KR102284076B1 - 노출 후 처리 장치 - Google Patents

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카일 엠. 한슨
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Abstract

본원에 설명된 구현들은 노출 후 처리를 위한 장치에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본원에 설명된 구현들은, 프로세스 플랫폼들 상에서 사용되는, 필드 유도식 노출 후 프로세스 챔버들 및 냉각/현상 챔버들에 관한 것이다. 일 구현에서, 복수의 노출 후 프로세스 챔버 및 냉각/현상 챔버 쌍들은 프로세스 플랫폼 상에 적층식 배열로 위치되고, 공유된 배관 모듈을 활용한다. 다른 구현에서, 복수의 노출 후 프로세스 챔버 및 냉각/현상 챔버들은 프로세스 플랫폼 상에 선형 배열로 위치되고, 챔버들 각각은 개별적으로 전용된 배관 모듈을 활용한다.

Description

노출 후 처리 장치
본 개시내용의 구현들은 일반적으로, 리소그래피 노출 이후 기판들을 처리하기 위한 장치에 관한 것이다.
집적 회로들은 단일 칩 상에 수백만 개의 구성요소들(예를 들어, 트랜지스터들, 커패시터들 및 저항기들)을 포함할 수 있는 복합 디바이스들로 진화되었다. 포토리소그래피는 칩 상에 구성요소들을 형성하는 데 사용될 수 있는 프로세스이다. 일반적으로, 포토리소그래피의 프로세스는 몇 개의 기본 스테이지들을 수반한다. 처음에, 포토레지스트 층이 기판 상에 형성된다. 화학적으로 증폭된 포토레지스트는 레지스트 수지 및 광산 발생제를 포함할 수 있다. 광산 발생제는, 후속 노출 단계에서 전자기 방사선에 노출 시에, 현상 프로세스에서 포토레지스트의 용해도를 변경한다. 전자기 방사선은 임의의 적합한 파장, 예를 들어, 193 nm ArF 레이저, 전자 빔, 이온 빔, 또는 다른 적합한 공급원을 가질 수 있다.
노출 단계에서, 포토마스크 또는 레티클은 기판의 특정 영역들을 전자기 방사선에 선택적으로 노출시키는 데 사용될 수 있다. 다른 노출 방법들은 마스크없는 노출 방법들일 수 있다. 광에의 노출은 광산 발생제를 분해할 수 있으며, 이는 산을 발생시키고 레지스트 수지에 산 잠상을 초래한다. 노출 후에, 기판은 노출 후 베이크 프로세스에서 가열될 수 있다. 노출 후 베이크 프로세스 동안, 광산 발생제에 의해 발생된 산은 레지스트 수지와 반응하여, 후속 현상 프로세스 동안 레지스트의 용해도를 변화시킨다.
노출 후 베이크 후에, 기판, 특히 포토레지스트 층이 현상되고 헹굼될 수 있다. 사용되는 포토레지스트의 유형에 따라, 전자기 방사선에 노출된 기판의 영역들은 제거에 저항성이거나 제거에 더 민감할 수 있다. 현상 및 헹굼 후에, 마스크의 패턴은 습식 또는 건식 식각 프로세스를 사용하여 기판에 전사된다.
최근의 개발에서, 리소그래피 노출/현상 해상도를 개선하기 위해 전자기 방사선이 투과되는 포토레지스트 층의 일부의 화학적 특성을 변경하기 위해서 노출 프로세스 이전에 또는 이후에 기판 상에 배치된 포토레지스트 층에 전기장을 발생시키는 데 전극 조립체가 활용된다. 그러나, 그러한 시스템들을 구현하는 데 있어서의 난제들은 아직 충분히 극복되지 않았다.
그러므로, 노출 후 베이크 및 현상 프로세스들을 개선하기 위한 장치에 대한 필요성이 존재한다.
일 구현에서, 플랫폼 장치가 제공된다. 장치는 팩토리 인터페이스, 배관 모듈, 및 팩토리 인터페이스와 배관 모듈 사이에 배치된 프로세스 모듈을 포함한다. 프로세스 모듈은 중앙 영역 및 중앙 영역 주위에 배치된 복수의 프로세스 스테이션들을 포함하고, 중앙 영역은 중앙 영역에 배치된 로봇을 갖는다. 각각의 프로세스 스테이션은 적층식 배열의 프로세스 챔버 및 사후 프로세스 챔버를 포함한다.
다른 구현에서, 플랫폼 장치가 제공된다. 장치는 팩토리 인터페이스, 배관 모듈, 및 팩토리 인터페이스와 배관 모듈 사이에 배치된 프로세스 모듈을 포함한다. 프로세스 모듈은 중앙 영역을 포함하고, 중앙 영역은 중앙 영역에 배치된 로봇을 갖는다. 로봇은 복수의 엔드 이펙터들을 포함하고, 엔드 이펙터들은 3개의 축들로 이동가능하다. 복수의 프로세스 스테이션들은 중앙 영역 주위에 배치되고, 각각의 프로세스 스테이션은 적층식 배열의 프로세스 챔버 및 사후 프로세스 챔버를 포함한다.
또 다른 구현에서, 플랫폼 장치가 제공된다. 장치는 팩토리 인터페이스 및 팩토리 인터페이스에 인접하여 배치된 중간 모듈을 포함한다. 버퍼 스테이션은 중간 모듈에 배치되고, 지원 모듈은 중간 모듈에 인접하여 배치된다. 복수의 세정 스테이션들은 지원 모듈에 배치되고, 프로세스 모듈은 지원 모듈에 인접하여 배치된다. 프로세스 모듈은 복수의 프로세스 스테이션들을 포함하고, 각각의 프로세스 스테이션은 적층식 배열의 프로세스 챔버 및 사후 프로세스 챔버, 및 각각의 프로세스 스테이션에 전용된 배관 모듈을 포함한다.
본 개시내용의 위에서 언급된 특징들이 상세히 이해될 수 있도록, 위에 간략히 요약된 본 개시내용의 더 구체적인 설명이 구현들을 참조하여 이루어질 수 있으며, 이들 중 일부는 첨부 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부 도면들은 단지 예시적인 구현들만을 예시하고 따라서 그의 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안 되며, 다른 동등하게 효과적인 구현들을 허용할 수 있다는 점에 주목해야 한다.
도 1은 본원에 설명된 구현들에 따른 프로세스 챔버의 개략적인 단면도를 예시한다.
도 2는 본원에 설명된 구현들에 따른, 도 1의 프로세스 챔버의 일부의 상세도를 예시한다.
도 3은 본원에 설명된 구현들에 따른 사후 프로세스 챔버를 예시한다.
