TWI812927B - 後期曝光處理設備 - Google Patents

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Abstract

本說明書所述的實施係關於用於後期曝光處理的設備。更具體言之，本說明書所述的實施係關於處理平臺上使用的場引導式後期曝光處理腔室及冷卻/顯影腔室。在一個實施中，複數個後期曝光處理腔室和冷卻/顯影腔室對以堆疊佈置的方式定位在處理平臺上，並利用共用的管道模組。在另一實施中，複數個後期曝光處理腔室和冷卻/顯影腔室以線性佈置的方式定位在處理平臺上，且每個腔室利用單獨專用的管道模組。

Description

後期曝光處理設備
本揭示案的實施一般係關於用於在微影曝光之後處理基板的設備。
積體電路已經發展成複雜的元件，其可以在單一晶片上包括數以百萬計的組件（如電晶體、電容器、電阻器）。微影術（photolithography）是可用於在晶片上形成部件的製程。微影術的製程通常包含幾個基本階段。首先，在基板上形成光阻層。經化學放大的光阻劑可包括阻劑樹脂和光酸產生劑。在隨後的曝光階段中，光酸產生劑一旦暴露於電磁輻射後，光酸產生劑改變顯影（development）過程中光阻劑的溶解度。電磁輻射可具有任何合適的波長，例如，193nm的ArF雷射、電子束、離子束或其他合適的源。
在曝光階段，可使用光罩或倍縮光罩（Reticle）來選擇性地將基板的某些區域暴露於電磁輻射。其他曝光方法可以是無遮罩曝光方法。曝光可分解光酸產生劑，光酸產生劑產生酸並在阻劑樹脂中產生潛在（latent）的酸性圖像。曝光之後，基板可在後期曝光烘烤製程中被加熱。在後期曝光烘烤製程中，光酸產生劑產生的酸與阻劑樹脂反應，在隨後的顯影過程中改變阻劑的溶解度。
在後期曝光烘烤之後，可將基板（特別是光阻層）顯影和沖洗（rinse）。根據所使用的光阻劑類型，已經暴露於電磁輻射的基板區域可以是耐受移除的或者是更易於移除。在顯影和沖洗之後，使用濕式或乾式蝕刻製程將遮罩的圖案轉移到基板。
在最近的發展中，在曝光製程之前或之後，利用電極組件來對設置在基板上的光阻層產生電場，從而改變電磁輻射所傳輸到的光阻層的部分之化學性質，以用於改善微影術曝光/顯影分辨率。然而，實施這些系統的挑戰還沒有充分克服。
因此，需要一種用於改善後期曝光烘烤和顯影過程的設備。
在一個實施中，提供了一種平臺設備。該設備包括工廠介面、管道模組以及設置在工廠介面和管道模組之間的處理模組。處理模組包括中央區域及複數個處理站，該中央區域具有設置於其中的機器人，該複數個處理站繞該中央區域設置。每個處理站包括以堆疊佈置的處理腔室和後處理腔室。
在另一個實施中，提供了一種平臺設備。該設備包括工廠介面、管道模組以及設置在工廠介面和管道模組之間的處理模組。處理模組包括中央區域，該中央區域具有設置於其中的機器人。機器人包含複數個端效器且端效器可在三個軸上移動。複數個處理站繞中央區域設置且每個處理站包含以堆疊佈置的處理腔室和後處理腔室。
在又另一個實施中，提供了一種平臺設備。該設備包括工廠介面和與工廠介面相鄰設置的中間模組。緩衝站設置在中間模組中，且支撐模組鄰近中間模組設置。複數個清洗站設置在支撐模組中，且處理模組鄰近支撐模組設置。處理模組包括：複數個處理站，且每個處理站包括以堆疊佈置的處理腔室與後處理腔室以及專用於每個處理站的管道模組。
本說明書所述的實施係關於用於後期曝光處理的設備。更具體言之，本說明書所述的實施係關於處理平臺上使用的場引導式後期曝光處理腔室及冷卻/顯影腔室。在一個實施中，複數個後期曝光處理腔室和冷卻/顯影腔室對以堆疊佈置的方式定位在處理平臺上，並利用共用的管道模組。在另一實施中，複數個後期曝光處理腔室和冷卻/顯影腔室以線性佈置的方式定位在處理平臺上，且每個腔室利用單獨專用的管道模組。
圖1圖示根據本說明書所述的實施之處理腔室100的概要截面圖。在一個實施中，處理腔室100經配置用於執行浸沒場引導式後期曝光烘烤（iFGPEB）製程。腔室100定位在垂直定向上，使得當正在處理基板時，基板的長軸垂直定向，及基板的短軸水平定向。腔室100包括腔室主體102，腔室主體102由金屬材料製成，如鋁、不銹鋼及其合金與組合。或者，腔室主體102由聚合物材料製成，如聚四氟乙烯（PTFE）或高溫塑料（如聚醚醚酮（PEEK））。
