KR100882221B1 - 기판 처리 장치의 제어 장치, 기판 처리 장치의 제어 방법및 기판 처리 장치의 제어 프로그램을 기억한 기록 매체 - Google Patents

기판 처리 장치의 제어 장치, 기판 처리 장치의 제어 방법및 기판 처리 장치의 제어 프로그램을 기억한 기록 매체 Download PDF

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다케시 요코우치
후미코 야기
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

온도에 관한 조건에 근거하여 처리 용기 내의 상태를 조정하기 위해 더미 처리를 실행할지 여부를 판정한다.
EC(200)는, 제품 기판(웨이퍼 W)에 대하여 에칭 처리를 실행하는 기판 처리 실행부(280), 더미 기판에 대하여 더미 처리를 실행하는 더미 처리 실행부(275) 및 온도에 관한 조건에 근거하여 더미 처리를 실행할지 여부를 판정하는 판정부(270)를 갖고 있다. 판정부(270)는, PM(400)에 마련된 각 PM의 처리 용기 내의 분위기를 조정하기 위한 온도에 관한 정보를 취득하고, 취득한 온도 정보에 근거하여 처리 용기 내의 온도 상태가 조정되고 있는지 여부를 판정한다. 판정부(270)에 의해 처리 용기의 온도 상태가 조정되고 있다고 판정된 경우, 기판 처리 실행부(280)는, 더미 처리 실행부(275)에 더미 처리를 실행시키지 않고, 즉시 제품 기판에 대하여 에칭 처리를 실행하도록 제어한다.

Description

기판 처리 장치의 제어 장치, 기판 처리 장치의 제어 방법 및 기판 처리 장치의 제어 프로그램을 기억한 기록 매체{CONTROLLER OF SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, CONTROLLING METHOD OF SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND STORAGE MEDIUM STORING CONTROL PROGRAM OF SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 시스템을 나타내는 도면,
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 EC의 하드웨어 구성도,
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 PM의 하드웨어 구성도,
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 PM의 종단면도,
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 EC의 기능 구성도,
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 로트의 연속 투입 및 로트의 비연속 투입을 설명하기 위한 도면,
도 7은 본 발명의 일실시예에서 실행되는 로트 처리 루팅을 나타낸 흐름도,
도 8은 본 발명의 일실시예에서 실행되는 더미 판정／기판 처리 루팅(로트 연속 투입시)을 나타낸 흐름도,
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 직전에 사용한 레시피 A의 일례를 나타낸 도면,
도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 앞으로 사용할 레시피 B의 일례를 나타 낸 도면,
도 11은 본 발명의 일실시예에 따른 앞으로 사용할 레시피 B의 다른 일례를 나타낸 도면,
도 12는 본 발명의 일실시예에서 실행되는 더미 판정／기판 처리 루팅(로트 비연속 투입시)을 나타낸 흐름도,
도 13은 본 발명의 일실시예에 따른 앞으로 사용할 레시피 B의 다른 일례를 나타낸 도면,
도 14는 본 발명의 일실시예에 따른 다른 PM의 종단면도,
도 15는 본 발명의 일실시예에 따른 다른 PM의 종단면도이다.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 기판 처리 시스템 100 : MES
200 : EC 250 : 기억부
250a : 에칭 처리용 레시피 250b : 더미 처리용 레시피
255 : 입력부 260 : 로트 연속 투입 지시부
265 : 로트 비연속 투입 지시부 270 : 판정부
275 : 더미 처리 실행부 280 : 기판 처리 실행부
285 : 통신부 290 : 출력부
300 : MC 400 : PM
425 : 카세트 스테이지 450 : 상부 전극
485 : 온도 센서 500 : 하부 전극
본 발명은, 제품 기판에 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치를 제어하는 제어 장치, 기판 처리 장치의 제어 방법 및 기판 처리 장치의 제어 프로그램을 기억한 기록 매체에 관한 것이다. 특히, 처리 용기 내의 상태를 조정하기 위해 더미 처리를 실행할지 여부를 판정하는 제어 장치, 제어 방법 및 제어 프로그램을 기억한 기록 매체에 관한 것이다.
일반적으로, 기판 처리 장치에서는, 미리 정해진 레시피에 정의된 순서에 근거하여 CVD(Chemical Vapor Deposition) 처리, 에칭 처리, 애싱 처리 등의 기판 처리가 행해지고 있다. 이 중, CVD 처리에서는, 다수의 기판상에 막이 형성될 때, 서서히 처리 용기의 내벽에도 막이 퇴적되어 간다. 또한, 에칭 처리에서는, 기판상에 형성된 막을 깎아낼 때, 반응 생성물이 플라즈마에 의해 분해되어 처리 용기의 내벽에 부착되어 간다. 이들 이물질은, 처리 용기 내에서 가열 및 냉각이 반복되는 것에 의해 처리 용기 내벽으로부터 박리 또는 탈리하여, 이물질로서 기판상에 낙하하고, 이에 의해 처리 후의 제품의 성능을 저하시키므로 바람직하지 못하다.
그래서, 상기 이물질의 문제를 회피하기 위해, 처리 용기 내를 정기적으로 클리닝함과 아울러, 클리닝 공정 후, 처리 용기 내의 분위기를 자동적으로 조정하 기 위해 시즈닝하는 기술이 종래로부터 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1을 참조.). 이 시즈닝 공정에서는, 미리 정해진 레시피에 표시된 순서에 근거하여, 비제품 기판에 대하여 더미 처리가 실행되고, 이에 따라 기판 처리 장치의 상태가 조정된다.
(특허문헌 1) 일본 공개 특허 공보 평10－233387호
그러나, 처리 용기 내의 상태가 안정되어 있는 경우에는, 더미 처리를 행할 필요는 없다고 생각된다. 더구나, 이 때, 압력 등의 온도 이외의 상태를 고려할 필요는 없다고 생각된다. 그 이유를 다음에 설명한다. 즉, 프로세스 조건 중, 온도는, 가장 응답이 나쁘다. 예컨대, 기판 처리 장치에 마련된 히터 등의 설정 온도를 프로세스 조건에 합치하도록 변경하더라도, 이에 응답하여 처리 용기 내의 온도가 프로세스 조건에 합치한 온도로 안정될 때까지는 상당한 시간이 걸린다.
이 때문에, 처리 용기 내의 상태가 안정되지 않는 경우, 제품 기판의 처리에 앞서, 우선 온도를 프로세스 조건에 합치한 값으로 변경시켜, 처리 용기 내의 실제 온도가 서서히 설정 온도로 이행되는 것을 기다릴 필요가 있다. 이와 같이, 처리 용기 내의 상태가 조정되고 있지 않은 경우, 그 나쁜 응답 때문에 온도 조건을 미리 제어할 필요가 있다. 이 관점에서 생각하면, 처리 용기 내의 상태가 안정되지 않는 경우, 처리 용기 내의 상태(특히, 온도 상태)를 미리 조정하기 위해 실행되는 더미 처리의 의의는 크다.
이에 대하여, 압력이나 투입 파워 등의 온도 이외의 프로세스 조건은, 비교적 응답이 좋다. 예컨대, 가스의 유량이나 가스의 배기량, 공급 전력량을 프로세스 조건에 합치한 값으로 변경하더라도, 처리 용기 내의 상태는 비교적 순간적으로 목표치에 이른다. 따라서, 온도 이외의 프로세스 조건을 조정하기 위해, 기판 처리 전에 미리 더미 처리를 행하는 것은, 이 처리에 소비하는 여러 가지 에너지나 재료 등의 자원의 낭비일 뿐만 아니라, 불필요한 더미 처리를 실행하면, 그동안, 제품을 생산할 수가 없으므로, 스루풋이 저하하여 제품의 생산성이 낮아진다고 하는 문제가 발생하고 있었다.
상기 문제를 해소하기 위해, 본 발명에서는, 온도에 관한 조건에 근거하여 처리 용기 내의 상태를 조정하기 위해 더미 처리를 실행할지 여부를 판정하는 기판 처리 장치의 제어 장치, 그 제어 방법 및 그 제어 프로그램이 제공된다.
즉, 상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 한 관점에 의하면, 제품 기판에 대하여 소정의 처리를 실행하는 기판 처리 실행부와 비제품 기판에 대하여 더미 처리를 실행하는 더미 처리 실행부를 구비하는 것에 의해 기판 처리 장치를 제어하는 제어 장치가 제공된다. 이 제어 장치는, 상기 기판 처리 장치에 마련된 처리 용기 내의 분위기를 조정하기 위한 온도에 관한 정보를 취득하고, 취득한 온도 정보에 근거하여 상기 처리 용기 내의 온도 상태가 조정되고 있는지 여부를 판정하는 판정부를 구비하되, 상기 기판 처리 실행부는, 상기 판정부에 의해 상기 처리 용기의 온도 상태가 조정되고 있다고 판정된 경우, 상기 더미 처리 실행부에 상기 더미 처리를 실행시키지 않고, 제품 기판에 대하여 소정의 처리를 실행한다.
제품 기판에 대하여 에칭 처리 등의 소정의 처리를 실행하는 경우, 미리 처리 용기 내의 분위기를 프로세스 조건에 합치한 상태로 조정해둘 필요가 있다. 특히, 온도의 경우, 상술한 바와 같이, 처리 용기 내의 실제 온도가 목표치까지 이행하는 데 상당한 시간이 걸리므로, 처리 용기 내의 온도 상태를 미리 조정하기 위해 실행하는 더미 처리의 의의는 크다.
