CN101034285B - 基板处理装置的控制装置和基板处理装置的控制方法 - Google Patents

基板处理装置的控制装置和基板处理装置的控制方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种控制基板处理装置的控制装置，可以整理状态，并降低能量消耗。数据库(250)将从普通模式向节能模式(节约模式、休眠模式、冬眠模式)的转移时间A、从节能模式向普通模式的恢复时间B，预先存储到在PM(400)中设置的每个单元中。管理部(270)根据存储的各单元的节能模式转移时间A和节能恢复时间B，利用节能开始计时器(285a)、节能结束计时器(285b)，对每个单元的向节能模式的转移开始时刻、从节能模式的恢复开始时刻进行管理。单元控制部(260)分别单独进行控制，根据转移开始时刻和恢复开始时刻，使各单元从普通模式转移到节能模式，从节能模式恢复到普通模式。

Description

基板处理装置的控制装置和基板处理装置的控制方法
技术领域
本发明涉及降低基板处理装置的能量消耗、并控制被处理基板的处理的控制装置及其控制方法。
背景技术
近年来，对于地球变暖的问题，根据日本京都协议对各国提出要求减少暖化系数高的二氧化碳(CO2)等的排出量。对于日本各企业，在国际合作和竞争的同时，以立足于环境管理的观点，从战略上削减能量消耗，正在摸索以此长期减少暖化系数高的物质的排放的方法。特别是半导体工厂24小时连续运转，运转中由于总是大量使用气体和电等能量，所以，半导体制造厂家为了通过将工厂内产生的热能再利用成其他的能量以有效地利用能量而进行过各种尝试。其中之一，是在工厂内使蒸汽吸收式冷冻机运转，将以此蒸汽吸收式冷冻机为主，通过适当运转涡轮冷冻机、燃烧LPG吸收式冷冻机、燃烧煤油吸收式冷冻机，在工厂内的空调热源中利用回收的排放热量，这样维持管理净室，并构建使整个半导体工厂总是高效率运转的系统。
所提出的方法是不仅削减这样的工厂整体的能量消耗，而且在工厂内的半导体制造设备中，也选择以降低能量消耗为目的的设备，控制这些设备，削减能量消耗(例如参照专利文献1)。
在专利文献1中，作为控制设置在基板处理装置上的多个单元的模式，而设置有普通模式和节能模式。其中，若选择节能模式，则为了处理被处理基板，而在仅起动最小限度需要的单元的状态下，对被处理基板进行处理，而且，若有必要提高处理效率，则在启动追加单元地状态下，对被处理基板进行处理。此外，在待机时，可以仅起动最小限度的单元，停止其他的单元、或停止全部单元。这样，在对被处理基板进行处理时，保持一定程度的生产能力，同时可以降低基板处理装置中消耗的能量。
专利文献1：日本特开2004-200485号公报
但是，上述技术是为了节能再重新起动各单元时瞬间恢复处理室内的状态的装置(例如大气类的基板处理装置)而提出的，其没有考虑控制从节能模式恢复到普通模式需要一定时间的基板处理装置(例如真空类的基板处理装置)。因此，在主要仅控制各单元停止或重新起动的现有技术中，在从节能模式恢复到普通模式时，不能精确地调整处理室内的状态。
实际上，为了对被处理基板进行高精度处理，当从节能模式恢复到普通模式时，用于使处理室内的状态保持为稳定状态是非常重要的，为了这样控制，实现节能、并用于实时整理处理室内的状态的历史积累数据以及执行各控制的时间管理是不可缺少的。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种能够一边整理处理室内的状态，降低能量消耗，一边控制基板处理装置的控制装置和控制方法。
即，为了解决上述课题，按照本发明的一种观点，提供一种基板处理装置的控制装置，是控制具有对被处理基板进行处理的处理室以及为了整理所述处理室内的状态而设置的多个单元的基板处理装置的控制装置，其特征在于，包括：存储部，将为了使上述各单元的状态从抑制能量消耗的节能模式恢复到能够进行被处理基板处理的普通模式所需要的时间作为恢复时间，存储到每个上述单元中；管理部，根据存储到上述存储部中的各单元的恢复时间，预计为了从节能模式恢复到普通模式所需要的时间，在每个单元求出在处于节能模式的单元开始恢复的时刻；以及单元控制部，分别独立控制各单元，根据由上述管理部求出的每个单元的恢复开始时刻，使处于节能模式的单元恢复到普通模式。
真空类的基板处理装置使用高频电力，通过使气体电离和离解，而产生等离子体，用此等离子体对被处理基板进行等离子体处理，在真空类的基板处理装置中，通过高精度地控制等离子体中的电子、离子、原子团的动作，可以在被处理基板上实施希望的处理。而要高精度地控制等离子体中的电子、离子、原子团的动作，对从节能模式恢复到普通模式时的时间管理和恢复结束时的处理室内的状态是非常重要的。
考虑到这一点，在本发明中预先将为了实现节能并实时整理处理室内的状态的历史积累的数据存储到存储部中，再用各种计时器进行精密的时间管理。这样，降低了空转时无用消耗的能量，并可以精确地调整恢复后的处理室内的状态。
因此，即使是从节能模式恢复到普通模式需要一定时间，而且为了使处理室内的状态稳定需要很多经验技术的真空类的基板处理装置，也可以实现节能并精确控制恢复后的处理室内的状态。
通过这样，利用对处理室内的状态精确的时间管理进行控制，在本发明的基板处理系统中，也可以应对对基板处理装置有一定程度影响的节能模式。
即，上述单元控制部分别控制各单元，使得通过用户的选择或者自动选择，从在对上述处理室内的状态没有影响范围内抑制能量消耗来控制各单元的第一节能模式、在对上述处理室内的状态有影响范围内抑制能量消耗来控制各单元的第二节能模式、以及停止全部单元的第三节能模式中，指定任一种节能模式。
上述单元控制部也可以采用分别控制各单元，使直到指定的恢复结束时间，完成从上述节能模式的恢复，来替代根据由上述管理部求出的恢复开始时刻控制各单元。
这样，不仅对实际的节能时间，而且对从节能模式的恢复时间进行管理，分别进行控制，使各单元尽可能长地保持节能状态。这样，可以精确地调整恢复后的处理室内的状态，并非常有效地降低各单元的能量消耗。
上述单元控制部也可以是各单元以稳定在上述节能模式的状态的时间长短为基础，从第一、第二和第三节能模式中，自动选择任一种节能模式。
具体地说，例如存储部以各单元稳定在上述节能模式的状态的时间长短为基础，将各单元分类成节约模式(第一节能模式)、休眠模式(第二节能模式)和冬眠模式(第三节能模式)，预先记录此分类的信息，单元选择部也可以自动选择被指定的所属节能模式的单元。
上述存储部也可以将上述各单元的状态从普通模式转移到节能模式所需要的时间作为转移时间，而存储到上述每个单元中，上述管理部根据从普通模式开始向节能模式转移后、到从节能模式向普通模式的恢复完成的时间、以及存储到上述存储部中的转移时间和恢复时间，求出各单元稳定在节能模式状态的时间，上述单元控制部判断是由上述管理部求出的节能模式的稳定时间小于规定时间的情况、或者是通过节能模式的稳定时间不能得到各单元的节能效果的情况中的至少一种的情况下，也可以不是将该单元控制成指定的节能模式而是控制成保持普通模式的状态。
这样，有节能效果的单元被控制成转移到指定的节能模式，没有节能效果的单元被控制成保持普通模式。这样做，仅对有节能效果的单元进行适当控制，没有节能效果的单元控制成保持普通模式的状态，可以更有效地降低能量消耗，并且可以不使处理室内的状态过分变动。不使处理室内的状态过分变动还具有缩短转移到节能模式的单元的恢复时间的叠加的效果，这样，可以进一步降低能量消耗。