主體102至少部分地在其中界定處理空間104。例如，主體102的側壁148界定處理空間104的直徑。處理空間104的主軸垂直定向，及處理空間104的短軸水平定向。第一複數個流體端口126透過側壁148形成在腔室主體102中。第二複數個流體端口128相對於第一複數個流體端口126亦形成在腔室主體102的側壁148中。第一複數個流體端口126經由第一導管134與處理流體源132流體連通。第二複數個流體端口128經由第二導管138與流體出口136流體連通。處理流體源132單獨或與其他設備組合配置在流體進入處理空間104之前，將處理流體預加熱到約70℃至約130℃之間的溫度，如約110℃。
在一個實施中，淨化氣體源150經由第一流體導管134和第一複數個流體端口126而亦與處理空間104流體連通。淨化氣體源150提供的氣體可包括氮、氬、惰性氣體等以在iFGPEB處理期間或之後淨化處理空間104。當需要時，淨化氣體可經由流體出口136從處理空間104排出。
門106可操作地耦接至腔室主體102。在所示的實施中，門106定向在處理位置中，使得門106鄰近且鄰接腔室主體102設置。門106由與為腔室主體102選擇的材料相似的材料形成。或者，腔室主體可由第一材料（如聚合物材料）形成，及門106可由與第一材料不同的第二材料（如金屬材料）形成。軸（shaft）107延伸穿過門106且提供一軸（axis，即Z軸），門106繞該軸旋轉以打開及關閉門106。
門106可耦接至軌道（未圖示）且門106經配置沿著X軸上的軌道平移。馬達（未圖示）可耦接至門106和/或軌道以利於門106沿著X軸移動。儘管門106所示處於關閉的處理位置，但是可藉由在使門106繞Z軸旋轉之前將門106沿著X軸移動離開腔室主體02來施行門106的打開和關閉。例如，門106可旋轉90°而從所示的處理位置到裝載位置，使得基板110在第一電極108上的定位可以在加載期間以降低基板破裂的可能性執行。
背板112耦接至門106，且第一電極108耦接至背板112。根據所需的實施，背板112由類似於門106或腔室主體102的材料形成。第一電極108可由導電金屬材料形成。另外，用於第一電極108的材料可以是非氧化材料。為第一電極108選擇的材料在第一電極108的表面上提供所需的電流均勻性和低電阻。在某些實施中，第一電極108為分段電極，其經配置而在第一電極108的表面上引入電壓非均勻性。在此實施中，利用複數個電源來為第一電極108的不同區段供電。
調整第一電極108以容納其上基板110的附接。亦調整第一電極108的尺寸以允許鄰近腔室主體102和處理空間104的定位。在一個實施中，第一電極108可固定地耦接至背板112和門106。在另一個實施中，第一電極108可旋轉地耦接至背板112和門106。在此實施中，馬達109耦接至門106且經配置在背板112或第一電極108上施加旋轉運動。在一個實施中，第一電極108經配置為接地電極。
真空源116與第一電極108的基板接收表面流體連通。真空源116耦接至導管114，導管114從真空源116延伸穿過門106、背板112和第一電極108。一般來說，真空源116經配置將基板110真空吸附到第一電極108。
熱源118、溫度感測設備120、電源122及感測設備124耦接至第一電極108。熱源118向設置在第一電極108內的一個或更多個加熱元件（如電阻加熱器）提供電力。亦可以設想的是，熱源118可向設置在背板112內的加熱元件提供電力。熱源118通常經配置加熱第一電極108和/或背板112，以利於在iFGPEB製程期間預加熱流體。除了預熱過程流體之外或者不同於預熱過程流體，熱源118還可以用於在基板處理期間維持過程流體的期望溫度。在一個實施中，熱源118經配置將第一電極108加熱到約70℃至約130℃之間的溫度，如約110℃。