그러나, 압력이나 투입 파워 등의 온도 이외의 프로세스 조건은, 비교적 응답이 좋아, 예컨대, 가스의 유량이나 가스의 배기량, 공급 전력량을 프로세스 조건에 합치한 값으로 변경하더라도, 처리 용기 내의 상태는 비교적 순간적으로 목표치에 이른다. 이 때문에, 처리 용기 내의 온도 이외의 상태를 미리 조정하기 위해, 많은 비용과 시간을 소비하여 더미 처리를 실행하는 것은 현명하지 않다.
그래서, 본 발명에 의하면, 상기 처리 용기의 온도 상태가 조정되고 있다고 판정된 경우, 상기 더미 처리를 실행하지 않고, 제품 기판에 대하여 에칭 처리 등의 소정의 처리가 실시된다. 이에 따라, 더미 처리를 실행할 때에 소비되던 가스나 파워 등의 에너지나 재료 등의 자원이 쓸데없이 소비되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 더미 처리의 실행에 소비되고 있던 시간을, 제품의 생산에 효율적으로 사용할 수 있다. 이 결과, 에너지 절약을 도모하면서, 스루풋을 향상시켜 제품의 생산성을 비약적으로 향상시킬 수 있다.
또한, 제품 기판의 처리에 이용되는 하나 또는 둘 이상의 레시피를 기억하는 기억부를 구비하고 있고, 상기 판정부는, 상기 기억부에 기억된 레시피 중 직전의 제품 기판의 처리에 이용되는 레시피의 설정 온도와 다음 제품 기판의 처리에 이용 될 레시피의 설정 온도를 제 1 판정 조건으로서 비교함으로써, 상기 처리 용기의 온도 상태가 조정되고 있는지 여부를 판정하더라도 좋다.
또한, 상기 판정부는, 상기 제 1 판정 조건에 부가하여, 이전의 제품 기판의 처리에 이용된 레시피의 설정 전력으로부터 산출된 값과 다음 제품 기판의 처리에 이용될 레시피의 설정 전력을 제 2 판정 조건으로서 비교함으로써, 상기 처리 용기의 온도 상태가 조정되고 있는지 여부를 판정하더라도 좋다. 여기서, 이전의 제품 기판의 처리에 이용한 레시피의 설정 전력으로부터 산출된 값이란, 직전에 처리된 로트에 속하는 복수의 기판에 이용한 복수의 레시피의 설정 전력의 평균치이더라도 좋고, 가장 최근에 처리된 기판에 이용한 레시피의 설정 전력이더라도 좋다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 처리 용기 내의 온도를 검출하는 온도 센서를 구비하고, 상기 판정부는, 상기 온도 센서에 의해 검출된 처리 용기 내의 온도를 취득하여, 취득된 처리 용기 내의 온도와 다음 제품 기판의 처리에 이용될 레시피의 설정 온도를 제 3 판정 조건으로서 비교함으로써, 상기 처리 용기의 온도 상태가 조정되고 있는지 여부를 판정하더라도 좋다.
이에 의하면, 처리 용기 내의 실제 온도와 레시피의 설정 온도의 차이에 의해, 처리 용기의 온도 상태가 조정되고 있는지 여부가 판정된다. 이와 같이 실제 온도와 다음 프로세스에 사용될 레시피의 설정 온도를 비교함으로써, 처리 용기의 온도 상태가 조정되고 있는지를 처리 용기의 실제 상태에 따라 정확하게 판정할 수 있다. 이 결과, 더미 처리가 필요한지 여부를 보다 정확하게 판정할 수 있다.
또, 센서가 검출하는 처리 용기 내의 온도로는, 상부 전극 근방의 온도가 바 람직하지만, 예컨대, 하부 전극 근방의 온도, 기판을 탑재한 탑재대의 온도, 처리 용기의 측벽의 온도, 히터의 설정 온도 등, 처리 용기 내의 온도 상태를 나타내는 값이면 어떤 검출값이더라도 좋다.
또한, 처리 중인 제품 기판이 포함되는 제품 기판군으로 이루어지는 제 1 로트에 이어서 다른 제품 기판군으로 이루어지는 제 2 로트가 연속적으로 처리되도록 로트의 연속 투입을 지시하는 로트 연속 투입 지시부를 구비하고 있더라도 좋다. 이 경우, 상기 판정부는, 상기 로트 연속 투입 지시부에 의해 로트의 연속 투입이 지시된 경우만, 제 2 판정 조건 또는 제 2 판정 조건을 포함한 조건에 근거하는 판정을 행하도록 하더라도 좋다.
또한, 처리 중인 제품 기판이 포함되는 제품 기판군으로 이루어지는 로트가 존재하지 않는 상태로, 하나의 로트에 대한 처리가 비연속으로 실행되도록 로트의 비연속 투입을 지시하는 로트 비연속 투입 지시부를 구비하고, 상기 더미 처리 실행부는, 상기 로트 비연속 투입 지시부에 의해 로트의 비연속 투입이 지시된 경우, 상기 판정부에 상기 판정을 실행시키지 않고, 상기 비연속으로 투입된 로트의 제품 기판에 대하여 상기 소정의 처리가 실행되기 전에 비제품 기판에 대하여 더미 처리를 실행하도록 하더라도 좋다.
비연속으로 로트의 처리가 실행되는 경우, 직전에 처리한 로트(제품 기판)의 처리 시각에서 다음에 처리될 로트의 처리 시각까지, 비교적 장시간이 경과되고 있다고 생각된다. 예컨대, 기판 처리 장치의 유지 보수 후에 로트를 투입한 것과 같은 경우이다. 이러한 경우, 처리 용기 내의 상태가 무너지고 있어 안정되지 않는 다. 이 때문에, 제품 기판을 처리하기 전에 처리 용기 내의 상태를 조정할 필요가 있다. 특히, 온도 조건은 상술한 이유에 의해 미리 제어해둘 필요가 있다.
그래서, 본 발명에서는, 로트의 비연속 투입이 지시된 경우, 판정부에 의한 판정을 기다릴 것도 없이, 무조건 제품 기판에 에칭 처리 등을 실시하기 전에 비제품 기판에 대하여 더미 처리가 실행된다. 이에 따라, 처리 용기 내의 상태가 무너지고 있을 가능성이 매우 높은 로트의 비연속 투입시이더라도, 더미 처리의 실행에 의해, 온도 상태를 포함하는 처리 용기 내의 상태를 확실히 조정할 수 있다. 이 결과, 제품 기판에 대한 처리를 정밀하게 실행할 수 있다.
상기 판정부는, 지정된 더미 처리의 운용 조건을 나타내는 파라미터에 따라, 상기 제 1 판정 조건, 상기 제 2 판정 조건 및 상기 제 3 판정 조건의 적어도 어느 하나의 판정 조건에 근거하여 상기 처리 용기의 온도 상태가 조정되고 있는지 여부를 판정하더라도 좋다.
이 때, 상기 판정부는, 상기 로트 연속 투입 지시부에 의해 로트의 연속 투입이 지시되고, 상기 파라미터에 의해 로트 연속 투입시가 더미 처리의 운용 조건으로서 지정되어 있는 경우, 상기 제 3 판정 조건에 의해 상기 처리 용기의 온도 상태가 조정되고 있는지 여부를 판정하더라도 좋다.
또한, 상기 판정부는, 상기 로트 연속 투입 지시부에 의해 로트의 연속 투입이 지시되고, 상기 파라미터에 의해 로트 연속 투입시가 더미 처리의 운용 조건으로서 지정되어 있지 않은 경우, 상기 제 1 판정 조건 및 상기 제 2 판정 조건에 의해 상기 처리 용기의 온도 상태가 조정되고 있는지 여부를 판정하더라도 좋다.
혹은, 상기 판정부는, 상기 로트 연속 투입 지시부에 의해 로트의 연속 투입이 지시되고, 상기 파라미터에 의해 로트 연속 투입시가 더미 처리의 운용 조건으로서 지정되어 있지 않은 경우, 상기 제 1 판정 조건, 상기 제 2 판정 조건 및 상기 제 3 판정 조건에 의해 상기 처리 용기의 온도 상태가 조정되고 있는지 여부를 판정하더라도 좋다.
상기 더미 처리 실행부는, 상기 로트 비연속 투입 지시부에 의해 로트의 비연속 투입이 지시되고, 상기 파라미터에 의해 로트 비연속 투입시가 더미 처리의 운용 조건으로서 지정되어 있는 경우, 상기 판정부에 상기 판정을 실행시키지 않고, 상기 비연속으로 투입된 제품 기판에 대하여 상기 소정의 처리를 실행하기 전에 비제품 기판에 대하여 더미 처리를 실행하더라도 좋다.
이에 의하면, 파라미터가 로트 비연속 투입시의 처리를 지정하고 있는 경우, 무조건 더미 처리가 실행된다. 이 결과, 제품 기판의 처리를 행하기 전에 처리 용기 내의 분위기를 안정한 상태로 확실히 조정할 수 있다.
상기 더미 처리 실행부는, 상기 로트 비연속 투입 지시부에 의해 로트의 비연속 투입이 지시되고, 상기 파라미터에 의해 로트 비연속 투입시가 더미 처리의 운용 조건으로서 지정되어 있지 않은 경우, 상기 제 1 판정 조건 및 상기 제 3 판정 조건에 의해 상기 처리 용기의 온도 상태가 조정되고 있는지 여부를 판정하더라도 좋다.