此外，也可以包括准备执行部，从普通模式向节能模式转移开始前和从节能模式向普通模式恢复完成后，自动准备上述基板处理装置。
由此，自动清理基板处理装置内，自动执行基板处理装置的动作验证等的准备。这样由于基板处理装置内的状态很少变得凌乱，因此，可以使各单元更顺利地转移到节能模式，更顺利地从节能模式恢复。
其中，在已选择上述第一节能模式的情况下，上述单元控制部也可以至少进行排气系统单元的转数控制、从供气单元排气系统单元提供的净化气体的供给控制、从冷却单元提供的媒体介质的流量控制中的某种控制。
由此，仅将节能转移时间和节能恢复时间比较短的单元成为节能的控制对象。其结果，可以在不影响处理室内的状态的范围内，抑制能量的消耗，来控制各单元。
另一方面，在已选择上述第二节能模式的情况下，上述单元控制部除了在已选择上述第一节能模式的情况可以控制的上述单元的控制之外，还可以至少进行温度调整单元的温度控制、从供气单元向基板处理装置内提供净化气体的供给控制、排气系统单元的停止转动和再起动的控制中的某种控制。
由此，与已选择上述第一节能模式的情况相比，节能转移时间和节能恢复时间比较长的单元也成为节能的控制对象。其结果，即使对处理室内的状态有影响，也可以抑制更多的能量消耗，来控制各单元。
此外，在已选择上述第三节能模式的情况下，上述单元控制部也可以控制切断或导通基板处理装置的电源单元。由此，通过切断基板处理装置的电源，对于现在即使长期不运转的基板处理装置为了保持空转状态而消耗的能量，也可以不用消耗其而将其保存起来。
上述控制装置控制多个基板处理装置，上述单元控制部也可以分别控制每个基板处理装置，通过用户选择或自动选择，以基板处理装置为单位，分别指定节能模式。因此，可以将多个基板处理装置控制成不同级别的节能模式。
上述基板处理装置具有用于整理连接在上述处理室的气密室的状态而设置的多个单元，上述控制装置的单元控制部可以控制设置在上述处理室的多个单元的同时控制设置在上述气密室上的多个单元。
由此，在控制设置在基板处理装置的处理室上的多个单元的同时，也控制连接设置于处理室的气密室(例如关闭负载锁定室)上所设置的多个单元。这样，也可以减少气密室中无用的能量消耗。
此外，为了解决上述课题，按照本发明另一观点，提供一种控制基板处理装置的控制方法，其中，上述基板处理装置包括对被处理基板进行处理的处理室、以及为了整理上述处理室内的状态而设置的多个单元，该控制基板处理装置的控制方法的特征在于：将为了使各单元的状态从抑制能量消耗的节能模式转移到能够进行被处理基板的处理的普通模式所需要的时间作为恢复时间，按上述每个单元存储到存储部中，根据存储到上述存储部中的各单元的恢复时间，预计为了从节能模式恢复到普通模式所需要的时间，按每个单元求出处于节能模式的单元开始恢复的时间，根据上述求出的每个单元的恢复开始时间，使处于节能模式的单元恢复到普通模式，分别对各单元进行独立控制。
由此，预先将为了实现节能并实时整理处理室内的状态的历史积累的数据存储到存储部中，再用各种计时器进行精密的时间管理。这样，降低了空转时无用消耗的能量，并可以精确地调整恢复后的处理室内的状态。
此外，也可以采用分别控制各单元，使直到指定的恢复结束时间，完成从上述节能模式的恢复，来替代上述求出的恢复开始时间，分别开始各单元的控制。
此外，将为了使上述各单元的状态从普通模式转移到节能模式所需要的时间作为转移时间，而按上述每个单元存储到上述存储部中，根据从普通模式转移到节能模式开始后、到从节能模式向普通模式的恢复完成的时间、以及存储到上述存储部中的转移时间和恢复时间，求出各单元稳定在节能模式的状态的时间，在判断上述求出的节能模式的稳定时间在规定时间以下的情况、或者是在节能模式的稳定时间不能得到各单元的节能效果的情况中的一种情况下，也可以不是将该单元控制成指定的节能模式，而是控制成保持普通模式的状态。
如上所述，按照本发明的基板处理装置的控制装置及其控制方法，能够整理处理室内的状态，并减少能量消耗。
附图说明
图1是表示本发明的各实施方式的基板处理系统的图。
图2是各实施方式的EC的硬件构成图。
图3是各实施方式的PM的硬件构成图。
图4是各实施方式的LLM的纵截面图。
图5是各实施方式的PM(成膜装置)的纵截面图。
图6是各实施方式的PM(PHT处理装置)的纵截面图。
图7是各实施方式的PM(COR处理装置)的纵截面图。
图8是各实施方式的EC功能构成图。
图9是举例表示在数据库中存储的数据的图。
图10是表示各实施方式中执行的节能处理流程的流程图。
图11是表示在第一、第二实施方式中执行的节能转移处理流程的流程图。
图12是表示在第一、第三实施方式中执行的节能恢复处理流程的流程图。
图13是说明第一实施方式的节能状态的一个例子的图。
图14是表示在第二实施方式中执行的节能恢复处理流程的流程图。
图15是说明第二、第三实施方式的节能状态的一个例子的图。
图16是表示在第三实施方式中执行的节能转移处理流程的流程图。
标号说明
100：MES；200：EC；250：数据库；260：单元控制部；260a：LLM单元控制部；260a1：干式真空泵控制部；260a2：N2净化控制部：260a3加热器温度控制部；260b：PM单元控制部；260b1干式真空泵控制部；260b2：N2净化控制部；260b3加热器温度控制部；260b4冷机流量控制部；260b5：PM电源控制部；265：单元选择部；270：管理部；275：准备执行部；280：基板处理控制部；285a  节能开始计时器；285b：节能结束计时器；290：通信部。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的优选实施方式进行详细说明。此外，在下面的说明和附图中，对具有相同构成和功能的构成要素，标注相同的符号，并省略重复的说明。
(第一实施方式)
首先，参照图1，对使用本发明第一实施方式的控制装置的基板处理系统进行说明。此外，在本实施方式中，作为使用本系统进行处理的一个例子，以成膜处理和蚀刻处理为例进行说明。
(基板处理系统)
首先，参照图1，对基板处理系统的整体构成进行说明。
基板处理系统10包括：MES(Manufacturing Execution System：制造实施系统)100、EC(Equipment Controller：器件控制器)200、交换式集线器(Switching Hub)650、n个MC(Module Controller：模块控制器)300a～300n，DIST(Distribution：分配系统)板750和PM(Process Module：加工模块)400a～400n。
MES100由PC(个人计算机)等的信息处理装置构成，用于管理设置有多个PM400的工厂整个制造过程，并且向图中没有表示的主干系统发送和接收必要的信息。MES100通过LAN(局域网)等网络600而与EC200连接。
EC200通过控制利用交换式集线器650而连接的多个MC300，来统一控制在多个PM400中实行的工序。具体地说，EC200以表示处理对象的晶片W的处理方法的方案为基础，在任意时刻向各MC300发送控制信号。交换式集线器650将从EC200发送的控制信号的发送目的地，切换到MC300a～MC300n中的某一个。各MC300根据发送来的控制信号进行控制，对送入PM内的晶片W进行希望的处理。其中，EC200具有作为主机侧的设备的功能，MC300具有作为从属侧的设备的功能。此外，EC200具有在没有实施工序的空转时，将PM400的状态从普通模式控制成节能模式的功能，对此在后面进行叙述。
