JP2007220895A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2007220895A5
JP2007220895A5 JP2006039404A JP2006039404A JP2007220895A5 JP 2007220895 A5 JP2007220895 A5 JP 2007220895A5 JP 2006039404 A JP2006039404 A JP 2006039404A JP 2006039404 A JP2006039404 A JP 2006039404A JP 2007220895 A5 JP2007220895 A5 JP 2007220895A5
Authority
JP
Japan
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006039404A
Other versions
JP2007220895A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2006039404A priority Critical patent/JP2007220895A/ja
Priority claimed from JP2006039404A external-priority patent/JP2007220895A/ja
Priority to CNA2006101428619A priority patent/CN101022128A/zh
Priority to US11/595,966 priority patent/US7576373B1/en
Publication of JP2007220895A publication Critical patent/JP2007220895A/ja
Publication of JP2007220895A5 publication Critical patent/JP2007220895A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2006039404A 2006-02-16 2006-02-16 窒化物半導体装置およびその製造方法 Pending JP2007220895A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006039404A JP2007220895A (ja) 2006-02-16 2006-02-16 窒化物半導体装置およびその製造方法
CNA2006101428619A CN101022128A (zh) 2006-02-16 2006-10-30 氮化物半导体装置及其制作方法
US11/595,966 US7576373B1 (en) 2006-02-16 2006-11-13 Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006039404A JP2007220895A (ja) 2006-02-16 2006-02-16 窒化物半導体装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007220895A JP2007220895A (ja) 2007-08-30
JP2007220895A5 true JP2007220895A5 (ja) 2008-08-14

Family

ID=38497842

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006039404A Pending JP2007220895A (ja) 2006-02-16 2006-02-16 窒化物半導体装置およびその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7576373B1 (ja)
JP (1) JP2007220895A (ja)
CN (1) CN101022128A (ja)

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4705412B2 (ja) * 2005-06-06 2011-06-22 パナソニック株式会社 電界効果トランジスタ及びその製造方法
JP4755961B2 (ja) * 2006-09-29 2011-08-24 パナソニック株式会社 窒化物半導体装置及びその製造方法
EP2084750A4 (en) 2006-11-20 2010-12-22 Panasonic Corp SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS TRAINING METHOD
US7838904B2 (en) * 2007-01-31 2010-11-23 Panasonic Corporation Nitride based semiconductor device with concave gate region
US7875907B2 (en) * 2007-09-12 2011-01-25 Transphorm Inc. III-nitride bidirectional switches
JP5032965B2 (ja) * 2007-12-10 2012-09-26 パナソニック株式会社 窒化物半導体トランジスタ及びその製造方法
JP2009231508A (ja) 2008-03-21 2009-10-08 Panasonic Corp 半導体装置
JP5468768B2 (ja) 2008-12-05 2014-04-09 パナソニック株式会社 電界効果トランジスタ及びその製造方法
JP5457046B2 (ja) 2009-02-13 2014-04-02 パナソニック株式会社 半導体装置
TWI514568B (zh) * 2009-04-08 2015-12-21 Efficient Power Conversion Corp 增強模式氮化鎵高電子遷移率電晶體元件及其製造方法
JP5595685B2 (ja) * 2009-07-28 2014-09-24 パナソニック株式会社 半導体装置
JP5499744B2 (ja) * 2010-02-05 2014-05-21 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
US20110210377A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Infineon Technologies Austria Ag Nitride semiconductor device
US8895993B2 (en) * 2011-01-31 2014-11-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Low gate-leakage structure and method for gallium nitride enhancement mode transistor
US8604486B2 (en) * 2011-06-10 2013-12-10 International Rectifier Corporation Enhancement mode group III-V high electron mobility transistor (HEMT) and method for fabrication
CN102856361B (zh) 2011-06-29 2015-07-01 财团法人工业技术研究院 具有双面场板的晶体管元件及其制造方法
KR20130004760A (ko) 2011-07-04 2013-01-14 삼성전자주식회사 파워소자 및 이의 제조방법
JP5784440B2 (ja) * 2011-09-28 2015-09-24 トランスフォーム・ジャパン株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2013105898A (ja) 2011-11-14 2013-05-30 Sumitomo Electric Device Innovations Inc 半導体装置の製造方法
CN102637723A (zh) 2012-03-28 2012-08-15 华为技术有限公司 GaN衬底、半导体器件及其制作方法
JP2013207107A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Fujitsu Ltd 化合物半導体装置及びその製造方法
CN102709321A (zh) * 2012-04-20 2012-10-03 程凯 增强型开关器件及其制造方法
KR101922120B1 (ko) * 2012-07-19 2018-11-26 삼성전자주식회사 고전자이동도 트랜지스터 및 그 제조방법
JP6087552B2 (ja) * 2012-09-21 2017-03-01 トランスフォーム・ジャパン株式会社 化合物半導体装置及びその製造方法
JP2014072427A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Fujitsu Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
KR101922121B1 (ko) * 2012-10-09 2018-11-26 삼성전자주식회사 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법
US9484418B2 (en) * 2012-11-19 2016-11-01 Delta Electronics, Inc. Semiconductor device
KR102036349B1 (ko) 2013-03-08 2019-10-24 삼성전자 주식회사 고 전자이동도 트랜지스터
US9773884B2 (en) * 2013-03-15 2017-09-26 Hrl Laboratories, Llc III-nitride transistor with engineered substrate
KR102080745B1 (ko) * 2013-04-16 2020-04-14 엘지전자 주식회사 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법
CN104143592B (zh) * 2013-05-10 2017-09-26 北大方正集团有限公司 一种氮化镓器件的加工方法和氮化镓器件
KR102100928B1 (ko) * 2013-10-17 2020-05-15 삼성전자주식회사 고전자 이동도 트랜지스터
JP2015177063A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 株式会社東芝 半導体装置
KR102268169B1 (ko) * 2014-10-20 2021-06-23 엘지전자 주식회사 질화갈륨계 반도체소자 및 그 제조방법
JP2017055053A (ja) * 2015-09-11 2017-03-16 株式会社東芝 半導体装置および半導体装置の製造方法
DE102017210711A1 (de) 2016-06-27 2017-12-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Halbleiterbauelement
CN106206295B (zh) * 2016-07-15 2019-04-09 中国科学院微电子研究所 GaN增强型器件制备方法及形成的GaN增强型器件
JP2018182247A (ja) * 2017-04-21 2018-11-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN107393958A (zh) * 2017-04-25 2017-11-24 中国电子科技集团公司第五十五研究所 低导通电阻高阈值电压增强型GaN器件的制备方法
JP6725455B2 (ja) * 2017-06-22 2020-07-22 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
GB2564482B (en) * 2017-07-14 2021-02-10 Cambridge Entpr Ltd A power semiconductor device with a double gate structure
EP3442026B1 (en) * 2017-08-11 2023-03-08 IMEC vzw Gate for an enhancement-mode transistor
JP6967024B2 (ja) * 2019-02-04 2021-11-17 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US11955478B2 (en) 2019-05-07 2024-04-09 Cambridge Gan Devices Limited Power semiconductor device with an auxiliary gate structure
CN112928161B (zh) * 2019-12-06 2024-01-02 联华电子股份有限公司 高电子迁移率晶体管及其制作方法
CN113224154B (zh) * 2020-02-06 2023-08-08 联华电子股份有限公司 高电子迁移率晶体管及其制作方法
WO2021208020A1 (en) * 2020-04-16 2021-10-21 Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
CN113875019A (zh) 2020-04-30 2021-12-31 英诺赛科(苏州)半导体有限公司 半导体器件以及制造半导体器件的方法
TWI775121B (zh) * 2020-07-27 2022-08-21 世界先進積體電路股份有限公司 高電子遷移率電晶體
US11316040B2 (en) 2020-09-14 2022-04-26 Vanguard International Semiconductor Corporation High electron mobility transistor
EP4272254A4 (en) * 2021-03-05 2024-03-06 Huawei Tech Co Ltd GALLIUM NITRIDE POWER TRANSISTOR
WO2022217436A1 (en) * 2021-04-12 2022-10-20 Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
US20220376042A1 (en) * 2021-04-12 2022-11-24 Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN113394285A (zh) * 2021-06-28 2021-09-14 电子科技大学 一种具有ESD栅极防护的p-GaN HEMT器件