또한, 상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 다른 관점에 의하면, 제품 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치를 제어하는 방법으로서, 상기 처리 용기 내의 분위기를 조정하기 위한 온도에 관한 정보를 취득하고, 상기 취득된 온도 정보에 근거하여 상기 처리 용기 내의 온도 상태가 조정되고 있는지 여부를 판정하여, 상기 처리 용기의 온도 상태가 조정되고 있다고 판정된 경우, 비제품 기판에 대하여 상기 더미 처리를 실행하지 않고, 제품 기판에 대하여 상기 소정의 처리를 실행하는 기판 처리 장치의 제어 방법이 제공된다.
또한, 상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 다른 관점에 의하면, 제품 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치를 제어하는 제어 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서, 상기 처리 용기 내의 분위기를 조정하기 위한 온도에 관한 정보를 취득하는 처리와, 상기 취득된 온도 정보에 근거하여 상기 처리 용기 내의 온도 상태가 조정되고 있는지 여부를 판정하는 처리와, 상기 처리 용기의 온도 상태가 조정되고 있다고 판정된 경우, 비제품 기판에 대하여 상기 더미 처리를 실행하지 않고, 제품 기판에 대하여 상기 소정의 처리를 실행하는 처리를 컴퓨터에게 실행시키는 제어 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체가 제공된다.
이에 의하면, 상기 처리 용기의 온도 상태가 조정되고 있다고 판정된 경우, 상기 더미 처리를 실행하지 않고, 제품 기판에 대하여 소정의 처리가 실시된다. 이에 따라, 더미 처리의 실행에 소비하고 있던 에너지나 재료 등의 자원의 소비를 억제할 수 있다. 또한, 지금까지 더미 처리에 소비해 온 시간도 제품 기판의 처리에 사용할 수 있다. 이 결과, 에너지 절약을 도모하면서, 스루풋을 향상시켜 제품의 생산성을 비약적으로 향상시킬 수 있다.
이하에 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 또, 이하의 설명 및 첨부 도면에서, 동일한 구성 및 기능을 갖는 구성 요소에 대해서는, 동일 부호를 부여함으로써, 중복 설명을 생략한다.
또한, 본 명세서 중 1mTorr은 (10－3×101325／760)㎩, 1sccm은 (10－6／60)m3／sec으로 한다.
(실시예 1)
우선, 본 발명의 실시예 1에 따른 제어 장치를 이용한 기판 처리 시스템에 대하여, 도 1을 참조하면서 설명한다. 또, 본 실시예에서는, 본 시스템을 이용한 처리의 일례로서 에칭 처리를 예로 들어 설명한다.
(기판 처리 시스템)
우선, 기판 처리 시스템의 전체 구성에 대하여, 도 1을 참조하면서 설명한다.
기판 처리 시스템(10)은, MES(Manufacturing Execution System)(100), EC(Equipment Controller)(200), 스위칭 허브(650), n개의 MC(Module Controller)(300a∼300n), DIST(Distribution) 보드(750) 및 PM(Process Module)(400a∼400n)을 갖고 있다.
MES(100)는, 정보 처리 장치(예컨대, PC(Personal Computer))로 구성되어 있고, 복수의 PM(400)이 설치된 공장 전체의 제조 공정을 관리함과 아울러, 필요한 정보를 도시하지 않은 기간 시스템에 송수신한다. MES(100)는, LAN(Local Area Network) 등의 네트워크(600)에 의해 EC(200)와 접속되어 있다.
EC(200)는, 스위칭 허브(650)를 통하여 접속된 복수의 MC(300)를 제어함으로써, 복수의 PM(400)에서 실행되는 프로세스를 통괄적으로 제어한다. 구체적으로는, EC(200)는, 처리 대상의 웨이퍼 W의 처리 방법을 나타낸 레시피에 근거하여, 임의의 타이밍에 각 MC(300)에 제어 신호를 송신한다. 스위칭 허브(650)는, EC(200)로부터 송신된 제어 신호의 송신 목적지를 MC(300a)∼MC(300n) 중 어느 하나로 전환한다. 각 MC(300)는, 송신된 제어 신호에 근거하여 PM 내에 반입된 웨이퍼 W에 소망하는 처리(본 실시예에서는 에칭 처리)를 실시하도록 제어한다. 여기서는, EC(200)가 마스터 쪽의 기기로서 기능하고, MC(300)가 슬레이브 쪽의 기기로서 기능한다. 또, EC(200)는, 프로세스를 실시하기 전에 더미 처리를 실행할지 여부를 판정하는 기능도 갖지만, 이에 대해서는 후술한다.
MC(300)는, DIST 보드(750)에 의해 GHOST(General High－Speed 0ptimum Scalable Transceiver) 네트워크(700)를 거쳐 각 PM(400)에 구비된 복수의 I／O 포트(400a1∼400a3, 400b1∼400b3, …, 400n1∼400n3)에 각각 접속되어 있다. GHOST 네트워크(700)는, MC(300)의 MC 보드에 탑재된 LSI(GHOST라 칭해진다.)에 의해 제어되는 네트워크이다. 여기서는, MC(300)가 마스터 쪽의 기기로서 기능하고, I／O 포트가 슬레이브 쪽의 기기로서 기능한다. MC(300)는, EC(200)로부터 송신된 제어 신호에 대응하는 액츄에이터 구동 신호를 어느 하나의 I／0 포트에 송출한다.
I／O 포트는, MC(300)로부터 송신된 액츄에이터 구동 신호를 각 PM(400)에 마련된 해당 유닛(각 PM)에 전달함으로써 각 유닛을 EC(200)로부터의 지령에 따라 구동함과 아울러, 해당 유닛으로부터 출력된 신호를 MC(300)에 전달한다.
다음으로, EC(200) 및 PM(400)의 하드웨어 구성에 대하여, 도 2, 3을 참조하면서 각각 설명한다. 또, MES(100) 및 MC(300)의 하드웨어 구성에 대해서는 도시하지 않고 있지만, EC(200)와 마찬가지인 구성이다.
(EC의 하드웨어 구성)
도 2에 나타낸 바와 같이, EC(200)는, ROM(205), RAM(210), CPU(215), 버스(220), 내부 인터페이스(내부 I／F)(225) 및 외부 인터페이스(외부 I／F)(230)를 갖고 있다.
ROM(205)에는, EC(200)에서 실행되는 기본적인 프로그램이나, 이상시에 기동하는 프로그램 등이 기록되어 있다. RAM(210)에는, 각종 프로그램이나 레시피 등이 축적되어 있다. 에칭 처리시에 이용하는 레시피에는, 제품 웨이퍼(유리 웨이퍼)에 대하여 에칭 처리를 실행하기 위한 순서나 그 때의 프로세스 조건(예컨대, 설정 온도)이 정의되어 있다. 또한, 더미 처리시에 이용하는 레시피에는, 비제품 웨이퍼(더미 웨이퍼)에 대하여 더미 처리를 실행하기 위한 순서나 그 때의 프로세스 조건이 정의되어 있다. 또, ROM(205) 및 RAM(210)은, 기억 장치의 일례이며, EEPROM, 광 디스크, 광 자기 디스크, 하드디스크 등의 기억 장치이더라도 좋다.
CPU(215)는, 제품 웨이퍼에 대한 에칭 처리를 제어함과 아울러, 필요한 경우에는 비제품 웨이퍼에 대한 더미 처리를 실행한다. 버스(220)는, 각 디바이스 사이에서 정보를 주고받기위한 경로이다.
내부 인터페이스(225)는, 오퍼레이터의 조작에 의해 키보드(705)나 터치 패널(710)로부터, 예컨대, 더미 처리의 운용 조건을 나타내는 파라미터(데이터)를 입력함과 아울러, 필요한 정보를 모니터(715)나 스피커(720)에 출력한다. 외부 인터페이스(230)는, MES(100)나 MC(300)와 데이터를 송수신한다.
(PM 시스템의 하드웨어 구성)
도 3에 나타낸 바와 같이, PM(400)(기판 처리 장치에 상당)은, 제 1 프로세스쉽(405), 제 2 프로세스쉽(410), 반송 유닛(415), 위치 정렬 기구(420) 및 카세트 스테이지(425)를 갖고 있다.
제 1 프로세스쉽(405)은, 플라즈마를 이용하여 웨이퍼에 반응성 이온 에칭(RIE : Reactive Ion Etching) 처리를 실시하는 PM(Process Module)1을 갖고 있다. 제 2 프로세스쉽(410)은, 제 1 프로세스쉽(405)과 평행하게 배치되어 있고, RIE 처리가 실시된 웨이퍼에 대하여 COR(Chemical Oxide Removal) 처리와 PHT(Post Heat Treatment) 처리를 실행하는 PM2를 갖고 있다.
반송 유닛(415)은, 직사각형의 반송실이며, 게이트 밸브(415a) 및 게이트 밸브(415b)를 거쳐 제 1 프로세스쉽(405) 및 제 2 프로세스쉽(410)과 접속되어 있다. 반송 유닛(415)에는 반송암(415c)이 설치되어 있고, 게이트 밸브(415a, 415b)의 개 폐에 의해 각 유닛을 기밀로 유지하면서, 반송되어 온 웨이퍼를, 반송암(415c)을 이용하여 제 1 프로세스쉽(405) 또는 제 2 프로세스쉽(410)에 반송한다.