도 4는 본원에 설명된 구현들에 따른 프로세스 플랫폼의 사시도를 예시한다.
도 5는 본원에 설명된 구현들에 따른, 도 4의 프로세스 플랫폼의 개략적인 평면도를 예시한다.
도 6은 본원에 설명된 구현들에 따른, 도 4의 프로세스 플랫폼의 프로세스 챔버 및 사후 프로세스 챔버 배열의 개략적인 측면도이다.
도 7은 본원에 설명된 구현들에 따른, 도 4의 프로세스 플랫폼의 프로세스 챔버 및 사후 프로세스 챔버 배열의 개략적인 측면도이다.
도 8은 본원에 설명된 구현들에 따른 프로세스 플랫폼의 사시도를 예시한다.
이해를 용이하게 하기 위해, 가능한 경우, 도면들에 공통된 동일한 요소들을 지시하는 데에 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 구현의 요소들 및 특징들이 추가의 언급 없이 다른 구현들에 유익하게 통합될 수 있다는 것이 고려된다.
본원에 설명된 구현들은 노출 후 처리를 위한 장치에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본원에 설명된 구현들은, 프로세스 플랫폼들 상에 구현된, 필드 유도식 노출 후 프로세스 챔버들 및 냉각/현상 챔버들에 관한 것이다. 일 구현에서, 복수의 노출 후 프로세스 챔버 및 냉각/현상 챔버 쌍들은 프로세스 플랫폼 상에 적층식 배열로 위치되고, 공유된 배관 모듈을 활용한다. 다른 구현에서, 복수의 노출 후 프로세스 챔버 및 냉각/현상 챔버들은 프로세스 플랫폼 상에 선형 배열로 위치되고, 챔버들 각각은 개별적으로 전용된 배관 모듈을 활용한다.
도 1은 본원에 설명된 구현들에 따른 프로세스 챔버(100)의 개략적인 단면도를 예시한다. 일 구현에서, 프로세스 챔버(100)는 액침 필드 유도식 노출 후 베이크(iFGPEB) 프로세스들을 수행하도록 구성된다. 챔버(100)는, 기판이 처리되고 있을 때 기판의 장축이 수직으로 배향되고 기판의 단축이 수평으로 배향되도록, 수직 배향으로 위치된다. 챔버(100)는, 금속성 물질, 예컨대, 알루미늄, 스테인리스강, 및 이들의 합금들 및 조합들로 제조된 챔버 몸체(102)를 포함한다. 대안적으로, 챔버 몸체(102)는 중합체 물질들, 예컨대, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 또는 고온 플라스틱들, 예컨대, 폴리에테르 에테르 케톤(PEEK)으로 제조된다.
몸체(102)는, 적어도 부분적으로, 그 안에 프로세스 체적(104)을 한정한다. 예를 들어, 몸체(102)의 측벽(148)은 프로세스 체적(104)의 직경을 한정한다. 프로세스 체적(104)의 장축은 수직으로 배향되고 프로세스 체적(104)의 단축은 수평으로 배향된다. 제1 복수의 유체 포트들(126)은 측벽(148)을 통해 챔버 몸체(102)에 형성된다. 제2 복수의 유체 포트들(128)은 또한, 제1 복수의 유체 포트들(126)에 대향하는, 챔버 몸체(102)의 측벽(148)에 형성된다. 제1 복수의 유체 포트들(126)은 제1 도관(134)을 통해 프로세스 유체 공급원(132)과 유체 연통한다. 제2 복수의 유체 포트들(128)은 제2 도관(138)을 통해 유체 배출구(136)와 유체 연통한다. 프로세스 유체 공급원(132)은, 단독으로 또는 다른 장치와 조합하여, 유체가 프로세스 체적(104)에 진입하기 이전에, 약 70 ℃ 내지 약 130 ℃, 예컨대, 약 110 ℃의 온도로 프로세스 유체를 예열하도록 구성된다.
일 구현에서, 퍼지 가스 공급원(150)이 또한, 제1 유체 도관(134) 및 제1 복수의 유체 포트들(126)을 통해 프로세스 체적(104)과 유체 연통한다. 퍼지 가스 공급원(150)에 의해 제공되는 가스들은 iFGPEB 처리 동안 또는 그 후에 처리 체적(104)을 퍼지하기 위해 질소, 아르곤, 불활성 가스들 등을 포함할 수 있다. 원하는 경우, 퍼지 가스들은 유체 배출구(136)를 통해 처리 체적(104)으로부터 배출될 수 있다.
도어(106)는 챔버 몸체(102)에 작동가능하게 결합된다. 예시된 구현에서, 도어(106)는, 도어(106)가 챔버 몸체(102)에 인접하여 배치되고 그에 접하도록 처리 위치에 배향된다. 도어(106)는 챔버 몸체(102)에 대해 선택된 물질들과 유사한 물질들로 형성된다. 대안적으로, 챔버 몸체는 제1 물질, 예컨대, 중합체 물질로 형성될 수 있고, 도어(106)는 제1 물질과 상이한 제2 물질, 예컨대, 금속성 물질로 형성될 수 있다. 샤프트(107)는 도어(106)를 통해 연장되며, 도어(106)를 개폐하기 위해 도어(106)가 회전하는 축(즉, Z 축)을 제공한다.
도어(106)는 트랙(도시되지 않음)에 결합될 수 있고, 도어(106)는 트랙을 따라 X 축으로 병진운동하도록 구성된다. 모터(도시되지 않음)는 X 축을 따른 도어(106)의 이동을 용이하게 하기 위해 도어(106) 및/또는 트랙에 결합될 수 있다. 도어(106)가 폐쇄된 처리 위치로 예시되지만, 도어(106)의 개방 및 폐쇄는, 도어(106)를 Z 축을 중심으로 회전시키기 이전에 X 축을 따라 챔버 몸체(02)로부터 멀리 도어(106)를 이동시킴으로써 수행될 수 있다. 예를 들어, 도어(106)는, 로딩 동안 기판 파손의 확률이 감소된 상태로 제1 전극(108) 상에의 기판(110)의 위치결정이 수행될 수 있도록, 예시된 처리 위치로부터 로딩 위치로 약 90 도 회전할 수 있다.
후면판(112)은 도어(106)에 결합되고, 제1 전극(108)은 후면판(112)에 결합된다. 후면판(112)은, 원하는 구현에 따라, 도어(106) 또는 챔버 몸체(102)와 유사한 물질들로 형성된다. 제1 전극(108)은 전기 전도성 금속성 물질로 형성될 수 있다. 추가적으로, 제1 전극(108)에 활용되는 물질은 비산화성 물질일 수 있다. 제1 전극(108)에 대해 선택된 물질들은 제1 전극(108)의 표면에 걸쳐 바람직한 전류 균일성 및 낮은 저항을 제공한다. 특정 구현들에서, 제1 전극(108)은 제1 전극(108)의 표면에 걸쳐 전압 불균일성들을 도입하도록 구성된 세그먼트화된 전극이다. 이러한 구현에서, 제1 전극(108)의 상이한 세그먼트들에 전력을 공급하기 위해 복수의 전원들이 활용된다.
