処理装置の制御プログラム
JP4295490B2 (ja) 処理装置並びに処理装置用のチラー制御方法及びチラー制御装置
KR100882221B1 (ko) 기판 처리 장치의 제어 장치, 기판 처리 장치의 제어 방법및 기판 처리 장치의 제어 프로그램을 기억한 기록 매체
JP2014056894A (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム
JP6244131B2 (ja) 基板処理装置及びその制御方法、並びにプログラム
JP2012174764A (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US20220199377A1 (en) Substrate processing apparatus, temperature control method of substrate processing apparatus, and program of control device for controlling substrate processing apparatus
US20220238359A1 (en) Controlling method and substrate transport module
KR20240114642A (ko) 기판 처리 장치
JP6868376B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理システム
JP2014055558A (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP2011096719A (ja) 基板処理装置
KR20070024122A (ko) 히터가 구비된 반도체 식각장치