반송 유닛(415)의 한쪽 끝에는, 웨이퍼 W의 위치 결정을 행하는 위치 정렬 기구(420)가 마련되어 있다. 위치 정렬 기구(420)는, 웨이퍼 W를 탑재한 상태로 회전대(420a)를 회전시키면서, 광학 센서(420b)에 의해 웨이퍼 W의 주연부(周緣部)의 상태를 검출함으로써, 웨이퍼 W의 위치를 정렬하도록 되어 있다.
반송 유닛(415)의 측벽에는, 카세트 스테이지(425)가 마련되어 있고, 카세트 스테이지(425)에는, 3개의 카세트 용기(425a1∼425a3)가 탑재되어 있다. 각 카세트 용기(425a)에는, 예컨대, 최대 25장의 웨이퍼 W가 다단으로 수용된다.
(각 PM의 내부 구성 및 기능)
다음으로, 에칭 처리를 실행하는 각 PM의 내부 구성 및 기능에 대하여, 도 4에 모식적으로 나타낸 PM1(PM2)의 종단면도를 참조하면서 설명한다.
PM1(PM2)은, 천정부의 대략 중앙부 및 바닥부의 대략 중앙부가 개구된 각기둥 형상의 처리 용기 C를 갖고 있다. 처리 용기 C는, 예컨대, 표면이 양극 산화 처리된 알루미늄에 의해 구성되어 있다.
처리 용기 내에는, 그 위쪽에 상부 전극(450)이 마련되어 있다. 상부 전극(450)은, 처리 용기 C의 상부에 마련된 개구 주연에 마련된 절연재(455)에 의해 처리 용기 C에 대하여 전기적으로 분리되어 있다. 상부 전극(450)에는, 정합 회로(460)를 거쳐 고주파 전원(465)이 접속되어 있다. 정합 회로(460)에는, 그 주위 에 매칭 박스(470)가 마련되어 있고, 정합 회로(460)의 접지 섀시(chassis)로 되어 있다.
상부 전극(450)에는, 또한, 가스 공급로(475)를 거쳐 처리 가스 공급부(480)가 접속되어 있고, 처리 가스 공급부(480)로부터 공급되는 소망하는 가스를 복수의 가스 분사 구멍(495)으로부터 처리 용기 C 내에 공급한다. 이렇게 하여, 상부 전극(450)은, 가스 샤워 헤드로서도 기능하게 되어 있다. 상부 전극(450)에는, 온도 센서(485)가 마련되어 있다. 온도 센서(485)는, 처리 용기 내의 온도로서 상부 전극(450) 근방의 온도를 검출한다.
처리 용기 내에는, 그 아래쪽에 하부 전극(500)이 마련되어 있다. 하부 전극(500)은, 웨이퍼 W를 탑재하는 서셉터로서도 기능한다. 하부 전극(500)은, 절연재(505)를 사이에 두고 마련된 지지체(510)에 의해 지지되어 있다. 이에 따라, 하부 전극(500)은, 처리 용기 C에 대하여 전기적으로 분리되어 있다.
처리 용기 C의 바닥면에 마련된 개구의 외주 근방에는, 벨로즈(515)의 한쪽 끝이 장착되어 있다. 벨로즈(515)의 다른 쪽 끝에는, 승강 플레이트(520)가 고착되어 있다. 이러한 구성에 의해, 처리 용기 C의 바닥면의 개구부는, 벨로즈(515) 및 승강 플레이트(520)에 의해 밀폐되어 있다. 또한, 하부 전극(500)은, 웨이퍼 W를 탑재하는 위치를 처리 프로세스에 따른 높이로 조정하기 위해, 벨로즈(515) 및 승강 플레이트(520)와 일체로 되어 승강한다.
하부 전극(500)에는, 도전로(525)를 거쳐 임피던스 조정부(530)가 접속되어 있고, 또한, 승강 플레이트(520)가 접속되어 있다. 상부 전극(450) 및 하부 전 극(500)은, 캐소드 전극 및 아노드 전극에 상당한다. 이러한 구성에 의해, 배기 기구(535)에 의해 처리 용기 내부가 소망하는 진공도까지 감압되고, 게이트 밸브(540)의 개폐에 의해 기판 W가 기밀로 처리 용기 내부에 반송된 상태에서, 처리 용기 내부에 공급된 가스가 인가된 고주파 전력에 의해 플라즈마화되어, 생성된 플라즈마의 작용에 의해 기판 W에 소망하는 에칭이 실시된다.
(EC의 기능 구성)
다음으로, EC(200)의 각 기능에 대하여, 각 기능을 블록으로 나타낸 도 5를 참조하면서 설명한다. EC(200)는, 기억부(250), 입력부(255), 로트 연속 투입 지시부(260), 로트 비연속 투입 지시부(265), 판정부(270), 더미 처리 실행부(275), 기판 처리 실행부(280), 통신부(285) 및 출력부(290)의 각 블록에 의해 표시되는 기능을 갖고 있다.
기억부(250)는, 기판(더미 기판을 포함한다)의 처리에 이용되는 하나 또는 둘 이상의 레시피를 기억한다. 즉, 기억부(250)는, 기판 W를 에칭 처리하기 위한 순서를 나타낸 에칭 처리용 레시피(250a)나, 더미 기판을 더미 처리하기 위한 순서를 나타낸 더미 처리용 레시피(250b)를 기억한다. 입력부(255)는, 오퍼레이터에 의해 지정된 더미 처리의 운용 조건을 나타내는 파라미터 등의 정보를 입력한다.
로트 연속 투입 지시부(260)는, 제 1 로트(에칭 처리 중인 기판 W가 포함되는 제품 기판군으로 구성된다)가 존재하는 상태에서, 제 1 로트에 이어서 다른 제품 기판군으로 이루어지는 제 2 로트가 연속적으로 처리되도록 로트의 연속 투입을 지시한다. 예컨대, 도 6의 위쪽에 나타낸 바와 같이, 현시점에서, 로트 A에 포함되는 25장의 기판 W가 순서대로 PM1에 반송되어, PM1에서 에칭 처리되고 있는 경우에 대하여 생각한다. 로트 A의 가동 중에 오퍼레이터가 로트 B의 가동(처리)을 요구했을 때, 로트 연속 투입 지시부(260)는, 이에 따라 판정부(270)에 「로트 연속 투입」을 지시한다. 공장이 24시간 가동하고 있는 통상의 상태에서는, 로트의 처리 요구시, 대부분의 경우, 이 「로트 연속 투입」이 지시된다.
로트 비연속 투입 지시부(265)는, 에칭 처리 중인 기판 W가 포함되는 제품 기판군으로 이루어지는 로트가 존재하지 않는 상태에서, 하나의 로트가 비연속으로 처리되도록 로트의 비연속 투입을 지시한다. 예컨대, 도 6의 아래쪽에 나타낸 바와 같이, 이 시점에서, PM1에 반송되어, 에칭 처리되고 있는 기판 W가 존재하지 않는 경우(즉, 장치가 비가동 중인 경우), 오퍼레이터가 새로운 로트 B의 가동(처리)을 요구했을 때, 로트 비연속 투입 지시부(265)는, 이에 따라 판정부(270)에 「로트 비연속 투입」을 지시한다. 「로트 비연속 투입」이 지시되는 경우로는, 예컨대, PM의 보수를 위해 로트의 연속 투입을 정지하여, PM을 클리닝한 후에 새로운 로트의 처리를 요구하는 경우나, 재해나 어떠한 사고가 있던 경우 등 비교적 장시간 PM을 가동하지 않았던 것에 의해, PM 내의 분위기가 불안정한 상태에 있는 경우에서 새로운 로트의 처리를 요구하는 경우를 들 수 있다.
판정부(270)는, 처리 용기 내의 분위기를 조정하기 위한 온도에 관한 정보를 취득하고, 취득한 온도 정보에 근거하여 처리 용기 C의 온도 상태가 조정되고 있는지 여부를 판정한다. 처리 용기 내의 분위기를 조정하기 위한 온도에 관한 정보의 일례로는, 온도 센서(485)에 의해 검출된 처리 용기 내의 실제 온도(여기서는, 상부 전극(450)의 온도)를 들 수 있다. 온도 센서(485)가 검출하는 온도로는, 상부 전극(450) 근방의 온도가 바람직하지만, 예컨대, 하부 전극(500) 근방의 온도, 기판을 탑재한 탑재대의 온도, 처리 용기의 측벽의 온도, 히터의 설정 온도 등, 처리 용기 내의 온도 상태를 나타내는 값이라면 좋다.
처리 용기 내의 온도에 관한 정보의 다른 예로는, 앞으로 행할 기판 W의 에칭 처리에 사용될 에칭 처리용 레시피(250a)에 정의된 설정 온도 T나 직전의 에칭 처리에 사용된 에칭 처리용 레시피(250a)에 정의된 설정 온도 Told를 들 수 있다.
더미 처리 실행부(275)는, 처리 용기 내에서 더미 기판에 대하여 더미 처리를 실행한다. 보다 구체적으로는, 더미 처리 실행부(275)는, 제품 기판에 대하여 에칭 처리를 실행하기 전에, 미리 처리 용기 내를 프로세스 조건에 합치한 상태로 조정해 두기 위해, 더미 처리용 레시피(250b)에 정의된 순서에 근거하여 비제품인 더미 기판에 대하여 소정의 처리를 실행한다.