제1 전극(108)은 제1 전극(108) 상에의 기판(110)의 부착을 수용하도록 크기가 정해진다. 제1 전극(108)은 또한, 챔버 몸체(102) 및 프로세스 체적(104)에 인접한 위치결정을 허용하도록 크기가 정해진다. 일 구현에서, 제1 전극(108)은 후면판(112) 및 도어(106)에 고정가능하게 결합된다. 다른 구현에서, 제1 전극(108)은 후면판(112) 및 도어(106)에 회전가능하게 결합된다. 이러한 구현에서, 모터(109)는 도어(106)에 결합되고, 후면판(112) 또는 제1 전극(108) 상에 회전 운동을 부여하도록 구성된다. 일 구현에서, 제1 전극(108)은 접지 전극으로서 구성된다.
진공원(116)은 제1 전극(108)의 기판 수용 표면과 유체 연통한다. 진공원(116)은 도어(106), 후면판(112), 및 제1 전극(108)을 통해 진공원(116)으로부터 연장되는 도관(114)에 결합된다. 일반적으로, 진공원(116)은 기판(110)을 제1 전극(108)에 진공 척킹하도록 구성된다.
열원(118), 온도 감지 장치(120), 전원(122), 및 감지 장치(124)가 제1 전극(108)에 결합된다. 열원(118)은 제1 전극(108) 내에 배치된 하나 이상의 가열 요소, 예컨대, 저항성 가열기에 전력을 제공한다. 또한, 열원(118)이, 후면판(112) 내에 배치된 가열 요소들에 전력을 제공할 수 있다는 점이 고려된다. 열원(118)은 일반적으로, iFGPEB 프로세스들 동안 유체의 예열을 용이하게 하기 위해, 제1 전극(108) 및/또는 후면판(112) 중 어느 하나를 가열하도록 구성된다. 열원(118)은 또한, 프로세스 유체를 예열하는 것에 추가하여 또는 그와 별개로 기판 처리 동안 프로세스 유체의 원하는 온도를 유지하는 데 활용될 수 있다. 일 구현에서, 열원(118)은 제1 전극(108)을 약 70 ℃ 내지 약 130 ℃, 예컨대, 약 110 ℃의 온도로 가열하도록 구성된다.
온도 감지 장치(120), 예컨대, 열전대 등은 온도 피드백을 제공하고 제1 전극(108)의 가열을 용이하게 하기 위해 열원(118)에 통신가능하게 결합된다. 전원(122)은, 예를 들어, 약 1 V 내지 약 20 kV를 제1 전극(108)에 공급하도록 구성된다. 활용되는 프로세스 유체의 유형에 따라, 전원(122)에 의해 발생되는 전류는 수십 나노암페어 내지 수백 밀리암페어 정도일 수 있다. 일 구현에서, 전원(122)은 약 1 kV/m 내지 약 2 MV/m 범위의 전기장들을 발생시키도록 구성된다. 일부 구현들에서, 전원(122)은 전압 제어식 또는 전류 제어식 모드들로 작동하도록 구성된다. 양쪽 모드들 모두에서, 전원은 AC, DC, 및/또는 펄싱된 DC 파형들을 출력할 수 있다. 원하는 경우, 직사각형파 또는 사인파가 활용될 수 있다. 전원(122)은 약 0.1 Hz 내지 약 1 MHz, 예컨대, 약 5 kHz의 주파수의 전력을 제공하도록 구성될 수 있다. AC 전력 또는 펄싱된 DC 전력의 듀티 사이클은 약 5% 내지 약 95%, 예컨대, 약 20% 내지 약 60%일 수 있다.
AC 전력 또는 펄싱된 DC 전력의 상승 및 하강 시간은 약 1 ns 내지 약 1000 ns, 예컨대, 약 10 ns 내지 약 500 ns일 수 있다. 감지 장치(124), 예컨대, 전압계 등은 전기 피드백을 제공하고 제1 전극(108)에 인가되는 전력의 제어를 용이하게 하기 위해, 전원(122)에 통신가능하게 결합된다. 감지 장치(124)는 또한, 전원(122)을 통해 제1 전극(108)에 인가되는 전류를 감지하도록 구성될 수 있다.
제2 전극(130)은 프로세스 체적(104)에 인접하여 챔버 몸체(102)에 결합되고, 프로세스 체적(104)을 부분적으로 한정한다. 제1 전극(108)과 유사하게, 제2 전극(130)은 열원(140), 온도 감지 장치(142), 전원(144) 및 감지 장치(146)에 결합된다. 열원(140), 온도 감지 장치(142), 전원(144), 및 감지 장치(146)는 열원(118), 온도 감지 장치(120), 전원(122), 및 감지 장치(124)와 유사하게 기능할 수 있다. 일 구현에서, 제2 전극(130)은 능동적으로 전력을 공급받는 전극이고 제1 전극(108)은 접지 전극이다. 전술된 전극 배열의 결과로서, 기판(110) 상에 배치된 레지스트의 노출 시에 발생된 산은, 패터닝 및 레지스트 탈보호 특성들을 개선하기 위해, iFGPEB 처리 동안에 조절될 수 있다.
도 2는 본원에 설명된 구현들에 따른, 도 1의 프로세스 챔버(100)의 일부의 상세도를 예시한다. 프로세스 체적(104)은 기판(110)과 제2 전극(130) 사이에 한정된 폭(214)을 갖는다. 일 구현에서, 프로세스 체적(104)의 폭(214)은 약 1.0 mm 내지 약 10 mm, 예컨대, 약 4.0 mm 내지 약 4.5 mm이다. 기판(110)과 제2 전극(130) 사이의 비교적 작은 갭은, iFGPEB 처리 동안, 감소된 양들의 프로세스 유체의 활용을 가능하게 하는 프로세스 체적(104)의 체적을 감소시킨다. 추가적으로, 제2 전극(130)과 기판 사이의 거리를 한정하는 폭(214)은, 기판(110)의 표면에 걸쳐 실질적으로 균일한 전기장을 제공하도록 구성된다. 실질적으로 균일한 장은 iFGPEB 처리의 결과로서 개선된 패터닝 특성들을 제공한다. 폭(214)을 갖는 갭의 또 다른 이점은, 원하는 전기장을 발생시키는데 활용되는 전압의 감소이다.