MC300利用DIST板750通过GHOST(general high-speed optimumscalable transceiver：通用高速最佳可缩放收发器)(克隆)网络700而分别连接在各PM400所具有的多个I/O接口(400a1～400a3、400b1～400b3、…、400n1～400n3)上。GHOST网络700是通过安装在MC300的MC盘上的LSI(称为GHOST)进行控制的网络。其中，MC300具有作为主机侧的设备的功能，I/O接口具有作为从属侧的设备的功能。MC300将对应于从EC200发送的控制信号的执行器驱动信号，发送到任一个I/O接口。
I/O接口通过将从MC300发送的执行器驱动信号传递到设置在各PM400上的该单元，按照从EC200的指令，驱动各单元，并且将从该单元输出的信号传递到MC300。
下面，参照图2、图3，分别对EC200和PM400的硬件构成进行说明。此外，关于MES 100和MC300的硬件构成，在图中没有表示，但与EC200是相同的构成。
(EC的硬件构成)
如图2所示，EC200具有ROM205、RAM210、CPU215、母线220、内部接口(内部I/F)225和外部接口(外部I/F)230。
在ROM205中存储有由EC200实施的基本程序和异常时起动的程序等。在RAM210中存放有各种程序和数据。ROM205和RAM210是存储装置的一个例子，也可以是EEPROM、光盘、光磁盘、硬盘等的存储装置。
CPU215将PM400控制成普通模式或者节能模式，并且控制成膜处理或者蚀刻处理。母线220是在各设备之间传递信息的路径。
内部接口225通过操作员的操作而从键盘705或者触摸面板710输入必要的参数(数据)，并且将必要的信息向监视器715和扬声器720输出。外部接口230与MES100或MC300进行发送和接收数据。
(PM的硬件构成)
如图3所示，PM400(相当于基板处理装置)包括将晶片W送入取出的输送系统H、以及对晶片W进行成膜处理或者蚀刻处理的处理系统S。输送系统H和处理系统S通过负载锁定室405(LLM(负载锁定模块)405a、405b)而连接。
输送系统H包括盒台410和输送台420。在盒台410中设置有容器载置台410a，在容器载置台410a上放置有三个盒状容器410b1～410b3。各盒状容器410b分多层最多可以装入例如25块晶片W。
在输送台420上，在其中心设置有沿输送方向延伸的导轨420a。在导轨420a上支撑有两根输送晶片W的输送臂420b1、420b2，其通过磁驱动而在导轨420a上滑动。输送臂420b1、420b2分别具有可伸缩和旋转的多铰链状的输送臂主体420b11、420b21、以及安装在输送臂主体420b前端的叉状物420b12、420b22，在叉状物420b12、420b22上支撑有晶片W。
在输送台420的一端，设置有定位机构420c，以用来进行晶片W的定位。定位机构420c在放置有晶片W的状态下使旋转台420c1旋转，通过光学传感器420c2检测晶片W的周边部位的状态，使晶片W定位。
在LLM405a、405b中，在其内部分别设置有放置晶片W的载物台405a1、405b1，并且在其两端分别设置有闸阀405a2、405a3、405b2、405b3，可以气密地打开或关闭。采用这样的构成，使得输送系统能够在盒状容器410b1～410b3和负载锁定室405a、405b以及定位机构420c之间进行输送。
另一方面，在处理系统S中设置有移载室430和四个过程模块PM1～PM4。移载室430通过对于气体密封可以打开或关闭的闸阀440a～440d，而分别与PM1～PM4连接。在移载室430中设置有可伸缩和旋转的臂430a。
在PM1～PM4中设置有放置晶片的接受器450a～450d。采用这样的构成，处理系统使用臂430a将晶片W从LLM405经过移载室430而送入到PM1～PM4，在放置于各接受器450上的状态下进行成膜处理后，再经过移载室430，向LLM405送出。此外，在PM1～PM4中分别设置有使PM1～PM4的电源导通或者断开的开关。
下面，参照图4示意地表示的LLM的纵截面图，对LLM405的内部构成和功能进行说明。
(LLM的内部构成和功能)
图4所示的LLM405a具有大体为圆筒状的室CL，其目的是使移载室430和PM1～PM4不向大气敞开而构成气密状态，在室CL上具有可以打开或者关闭的闸阀405a2、405a3，用于将放置晶片W的台405a1和晶片W送入以及取出。在台405a1上，在其内部埋入设置有加热器405a11。在室CL外部，交流电源505连接在加热器405a11上，利用从交流电源505提供的交流电压，而使晶片W保持在规定的温度。
在LLM405a的底部设置有干式真空泵510。交流电源505连接在干式真空泵510上，并且通过气体管道515而连接N2气供给源520。利用图中没有表示的变换器适当地改变交流电源505的频率，通过驱动电动机510a，控制干式真空泵510的转速(转数)或者停止转动、以及重新起动。此外，N2气供给源520通过利用阀522的打开或者关闭和质量流量控制器524的流量控制，适当地将净化气体提供给干式真空泵510。这样，干式真空泵510实现耐蚀对策，并将LLM405a内减压到所希望的程度。
(PM的内部构成和功能：成膜处理)
下面，参照图5示意地表示的PM的纵截面图，对实施成膜处理的情况下的PM的内部构成和功能进行说明。
PM具有构成为气密状态的大体为圆筒状的室CP，如前所述，在室CP的内部设置有放置晶片W的接受器450。在室CP内形成有处理晶片W的处理室U。接受器450由圆筒状的支撑构件451所支撑。在接受器450上设置有导向环452，通过其外缘部位引导晶片W，并使等离子体会聚，在其内部埋入设置有台加热器454。
在室CP中，作为排气机构设置有APC(自动压力调整器：AutomaticPressure Control)530、TMP(涡轮分子泵)535和干式真空泵540，利用这些排气机构将室CP内减压到规定的真空度。
在APC530的内部埋入设置有APC的加热器530a。在室CP的外部，交流电源525连接在设置于台上的加热器454、APC的加热器530a、TMP535和干式真空泵540上。这些加热器454、530a利用从交流电源525输出的交流电压，分别使晶片W和APC540内保持在规定的温度。此外，利用图中没有表示的变换器适当地改变交流电源525的频率，通过分别驱动各电动机535a、540a，将TMP535和干式真空泵540控制成所希望的旋转速度(转数)，并且控制停止转动或者重新起动。
在室CP的顶壁部458a上，通过绝缘构件459而设置有喷头460。此喷头460由上层块体460a、中层块体460b和下层块体460c构成。在各块体460上形成的双系统的气体通路(气体通路460a1和气体通路460a2)分别连通交替地在下层块体460c上形成的喷射孔460c1和喷射孔460c2。
供气机构470由供气源470a～470e、多个阀472和多个质量流量控制器474构成。各阀472通过控制其打开或者关闭，而从各供气源有选择地将气体提供到室CP内。此外，各质量流量控制器474通过控制气体的流量，来调整气体到所希望的浓度。