溫度感測設備120（如熱電偶等）通信地耦接至熱源118以提供溫度反饋並利於第一電極108的加熱。電源122經配置向第一電極108供應例如約1V至約20kV之間的電壓。根據所用處理流體的類型，由電源122所產生的電流可以是幾十奈米安培（nano-amp）到幾百毫安培的量級。在一個實施中，電源122經配置而產生約1kV/m至約2MV/m範圍的電場。在一些實施中，電源122經配置以電壓控制或電流控制模式操作。在兩種模式中，電源可輸出AC、DC和/或脈衝DC波形。若需要，可使用方波或正弦波。電源122可經配置而提供約0.1Hz至約1MHz之間頻率的功率，如約5kHz。脈衝DC功率或AC功率的工作週期可在約5％至約95％之間，如在約20％至約60％之間。
脈衝DC功率或AC功率的上升和下降時間可在約1ns至約1000ns之間，如在約10ns至約500ns之間。感測設備124（如電壓計等）通信地耦接至電源122以提供電反饋並利於功率施加於第一電極108的控制。感測設備124亦可經配置而感測經由電源122施加於第一電極108的電流。
第二電極130與處理空間104相鄰而耦接至腔室主體102，且部分地界定處理空間104。類似於第一電極108，第二電極130耦接至熱源140、溫度感測設備142、電源144以及感測設備146。熱源140、溫度感測設備142、電源144和感測設備146的功能可類似於熱源118、溫度感測設備120、電源122和感測設備124。在一個實施中，第二電極130是主動供電的電極，及第一電極108是接地電極。作為上述電極佈置的結果，在iFGPEB處理期間，可調整在設置在基板110上的阻劑的曝光時所產生的酸以改善圖案化以及抵抗去防護（de-protection）特性。
圖2圖示根據本說明書所述的實施之圖1處理腔室100的部分之詳盡視圖。處理空間104具有在基板110和第二電極130之間界定的寬度214。在一個實施中，處理空間104的寬度214係在約1.0mm至約10mm之間，如在約4.0mm至約4.5mm之間。基板110和第二電極130之間相對較小的縫隙減少處理空間104的體積，這使得能夠在iFGPEB處理期間利用減少量的處理流體。另外，界定第二電極130和基板之間距離的寬度214經配置而在基板110的表面上提供實質均勻的電場。作為iFGPEB處理的結果，實質均勻的場提供了改善的圖案化特性。具有寬度214的縫隙的另一個好處是用於產生所需電場的電壓的減少。
在操作中，在iFGPEB處理期間，處理空間104以處理流體填充。在一個實施中，在啟用電場之前，用於以處理流體填充處理空間104的第一流動速率在約5L/min至約10L/min之間。一旦處理空間104以處理流體填充，就施加電場，以及iFGPEB處理期間使用約0L/min至約5L/min之間的處理流體的第二流動速率。在一個實施中，處理流體填充時間在約1秒至約5秒之間，且處理時間在約30秒至約90秒之間，如約60秒。在一個實施中，處理流體在iFGPEB處理期間繼續流動。在此實施中，每處理一基板，處理空間104的體積交換約1次至約10次之間。在另一個實施中，在處理期間，處理流體主要是靜態的。在此實施中，在每個基板的基板處理期間不交換處理空間104的體積。
在另一操作實施中，使用第一流動速率來初始填充處理空間104。第一流動速率小於5L / min，持續一段時間以填充處理空間104，使得第一流體端口126被浸沒。接著使用大於5L/min的第二流動速率以填充剩餘的處理空間104。在iFGPEB處理中施加電場期間，利用小於5L/min的第三流動速率。第一和第二流動速率之間的流動速率調節經配置以減少處理空間104中流體的紊流並減少或消除其中氣泡的形成。然而，若形成氣泡，氣泡的浮力使得氣泡能夠經由第二流體端口128從處理空間104中逸出，以便在iFGPEB處理期間最小化氣泡對電場的絕緣影響。因此，可實現更均勻的電場來改善iFGPEB處理。
為了降低處理流體洩漏出處理空間的可能性，使用複數個O形環來維持處理空間的流體密閉完整性。第一O形環202在第一電極108的基板接收表面上設置在第一電極108中。第一O形環202可定位在從基板110的外直徑往徑向向內的第一電極上。
在一個實例中，第一O形環202定位於從基板110的外直徑往徑向向內約1mm至約10mm之間距離的第一電極108上。當基板被夾持到第一電極108時，第一O形環定位成接觸基板110的背側。當基板110處於圖示的處理位置時，調整側壁148的第一表面206的形狀和尺寸以接觸基板110的邊緣區域。