작동 시에, 프로세스 체적(104)은 iFGPEB 처리 동안 프로세스 유체로 채워진다. 일 구현에서, 전기장의 활성화 이전에 프로세스 유체로 프로세스 체적(104)을 채우는 데에 활용되는 제1 유량은 약 5 L/분 내지 약 10 L/분이다. 일단 프로세스 체적(104)이 프로세스 유체로 채워지면, 전기장이 인가되고, iFGPEB 처리 동안 프로세스 유체의 약 0 L/분 내지 약 5 L/분의 제2 유량이 활용된다. 일 구현에서, 프로세스 유체 충전 시간은 약 1 초 내지 약 5 초이고 처리 시간은 약 30 초 내지 약 90 초, 예컨대, 약 60 초이다. 일 구현에서, 프로세스 유체는 iFGPEB 처리 동안 계속 유동한다. 이러한 구현에서, 프로세스 체적(104)의 체적은 처리되는 기판당 약 1 회 내지 약 10 회 교환된다. 다른 구현에서, 프로세스 유체는 처리 동안 주로 정적이다. 이러한 구현에서, 프로세스 체적(104)의 체적은 각각의 기판의 기판 처리 동안 교환되지 않는다.
다른 작동 구현에서, 처음에 프로세스 체적(104)을 채우기 위해 제1 유량이 활용된다. 제1 유량은, 제1 유체 포트들(126)이 침지되도록 프로세스 체적(104)을 채우기 위해 소정의 양의 시간 동안 5 L/분 미만이다. 그 다음, 5 L/분 초과의 제2 유량은, 프로세스 체적(104)의 나머지를 채우기 위해 활용된다. iFGPEB 처리에서 전기장의 인가 동안, 5 L/분 미만의 제3 유량이 활용된다. 제1 유량과 제2 유량 사이의 유량 조절은, 프로세스 체적(104) 내의 유체의 난류를 감소시키고 프로세스 체적에서의 기포들의 형성을 감소시키거나 제거하도록 구성된다. 그러나, 기포들이 형성되는 경우, iFGPEB 처리 동안 전기장에 대한 기포들의 절연 효과를 최소화하기 위해, 기포들의 부력은 기포들이 제2 유체 포트들(128)을 통해 프로세스 체적(104)으로부터 탈출할 수 있게 한다. 이에 따라, iFGPEB 처리를 개선하기 위해 더 균일한 전기장이 달성될 수 있다.
프로세스 체적 밖으로의 프로세스 유체 누설의 확률을 감소시키기 위해, 프로세스 체적의 유체 격납 무결성을 유지하기 위해 복수의 O-링이 활용된다. 제1 O-링(202)은 제1 전극(108)에, 제1 전극(108)의 기판 수용 표면 상에 배치된다. 제1 O-링(202)은 제1 전극 상에, 기판(110)의 외측 직경으로부터 방사상 내측으로 위치될 수 있다.
일 예에서, 제1 O-링(202)은 제1 전극(108) 상에, 기판(110)의 외측 직경으로부터 방사상 내측으로 약 1 mm 내지 약 10 mm의 거리에 위치된다. 제1 O-링은 기판이 제1 전극(108)에 척킹될 때 기판(110)의 후면과 접촉하도록 위치된다. 측벽(148)의 제1 표면(206)은, 기판(110)이, 예시된 처리 위치에 있을 때 기판(110)의 에지 영역과 접촉하도록 성형되고 크기가 정해진다.
일 구현에서, 제1 O-링(202)은 제1 전극(108)에, 측벽(148)의 제1 표면(206)에 대향하여 배치된다. 제1 O-링(202)이 프로세스 체적(104)으로부터, 기판(110) 뒤의 영역, 예컨대, 제1 전극(108)의 기판 지지 표면으로의 프로세스 유체의 누설을 방지할 수 있다는 것이 고려된다. 유리하게, 기판(110)의 진공 척킹이 유지되고, 프로세스 유체는 진공원(116)에 도달하는 것이 방지된다.
제1 전극(108)은 제1 O-링의 방사상 외측에 배치된 레지(210)를 갖는다. 레지(210)는 제1 O-링(202)의 위치로부터 방사상 외측에 배치된다. 제2 O-링(204)은 레지(210)의 방사상 외측으로 제1 전극(108)에 결합된다. 측벽(148)의 제2 표면(208)은, 제1 전극(108)의 외측 직경으로부터 방사상 내측으로 연장되고 그에 인접하여 제1 전극(108)과 접촉하도록 성형되고 크기가 정해진다. 일 구현에서, 제2 O-링(204)은 기판(110)이 처리 위치에 배치될 때 측벽(148)의 제2 표면(208)과 접촉하여 배치된다. 제2 O-링(204)이, 프로세스 체적(108)으로부터 제1 전극(108)의 외측 직경을 넘는 프로세스 유체의 누설을 방지할 수 있다는 것이 고려된다.
제3 O-링(212)은 제2 전극(130)의 외측 직경을 따라 제2 전극(130)에 결합된다. 제3 O-링(212)은 또한, 챔버 몸체(102)의 측벽(148)과 접촉하여 배치된다. 제3 O-링(212)은 프로세스 유체가 제2 전극(130) 뒤에서 유동하는 것을 방지하도록 구성된다. O-링들(202, 204, 212) 각각은, 엘라스토머 물질, 예컨대, 중합체 등으로 형성된다. 일 구현에서, O-링들(202, 204, 212)은 원형 단면을 갖는다. 다른 구현에서, O-링들(202, 204, 212)은 비원형 단면, 예컨대, 삼각형 단면 등을 갖는다. 또한, O-링들(202, 204, 212) 각각이, O-링들(202, 204, 212)을 넘는 프로세스 유체의 통과를 방지하고 프로세스 체적(104)을 유체 밀봉하기에 적합한 압축력을 받는 것이 고려된다.
도 3은 본원에 설명된 구현들에 따른 사후 프로세스 챔버(300)를 예시한다. 프로세스 챔버(100)에서의 기판의 iFGPEB 처리 후에, 기판은 사후 프로세스 챔버(300)로 이송된다. 사후 프로세스 챔버(300)는 프로세스 체적(304)을 한정하는 챔버 몸체(302) 및 프로세스 체적(304)에 배치된 페디스털(308)을 포함한다. 페디스털(308) 상에 위치된 기판(306)은 기판(306)을 냉각 및 헹굼함으로써 사후 처리된다. 냉각 및 헹굼을 결합함으로써, 기판 처리의 베이크로부터 냉각으로의 지연이 최소화된다.