在供气源中，将N2供气源470a、TiCl4供气源470b和Ar供气源470c通过气体管道465a与喷头460连接，H2供气源470d和N2供气源470e通过气体管道465b与喷头460连接。此外，N2供气源470e通过气体管道465c与TMP535、干式真空泵540连接。N2供气源470a、470e将净化气体提供给室CP内和各泵，TiCl4供气源470b和Ar供气源470c、H2供气源470d将用于形成Ti膜的处理气体的TiCl4气体、激发等离子体气体的Ar气体、还原气体的H2气体提供到室CP内。此外，N2供气源470e通过控制阀476、478的打开或者关闭，而适当地将净化气体分别提供给TMP535、干式真空泵540。这样，TMP535、干式真空泵540实现耐蚀的对策，并将CP内减压到规定的真空度。
高频电源545通过匹配器490连接在喷头460上。另一方面，在接受器450中埋入设置有电极494，以作为喷头460的面对的电极。高频电源550通过匹配器496而连接在电极494上，通过从高频电源550向电极494提供高频电力而产生偏压。
采用这样的构成，利用从高频电源545提供给喷头460的高频电力，从供气机构470通过喷头460提供到室CP的气体被等离子体化，利用此等离子体在晶片W上形成Ti膜。
(PM的内部构成和功能：蚀刻处理)
下面，参照图6、图7示意地表示的PM的纵截面图，对已实施蚀刻处理的晶片W，进行COR(清除化学氧化物)处理和PHT(后加热处理)处理情况下的PM的内部构成和功能进行说明。COR处理是将晶片W进行蚀刻处理后，使附着在蚀刻的凹陷部位的内面上的自然氧化膜(SiO2膜)和处理气体的气体分子进行化学反应，生成反应产物的处理，PHT处理是对COR处理后的晶片W加热，表示COR处理。
图6是示意地表示对晶片W实施PHT处理的PM(PHT处理装置)的纵截面图，图7是示意表示邻接PM(PHT处理装置)设置，对晶片W实施COR处理的PM(COR处理装置)的纵截面图。
PHT处理装置具有气密的室CP，其内部为对放置在接受器450上的晶片W进行处理的处理室U。在室CP中设置有排气泵560(例如干式真空泵)，适当地改变交流电源525的频率，通过驱动电动机560a，控制排气泵560的转动速度(转数)、停止转动、以及重新起动。此外，N2供气源470a通过气体管道465而连接在PHT处理装置上，通过控制阀472、478的打开或关闭，适当地将净化气体分别提供给室CP和排气泵560。这样，排气泵560实现耐蚀的对策，并将CP内减压到规定的真空度。
图7的COR处理装置也一样，具有气密的室CP，其内部为对放置在接受器450上的晶片W进行处理的处理室U。在室CP中设置有排气机构(APC530、TMP535、干式真空泵540)，使用交流电源525的交流电压，通过以规定的频率驱动电动机535a、540a，控制各泵的转动速度(转数)、停止转动、以及重新起动。这样，排气泵560将CP内减压到规定的真空度。
喷头460通过气体管道465d～465g而连接在N2供气源470a、NH3供气源470f、Ar供气源470c和HF供气源470g上，通过阀472、MFC474控制的所希望流量的气体从设置在喷头460上的多个喷射孔460c，有选择地提供到室CP内，并且将从N2供气源470a适当地提供的净化气体，通过图中没有表示的气体管道，分别提供给TMP535、干式真空泵540。
在接受器450的内部设置有温度调节器455。冷却供给源570经过管路570a而连接在温度调节器455上。通过与从冷却供给源570供给的、在管路570a中循环的调整温度用的液体(例如水)进行热交换，来调节接受器450的温度，其结果，将晶片W保持在所希望的温度。
在室CP的侧壁和喷头(上部电极)460上分别设置有加热器580a、580b、580c。交流电源252连接在加热器580a～580c和APC530内的加热器530a上，利用从交流电源525提供的交流电压，分别使喷头460、室CP侧壁和APC530保持在所希望的温度。
(EC的功能构成)
下面，参照以框图表示各功能的图8，对EC200的各功能进行说明。EC200具有以框图表示的数据库250、输入部255、单元控制部260、单元选择部265、管理部270、准备执行部275、基板处理控制部280、节能开始计时器285a、节能结束计时器285b、通信部290和输出部295的各功能。
如图9所示，在数据库250(相当于存储部)中将根据历史累积的数据计算出来的各单元的节能转移时间A和节能恢复时间B存储在每个单元中。具体地说，节能转移时间A和节能恢复时间B可以是前一批的实际时间，也可以是到上批为止的实际时间的平均值。此外，考虑到节能转移时间A和节能恢复时间B因各单元和工序条件不同而不同，此次的节能转移时间A和节能恢复时间B也可以利用存储在数据库250中的节能转移时间A和节能恢复时间B进行计算。
节能转移时间A是用于各单元从可以处理晶片W的普通模式转移到可以抑制能量消耗的节能模式所需要的时间。节能恢复时间B是用于各单元从节能模式恢复到普通模式所需要的时间。
在数据库250的温度控制单元中，存储有更新节能转移时间A和节能恢复时间B的数据时设定的节能设定温度Ta、以及恢复后使用的方案设定的温度(恢复设定温度Tb)。例如设置在PM400的上部和下部电极以及侧壁上的加热器温度的节能设定温度Ta为40℃，恢复设定温度Tb为60℃。
输入部255输入例如由操作员从参数选择画面选择的有关节能对象的单元的信息，或者有关节能模式的级别的信息。作为节能模式的级别有节约模式(第一节能模式)、休眠模式(第二节能模式)和冬眠模式(第三节能模式)。节能模式可以逐个指定每个PM各不相同的模式。
节约模式是在对处理室U内没有影响的范围内抑制能量消耗，来控制各单元的模式。作为适合节约模式的单元，可以列举出的是从此批结束时到下批开始处理时的时间较短、并且恢复也只需较短时间的单元。具体地说，在图9所示的单元中，节能转移时间A和节能恢复时间B最多达到4、5秒的单元是适合节约模式的单元。
休眠模式是在也可以对处理室U内有影响的范围内抑制能量消耗，来控制各单元的模式。作为适合休眠模式的单元，可以列举出的是从此批结束时到下批开始处理时的时间例如比节约模式长、并且恢复也比节约模式需要时间长的单元。具体地说，节能转移时间A和节能恢复时间B为10分钟～20分钟左右的温度控制单元、控制向PM和LLM的处理室U提供N2净化气体的单元、控制干式真空泵的停止和再起动的单元是适合休眠模式的单元。
温度控制单元适合休眠模式的单元是因为，认为由于设定加热器温度控制后，到处理室U内稳定在此温度需要某种程度的时间，对处理室U内的状态有影响。此外，N2净化气体提供控制单元适合休眠模式的单元是因为，认为在向处理室U供给净化气体N2后到处理室U内的压力调整到所希望的压力为止需要某种程度的时间，对处理室U内的状态有影响。同样，控制干式真空泵的停止和再起动的单元适合休眠模式的单元是因为，认为在干式真空泵停止和此后再起动的情况下，处理室U内的压力调整到所希望的压力需要某种程度的时间，对处理室U内的状态有影响。
冬眠模式是暂时停止系统运转、或者清洗PM等的维护的情况等，到下批开始之前的时间长的情况下，控制各单元的模式。作为适合冬眠模式的单元，是从此批结束到下批开始处理时的时间例如为数十分钟到数小时以上，比休眠模式长的单元，具体地说，可以列举出控制PM电源的切断和导通的PM电源单元。
单元控制部260其构成为包括LLM单元控制部260a和PM单元控制部260b。LLM单元控制部260a具有干式真空泵控制部260a1、N2净化控制部260a2和加热器温度控制部260a3。PM单元控制部260b具有干式真空泵控制部260b1、N2净化控制部260b2、加热器温度控制部260b3、冷机流量控制部260b4和PM电源控制部260b5。