在一個實施中，第一O形環202設置在與側壁148的第一表面206相對的第一電極108中。可以設想的是，第一O形環202可防止處理流體從處理空間104洩漏到基板110之後的區域，如第一電極108的基板支撐表面。有利的是，保持基板110的真空吸附且防止處理流體到達真空源116。
第一電極108具有自第一O形環徑向向外設置的突出部分210。突出部分210自第一O形環202的位置徑向向外設置。第二O形環204耦接至自突出部分210徑向向外的第一電極108。調整側壁148的第二表面208的形狀和尺寸以接觸鄰近第一電極108外直徑的第一電極108，且側壁148的第二表面208自第一電極108的外直徑往徑向向內延伸。在一個實施中，當基板110設置在處理位置時，第二O形環204經設置而與側壁148的第二表面208接觸。可以設想，第二O形環204可防止處理流體從處理空間104洩漏超過第一電極108的外直徑。
第三O形環212沿第二電極130的外直徑耦接第二電極130。第三O形環212亦設置成與腔室主體102的側壁148接觸。第三O形環212經配置而防止處理流體在第二電極130後面流動。各個O形環202、204、212由彈性體材料(如聚合物等)形成。在一個實施中，O形環202、204、212具有圓形橫截面。在另一個實施中，O形環202、204、212具有非圓形橫截面，如三角形橫截面等。還可以設想，每個O形環202、204、212受到適合防止處理流體超過O形環202、204、212並流體地密封處理空間104的壓縮力。
圖3圖示根據本說明書所述的實施的後處理腔室300。在處理腔室100中的基板經過iFGPEB處理之後，基板被轉移至後處理腔室300。後處理腔室300包括腔室主體302及基座308，腔室主體302界定處理空間304，基座308設置在處理空間304中。藉由冷卻和沖洗基板306來後處理定位在基座308上的基板306。藉由結合冷卻和沖洗，最小化基板處理中的烘烤到冷卻的延遲。
當基板306定位在基座308上時，藉由施用來自真空源314的真空來真空吸附基板。一旦基板306被吸附住，開始基板306的冷卻。流體導管310形成在基座308中，且流體導管310與冷卻流體源312流體連通。冷卻流體流過流體導管310以冷卻基板306。
在冷卻期間，亦沖洗基板306以去除仍然存在於基板表面上的任何殘餘的處理流體。沖洗流體從流體輸送臂318分配到基板306的元件側（device side）上，流體輸送臂318可包括流體輸送噴嘴320。沖洗流體（如去離子水等）經由臂318和噴嘴320而從沖洗流體源322提供。
沖洗和冷卻之後，可選地藉由旋轉基座308來旋轉乾燥基板306。基座308與電源316耦接，電源316使基座308能夠旋轉。在基板306旋轉乾燥期間，升起屏蔽件324以收集自基板306轉落的流體。在某些實施中，在基板306的冷卻和/或沖洗期間，亦升起屏蔽件324。屏蔽件324的形狀是環形的且經調整尺寸而具有大於基座308直徑的一內直徑。屏蔽件324亦自基座308徑向向外設置。屏蔽件324耦接至馬達328，馬達328升起和降低屏蔽件324，使得屏蔽件324在基板306上方延伸。在旋轉乾燥期間由屏蔽件324收集的流體經由排放口（drain）326從處理空間304中去除。應注意的是，在冷卻和沖洗基板306期間，屏蔽件324可以可選地設置在降低的位置，以及隨後在基板306旋轉乾燥期間升起屏蔽件324。在裝載和卸載基板306期間，亦可降低屏蔽件324。
一旦基板306已經乾燥，藉由施用顯影劑（如四甲基氫氧化銨（TMAH））使在基板306上的阻劑顯影。在一個實施中，從臂318和噴嘴320分配顯影劑。在顯影開發之後，用去離子水沖洗基板306以及再次乾燥來為隨後的處理準備基板306。
圖4圖示根據本說明書所述的實施的處理平臺400的透視圖。處理平臺400的一個實例是可從美國加州聖克拉拉的應用材料公司取得的BLAZERTM 平臺。可以設想，根據本說明書所述之實施，亦可使用來自其他製造商的其他適當配置的平臺。
處理平臺400包括工廠介面402、處理模組404和管道模組406。工廠介面402耦接處理模組404，及處理模組404耦接管道模組406。工廠介面402包括複數個前開式晶圓傳送盒（front opening unified pods，FOUP）502，如四個FOUP 502。然而，可以設想，根據處理模組404的產量能力，工廠界面402可使用較多或較少數量的FOUP 502。