기판(306)이 페디스털(308) 상에 위치될 때, 진공원(314)로부터 진공의 인가에 의해 기판이 진공 척킹된다. 기판(306)의 냉각은 일단 기판(306)이 척킹되면 시작한다. 유체 도관들(310)은 페디스털(308)에 형성되고, 유체 도관들(310)은 냉각 유체 공급원(312)과 유체 연통한다. 냉각 유체는 기판(306)을 냉각하기 위해 유체 도관들(310)을 통해 유동된다.
냉각 동안, 기판(306)은 또한, 기판 표면 상에 여전히 존재하는 임의의 남아있는 프로세스 유체를 제거하기 위해 헹굼된다. 헹굼 유체는, 유체 전달 노즐들(320)을 포함할 수 있는 유체 전달 암(318)으로부터 기판(306)의 디바이스 측 상에 분배된다. 헹굼 유체, 예컨대, 탈이온수 등이 헹굼 유체 공급원(322)으로부터 암(318) 및 노즐들(320)을 통해 제공된다.
헹굼 및 냉각 후에, 기판(306)은 페디스털(308)을 회전시킴으로써 선택적으로 회전 건조된다. 페디스털(308)은 페디스털(308)의 회전을 가능하게 하는 전원(316)에 결합된다. 기판(306)의 회전 건조 동안, 차폐부(324)는 기판(306)으로부터 떨어져나온 유체를 수집하기 위해 상승된다. 특정 구현들에서, 차폐부(324)는 또한, 기판(306)의 냉각 및/또는 헹굼 동안 상승된다. 차폐부(324)는 페디스털(308)의 직경보다 큰 내측 직경을 갖는 형상 및 크기의 링형이다. 차폐부(324)는 또한, 페디스털(308)의 방사상 외측에 배치된다. 차폐부(324)는, 차폐부(324)가 기판(306) 위로 연장되도록 차폐부(324)를 상승 및 하강시키는 모터(328)에 결합된다. 회전 건조 동안 차폐부(324)에 의해 수집된 유체는 배수구(326)를 통해 프로세스 체적(304)으로부터 제거된다. 기판(306)의 냉각 및 헹굼 동안, 차폐부(324)는 하강된 위치에 선택적으로 배치될 수 있고 기판(306)의 회전 건조 동안에 후속하여 상승될 수 있다는 점에 주목한다. 차폐부(324)는 또한, 기판(306)의 로딩 및 언로딩 동안 하강될 수 있다.
일단 기판(306)이 건조되면, 기판(306) 상의 레지스트는 현상액, 예컨대, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH)의 도포에 의해 현상된다. 일 구현에서, 현상액은 암(318) 및 노즐들(320)로부터 분배된다. 현상 후에, 기판(306)은, 후속 처리를 위해 기판(306)을 준비시키기 위해, 탈이온수로 헹굼되고 다시 건조된다.
도 4는 본원에 설명된 구현들에 따른 프로세스 플랫폼(400)의 사시도를 예시한다. 프로세스 플랫폼(400)의 일 예는, 캘리포니아 산타 클라라 소재의 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드(Applied Materials, Inc.)로부터 입수가능한 블레이저TM(BLAZERTM) 플랫폼이다. 다른 제조업자들로부터의 적합하게 구성된 다른 플랫폼들이 또한, 본원에 설명된 구현들에 따라 활용될 수 있다는 것이 고려된다.
프로세스 플랫폼(400)은 팩토리 인터페이스(402), 프로세스 모듈(404), 및 배관 모듈(406)을 포함한다. 팩토리 인터페이스(402)는 프로세스 모듈(404)에 결합되고, 프로세스 모듈(404)은 배관 모듈(406)에 결합된다. 팩토리 인터페이스(402)는 복수의 전방 개구부 통합 포드들(FOUP들)(502), 예컨대, 4개의 FOUP들(502)을 포함한다. 그러나, 팩토리 인터페이스(402)가, 프로세스 모듈(404)의 처리량 능력에 따라, 더 많거나 더 적은 개수의 FOUP들(502)을 활용할 수 있다는 것이 고려된다.
프로세스 모듈(404)은 복수의 프로세스 챔버들을 포함한다. 일 구현에서, 프로세스 모듈(404)은 복수의 프로세스 챔버들(100) 및 복수의 사후 프로세스 챔버들(300)을 포함한다. 프로세스 모듈(404)이, 대응하는 개수의 프로세스 챔버들(100) 및 사후 프로세스 챔버들(300)로 구현될 수 있다는 것이 고려된다. 일 예에서, 프로세스 모듈(404)은 4개의 프로세스 챔버들(100) 및 4개의 사후 프로세스 챔버들(300)을 포함한다. 다른 예에서, 프로세스 모듈(404)은 6개의 프로세스 챔버들(100) 및 6개의 사후 프로세스 챔버들(300)을 포함한다. 프로세스 및 사후 프로세스 챔버들(100, 300)의 쌍들을 활용하는 것은 개선된 프로세스 효율 및 증가된 처리량을 제공하는 것으로 여겨진다.
프로세스 모듈(404)은 또한, 복수의 세정 챔버들을 포함할 수 있다. 세정 챔버들은 다양한 구현들에 활용될 수 있는데, 예를 들어, 프로세스 챔버들(100)에서 처리하기 전에 기판들을 사전 세정하거나 사후 프로세스 챔버들(300)을 처리한 후에 기판들을 세정하는 데에 활용될 수 있다. 작동 구현에서, 기판은, 기판이 팩토리 인터페이스(402)를 통해 프로세스 모듈(404)로 이송되는 FOUP들(502) 중 하나를 통해 프로세스 플랫폼(400)에 진입한다. 그 다음, 기판은 프로세스 챔버들(100) 중 하나에서 처리되고 사후 프로세스 챔버들(300) 중 대응하는 챔버에 이송된다. 위에서 설명된 바와 같이, 기판의 세정은 프로세스 모듈(404)에서의 iFGPEB 처리 및 현상 전에 또는 후에 선택적으로 수행된다. iFGPEB 처리 및 임의의 원하는 사후 프로세스 세정의 완료 시에, 기판은 팩토리 인터페이스(402) 및 FOUP들(502) 중 하나로 복귀된다.
배관 모듈(406)은 프로세스 모듈(404)에 배치된 프로세스 챔버들(100) 및 사후 프로세스 챔버들(300)을 활용하여 iFGPEB 처리를 수행하기 위한 장치의 완전한 보충물을 포함한다. 배관 모듈(406)은 일반적으로, 프로세스 모듈(404)의 챔버들 각각에 대한 모든 유체 취급 구성요소들을 포함한다. 이로써, 배관 구성요소들은 유지보수를 위해 쉽게 접근가능한 단일 위치에 배치된다. 추가적으로, 배관 모듈(406)은 iFGPEB 처리에 활용되는 유체들의 공급 및 반환을 위한 단일 위치를 가능하게 한다. 배관 모듈(406)은 또한, 인-시튜 유체 분석 장치를 포함할 수 있다. 예를 들어, iFGPEB 처리에 활용되는 유체들은 다양한 양상들, 예컨대, 열전대를 통해 온도, 유량계를 통해 유량 등에 대해 분석될 수 있다. 인-시튜로 유체 데이터 및 다른 프로세스 데이터를 수집하는 능력은, 실시간 프로세스 파라미터 조절을 가능하게 함으로써 플랫폼(400)의 더 효율적인 작동을 제공한다.