기판 처리 실행부(280)는, 에칭 처리용 레시피(250a)에 정의된 순서에 근거하여 처리 용기 내에서 기판 W에 대하여 소정의 처리(본 실시예에서는 에칭 처리)를 실행한다.
통신부(285)는, 더미 처리 실행부(275)로부터 지령을 받으면, 이에 따라 PM에 반송된 더미 기판에 대하여 더미 처리를 실행하기 위한 제어 신호를 MC(300)에 송신한다. MC(300)는, 제어 신호에 따른 구동 신호를 PM 내의 각 액츄에이터에 송신하고, 구동 신호에 따라 각 액츄에이터가 동작함으로써, PM 내는, 제품 기판에 대한 에칭 처리의 실행 전에, 미리 프로세스 조건에 합치한 상태로 조정된다.
또한, 통신부(285)는, 기판 처리 실행부(280)로부터 지령을 받으면, 이에 따라 PM에 반송된 제품 기판에 대하여 에칭 처리를 실행하기 위한 제어 신호를 MC(300)에 송신한다. MC(300)는, 제어 신호에 따른 구동 신호를 PM 내의 각 액츄에이터에 송신하고, 구동 신호에 따라 각 액츄에이터가 동작함으로써, PM 내에서 제품 기판이 에칭 처리된다. 출력부(290)는, 각 처리 중에 문제가 발생했을 때, 그 문제를 모니터(715)에 표시하는 것 등으로 오퍼레이터에 보고하거나, 필요한 정보를 스피커(720) 등으로 출력한다.
또, 이상에서 설명한 EC(200)의 각 기능은, 실제로는, CPU(215)가 이들 기능을 실현하는 처리 순서를 기술한 프로그램을 실행함으로써, 또는, 각 기능을 실현하기 위한 도시하지 않은 IC 등을 제어함으로써 달성된다. 예컨대, 본 실시예에서는, 로트 연속 투입 지시부(260), 로트 비연속 투입 지시부(265), 판정부(270), 더미 처리 실행부(275), 기판 처리 실행부(280)의 각 기능은, 실제로는, CPU(215)가 이들 기능을 실현하는 처리 순서를 기술한 프로그램이나 레시피를 실행함으로써 달성된다.
(EC의 동작)
다음으로, EC(200)에 의해 실행되는 로트 처리(더미 판정／기판 처리)의 동작에 대하여, 도 7을 참조하면서 설명한다. 도 7은, EC(200)가 실행하는 로트 처리를 나타낸 흐름도(메인 루팅)이다.
또, 본 처리를 개시하기 전에, 오퍼레이터의 조작에 의해 더미 처리의 운용 조건을 나타내는 파라미터가 「로트 연속 투입」, 「로트 비연속 투입」, 「로트 연속／비연속 투입」, 「설정 없음」 중 어느 하나로 설정되어 있다. 「로트 연속 투입」은, 로트 연속 투입시에 대응하여 더미 처리의 억제 처리를 희망할 때에 오퍼레이터에 의해 선택된다. 「로트 비연속 투입」은, 로트가 연속 투입되고 있지 않은 때(로트 비연속 투입시)에 대응하여 로트의 처리에 앞서 더미 처리를 무조건 실행하는 것을 희망할 때 오퍼레이터에 의해 선택된다. 「로트 연속／비연속 투입」은, 로트 연속 투입시의 더미 처리의 억제와 로트 비연속 투입시의 더미 처리의 무조건 실행의 양쪽을 희망할 때에 오퍼레이터에 의해 선택된다. 「설정 없음」은, 통상의 더미 처리의 실행을 희망할 때에 오퍼레이터에 의해 선택되거나, 또는, 오퍼레이터가 아무것도 선택하지 않은 경우에 디폴트값으로서 설정된다.
(로트 처리)
오퍼레이터가 로트 스타트 버튼을 「온」하면, 도 7의 단계 700으로부터 로트 처리가 시작되고, 단계 705로 진행하여, 판정부(270)는, 해당 로트가 연속 투입됐는지 여부를 판정한다. 로트 연속 투입 지시부(260)가 로트 연속 투입을 지시하고 있는 경우, 판정부(270)는, 해당 로트가 연속적으로 투입됐다고 판정하여, 단계 710으로 진행하여 로트 연속 투입시의 더미 판정／기판 처리(도 8 참조)를 실행하고, 단계 795로 진행하여 본 처리를 종료한다.
한편, 로트 비연속 투입 지시부(265)가 로트 비연속 투입을 지시하고 있는 경우, 판정부(270)는, 해당 로트가 비연속으로 투입됐다고 판정하여, 단계 715로 진행하여 로트 비연속 투입시의 더미 판정／기판 처리(도 12 참조)를 실행하고, 단계 795로 진행하여 본 처리를 종료한다.
(더미 판정／기판 처리 : 로트 연속 투입시)
단계 710에서 호출되는 로트 연속 투입시의 더미 판정／기판 처리에 대하여, 도 8의 흐름도를 참조하면서 설명한다. 로트 연속 투입시의 더미 판정／기판 처리는, 도 8의 단계 800으로부터 처리가 개시되어, 단계 805로 진행하고, 판정부(270)는, 더미 운용 변경 파라미터에는 무엇이 설정되어 있는지를 판정한다. 더미 운용 변경 파라미터가 「로트 연속 투입」 또는 「로트 연속／비연속 투입」으로 설정되어 있는 경우, 판정부(270)는, 오퍼레이터가 더미 처리를 억제하는 것을 희망하고 있다고 판정하여 단계 810으로 진행한다.
(파라미터 : 로트 연속 투입 또는 로트 연속／비연속 투입)
구체적으로는, 우선, 단계 810에서, 판정부(270)는, 온도 센서(485)에 의해 검출된 처리 용기 내의 실온도 Tsen을 PM 실온도 Tp에 저장하고, 단계 815로 진행하여, PM 실온도 Tp와 해당 로트(앞으로 처리할 기판)에 사용하는 에칭 처리용 레시피(250a)에 정의된 설정 온도(레시피 온도 Tr)와의 차분의 절대값이 미리 정해진 인터록 Tsh1 이하인지 여부를 판정한다(제 3 판정 조건에 상당).
PM 실온도 Tp와 레시피 온도 Tr과의 차분의 절대값이 인터록 Tsh1 이하인 경 우, 판정부(270)는, 처리 용기 내가 에칭 처리에 적합한 상태로 안정되어 있으므로 더미 처리는 불필요하다고 판정하여, 단계 820으로 진행한다. 기판 처리 실행부(280)는, 해당 로트에 속하는 기판에 대하여 에칭 처리를 실시한 후, 단계 825로 진행하여 레시피 온도 Tr을 직전 레시피 온도 Trold에 저장하고, 단계 895로 진행하여 본 처리를 종료한다.
한편, PM 실온도 Tp와 레시피 온도 Tr과의 차분의 절대값이 인터록 Tsh1보다 큰 경우, 판정부(270)는, 처리 용기 내가 에칭 처리에 적합한 온도 상태로 안정되어 있지 않으므로 더미 처리가 필요하다고 판정하여, 단계 830으로 진행한다. 더미 처리 실행부(275)는, 더미 기판에 대하여 더미 처리를 실행하고, 기판 처리 실행부(280)는, 해당 로트에 속하는 기판에 대하여 에칭 처리를 실시한 후, 단계 825로 진행하여 레시피 온도 Tr을 직전 레시피 온도 Trold에 저장하고, 단계 895로 진행하여 본 처리를 종료한다.
(파라미터 : 설정 없음 또는 로트 비연속 투입)
이상, 단계 805에서 더미 운용 변경 파라미터가 「로트 연속 투입」 또는「로트 연속／비연속 투입」으로 설정되어 있는 경우의 더미 처리의 판정에 대하여 설명했다. 다음으로, 단계 805에서 더미 운용 변경 파라미터가 「설정 없음」 또는 「로트 비연속 투입」으로 설정되어 있는 경우의 더미 처리의 판정에 대하여 설명한다.
단계 805에서, 더미 운용 변경 파라미터가 「설정 없음」 또는 「로트 비연 속 투입」으로 설정되어 있다고 판정된 경우, 판정부(270)는, 단계 835로 진행하여, 직전에 처리된 기판에 이용한 레시피의 설정 온도 Trold와 다음에 처리할 기판의 레시피의 설정 온도 Tr과의 차분의 절대값이, 미리 정해진 인터록 Tsh2 이하인지 여부를 판정한다(제 1 판정 조건에 상당).
도 9는, 직전의 로트의 처리에 이용된 에칭 처리용 레시피 A의 일례이며, 도 10은, 앞으로 로트의 처리에 이용될 에칭 처리용 레시피 B의 일례이다. 여기서는 인터록 Tsh2는 5℃이며, 에칭 처리용 레시피 A의 설정 온도(상부 전극 온도(전극))는 80℃이며, 에칭 처리용 레시피 B의 설정 온도(상부 전극 온도(전극))도 80℃이다.
이 경우, 에칭 처리용 레시피 A의 설정 온도와 에칭 처리용 레시피 B의 설정 온도와의 차분은 인터록 Tsh2 이하이므로, 판정부(270)는, 단계 835에서 「예」라고 판정하여 단계 840으로 진행하여, 직전에 처리된 로트(속하는 복수의 기판)에 이용한 하나 또는 둘 이상의 레시피의 상부 RF 전력(예컨대, 도 9에 나타낸 레시피의 상부 RF 전력)의 평균치 Pave와 다음에 처리할 기판의 레시피의 설정 RF 전력 Pr(예컨대, 도 10에 나타낸 레시피의 상부 RF 전력)과 차가 있는지 여부를 판정한다(제 2 판정 조건에 상당).