處理模組404包括複數個處理腔室。在一個實施中，處理模組404包括複數個處理腔室100和複數個後處理腔室300。可以設想，可用相應數量的處理腔室100和後處理腔室300來實施處理模組404。在一個實例中，處理模組404包括四個處理腔室100和四個後處理腔室300。在另一個實例中，處理模組404包括六個處理腔室100和六個後處理腔室300。相信利用成對的後處理腔室100、300改善了處理效率和增加產量。
處理模組404亦可包括複數個清洗腔室。清洗腔室可用於各式實施中，例如，在處理腔室100中處理之前預清洗基板或在處理後處理腔室300之後清洗基板。在操作實施中，基板透過FOUP 502中的一個FOUP進入處理平臺400，在FOUP 502中基板透過工廠界面402被傳送到處理模組404。接著在處理腔室100中的一個處理腔室中，基板被傳送到相應的一個後處理腔室300。如上所述，在處理模組404中的iFGPEB處理和顯影之前或之後，可選地施行基板的清洗。一旦完成iFGPEB處理和任何所需的後處理清洗之後，將基板返回到工廠介面402以及FOUP 502中的一個FOUP。
管道模組406包括用於利用設置在處理模組404中的處理腔室100和後處理腔室300來執行iFGPEB處理的整套設備。管道模組406通常包括用於處理模組404的每個腔室之全部流體處理部件。如此一來，管道元件設置在易於維護的單個位置中。另外，管道模組406使得能夠有單個位置以用於供應和返回iFGPEB處理中使用的流體。管道模組406亦可包括原位流體分析設備。例如，可針對各個態樣分析iFGPEB處理中使用的流體，如經由熱電偶來分析溫度，經由流量計來分析流動速率等。透過啟用即時製程參數調製，原位收集流體數據和其他製程數據的能力提供了平臺400更高效的操作。
管道模組406經配置而共用處理腔室100和後處理腔室300之間的某些元件，以便減少與管道設備補充件（complement）相關的成本。例如，與其每個處理腔室100具有專用於單個處理腔室100的獨立的管道元件，反而管道模組利用在複數個處理腔室100之間共用的管道設備。類似地，後處理腔室300利用在複數個後處理腔室300之間共用的管道設備。
針對操作處理腔室100，管道模組406包括處理流體源貯槽，處理流體源貯槽具有足夠的體積以按順序向處理腔室100供應處理流體。例如，處理流體源貯槽（管道部件的相關聯的補充件，如流量計、流量控制器、導管、加熱器、過濾器、閥門、排放口等）經配置而連續地提供足夠體積的處理流體，以依順序操作處理腔室100。在另一實施中，處理流體貯槽和相關聯的管道設備補充件經配置而提供提供足夠體積的處理流體，以同時操作複數個處理腔室100。
類似地，針對操作後處理腔室300，管道模組406至少包括沖洗流體源貯槽、冷卻流體源貯槽、顯影劑源貯槽和相關聯的管道設備補充件。後處理腔室300可依順序地操作或同時操作，及管道設備補充件和貯槽經配置以藉由提供足夠體積的流體以利於任一實施中的處理，而使後處理腔室300能夠有效率的操作。
圖5圖示根據本說明書所述的實施的圖4處理平臺400的示意平面圖。包括處理腔室100和後處理腔室300的處理模組404在處理站504、506、508、510中配置有成對的腔室100和300。儘管圖示了四個處理站，但是根據本說明書所述的實施，可以設想，可使用較少或較多數量的處理站，如六個處理站。處理站504、506、508、510繞處理模組404設置，機器人512設置在複數個處理站504、506、508、510之間的中央區域514中。因此，處理站504、506、508、510鄰近中央區域514設置且定位在機器人512附近。