其中，所谓单元是指：利用各单元控制部260发送的、通过图1的各I/O接口，按照从MC300发送的执行器驱动信号，分别独立动作的单位部分。也就是说，单元控制部260分别独立地将对象单元控制成规定的时间。
如图9所示，PM和LLM的干式真空泵、TMP是排气系统单元。此外，N2气供给源是供气单元。冷却供给源570是冷却单元。室CP的侧壁和喷头(上部电极)460的加热器580a、580b、580c、APC的加热器530a、接受器的加热器454是温度控制单元。设置在每个PM上的电源SW500是PM的电源单元。
例如，对应于从干式真空泵控制部260a1发送的控制信号的执行器驱动信号一旦通过I/O接口，传递到图4的交流电源505，则按照此执行器驱动信号，从交流电源505输出所希望的交流电压，这样，控制电动机510a的图中没有表示的转子的转数。这样做，干式真空泵控制部260a1控制干式真空泵510的转数、停止转动和重新起动。
此外，对应于从N2净化控制部260a2发送的控制信号的执行器驱动信号一旦通过I/O接口，传递到阀522，则按照此执行器驱动信号，打开阀522，这样，从N2气供给源520向干式真空泵510提供N2净化气体。这样做，N2净化控制部260a2控制向干式真空泵510提供的N2净化气体。
此外，对应于从加热器温度控制部260a3发送的控制信号的执行器驱动信号一旦通过I/O接口，传递到交流电源505，则按照此执行器驱动信号，从交流电源505输出所希望的交流电压，这样，控制埋入接受器405a1中的加热器405a11的温度。由此，加热器温度控制部260a3控制加热器405a11的温度。
此外，对应于从干式真空泵控制部260b1发送的控制信号的执行器驱动信号一旦通过I/O接口，传递到图5的交流电源525，则按照此执行器驱动信号，从交流电源525输出所希望的交流电压，这样，控制干式真空泵540(包括氢气防爆规格的干式真空泵)的电动机540a的图中没有表示的转子的转数。由此，干式真空泵控制部260b1控制干式真空泵540的转数、停止转动和重新起动。
此外，氢气防爆规格的干式真空泵是为了避免因可燃物质的氢气泄漏引起爆炸的危险而设置的，将氢气向处理室U内提供时驱动。此氢气防爆规格的干式真空泵可以与干式真空泵540分别设置，也可以是同一个装置。
此外，对应于从N2净化控制部260b2发送的控制信号的执行器驱动信号一旦通过I/O接口，传递到至少阀476或阀478中的某一个，则按照此执行器驱动信号，打开阀476、阀478，这样，从N2气供给源470e向TMP535或干式真空泵540提供N2净化气体。因此，N2净化控制部260b2控制向TMP535或干式真空泵540提供的N2净化气体。
此外，对应于从加热器温度控制部260b3发送的控制信号的执行器驱动信号一旦通过I/O接口，传递到图5或图7的交流电源525，则按照此执行器驱动信号，从交流电源525输出所希望的交流电压，这样，分别控制设置在图7的侧壁和喷头460(上部电极)上的加热器580a、580b、580c、图5的设置在接受器450(下部电极)上的加热器454和设置在APC530上的加热器530a的温度。由此，加热器温度控制部260b3控制各加热器的温度。
此外，对应于从冷机流量控制部260b4发送的控制信号的执行器驱动信号一旦通过I/O接口，传递到图7的冷却供给源570，则按照此执行器驱动信号，从冷却供给源570提供的规定量的媒体介质就在管路570a中循环，这样，控制设置在接受器450内部的温度调节器455的温度和上部电极的温度。由此，冷机流量控制部260b4控制温度调节器455的温度和上部电极的温度。
此外，对应于从PM电源控制部260b5发送的控制信号的执行器驱动信号一旦通过I/O接口，传递到图3的设置在每个PM上的电源SW500，则按照此执行器驱动信号，使电源SW500导通或断开，这样，导通或断开各PM(PM1～4)的主电源。由此，PM电源控制部260b5控制电源SW500。
单元选择部265指示单元控制部260，控制指定的单元为指定的节能模式。例如，当输入部255根据操作员的操作而输入通过节约模式来控制冷却供给源570的冷机流量的信息的情况下，单元选择部265选择冷机流量控制部260b4，并指示单元控制部260，控制成节能模式。此外，单元选择部265也可以代替根据操作员(用户)的指示选择某一个单元控制而是自动地选择单元，并指示单元控制部260，将选择的单元控制成指定的节能模式。
这种情况下，例如，各单元根据稳定在上述节能模式的状态的时间长短，分类成属于节约模式(第一节能模式)、休眠模式(第二节能模式)和冬眠模式(第三节能模式)的某种模式，预先将此分类的信息记录在数据库250中，单元选择部265也可以自动选择从此分类信息指定的所属节能模式的单元。
例如，在已选择节约模式的情况下，根据存储在数据库250中的分类信息，单元控制部260也可以至少控制排气单元的转数控制、从供气单元向排气系统单元提供的净化气体的供给控制、从冷却单元提供的媒体介质的流量控制中的某一个。
此外，在选择休眠模式的情况下，根据存储在数据库250中的分类信息，单元控制部260除了在已选择节约模式的情况下可以控制的单元的控制以外，还可以至少控制温度调整单元的温度控制、从供气单元向基板处理装置内提供的净化气体的供给控制、排气系统的停止转动和重新起动的控制中的任一个。
此外，在已选择冬眠模式的情况下，根据存储在数据库250中的分类信息，单元控制部260也可以控制该PM的电源单元的切断和导通。
节能开始计时器285a统计从节能处理开始时(现在时刻)到开始向节能模式转移的时间(节能模式转移时间Ts)。因此，在节能模式转移时间Ts设定为“0”的情况下，此时为向节能模式转移。
节能结束计时器285b统计从向节能模式转移到开始从节能模式的恢复的时间(节能模式恢复时间Te)，也就是，统计实施节能的时间。
管理部270根据存储到数据库250中的节能转移时间A和节能恢复时间B，利用节能开始计时器285a，对由单元选择部265选择的单元控制部260开始从普通模式转移到节能模式的时刻进行管理，并且利用节能结束计时器285b，对开始从节能模式恢复到普通模式的时刻进行管理。
准备执行部275在开始从普通模式转移到节能模式前和完成从节能模式向普通模式的恢复后，自动进行PM内的动作验证等的准备处理。在此准备处理中，为了向节能模式转移也包括准备处理。基板处理控制部280按照工序的方案，进行用于对送入PM内的晶片W实施成膜处理或蚀刻处理的控制。
通信部290一旦接受来自单元控制部260的指令，则与此相对应，将用于使选择的单元转移到节能模式的控制信号，发送到MC300，再将用于从节能模式恢复的控制信号发送的MC300。由此，PM和LLM成为由管理部270管理的规定的时间、抑制能量消耗的状态。
此外，通信部290一旦接受来自准备执行部275的指令，则与此相对应，将用于执行PM内的准备的控制信号，发送到MC300。这样，例如在用手动清理PM、LLM内后、在对PM、LLM内的状态也可以有影响的范围内，在将各单元控制成节能模式后，也按照将一系列处理程序化的方案，自动进行PM内的各单元的动作验证或由标准样品的工序验证，其结果，自动调整PM内的状态。