배관 모듈(406)은 배관 장치 보충물과 연관된 비용을 감소시키기 위해 프로세스 챔버들(100)과 사후 프로세스 챔버들(300) 사이에 특정 구성요소들을 공유하도록 구성된다. 예를 들어, 단일 프로세스 챔버(100)에 전용된 개별 배관 구성요소들을 갖는 각각의 프로세스 챔버(100) 대신에, 배관 모듈은 복수의 프로세스 챔버들(100) 사이에 공유된 배관 장치를 활용했다. 유사하게, 사후 프로세스 챔버들(300)은 복수의 사후 프로세스 챔버(300) 사이에 공유된 배관 장치를 활용한다.
프로세스 챔버(100)를 작동시키기 위해, 배관 모듈(406)은 프로세스 유체를 순차적 방식으로 프로세스 챔버들(100)에 공급하기에 충분한 체적을 갖는 프로세스 유체 공급원 저장소를 포함한다. 예를 들어, 프로세스 유체 공급원 저장소(배관 구성요소들, 예를 들어, 유량계들, 유동 제어기들, 도관들, 가열기들, 필터들, 밸브들, 배수구들 등의 연관된 보충물)는 프로세스 챔버들(100)을 순차적으로 작동시키기에 충분한 체적의 프로세스 유체를 연속적으로 제공하도록 구성된다. 다른 구현에서, 프로세스 유체 저장소 및 연관된 배관 장치 보충물은 복수의 프로세스 챔버들(100)을 동시에 작동시키기에 충분한 프로세스 유체의 체적을 제공하도록 구성된다.
유사하게, 사후 프로세스 챔버들(300)의 작동을 위해, 배관 모듈(406)은 적어도 헹굼 유체 공급원 저장소, 냉각 유체 공급원 저장소, 현상액 공급원 저장소 및 연관된 배관 장치 보충물을 포함한다. 사후 프로세스 챔버들(300)은 순차적으로 또는 동시에 작동될 수 있고, 배관 장치 보충물 및 저장소들은, 사후 프로세스 챔버들(300)의 효율적인 작동을 가능하게 하기에 충분한 체적들의 유체를 제공함으로써 어느 한 구현에서 처리를 용이하게 하도록 구성된다.
도 5는 본원에 설명된 구현들에 따른, 도 4의 프로세스 플랫폼(400)의 개략적인 평면도를 예시한다. 프로세스 챔버들(100) 및 사후 프로세스 챔버들(300)을 포함하는 프로세스 모듈(404)은 프로세스 스테이션들(504, 506, 508, 510)에서 챔버들(100 및 300)의 쌍들로 구성된다. 4개의 프로세스 스테이션들이 예시되지만, 더 적거나 더 많은 개수의 프로세스 스테이션들, 예컨대, 6개의 프로세스 스테이션들이 본원에 설명된 구현들에 따라 사용될 수 있다는 것이 고려된다. 프로세스 스테이션들(504, 506, 508, 510)은 프로세스 모듈(404)의 주연부 주위에 배치되고, 로봇(512)은 복수의 프로세스 스테이션들(504, 506, 508, 510) 사이의 중앙 영역(514)에 배치된다. 따라서, 프로세스 스테이션들(504, 506, 508, 510)은 중앙 영역(514)에 인접하여 배치되고, 로봇(512)에 근접하여 위치된다.
일 구현에서, 로봇(512)은 다양한 모듈들(402, 404)과 프로세스 스테이션들(504, 506, 508, 510) 간에 기판들을 운반하도록 크기가 정해진 단일 엔드 이펙터를 갖는 암을 갖는다. 다른 구현에서, 로봇(512)은 2개의 암들을 갖고, 각각의 암은 기판들을 운반하기 위한 엔드 이펙터를 갖는다. 이러한 구현에서, 제1 엔드 이펙터는 팩토리 인터페이스(402)로부터 기판들을 회수하고 기판들을 프로세스 스테이션들(504, 506, 508, 510) 중 하나의 스테이션의 프로세스 챔버(100)에 전달하는 데에 활용될 수 있다. 제2 엔드 이펙터는 프로세스 챔버(100)에서 처리된 기판을 동일한 프로세스 스테이션의 사후 프로세스 챔버(300)로 이송하는 데에 활용된다. 제2 이펙터는 프로세스 챔버(100)로부터 회수된 기판들을 냉각시키는 데에 활용될 수 있다. 이러한 구현에서, 제2 엔드 이펙터는, 예를 들어, 유체에 의해 냉각될 수 있고, 제2 엔드 이펙터의 표면적은 기판 이송 동안 기판 냉각의 속도를 개선하기 위해 기판들과 접촉하기에 충분히 클 수 있다. 그 후에, 제1 엔드 이펙터는 사후 프로세스 챔버(300)로부터 다시 팩토리 인터페이스(402)로 기판을 이송하는 데에 활용될 수 있다. 유리하게, 특정 이송 작동들을 위해 설계된 상이한 엔드 이펙터들을 갖는 로봇을 활용하는 것이, 상이한 프로세스 작동들 사이의 기판 오염 확률을 감소시키고 처리량을 개선할 수 있다는 것이 고려된다.
로봇(512)은, 팩토리 인터페이스(402)로부터 기판들을 회수하고, 기판들을 프로세스 모듈(404) 내의 다양한 프로세스 스테이션들(504, 506, 508, 510)에 전달하기 위해, X 방향으로 선형으로 이동한다. 로봇(512)은 또한, 기판들을 프로세스 스테이션들(504, 506, 508, 510)의 챔버들(100, 300)에 전달하고 그로부터 회수하기 위해, Y 및 Z 방향들로 이동한다.