在一個實施中，機器人512具有帶有單個端效器的臂，調整臂的尺寸以在各式模組402、404和處理站504、506、508、510之間承載基板。在另一個實施中，機器人512具有兩個臂，每個臂具有端效器，用於承載基板。在此實施中，第一端效器可用於從工廠介面402取回基板，並將基板傳送到處理站504、506、508、510中的一個處理站的處理腔室100。利用第二端效器將在處理腔室100中經處理的基板傳送到同一處理站的後處理腔室300。第二效應器可用來冷卻從處理腔室100取回的基板。在此實施中，可例如藉由流體冷卻來第二端效器，且第二端效器的表面面積可以足夠大以接觸基板，而改善基板傳送期間基板冷卻的速率。隨後，可利用第一端效器將基板從後處理腔室300轉移回工廠介面402。有利地，可以設想，利用具有為某些傳送操作設計的不同端效器的機器人可減少不同製程操作之間的基板污染的可能性並提高產量。
機器人512在X方向上線性地移動以從工廠介面402取回基板，以及將基板傳送到處理模組404內的各式處理站504、506、508、510。機器人512亦在Y和Z方向上移動以從處理站504、506、508、510的腔室100、300傳送及取回基板。
在操作實施中，基板被傳送到處理站504、506、508、510中的一個處理站的處理腔室100，及施行iFGPEB約30秒至約90秒之間的時間量，如約60秒。在處理基板期間，機器人512可在處理站504、506、508、510的腔室100、300之間傳送其他基板或者自工廠介面402來回傳送其他基板。在基板已經在處理腔室100中經過iFGPEB處理之後，機器人512將基板傳送到具有對基板作iFGPEB處理的處理腔室100的相同處理站的後處理腔室300。可施行包含冷卻及顯影製程的後處理操作約15秒至約90秒之間（如約30秒）的時間量。在後處理之後，可以可選地清洗基板，隨後將其傳送回工廠介面402。
圖6是根據本說明書所述的實施的圖4處理平臺中的處理腔室100和後處理腔室300佈置的示意側視圖。更具體言之，圖6圖示單個處理站中的處理腔室100和後處理腔室300的佈置。在所示的實施中，後處理腔室300設置在處理腔室100的上方。換句話說，後處理腔室300堆疊在處理腔室100上。腔室300、100亦經定位成使得腔室300、100的開口面向中央區域514和機器人512以允許基板進出。
圖7是根據本說明書所述的實施的圖4處理平臺內的處理腔室100和後處理腔室300佈置的示意側視圖。更具體言之，圖7圖示單個處理站中的處理腔室100和後處理腔室300的佈置。在所示的實施中，處理腔室設置在後處理腔室300的上方。換句話說，處理腔室100堆疊在後處理腔室300上。類似於關於圖6描述的實施，腔室100、300經定位成使得腔室100、300的開口面向中央區域514和機器人以允許基板進出。
藉由將處理腔室100和後處理腔室300以堆疊設置方式定位在處理站504、506、508、510中的每一個處理站中，由機器人在腔室100、300之間傳送基板的時間減少，可以達到提高產量。儘管上述實施已經預期在處理站504、506、508、510中的一個處理站中處理基板，但是可以設想，可在第一處理站的處理腔室100中處理基板且可在不同於第一處理站的第二處理站的後處理腔室300中處理該基板。
圖8圖示根據本說明書所述的實施的處理平臺800的透視圖。處理平臺800的一個實例是可從美國加州聖克拉拉的應用材料公司取得的RAIDER® 平臺。可以設想，根據本說明書所述之實施，亦可使用來自其他製造商的其他適當配置的平臺。
處理平臺800包括工廠介面802、處理模組804、支援模組（support module）806和管道模組808。工廠介面802耦接至中間模組804，中間模組804耦接至支援模組806，支援模組806耦接至處理模組808。工廠介面402包括複數個前開式晶圓傳送盒（FOUP）820，如三個FOUP 820。然而，可以設想，根據處理模組808的產量能力，工廠界面802可使用較多或較少數量的FOUP 820。
處理模組808包括複數個處理腔室814。處理站814可像處理站504、506、508、510一樣，每個處理站814包含堆疊的處理腔室100和後處理腔室300。儘管所示的實施圖示處理腔室100設置在後處理腔室30的頂部上（見圖7），但是與圖6類似，可以設想，後處理腔室300可設置在處理腔室的頂部100上。因此，可以設想，可用相應數量的處理腔室100和後處理腔室300來實施處理模組808。