此外，通信部290一旦接受来自基板处理控制部280的指令，则与此相对应，将用于控制PM400的控制信号，发送到MC300。这样，在PM400内，晶片W按照工序的方案进行基板处理。输出部295在各处理中产生不适宜的情况时，采用将此不适宜的情况在监视器715上显示等，向操作员发出警告，输出必要的信息。
此外，以上说明的EC200的各功能实际上通过CPU215执行记录有实现这些功能的处理顺序的程序，或通过控制用于实现各功能的图中没有表示的IC等来实现。例如，在本实施方式中，单元选择部265、管理部270、准备执行部275、基板处理控制部280的各功能，通过CPU215执行记录有实现这些功能的处理顺序的程序和方案来实现。
(EC的动作)
下面，参照图10～图12对EC200的动作进行说明。图10是表示EC200执行的节能处理(主流程)的流程图。图11是表示从图10的主流程调出的节能模式转移处理(节约模式转移处理、休眠模式转移处理、冬眠模式转移处理)的流程图。图12是表示从图10的主流程调出的节能模式恢复处理(节约模式恢复处理、休眠模式恢复处理、冬眠模式恢复处理)的流程图。
此外，开始节能处理前，预先设定从节能处理开始时(现在时刻)到开始向节能模式转移的时间Ts、以及从节能模式到开始从节能模式的恢复的时间Te。此外，节能模式被指定成节约模式为“1”、休眠模式为“2”、冬眠模式为“3”。
(节能处理)
操作员一旦使节能按钮为“ON”(或批量处理结束后自动进行)，则从图10的步骤1000开始节能处理，进入到步骤1005，管理部270使节能开始计时器285a设定为“0”。
然后，进入步骤1010，管理部270判断被指定的节能模式是“1”～“3”中的哪一个，在节能模式是“1”的情况下，进入到步骤1015的节约模式转移处理，在节能模式是“2”的情况下，进入到步骤1020的休眠模式转移处理，在节能模式是“3”的情况下，进入到步骤1025的冬眠模式转移处理。
(节能转移处理)
各转移处理从图11的1100开始处理，进入到步骤1105，管理部270判断是否执行自动准备处理。在指定执行自动准备处理的情况下，进入步骤1110，准备处理执行部275按照一系列准备用方案，自动执行准备处理后，进入到步骤1115。另一方面，在没有指定自动执行准备处理的情况下，管理部270直接进入步骤1115。
在步骤1115，管理部270判断节能开始计时器285a是否在节能模式转移时间Ts以上，经过节能模式转移时间Ts后(参照图13)，进入到步骤1120，设定节能结束计时器285b为“0”，进入到步骤1125。
在步骤1125中，单元选择部265选择由操作员或自动地选择的单元控制部260，被选择的单元控制部260将被指定的单元控制成被指定的节能模式，在步骤1195结束本处理。
一旦节能转移处理结束，则进入到图10的步骤1030，管理部270确认是否转移到节能模式。此时，由于转移到节能模式，所以判断为“YES”，在节能模式为“1”的情况下，进入到步骤1035的节约模式恢复处理，在节能模式为“2”的情况下，进入到步骤1040的休眠模式恢复处理，在节能模式为“3”的情况下，进入到步骤1045的冬眠模式恢复处理。
(节能恢复处理)
若各恢复处理从图12的步骤1200开始处理，进入到步骤1205，则管理部270判断节能结束计时器285b是否在节能模式恢复时间Te以上，经过节能模式恢复时间Te后，进入到步骤1210。在步骤1210，单元选择部265控制成使被指定的单元从被指定的节能模式恢复，进入到步骤1215。
在步骤1215中，管理部270判断是否执行自动准备处理。在指定执行自动准备处理的情况下，进入到步骤1220，准备执行部275按照一系列的方案，执行自动准备处理后，进入到步骤1295，完成节能恢复处理。另一方面，在没有指定执行自动准备处理的情况下，直接进入步骤1295，完成节能恢复处理，这样，在图10的步骤1095，节能处理结束。
如图13所示，按照本实施方式这样的节能处理，例如在节能模式转移时间Ts为30分钟、节能模式恢复时间Te为2小时的情况下，从节能处理开始后的30分钟，在PM内保持空转状态，此后，自动开始向节能模式的转移，在各单元的节能转移时间A结束后，PM内为在规定时间C之间的节能中，从节能模式转移开始时2小时后，自动开始从节能模式的恢复，在各单元的节能恢复时间B结束后，PM内返回到空转状态。
按照这样，即使在从节能模式恢复到普通模式需要一定程度的时间的情况下，在从节能模式恢复到普通模式(空转状态)时，也可以精确调整处理室U内的状态。
特别是在通过使用高频电力来电离和离解气体，产生等离子体，用此等离子体处理晶片W的真空系统的PM中，通过高精度地控制等离子体中的电子、离子、原子团的动作，可以对晶片W实施所希望的处理。为了高精度控制此等离子体中的电子、离子、原子团的动作，在从节能模式向普通模式的恢复时，恢复时的处理室内的状态和到恢复为止的时间的管理非常重要。
考虑到这一点，在本实施方式中，预先将实现节能并将为了实时整理处理室内的状态的历史积累的数据存储到数据库250中，再用各种计时器进行精密的时间管理。这样，降低PM空转时无用消耗的能量，并可以精确地进行调整，使晶片处理时的处理室U内的状态与工序条件一致。
(第二实施方式)
下面，对第二实施方式的基板处理系统10进行说明。在第二实施方式的基板处理系统10中，在对从向节能模式转移到从节能模式的恢复“结束”的时间进行管理方面，在动作上与对从向节能模式转移到从节能模式的恢复“开始”的时间进行管理的第一实施方式的基板处理系统10不同。因此，以此不同点为中心，参照图14对本实施方式的基板处理系统10的EC200的动作进行说明。
(EC的动作)
图14是表示图10的节能处理(主流程)的步骤1035、1040、1045中调出的本实施方式的节能模式恢复处理(节约模式恢复处理、休眠模式恢复处理、冬眠模式恢复处理)的流程图。
此外，在节能处理开始前，预先设定节能模式转移的时间Ts和向节能模式转移后到从节能模式的恢复完成的时间Th。
(节能处理)
操作员一旦使节能按钮为“ON”(或批量处理结束后自动进行)，则从图10的步骤1000开始节能处理，在接着步骤1005、1010的步骤1015、1020、1025中，执行图11的节能转移处理，在步骤1030判断为“YES”，在步骤1035、1040、1045执行节能恢复处理。
(节能恢复处理)
各恢复处理从图14的步骤1400开始处理，进入到步骤1405，管理部270设定从存储在数据库250中的节能恢复时间B中，由单元选择部265选择的各单元的节能恢复时间B的最大值为Thmax(参照图15)，进入到步骤1410。
然后，在步骤1410中，管理部270判断节能结束计时器285b是否在Th-Thmax以上。管理部270判断节能结束计时器285b在Th-Thmax以上后，进入到步骤1210，由单元选择部265选择的各单元的单元控制部260控制成使各单元从指定的节能模式恢复，进入到步骤1215。
此时，各单元控制部260控制向空转状态的恢复时刻，使各单元尽可能保持更长的节能状态。例如，由单元选择部265选择的单元是图8的干式真空泵控制部260b1、N2净化控制部260b2、冷机流量控制部260b4的情况下，如图9所示，由干式真空泵控制部260b1的干式真空泵的重新起动控制、由N2净化控制部260b2的稀释N2净化气体的重新起动控制、由冷机流量控制部260b4的冷却供给源的冷机流量控制的节能恢复时间B为10秒、1～2秒、4～5秒。由此，在步骤1405中，在Thmax中设定为“10秒”。然后，如图15所示，单元a(也就是，由干式真空泵控制部260b1进行的干式真空泵的重新起动控制)从节能模式开始的恢复结束前10秒，开始恢复动作。此后，单元b(也就是，由冷机流量控制部260b4进行的冷却供给源的冷机流量控制)从节能模式开始的恢复结束前5秒，开始恢复动作。单元c(也就是，由N2净化控制部260b2进行的稀释N2净化气体的重新起动控制)从节能模式开始的恢复结束前2秒，开始恢复动作。