작동 구현에서, 기판은 프로세스 스테이션들(504, 506, 508, 510) 중 하나의 스테이션의 프로세스 챔버(100)에 전달되고, iFGPEB 처리는 약 30 초 내지 약 90 초, 예를 들어, 약 60 초의 시간량 동안 수행된다. 기판의 처리 동안, 로봇(512)은 다른 기판들을 프로세스 스테이션들(504, 506, 508, 510)의 챔버들(100, 300) 간에 또는 팩토리 인터페이스(402)로 그리고 팩토리 인터페이스(402)로부터 이송할 수 있다. 기판이 프로세스 챔버(100)에서 iFGPEB 처리된 이후, 로봇(512)은, 기판을 iFGPEB 처리한 프로세스 챔버(100)를 갖는 동일한 프로세스 스테이션의 사후 프로세스 챔버(300)에 기판을 이송한다. 냉각 및 현상 프로세스를 포함하는 사후 프로세스 작동은 약 15 초 내지 약 90 초, 예컨대, 약 30 초의 시간량 동안 수행될 수 있다. 사후 처리 이후, 기판은 선택적으로 세정되고 그 다음, 다시 팩토리 인터페이스(402)로 전달될 수 있다.
도 6은 본원에 설명된 구현들에 따른, 도 4의 프로세스 플랫폼의 프로세스 챔버(100) 및 사후 프로세스 챔버(300) 배열의 개략적인 측면도이다. 더 구체적으로, 도 6은 단일 프로세스 스테이션에서의 프로세스 챔버(100) 및 사후 프로세스 챔버(300)의 배열을 예시한다. 예시된 구현예에서, 사후 프로세스 챔버(300)는 프로세스 챔버(100) 위에 배치된다. 다시 말해서, 사후 프로세스 챔버(300)는 프로세스 챔버(100) 상에 적층된다. 챔버들(300, 100)은 또한, 기판들의 진입 및 진출을 허용하기 위해 챔버들(300, 100)의 개구부들이 중앙 영역(514) 및 로봇(512)을 향하도록 위치된다.
도 7은 본원에 설명된 구현들에 따른, 도 4의 프로세스 플랫폼 내의 프로세스 챔버(100) 및 사후 프로세스 챔버(300) 배열의 개략적인 측면도이다. 더 구체적으로, 도 7은 단일 프로세스 스테이션에서의 프로세스 챔버(100) 및 사후 프로세스 챔버(300)의 배열을 예시한다. 예시된 구현예에서, 프로세스 챔버는 사후 프로세스 챔버(300) 위에 배치된다. 즉, 프로세스 챔버(100)는 사후 프로세스 챔버(300) 상에 적층된다. 도 6과 관련하여 설명된 구현과 유사하게, 챔버들(100, 300)은, 기판들의 진입 및 진출을 허용하기 위해 챔버들(100, 300)의 개구부들이 중앙 영역(514) 및 로봇을 향하도록 위치된다.
프로세스 챔버들(100) 및 사후 프로세스 챔버(300)를 각각의 프로세스 스테이션들(504, 506, 508, 510)에 적층식 배열로 위치시킴으로써, 로봇에 의한 챔버들(100, 300) 간의 기판들의 이송 시간이 감소되고 개선된 처리량이 실현될 수 있다. 상기 구현들은 기판이 프로세스 스테이션들(504, 506, 508, 510) 중 하나에서 처리되는 것으로 고려되지만, 기판은 제1 프로세스 스테이션의 프로세스 챔버(100) 및 제1 프로세스 스테이션과 상이한 제2 프로세스 스테이션의 사후 프로세스 챔버(300)에서 처리될 수 있다는 것이 고려된다.
도 8은 본원에 설명된 구현들에 따른 프로세스 플랫폼(800)의 사시도를 예시한다. 프로세스 플랫폼(800)의 일 예는, 캘리포니아 산타 클라라 소재의 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드로부터 입수가능한 레이더®(RAIDER®) 플랫폼이다. 다른 제조업자들로부터의 적합하게 구성된 다른 플랫폼들이 또한, 본원에 설명된 구현들에 따라 활용될 수 있다는 것이 고려된다.
프로세스 플랫폼(800)은 팩토리 인터페이스(802), 중간 모듈(804), 지원 모듈(806), 및 프로세스 모듈(808)을 포함한다. 팩토리 인터페이스(802)는 중간 모듈(804)에 결합되고, 중간 모듈(804)은 지원 모듈(806)에 결합되고, 지원 모듈(806)은 프로세스 모듈(808)에 결합된다. 팩토리 인터페이스(402)는 복수의 전방 개구부 통합 포드들(FOUP들)(820), 예컨대, 3개의 FOUP들(820)을 포함한다. 그러나, 팩토리 인터페이스(802)가, 프로세스 모듈(808)의 처리량 능력에 따라, 더 많거나 더 적은 개수의 FOUP들(820)을 활용할 수 있다는 것이 고려된다.
프로세스 모듈(808)은 복수의 프로세스 스테이션들(814)을 포함한다. 프로세스 스테이션들(814)은 각각의 프로세스 스테이션(814)이 적층형 프로세스 챔버(100) 및 사후 프로세스 챔버(300)를 포함한다는 점에서 프로세스 스테이션들(504, 506, 508, 510)과 유사할 수 있다. 예시된 구현은 프로세스 챔버들(100)이 사후 프로세스 챔버(30)의 최상부 상에 배치되는 것을 도시하지만(도 7 참고), 도 6과 유사하게, 사후 프로세스 챔버(300)가 프로세스 챔버들(100)의 최상부 상에 배치될 수 있다는 것이 고려된다. 이에 따라, 프로세스 모듈(808)이, 대응하는 개수의 프로세스 챔버들(100) 및 사후 프로세스 챔버들(300)로 구현된다는 것이 고려된다.
일 예에서, 프로세스 모듈(808)은, 총 10개의 프로세스 챔버들(100) 및 10개의 사후 프로세스 챔버들(300)의 경우, 중앙에 배치된 로봇 트랙(도시되지 않음)의 대향 측들 상에 배치된 5개의 프로세스 챔버들(100) 및 5개의 사후 프로세스 챔버들(300)을 포함한다. 5개의 프로세스 스테이션들(814)이 예시되지만, 4개(총 8개) 또는 6개(총 12개)의 프로세스 스테이션들(814)이 또한 유리하게 활용될 수 있다는 것이 고려된다. 복수의 배관 모듈들(818)이 또한, 프로세스 모듈(808)에 제공된다. 이러한 구현에서, 각각의 프로세스 스테이션(814)은 전용 배관 모듈(818)을 갖는다. 로봇(512)과 유사한 로봇(도시되지 않음)은 또한, 프로세스 모듈(808)에 배치될 수 있고, 기판들을 프로세스 스테이션들(814)의 챔버들(100, 300) 간에 그리고 프로세스 모듈(808)과 지원 모듈(806) 간에 이송하도록 작동할 수 있다.