在一個實例中，處理模組808包括五個處理腔室100和五個後處理腔室300，其設置在居中設置的機器人軌道（未圖示）的相對側上，該機器人軌道針對總共十個處理腔室100和十個後處理腔室300作居中設置。儘管圖示了五個處理站814，但是可以設想，亦可有利地利用四個（總共八個）或六個（總共十二個）處理站814。處理模組808中亦設有複數個管道模組818。在此實施中，每個處理站814具有專用管道模組818。類似於機器人512的機器人（未圖示）亦可設置在處理模組808中且可在處理站814的腔室100、300之間以及處理模組808和支援模組806之間操作以傳送基板。
支援模組806包括複數個清洗腔室822。清洗腔室822經配置以沖洗及旋轉乾燥已經在處理模組808的處理站814中作過iFGPEB處理的基板。可以設想，清洗腔室822可經配置而依順序地或同時地沖洗基板的元件側和背側。清洗腔室822亦可在處理模組808中處理基板之前清洗基板。支援模組806中亦設置有複數個管道模組816。在此實施中，具有清洗腔室822的每個清洗站812具有專用管道模組812。因此，管道模組816經配置而以設備補充件來支援基板的清洗，設備補充件經配置而能夠作清洗操作。在某些實施中，支援模組806亦可具有在清洗站812與處理模組808或中間模組804之間傳送基板的機器人（未圖示）。或者，處理模組機器人可在處理模組808和支援模組806之間移動以能夠傳送基板。
中間模組804包括一個或更多個緩衝站810，以改善工廠介面802和支援模組806之間的基板傳送的效率。緩衝站810可用於補償在支援模組806和處理模組808中執行的處理操作之間的處理時間差異。緩衝站810亦可作溫度控制以在支援模組806中處理基板之前或傳送基板回工廠介面802之前調節基板溫度。
總而言之，本說明書所述的實施改善用於施行iFGPEB和相關聯的處理操作的平臺。利用具有堆疊的處理腔室和後處理腔室的處理站能夠使基板傳送更高效並增加產量。此外，各種管道模組配置改善製程參數調節和維護操作。因此，iFGPEB處理操作可有利地在本說明書所述的設備上施行。
儘管前面所述係針對本揭示的實施，但在不背離本揭示基本範圍及以下專利申請範圍所界定之範圍下，可設計本揭示的其他與進一步的實施。
100:處理腔室 102:腔室主體 104:處理空間 106:門 107:軸 108:第一電極 109:馬達 110:基板 112:背板 114:導管 116:真空源 118:熱源 120:溫度感測設備 122:電源 124:感測設備 126:第一流體端口 128:第二流體端口 130:第二電極 132:處理流體源 134:第一導管 136:流體出口 138:第二導管 140:熱源 142:溫度感測設備 144:電源 146:感測設備 148:側壁 150:淨化氣體源 202:第一O形環 204:第二O形環 206:第一表面 208:第二表面 210:突出部分 212:第三O形環 214:寬度 300:後處理腔室 302:腔室主體 304:處理空間 306:基板 308:基座 310:流體導管 312:冷卻流體源 314:真空源 316:電源 318:流體輸送臂 320:流體輸送噴嘴 322:沖洗流體源 324:屏蔽件 326:排放口 328:馬達 400:平臺 402:工廠介面 404:處理模組 406:管道模組 502:FOUP 504:處理站 506:處理站 508:處理站 510:處理站 512:機器人 514:中央區域 800:處理平臺 802:工廠介面 804:中間模組 806:支援模組 808:處理模組 810:緩衝站 812:清洗站 814:處理站 816:管道模組 818:管道模組 820:FOUP 822:清洗腔室
本揭示之特徵已簡要概述於前，並在以下有更詳盡之論述，可以藉由參考所附圖式中繪示之本案實施以作瞭解。然而，值得注意的是，所附圖式只繪示了示範實施且不會視為其範圍之限制，本揭示可允許其他等效之實施。
圖1圖示根據本說明書所述的實施之處理腔室的概要截面圖。
圖2圖示根據本說明書所述的實施之圖1處理腔室的部分之詳盡視圖。
圖3圖示根據本說明書所述的實施的後處理腔室。
圖4圖示根據本說明書所述的實施的處理平臺的透視圖。
圖5圖示根據本說明書所述的實施的圖4處理平臺的示意平面圖。