此外，执行开始这样的恢复处理的情况下，由于在数据库250中没有存储实际的值，所以单元控制部260在预先指定的时刻开始恢复。
然后，进行到步骤1215，管理部270判断是否执行自动准备处理，在步骤1220中执行自动准备处理后(或不执行步骤1220的自动准备处理)，进入到步骤1495，节能恢复处理结束，这样，在图10的步骤1095使节能处理结束。
按照本实施方式的节能处理，不仅考虑到实际的节能模式处理中的时间，也考虑了从节能模式的恢复时间，分别控制成使选择的各单元尽可能维持更长时间的节能状态。这样，可以精确地调整处理室U内的状态，并可以更有效地降低各单元的能量消耗。
(第三实施方式)
下面，对第三实施方式的基板处理系统10进行说明。在第三实施方式的基板处理系统10中，在满足规定的条件下，在对选择的各单元不执行节能处理的方面，动作上与对选择的各单元必须实施节能处理的第二实施方式的基板处理系统10不同。因此，以此不同点为中心，参照图16，对本实施方式的基板处理系统10的EC200的动作进行说明。
(EC的动作)
图16是表示在图10的节能处理(主流程)调出的节能模式转移处理(节约模式转移处理、休眠模式转移处理、冬眠模式转移处理)的流程图。
此外，与第二实施方式相同，在节能处理开始前，预先设定节能模式转移的时间Ts和向节能模式转移后到从节能模式的恢复完成的时间Th。
(节能处理)
操作员一旦使节能按钮为“ON”(或批量处理结束后自动进行)，则从图10的步骤1000开始节能处理，在接着步骤1005、1010的步骤1015、1020、1025中，执行图16的节能转移处理。
(节能转移处理)
各转移处理从图16的步骤1600开始处理，在步骤1105、1110执行自动准备处理，在步骤1405中，管理部270设定从存储在数据库250中的节能恢复时间B中，由单元选择部265选择的各单元的节能恢复时间B的最大值为Thmax，进入到步骤1605。
然后，管理部270设定从存储在数据库250中的节能转移时间A中，由单元选择部265选择的各单元的节能转移时间A的最大值为Timax，进入到步骤1610。其中，从节能模式的恢复完成的时间Th减去节能恢复时间B的最大值Thmax和节能转移时间A的最大值Timax的值若在“0”以下，则图15所示的节能稳定时间C不存在(参照图15)。所以，这种情况下，管理部270判断即使转移到节能模式，也不能充分得到节能的效果，在步骤1610判断为“NO”，不执行节能转移处理，直接进入到步骤1695，返回到图10的步骤1030。此外，在这种情况下，由于不转移到节能模式，所以在步骤1030判断为“NO”，不执行节能转移处理，直接进入到步骤1695，节能处理结束。
另一方面，从节能模式的恢复完成的时间Th减去节能恢复时间B的最大值Thmax和节能转移时间A的最大值Timax的值若在“0”以上，则图15所示的节能稳定时间C存在。所以，这种情况下，在步骤1610中，管理部270判断为“YES”，进入步骤1615，单元控制部260判断选择的各单元是否有节能效果。
在判断是否有节能效果中，图中没有表示，使用预先存储在数据库250和RAM210等的存储区域中的各单元的重新起动时的耗电量。也就是，单元控制部260从各单元的重新起动时的耗电量和计算出的节能稳定时间C的关系，对选择的各单元分别判断是否应转移到节能模式。这是通过起动时各单元消耗的电力(能量消耗)和使各单元仅在节能稳定时间C成为节能稳定状态可以节约的能量消耗进行比较，仅在因能量消耗节约的能量多的情况下，进行向节能模式的转移。
这样，在单元控制部260判断有节能效果的情况下，单元控制部260进入步骤1115，当节能开始计时器285a在节能模式转移时间Ts以上时，在接着步骤1120的步骤1125中，单元控制部260将选择的各单元控制成指定的节能模式，在步骤1695中，本处理结束，返回到图10的步骤1030。
另一方面，在单元控制部260判断没有节能效果的情况下，在步骤1615中单元控制部260判断为“NO”，直接进入步骤1695中，节能转移处理结束，返回到图10的步骤1030。
管理部270仅在转移到节能模式的情况下，在步骤1030判断为“YES”，在步骤1035～1045中的某一个步骤中执行节能恢复处理，进入步骤1095，另一方面，在没有转移到节能模式的情况下，直接进入步骤1095，节能处理结束。
按照本实施方式的节能处理，从各单元的重新起动时的耗电量和计算出的节能稳定时间C的关系，对选择的各单元分别判断是否应转移到节能模式。其结果具有节能效果的单元控制成转移到指定的节能模式，没有节能效果的单元仍控制成普通模式。这样，通过仅对有节能效果的单元进行适当控制，可以更有效地降低能量消耗，并且通过将没有节能效果的单元仍控制成普通模式，可以使PM400内的状态不过分变动。使PM400内的状态不过分变动还具有使转移到节能模式的单元的恢复时间缩短的叠加的效果，这样可以进一步降低能量消耗。
此外，在判断是否有节能效果中，使用了各单元的重新起动时的耗电量和计算出的节能稳定时间C的关系。可是，在图9的上部和(或)下部电极以及侧壁的加热器温度控制、APC的加热器温度控制、接受器的加热器温度控制中，除了根据节能转移时间A和节能恢复时间B计算出的节能稳定时间C以外，数据更新时(节能转移时间A和节能恢复时间B的更新时)的节能设定温度Ta和数据更新时的恢复后的工序方案中设定的设定温度Tb也需要考虑。例如，对于上部和(或)下部电极以及侧壁的加热器温度控制，数据更新时的节能设定温度Ta和数据更新时的恢复设定温度Tb的差为20℃，由于恢复后的处理室U内的温度稳定在规定的设定温度(在此为60℃)，所以可以设想与一般的恢复时间B相比，恢复更需要时间。所以，单元控制部260对进行与温度有关的控制的单元，在考虑各单元的重新起动时的耗电量、计算出的节能稳定时间C的基础上，考虑上述设定温度的差，也可以判断是否有节能的效果。
此外，在步骤1610中，当节能模式的稳定时间在“0”以下的情况下，不是将选择的单元控制成指定的节能模式，使转移处理结束，但不限于此，节能模式的稳定时间在预先规定的时间以下也可以。
此外，在上述各实施方式的转移处理中，执行自动准备处理后，判断节能开始计时器285a是否在节能模式转移时间Ts以上，经过节能模式转移时间Ts后，执行节能模式转移处理(参照图11、图16)。可是，各实施方式的转移处理不限于此，判断节能开始计时器285a是否在节能模式转移时间Ts以上，经过节能模式转移时间Ts后，执行自动准备处理，此后，也可以执行节能模式转移处理。
此外，在自动准备处理中，可以由操作员的选择变更其内容。因此，也可以将节能转移处理和节能恢复处理分别设定成其他内容。因此，准备执行部275预先统计自动准备处理经过的时间，为了调整节能恢复时间，也可以使用此经过的时间。
在上述实施方式中，各部分的动作相互关联，可以一边考虑相互的关联，一边使一系列动作置换。然后，通过这样的置换，可以使控制基板处理装置(PM)的控制装置的实施方式作为控制基板处理装置的控制方法的实施方式。