로트에 속하는 기판의 전부가 에칭 처리용 레시피 A를 사용한 경우, 직전 레시피 상부 RF 전력의 평균치 Pave는, 도 9에 나타낸 바와 같이 「1000W」이다. 또한, 이로부터 이용하는 레시피의 상부 RF 전력 Pr은, 도 10에 나타낸 바와 같이 「900W」로서 같지 않다. 이 경우, 판정부(270)는, 처리 용기 내의 상태가 조정되고 있지 않으므로, 더미 처리가 필요하다고 판정하여, 단계 830으로 진행한다. 더미 처리 실행부(275)가 더미 처리 후, 단계 820으로 진행하여 기판 처리 실행부(280)가 기판을 에칭 처리하고, 이어서, 단계 825로 진행하여, 도 10에 나타낸 레시피 온도 Tr(상부 전극 온도(전극)) 80℃를 직전 레시피 온도 Trold에 저장하고, 단계 895로 진행하여, 본 처리를 종료한다.
한편, 도 9의 에칭 처리용 레시피 A의 설정 온도 Trold(상부 전극 온도(전극)))가 80℃인데 대하여, 도 11에 나타낸 바와 같이, 에칭 처리용 레시피 B의 설정 온도 Tr(상부 전극 온도(전극)))이 74℃인 경우, 에칭 처리용 레시피 A의 설정 온도와 에칭 처리용 레시피 B의 설정 온도와의 차분은 인터록 Tsh2(＝5℃)보다 크다. 따라서, 이 경우에는, 판정부(270)는, 더미 처리가 필요하다고 판정하여, 단계 835에서 「아니오」라고 판정하고, 즉시 단계 830으로 진행하여 더미 처리가 실행되고, 다음으로, 단계 820에서 에칭 처리가 실행되고, 단계 825로 진행하여 레시피 온도 Tr을 직전 레시피 온도 Trold에 저장하고, 단계 895로 진행하여, 본 처리를 종료한다.
또한, 직전의 로트 처리에 이용된 레시피의 설정 온도 Trold와 앞으로 로트 처리에 이용할 레시피의 설정 온도 Tr과의 차분의 절대값이 인터록 Tsh2(＝5℃) 이하(즉, 제 1 판정 조건을 만족하는 경우)로서, 직전 레시피 상부 RF 전력의 평균치 Pave가 앞으로 이용할 레시피의 상부 RF 전력 Pr과 같은 경우(즉, 제 2 판정 조건을 만족하는 경우)에는, 판정부(270)는, 단계 810으로 진행한다. 그리고, 판정부(270)가, 단계 810에 연속하는 단계 815에서, PM 실온도 Tp와 해당 로트(앞으로 처리할 기판)에 사용하는 에칭 처리용 레시피(250a)에 정의된 설정 온도(레시피 온도 Tr)와의 차분의 절대값이 미리 정해진 인터록 Tsh1 이하이다(즉, 제 3 판정 조건을 만족한다)라고 판정한 경우, 판정부(270)는, 더미 처리가 불필요하다고 판정하고, 단계 815에서 제 3 판정 조건을 만족하지 않는다고 판정한 경우에는, 더미 처리가 필요하다고 판정하여 각각 필요한 처리(단계 820, 단계 825, 단계 830)를 실행한 후, 본 처리를 종료한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 실시예에 따른 로트 연속 투입시의 더미 판정／기판 처리에 의하면, 파라미터에 따라 제 1 판정 조건, 제 2 판정 조건 및 제 3 판정 조건 중 적어도 어느 하나에 의해 더미 처리를 실행할지 여부가 판정된다. 그리고, 소정의 판정 조건을 만족한다고 판정된 경우, 제품 기판을 처리하는 것이 가능할 정도까지 처리 용기 내가 안정되어 있다고 판정하여, 더미 처리를 실행하지 않고, 즉시 에칭 처리가 실행된다. 이 결과, 더미 처리에 소비하고 있던 고주파 전력 등의 에너지나 가스, 더미 기판 등의 자원이 쓸데없이 소비되는 것을 억제할 수 있음과 아울러, 더미 처리에 소비되고 있던 시간을 제품 기판의 처리에 사용할 수 있다. 이 결과, 에너지 절약을 도모하면서, 스루풋을 향상시켜 제품의 생산성을 비약적으로 향상시킬 수 있다.
또, 이전의 제품 기판의 처리에 이용한 레시피의 설정 전력으로부터 산출된 값이란, 직전에 처리된 로트에 속하는 복수의 기판에 이용한 복수의 레시피의 설정 전력의 평균치에 한정되지 않고, 예컨대, 가장 최근 처리된 기판에 이용한 레시피의 설정 전력이더라도 좋다.
(더미 판정／기판 처리 : 로트 연속 투입시)
다음으로, 단계 715에서 호출되는 로트 비연속 투입시의 더미 판정／기판 처리에 대하여, 도 12의 흐름도를 참조하면서 설명한다. 로트 비연속 투입시의 더미 판정／기판 처리는, 도 12의 단계 1200으로부터 처리가 개시되어, 단계 805로 진행하고, 판정부(270)는, 더미 운용 변경 파라미터에는 무엇이 설정되어 있는지를 판정한다.
(파라미터 : 로트 비연속 투입 또는 로트 연속／비연속 투입)
더미 운용 변경 파라미터가 「로트 비연속 투입」 또는 「로트 연속／비연속 투입」으로 설정되어 있는 경우, 판정부(270)는, 오퍼레이터가 무조건 더미 처리를 실행하는 것을 희망하고 있다고 판정하여 단계 830으로 진행한다.
이 경우, 가령, 앞으로의 처리에 이용될 레시피의 상부 전극 온도 Tr이 검출 온도 Tsen과 같은 경우나 앞으로의 처리에 이용될 레시피의 상부 전극 온도 Tr(도 10의 에칭 처리용 레시피 B 참조)이 직전의 처리에 이용된 레시피의 상부 전극 온도 Trold(도 13의 에칭 처리용 레시피 A 참조)와 같은 경우이더라도, 더미 처리 실행부(275)는, 단계 830에서 더미 기판에 대하여 더미 처리를 실행하고, 기판 처리 실행부(280)는, 단계 820에서 해당 로트에 속하는 기판에 대하여 에칭 처리를 실시한 후, 단계 825로 진행하여 레시피 온도 Tr을 직전 레시피 온도 Trold에 저장하고, 단계 1295로 진행하여, 본 처리를 종료한다.
(파라미터 : 설정 없음 또는 로트 연속 투입)
한편, 단계 805에서 더미 운용 변경 파라미터가 「설정 없음」 또는 「로트 연속」으로 설정되어 있는 경우, 판정부(270)는, 단계 810에 이어서 단계 815에서 제 3 판정 조건을 만족하는지 여부를 판정한다. 단계 815에서 제 3 판정 조건이 만족되고 있지 않다고 판정된 경우에는, 더미 처리가 필요하다고 판정되고, 단계 830에서 더미 처리, 단계 820에서 에칭 처리가 실행된 후, 단계 825로 진행하여 레시피 온도 Tr을 직전 레시피 온도 Trold에 저장하고, 단계 895로 진행하여, 본 처리를 종료한다.
한편, 단계 815에서 제 3 판정 조건이 만족되고 있다고 판정된 경우에는, 판정부(270)는, 단계 1205로 진행하여, 직전 레시피 온도 Trold와 레시피온도 Tr과의 차분의 절대값이 인터록 Tsh2의 범위 내인지 여부(제 3 판정 조건을 만족하는지 여부)를 판정한다.
직전 레시피 온도 Trold와 레시피 온도 Tr과의 차분의 절대값이 인터록 Tsh2의 범위 내인 경우, 판정부(270)는, 더미 처리가 불필요하다고 판정하여 단계 820으로 진행한다. 기판 처리 실행부(280)는, 단계 820에서 기판의 에칭 처리를 실행하고, 단계 825에서 레시피 온도 Tr을 직전 레시피 온도 Trold에 저장하며, 단계 1295로 진행하여 본 처리를 종료한다.
한편, 단계 1205에서 직전 레시피 온도 Trold와 레시피 온도 Tr과의 차분의 절대값이 인터록 Tsh2보다 큰 경우, 판정부(270)는, 더미 처리가 필요하다고 판정하여 단계 830으로 진행한다. 단계 830에서 더미 처리, 단계 820에서 에칭 처리가 실행된 후, 단계 825로 진행하여 레시피 온도 Tr을 직전 레시피 온도 Trold에 저장하고, 단계 1295로 진행하여, 본 처리를 종료한다.
비연속으로 로트의 처리가 실행되는 경우, 직전에 처리한 로트(제품 기판)의 처리 시각에서 다음에 처리될 로트의 처리 시간까지, 비교적 장시간이 경과되어 있다고 생각된다. 예컨대, 기판 처리 장치의 유지 보수 후에 로트를 투입한 것 같은 경우이다. 이러한 경우, 처리 용기 내의 상태가 무너지고 있어 안정되지 못한다. 이 때문에, 제품 기판을 처리하기 전에 처리 용기 내의 상태를 조정할 필요가 있다. 특히, 온도 조건은 상술한 이유에 의해 미리 제어해 놓을 필요가 있다.