圖6是根據本說明書所述的實施的圖4處理平臺中的處理腔室和後處理腔室佈置的示意側視圖。
圖7是根據本說明書所述的實施的圖4處理平臺中的處理腔室和後處理腔室佈置的示意側視圖。
圖8圖示根據本說明書所述的實施的處理平臺的透視圖。
為便於理解，在可能的情況下，使用相同的數字編號代表圖示中相同的元件。可以預期的是一個實施的元件與特徵可有利地用於其他實施中而無需贅述。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
400:平臺
402:工廠介面
404:處理模組
406:管道模組
502:FOUP
504:處理站
506:處理站
508:處理站
510:處理站
512:機器人
514:中央區域

Claims (20)

  1. 一種處理腔室，包括：一腔室主體，該腔室主體界定一處理空間，其中該處理空間的一長軸垂直定向，及該處理空間的一短軸水平定向；一門，該門耦接至該腔室主體；一第一電極，該第一電極耦接至該門，該第一電極經配置而在其上支撐一基板；第一複數個流體端口，該第一複數個流體端口在該處理空間鄰近的該腔室主體的一側壁中形成；及第二複數個流體端口，該第二複數個流體端口相對於該第一複數個流體端口在該處理空間鄰近的該腔室主體的該側壁中形成；及一電源，該電源通信地耦接至該第一電極。
  2. 如請求項1所述之處理腔室，其中該電源提供約1V至約20kV範圍的一功率給該第一電極。
  3. 如請求項1所述之處理腔室，其中該電源以約0.1Hz至約1MHz之間的一頻率提供一功率給該第一電極。
  4. 如請求項1所述之處理腔室，其中該電源在該處理空間內產生約1kV/m至約2MV/m之間範 圍的一電場。
  5. 如請求項1所述之處理腔室，其中該電源以一電壓控制模式操作。
  6. 如請求項1所述之處理腔室，其中該電源以一電流控制模式操作。
  7. 如請求項1所述之處理腔室，其中該電源產生AC、DC及脈衝DC波形給該第一電極。
  8. 如請求項7所述之處理腔室，其中該電源產生具有約20%至約60%之間的一工作週期的AC及脈衝DC功率。
  9. 如請求項1所述之處理腔室，其中該第一電極經由一背板耦接至該門。
  10. 如請求項9所述之處理腔室，其中該第一電極經配置真空吸附在其上的一基板。
  11. 如請求項1所述之處理腔室，進一步包括：一密封件，該密封件耦接至該第一電極，其中當一基板的一前側(frontside)鄰近該處理空間設置時，該密封件經配置接觸該基板的一背側。
  12. 如請求項1所述之處理腔室，進一步包括：一第二電極，該第二電極耦接至該腔室主體，該第二 電極至少部分地界定該處理空間。
  13. 如請求項1所述之處理腔室，進一步包括：一處理流體源，該處理流體源經由第一複數個通道和該第一複數個流體端口而與該處理空間流體連通。
  14. 如請求項13所述之處理腔室，進一步包括：一流體出口，該流體出口經由第二複數個通道和該第二複數個流體端口而與該處理空間流體連通。
  15. 如請求項1所述之處理腔室，其中該處理腔室耦接至一處理模組，該處理模組包括：一中央區域，該中央區域具有設置於其中的一機器人；及複數個處理站，該複數個處理站繞該中央區域設置。
  16. 如請求項15所述之處理腔室，其中該處理模組耦接至一管道模組。
  17. 如請求項16所述之處理腔室，其中該管道模組包括一處理流體源貯槽，該處理流體源貯槽由該複數個處理站所共享。
  18. 如請求項15所述之處理腔室，其中該處腔室設置在該複數個處理站中的一個處理站中，且包括進入/出口開口，該等進入/出口開口鄰近且面向該中 央區域設置。
  19. 如請求項15所述之處理腔室，其中該處理腔室設置在一後處理腔室的頂部上。
  20. 如請求項19所述之處理腔室，其中該後處理腔室包括：一第二腔室主體，該第二腔室主體界定一第二處理空間；一可旋轉基座，該可旋轉基座設置在該處理空間內；一流體輸送臂，該流體輸送臂經配置將清洗流體輸送到該第二處理空間；及一屏蔽件，該屏蔽件能夠由一馬達升降，該屏蔽件的一內直徑大於該可旋轉基座的一直徑，其中該屏蔽件自該可旋轉基座徑向向外設置。
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