此外，通过使上述各部分的动作置换成各部分的处理，而可以作为程序的实施方式。此外，通过将程序存储到计算机可以读取的记录媒体中，可以使程序的实施方式成为程序中存储的计算机可以读取的存储媒体的实施方式。
以上，参照附图对本发明适合的实施方式进行了说明，但不用说本发明并不限于这些例子。本领域技术人员在权利要求范围所述的范畴内，可以想到各种变更例或修正例，这是很清楚的，应该了解到对于这些，当然也属于本发明的技术范围。
例如，没有提及本发明的基板处理装置的种类，可以是电容耦合型等离子体处理装置，也可以是感应耦合型等离子体处理装置，也可以是微波等离子体处理装置。此外，本发明的基板处理装置可以是处理大型玻璃基板的装置，也可以是处理一般晶片尺寸的基板的装置。
此外，在本发明的基板处理装置中，不限于成膜处理或蚀刻处理，可以进行抛光处理、溅射处理等所有的基板处理。
此外，本发明的控制装置的功能可以至少由EC200或MC300中的某一个来实现。

Claims (15)

1.一种基板处理装置的控制装置，是控制具有对被处理基板进行处理的处理室以及为了整理所述处理室内的状态而设置的多个单元的基板处理装置的控制装置，其特征在于，包括：
存储部，针对每个所述单元存储为了使所述多个单元的各个的状态从抑制能量消耗的节能模式恢复到能够进行被处理基板处理的普通模式所需要的时间作为恢复时间；
管理部，根据存储到所述存储部中的各单元的恢复时间，关注为了从节能模式恢复到普通模式所需要的时间，并按每个单元求出处于节能模式的单元的恢复开始时刻；以及
单元控制部，分别独立控制各单元，根据由所述管理部求出的每个单元的恢复开始时刻，使处于节能模式的单元恢复到普通模式。
2.如权利要求1所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于，
所述单元控制部分别控制各单元，使直到指定的恢复结束时间，完成从所述节能模式的恢复，来代替根据由所述管理部求出的恢复开始时刻控制各单元。
3.如权利要求1或权利要求2所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于：
所述单元控制部分别控制各单元，使得通过用户选择或自动选择，从在对所述处理室内的状态没有影响范围内抑制能量消耗并控制各单元的第一节能模式、在对所述处理室内的状态有影响范围内抑制能量消耗并控制各单元的第二节能模式、以及停止全部单元的第三节能模式中，指定任一种节能模式。
4.如权利要求3所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于：
所述单元控制部以各单元稳定在所述节能模式的状态的时间长短为基础，从第一、第二和第三节能模式中，自动选择任一种节能模式。
5.如权利要求3所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于：
所述存储部针对每个所述单元存储为了使所述各单元的状态从普通模式转移到节能模式所需要的时间作为转移时间，
所述管理部根据从普通模式开始向节能模式转移后到从节能模式向普通模式的恢复完成的时间、以及存储到所述存储部中的转移时间和恢复时间，求出各单元稳定在节能模式状态的时间，
所述单元控制部判断是由所述管理部求出的节能模式的稳定时间在规定时间以下的情况、或者是通过所述节能模式的稳定时间不能得到各单元的节能效果的情况的至少一种情况下，不是将该单元控制成指定的节能模式而是控制成保持普通模式的状态。
6.如权利要求5所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于：
还包括准备执行部，从普通模式向节能模式转移开始前和从节能模式向普通模式恢复完成后，自动准备所述基板处理装置。
7.如权利要求3所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于：
所述单元控制部在已选择所述第一节能模式的情况下，至少进行排气系统单元的转速控制、从供气单元向排气系统单元提供的净化气体的供给控制、以及从冷却单元提供的媒体介质的流量控制中的任一种控制。
8.如权利要求7所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于：
所述单元控制部在已选择所述第二节能模式的情况下，除了在已选择所述第一节能模式的情况下可以控制的所述单元的控制之外，还至少进行温度调整单元的温度控制、从供气单元向基板处理装置内提供净化气体的供给控制、以及排气系统单元的停止转动和再启动的控制中的任一种控制。
9.如权利要求3所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于：
所述单元控制部在已选择所述第三节能模式的情况下，控制切断或导通基板处理装置的电源单元。
10.如权利要求3所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于：
所述控制装置控制多个基板处理装置，
所述单元控制部分别控制每个基板处理装置，使得在每个基板处理装置上设定的多个单元成为通过用户的选择或者自动选择，而以基板处理装置为单位，分别被指定的节能模式。
11.如权利要求1所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于：
所述基板处理装置具有为了整理连接设置在所述处理室的气密室的状态而设置的多个单元，
所述控制装置的单元控制部控制设置在所述处理室上的多个单元的同时控制设置在所述气密室上的多个单元。
12.如权利要求1所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于：
所述基板处理装置是真空类的基板处理装置。
13.一种基板处理装置的控制方法，其中，所述基板处理装置包括对被处理基板进行处理的处理室、以及为了整理所述处理室内的状态而设置的多个单元，该基板处理装置的控制方法的特征在于：
将为了使各单元的状态从抑制能量消耗的节能模式转移到能够进行被处理基板的处理的普通模式所需要的时间作为恢复时间，按所述多个单元的各个存储到存储部中，
根据存储到所述存储部中的各单元的恢复时间，关注为了从节能模式恢复到普通模式所需要的时间，并按每个单元求出处于节能模式的单元的恢复开始时刻，
分别对各单元进行独立控制，根据求出的所述每个单元的恢复开始时刻，使处于节能模式的单元恢复到普通模式。
14.如权利要求13所述的基板处理装置的控制方法，其特征在于：
分别控制各单元，使直到指定的恢复结束时间，完成从所述节能模式的恢复，来替代根据求出的恢复开始时刻分别开始各单元的控制。
15.如权利要求13或权利要求14所述的基板处理装置的控制方法，其特征在于：
将为了使所述各单元的状态从普通模式转移到节能模式所需要的时间作为转移时间而按每个所述单元存储到存储部中，
根据从普通模式开始向节能模式转移后到从节能模式向普通模式的恢复的时间、以及存储到所述存储部中的转移时间和恢复时间，求出各单元稳定在节能模式状态的时间，
在判断是由求出的节能模式的稳定时间在规定时间以下的情况、或者是在根据节能模式的稳定时间不能得到各单元的节能效果的情况的至少一种的情况下，不是将该单元控制成指定的节能模式而是控制成保持普通模式的状态。
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