이에 대하여, 이상에 설명한 바와 같이, 본 실시예에 따른 로트 비연속 투입시의 더미 판정／기판 처리에 의하면, 파라미터가 로트 비연속 투입시의 처리를 지정하고 있는 경우(즉, 제어 파라미터가 「로트 비연속 투입」 또는 「로트 연속／비연속 투입」인 경우), 무조건 더미 처리가 실행된다. 이 결과, 제품 기판의 처리를 행하기 전에 처리 용기 내의 분위기를 확실히 안정된 상태로 조정할 수 있다.
도 8의 더미 판정／기판 처리(로트 연속 투입시)에서는, 단계 835에서 제 1 판정 조건이 판정되고, 단계 840에서 제 2 판정 조건이 판정되며, 단계 815에서 제 3 판정 조건이 판정되었다. 또한, 도 12의 더미 판정／기판 처리(로트 비연속 투입시)에서는, 단계 1205에서 제 1 판정 조건이 판정되고, 단계 815에서 제 3 판정 조건이 판정되었다.
이와 같이, 판정부(270)는, 로트 연속 투입 지시부(260)에 의해 로트의 연속 투입이 지시된 경우만, 제 2 판정 조건 또는 제 2 판정 조건을 포함한 조건에 근거 하는 판정을 행하더라도 좋다.
또한, 판정부(270)는, 로트 연속 투입 지시부(260)에 의해 로트의 연속 투입이 표시되고, 로트 연속 투입시가 더미 처리의 운용 조건으로서 파라미터에 지정되어 있지 않은 경우(즉, 파라미터에는 「설정 없음」 또는 「로트 비연속 투입」이 설정되어 있는 경우), 도 8의 단계 835에서 제 1 판정 조건을 판정하고, 단계 840에서 제 2 판정 조건을 판정하며, 단계 815에서 제 3 판정 조건을 판정하지 않고, 처리 용기 C의 온도 상태가 조정되고 있는지 여부를 판정하더라도 좋다.
(기판 처리 장치의 변형예 1)
기판 처리 장치는, 도 3에 나타낸 PM(400)에 한정되지 않고, 예컨대, 도 14의 PM(400u)에 나타낸 구성이더라도 좋다. PM(400u)은, 카세트 챔버(C／C)(400u1, 400u2), 트랜스퍼 챔버(T／C)(400u3), 프리얼라인먼트(P／A)(400u4), 프로세스 챔버(P／C)(＝PM)(400u5, 400u6)를 포함하여 구성되어 있다.
카세트 챔버(400u1, 400u2)에는, 처리 전의 제품 기판(웨이퍼 W) 및 처리 후의 제품 기판이 수용됨과 아울러, 더미 처리용 비제품 기판이, 카세트의 최하단에, 예컨대, 3장 수용되어 있다. 프리얼라인먼트(400u4)는, 웨이퍼 W의 위치 결정을 행한다.
트랜스퍼 챔버(400u3)에는, 굴신 및 선회 가능한 다관절 형상의 암(400u31)이 마련되어 있다. 암(400u31)은, 암(400u31)의 선단(先端)에 마련된 포크(400u32)상에 웨이퍼 W를 유지하고, 적절히 굴신 및 선회하면서 카세트 챔 버(400u1, 400u2)와 프리얼라인먼트(400u4)와 프로세스 챔버(400u5, 400u6)의 사이에서 웨이퍼 W를 반송하도록 되어 있다.
이러한 구성의 PM(400u)에서도, 상술한 바와 같이 프로세스 챔버(400u5, 400u6)에서 웨이퍼에 에칭 처리 등의 프로세스가 실행되기 전에, 더미 처리를 실행할지 여부가 판정된다. 그리고, 불필요한 경우에는 더미 처리를 실행하지 않고, 웨이퍼 W가 프로세스 챔버(400u5, 400u6)에 반입되어, 실제의 프로세스가 실행된다. 또한, 로트가 비연속적으로 투입되는 경우에는, 프로세스 챔버(400u5, 400u6)에서 웨이퍼 W에 에칭 처리 등의 프로세스가 실행되기 전에, 반드시 더미 처리가 실행된다.
(기판 처리 장치의 변형예 2)
또한, 기판 처리 장치는, 도 15의 PM(400t)으로 나타낸 구성이더라도 좋다. PM(400t)은, 웨이퍼 W를 반송하는 반송 시스템 H와 웨이퍼 W에 대하여 성막 처리 또는 에칭 처리 등의 기판 처리를 행하는 처리 시스템 S를 갖고 있다. 반송 시스템 H와 처리 시스템 S는, 로드록실(LLM : Load Lock Module)(400t1, 400t2)을 거쳐 연결되어 있다.
반송 시스템 H는, 카세트 스테이지(400H1)와 반송 스테이지(400H2)를 갖고 있다. 카세트 스테이지(400H1)에는, 용기 탑재대(H1a)가 마련되어 있고, 용기 탑재대(H1a)에는, 4개의 카세트 용기(H1b1∼H1b4)가 탑재되어 있다. 각 카세트 용기(H1b)는, 처리 전의 제품 기판(웨이퍼 W), 처리 후의 제품 기판 및 더미 처리용 비제품 기판을 다단으로 수용할 수 있다.
반송 스테이지(420)에는, 굴신 및 선회 가능한 2개의 반송암(H2a1, H2a2)이, 자기 구동에 의해 슬라이드 이동하도록 지지되어 있다. 반송암(H2a1, H2a2)은, 선단에 설치된 포크상에 웨이퍼 W를 유지하도록 되어 있다.
반송 스테이지(400H2)의 한쪽 끝에는, 웨이퍼 W의 위치 결정을 행하는 위치 정렬 기구(H2b)가 마련되어 있다. 위치 정렬 기구(H2b)는, 웨이퍼 W를 탑재한 상태로 회전대(H2b1)를 회전시키면서, 광학 센서(H2b2)에 의해 웨이퍼 W의 주연부의 상태를 검출함으로써, 웨이퍼 W의 위치를 정렬하도록 되어 있다.
로드록실(400t1, 400t2)에는, 그 내부에 웨이퍼 W를 탑재한 탑재대가 각각 마련되어 있음과 아울러, 그 양단에 기밀로 개폐 가능한 게이트 밸브(t1a, t1b, t1c, t1d)가 각각 마련되어 있다. 이러한 구성에 의해, 반송 시스템 H는, 카세트 용기(H1b1∼H1b3)와 로드록실(400t1, 400t2)과 위치 정렬 기구(H2b)와의 사이에서 웨이퍼 W를 반송하도록 되어 있다.
처리 시스템 S에는, 트랜스퍼 챔버(T／C)(400t3) 및 6개의 프로세스 챔버(P／C)(400s1∼400s6)(＝PM1∼PM6)가 마련되어 있다. 트랜스퍼 챔버(400t3)는, 기밀로 개폐 가능한 게이트 밸브(s1a∼s1f)를 거쳐 프로세스 챔버(400s1∼400s6)와 각각 접합되어 있다. 트랜스퍼 챔버(400t3)에는, 굴신 및 선회 가능한 암 Sa가 마련되어 있다.
이러한 구성에 의해, 처리 시스템은, 암 Sa를 이용하여 웨이퍼 W를 로드록실(400t1, 400t2)로부터 트랜스퍼 챔버(400t3)를 경유하여 프로세스 챔버(400s1∼ 400s6)로 반입하고, 웨이퍼 W에 대하여 에칭 처리 등의 프로세스가 실시된 후, 다시, 트랜스퍼 챔버(400t3)를 경유하여 로드록실(400t1, 400t2)로 반출하도록 되어 있다.
이러한 구성의 PM(400t)에서도, 상술한 바와 같이 프로세스 챔버(400s1∼400s6)에서 웨이퍼에 에칭 처리 등의 프로세스가 실행되기 전에, 더미 처리를 실행할지 여부가 판정된다. 그리고, 불필요한 경우에는 더미 처리를 실행하지 않고, 웨이퍼 W가 프로세스 챔버(400s1∼400s6)로 반입되어, 실제의 프로세스가 실행된다. 또한, 로트가 비연속적으로 투입되는 경우에는, 프로세스 챔버(400s1∼400s6)에서 웨이퍼 W에 에칭 처리 등의 프로세스가 실행되기 전에, 반드시 더미 처리가 실행된다.
상기 실시예에서, 각 부의 동작은 서로 관련하고 있으며, 서로의 관련을 고려하면서, 일련의 동작으로서 치환할 수 있다. 그리고, 이와 같이 치환함으로써, 기판 처리 장치를 제어하는 장치의 발명의 실시예를, 기판 처리 장치를 제어하는 방법의 실시예로 할 수 있다.
또한, 상기 제어 장치의 각 부의 동작을, 각 부의 처리와 치환함으로써, 기판 처리 장치를 제어하는 프로그램의 실시예로 할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치의 제어 프로그램을 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기억시킴으로써, 제어 프로그램의 실시예를 제어 프로그램에 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체의 실시예로 할 수 있다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명했 지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는 것은 말할 필요도 없다. 당업자라면, 특허청구범위에 기재된 범주 내에서, 각종의 변경예 또는 수정예에 생각이 미칠 수 있는 것은 명백하며, 그들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다.