지원 모듈(806)은 복수의 세정 챔버들(822)을 포함한다. 세정 챔버들(822)은 프로세스 모듈(808)의 프로세스 스테이션들(814)에서 iFGPEB 처리된 기판들을 헹굼 및 회전 건조시키도록 구성된다. 세정 챔버들(822)은 순차적으로 또는 동시에 기판의 디바이스 측 및 후면측 양쪽 모두를 헹굼하도록 구성될 수 있는 것이 고려된다. 세정 챔버들(822)은 또한, 프로세스 모듈(808)에서의 처리 이전에 기판들을 세정할 수 있다. 복수의 배관 모듈들(816)이 또한, 지원 모듈(806)에 제공된다. 이러한 구현에서, 세정 챔버(822)를 갖는 각각의 세정 스테이션(812)은 전용 배관 모듈(812)을 갖는다. 이에 따라, 배관 모듈(816)은 세정 작동들을 가능하게 하도록 구성된 장치의 보충물을 이용하여 기판들의 세정을 지원하도록 구성된다. 특정 구현들에서, 지원 모듈(806)은 또한, 기판들을 세정 스테이션들(812)과 프로세스 모듈(808) 또는 중간 모듈(804) 간에 이송하는 로봇(도시되지 않음)을 가질 수 있다. 대안적으로, 프로세스 모듈 로봇은 기판 이송을 가능하게 하기 위해 프로세스 모듈(808)과 지원 모듈(806) 간에 이동할 수 있다.
중간 모듈(804)은 팩토리 인터페이스(802)와 지원 모듈(806) 사이의 기판 이송의 효율을 개선하기 위해 하나 이상의 버퍼 스테이션(810)을 포함한다. 버퍼 스테이션(810)은 지원 모듈(806) 및 프로세스 모듈(808)에서 수행되는 프로세스 작동들 사이의 프로세스 시간 차이들을 보상하는 데에 활용될 수 있다. 버퍼 스테이션들(810)은 또한, 지원 모듈(806)에서의 처리 또는 다시 팩토리 인터페이스(802)로의 전달 이전에 기판 온도를 조절하기 위해 온도 제어될 수 있다.
요약하면, 본원에 설명된 구현들은 iFGPEB 및 연관된 프로세스 작동들을 수행하기 위한 개선된 플랫폼들을 제공한다. 적층된 프로세스 및 사후 프로세스 챔버들을 갖는 프로세스 스테이션들을 활용하는 것은, 더 효율적인 기판 이송 및 증가된 처리량을 가능하게 한다. 추가적으로, 다양한 배관 모듈 구성들은, 개선된 프로세스 파라미터 조절 및 유지보수 작동들을 제공한다. 이에 따라, iFGPEB 처리 작동들은 본원에 설명되는 장치 상에 유리하게 구현될 수 있다.
전술한 내용은 본 개시내용의 구현들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 구현들은 그의 기본 범위로부터 벗어나지 않고 안출될 수 있으며, 그의 범위는 후속하는 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 플랫폼 장치로서,
    팩토리 인터페이스;
    배관 모듈; 및
    상기 팩토리 인터페이스와 상기 배관 모듈 사이에 배치된 프로세스 모듈을 포함하고, 상기 프로세스 모듈은:
    로봇을 갖는 중앙 영역 ― 상기 로봇은 상기 중앙 영역에 배치됨 ―; 및
    상기 중앙 영역 주위에 배치된 복수의 프로세스 스테이션들 ― 각각의 프로세스 스테이션은 적층식 배열의 프로세스 챔버 및 사후 프로세스 챔버를 포함함 ― 을 포함하고, 상기 프로세스 챔버는:
    프로세스 체적을 한정하는 챔버 몸체 ― 상기 프로세스 체적의 장축은 수직으로 배향되고 상기 프로세스 체적의 단축은 수평으로 배향됨 ―;
    상기 챔버 몸체에 결합된 이동가능한 도어;
    상기 도어에 결합된 제1 전극 ― 상기 제1 전극은 기판을 상기 제1 전극 상에 지지하도록 구성됨 ―;
    상기 프로세스 체적을 적어도 부분적으로 한정하는 제2 전극;
    상기 프로세스 체적에 인접한, 상기 챔버 몸체의 측벽에 형성된 제1 복수의 유체 포트들;
    상기 제1 복수의 유체 포트들에 대향하고 상기 프로세스 체적에 인접한, 상기 챔버 몸체의 측벽에 형성된 제2 복수의 유체 포트들을 포함하는, 플랫폼 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 도어 사이에 배치된 후면판을 더 포함하는, 플랫폼 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    제1 복수의 채널들 및 상기 제1 복수의 유체 포트들을 통해 상기 프로세스 체적과 유체 연통하는 프로세스 유체 공급원을 더 포함하는, 플랫폼 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    제2 복수의 채널들 및 상기 제2 복수의 유체 포트들을 통해 상기 프로세스 체적과 유체 연통하는 유체 배출구를 더 포함하는, 플랫폼 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극은 기판을 상기 제1 전극 상에 진공 척킹하도록 구성되는, 플랫폼 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 챔버 몸체는 폴리테트라플루오로에틸렌으로 형성되는, 플랫폼 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 사후 프로세스 챔버는:
    프로세스 체적을 한정하는 챔버 몸체;
    상기 프로세스 체적 내에 배치된 회전가능한 페디스털;
    세정 유체를 상기 프로세스 체적에 전달하도록 구성된 유체 전달 암; 및
    모터에 의해 상승 및 하강될 수 있는 차폐부 ― 상기 차폐부는 상기 회전가능한 페디스털의 직경보다 큰 내측 직경을 가지며, 상기 차폐부는 상기 회전가능한 페디스털의 방사상 외측에 배치됨 ― 를 포함하는, 플랫폼 장치.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 배관 모듈은 상기 복수의 프로세스 스테이션들 사이에서 공유되는, 플랫폼 장치.
  9. 제4항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버 및 상기 사후 프로세스 챔버의 진입/진출 개구부는 상기 중앙 영역에 인접하여 배치되고 상기 중앙 영역을 향하는, 플랫폼 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버는 상기 프로세스 스테이션 각각의 상기 사후 프로세스 챔버의 최상부에 배치된, 플랫폼 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 사후 프로세스 챔버는 상기 프로세스 스테이션 각각의 상기 프로세스 챔버의 최상부에 배치된, 플랫폼 장치.
  12. 제5항에 있어서,
    진공원이 상기 제1 전극과 유체 연통하는, 플랫폼 장치.
  13. 삭제
  14. 제1항에 있어서,
    상기 배관 모듈은 상기 복수의 프로세스 스테이션들 사이에서 공유되는, 플랫폼 장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버 및 상기 사후 프로세스 챔버의 진입/진출 개구부는 상기 중앙 영역에 인접하여 배치되고 상기 중앙 영역을 향하는, 플랫폼 장치.
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