예컨대, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 종류를 막론하고, 용량 결합형 플라즈마 처리 장치이더라도, 유도 결합형 플라즈마 처리 장치이더라도, 마이크로파 플라즈마 처리 장치이더라도 좋다. 또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 대형의 유리 기판을 처리하는 장치이더라도, 통상의 웨이퍼 사이즈의 기판을 처리하는 장치이더라도 좋다.
또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치에서는, 성막 처리 또는 에칭 처리에 한정되지 않고, 열 확산 처리, 애싱 처리, 스퍼터링 처리 등의 모든 기판 처리를 행할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 제어 장치의 기능은, EC(200) 또는 MC(300) 중 적어도 어느 하나에 의해 달성될 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 온도에 관한 조건에 근거하여 처리 용기의 온도 상태가 조정되고 있다고 판정된 경우, 더미 처리를 생략하고, 제품 기판에 대하여 소정의 처리를 실행할 수 있다.

Claims (14)

  1. 제품 기판에 대하여 소정의 처리를 실행하는 기판 처리 실행부와 비제품 기판에 대하여 더미 처리를 실행하는 더미 처리 실행부를 구비하는 것에 의해 기판 처리 장치를 제어하는 제어 장치로서,
    기판의 처리에 이용되는 1 또는 2 이상의 레시피를 기억하는 기억부와,
    상기 기억부에 기억된 레시피로부터 상기 기판 처리 장치에 마련된 처리 용기 내의 분위기를 조정하기 위한 온도에 관한 정보를 취득하고, 취득한 온도 정보에 근거하여 상기 처리 용기 내의 온도 상태가 조정되어 있는지 여부를 판정하는 판정부
    를 구비하되,
    상기 기판 처리 실행부는,
    상기 판정부에 의해 상기 처리 용기의 온도 상태가 조정되어 있다고 판정된 경우, 상기 더미 처리 실행부에 상기 더미 처리를 실행시키지 않고, 제품 기판에 대하여 소정의 처리를 실행하는
    기판 처리 장치의 제어 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 판정부는,
    상기 기억부에 기억된 레시피 중 직전의 제품 기판의 처리에 이용되는 레시피의 설정 온도와 다음 제품 기판의 처리에 이용될 레시피의 설정 온도를 제 1 판정 조건으로서 비교함으로써, 상기 처리 용기의 온도 상태가 조정되어 있는지 여부를 판정하는
    기판 처리 장치의 제어 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 판정부는,
    상기 제 1 판정 조건에 부가하여, 이전의 제품 기판의 처리에 이용된 레시피의 설정 전력으로부터 산출된 값과 다음 제품 기판의 처리에 이용될 레시피의 설정 전력을 제 2 판정 조건으로서 비교함으로써, 상기 처리 용기의 온도 상태가 조정되어 있는지 여부를 판정하는 기판 처리 장치의 제어 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는,
    상기 처리 용기 내의 온도를 검출하는 온도 센서를 더 구비하고,
    상기 판정부는,
    상기 온도 센서에 의해 검출된 처리 용기 내의 온도를 취득하고, 취득된 처리 용기 내의 온도와 다음 제품 기판의 처리에 이용될 레시피의 설정 온도를 제 3 판정 조건으로서 비교함으로써, 상기 처리 용기의 온도 상태가 조정되어 있는지 여부를 판정하는 기판 처리 장치의 제어 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    처리 중인 제품 기판이 포함되는 제품 기판군으로 이루어지는 제 1 로트에 이어서 다른 제품 기판군으로 이루어지는 제 2 로트가 연속적으로 처리되도록 로트의 연속 투입을 지시하는 로트 연속 투입 지시부를 더 구비하고,
    상기 판정부는,
    상기 로트 연속 투입 지시부에 의해 로트의 연속 투입이 지시된 경우만, 상기 제 2 판정 조건, 또는 제 1 판정 조건과 제 2 판정 조건을 포함한 조건에 근거하는 판정을 행하는
    기판 처리 장치의 제어 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    처리 중인 제품 기판이 포함되는 제품 기판군으로 이루어지는 로트가 존재하지 않는 상태에서, 하나의 로트에 대한 처리가 비연속으로 실행되도록 로트의 비연속 투입을 지시하는 로트 비연속 투입 지시부를 더 구비하고,
    상기 더미 처리 실행부는,
    상기 로트 비연속 투입 지시부에 의해 로트의 비연속 투입이 지시된 경우, 상기 판정부에 상기 판정을 실행시키지 않고, 상기 비연속으로 투입된 로트의 제품 기판에 대하여 상기 소정의 처리가 실행되기 전에 비제품 기판에 대하여 더미 처리를 실행하는
    기판 처리 장치의 제어 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 판정부는, 지정된 더미 처리의 운용 조건을 나타내는 파라미터에 따라,
    상기 기억부에 기억된 레시피 중 직전의 제품 기판의 처리에 이용되는 레시피의 설정 온도와 다음 제품 기판의 처리에 이용될 레시피의 설정 온도를 비교하는 제 1 판정 조건과,
    상기 제 1 판정 조건에 덧붙여, 이전의 제품 기판의 처리에 이용된 레시피의 설정 전력으로부터 산출된 값과 다음 제품 기판의 처리에 이용될 레시피의 설정 전력을 비교하는 제 2 판정 조건과,
    상기 처리 용기 내의 온도를 검출하는 온도 센서에 의해 검출된 처리 용기 내의 온도와 다음 제품 기판의 처리에 이용될 레시피의 설정 온도를 비교하는 제 3 판정 조건
    으로 이루어지는 3개의 판정 조건 중 적어도 어느 하나에 근거하여 상기 처리 용기의 온도 상태가 조정되어 있는지 여부를 판정하는
    기판 처리 장치의 제어 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 판정부는, 상기 로트 연속 투입 지시부에 의해 로트의 연속 투입이 지시되고, 로트 연속 투입시가 더미 처리의 운용 조건으로서 상기 파라미터에 지정되어 있는 경우, 상기 제 3 판정 조건에 의해 상기 처리 용기의 온도 상태가 조정되어 있는지 여부를 판정하는 기판 처리 장치의 제어 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 판정부는, 상기 로트 연속 투입 지시부에 의해 로트의 연속 투입이 지시되고, 로트 연속 투입시가 더미 처리의 운용 조건으로서 상기 파라미터에 지정되어 있지 않은 경우, 상기 제 1 판정 조건 및 상기 제 2 판정 조건에 의해 상기 처리 용기의 온도 상태가 조정되어 있는지 여부를 판정하는 기판 처리 장치의 제어 장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 판정부는, 상기 로트 연속 투입 지시부에 의해 로트의 연속 투입이 지시되고, 로트 연속 투입시가 더미 처리의 운용 조건으로서 상기 파라미터에 지정되어 있지 않은 경우, 상기 제 1 판정 조건, 상기 제 2 판정 조건 및 상기 제 3 판정 조건에 의해 상기 처리 용기의 온도 상태가 조정되어 있는지 여부를 판정하는 기판 처리 장치의 제어 장치.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 더미 처리 실행부는, 상기 로트 비연속 투입 지시부에 의해 로트의 비연속 투입이 지시되고, 로트 비연속 투입시가 더미 처리의 운용 조건으로서 상기 파라미터에 지정되어 있는 경우, 상기 판정부에 상기 판정을 실행시키지 않고, 상기 비연속으로 투입된 제품 기판에 대하여 상기 소정의 처리를 실행하기 전에 비제품 기판에 대하여 더미 처리를 실행하는 기판 처리 장치의 제어 장치.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 더미 처리 실행부는, 상기 로트 비연속 투입 지시부에 의해 로트의 비연속 투입이 지시되고, 로트 비연속 투입시가 더미 처리의 운용 조건으로서 상기 파라미터에 지정되어 있지 않은 경우, 상기 제 1 판정 조건 및 상기 제 3 판정 조건에 의해 상기 처리 용기의 온도 상태가 조정되어 있는지 여부를 판정하는 기판 처리 장치의 제어 장치.
  13. 제품 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치를 제어하는 방법으로서,
    상기 처리 용기 내의 분위기를 조정하기 위한 온도에 관한 정보를 취득하고,
    상기 취득된 온도 정보에 근거하여 상기 처리 용기 내의 온도 상태가 조정되어 있는지 여부를 판정하여,
    상기 처리 용기의 온도 상태가 조정되어 있다고 판정된 경우, 비제품 기판에 대하여 상기 더미 처리를 실행하지 않고, 제품 기판에 대하여 상기 소정의 처리를 실행하는
    기판 처리 장치의 제어 방법.
  14. 제품 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치를 제어하는 제어 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서,
    상기 처리 용기 내의 분위기를 조정하기 위한 온도에 관한 정보를 취득하는 처리와,
    상기 취득된 온도 정보에 근거하여 상기 처리 용기 내의 온도 상태가 조정되어 있는지 여부를 판정하는 처리와,
    상기 처리 용기의 온도 상태가 조정되어 있다고 판정된 경우, 비제품 기판에 대하여 더미 처리를 실행하지 않고, 제품 기판에 대하여 상기 소정의 처리를 실행하는 처리
    를 컴퓨터에게 실행시키는 제어 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
KR1020070031063A 2006-03-29 2007-03-29 기판 처리 장치의 제어 장치, 기판 처리 장치의 제어 방법및 기판 처리 장치의 제어 프로그램을 기억한 기록 매체 KR100882221B1 (ko)

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