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11261053A (ja) * 1998-03-09 1999-09-24 Furukawa Electric Co Ltd:The 高移動度トランジスタ
JP4507285B2 (ja) * 1998-09-18 2010-07-21 ソニー株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2003086608A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Toshiba Corp 電界効果トランジスタ及びその製造方法
JP2003133332A (ja) 2001-10-24 2003-05-09 Shin Etsu Handotai Co Ltd 化合物半導体素子
JP4077731B2 (ja) * 2003-01-27 2008-04-23 富士通株式会社 化合物半導体装置およびその製造方法
US20050189959A1 (en) 2003-02-04 2005-09-01 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication process for forming multilayer multimaterial microprobe structures
JP2004273486A (ja) * 2003-03-05 2004-09-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2005086102A (ja) 2003-09-10 2005-03-31 Univ Nagoya 電界効果トランジスタ、及び電界効果トランジスタの作製方法
US7382001B2 (en) * 2004-01-23 2008-06-03 International Rectifier Corporation Enhancement mode III-nitride FET
JP2005243727A (ja) * 2004-02-24 2005-09-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4041075B2 (ja) * 2004-02-27 2008-01-30 株式会社東芝 半導体装置
JP4002918B2 (ja) * 2004-09-02 2007-11-07 株式会社東芝 窒化物含有半導体装置
JP5299805B2 (ja) * 2005-08-29 2013-09-25 学校法人 名城大学 トランジスタ
JP2007109830A (ja) * 2005-10-12 2007-04-26 Univ Nagoya 電界効果トランジスタ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BRPI0720064A2 (ja)
JP2007220895A5 (ja)
BRMU8603216U8 (ja)
BRPI0715824A8 (ja)
CN100532764C9 (zh) 前移旋转避让型载车装置
BRPI0713487A2 (ja)
BRPI0708307B8 (ja)
CH2121272H1 (ja)
BY9789C1 (ja)
CN300725922S (zh) 童装(3773)
CN300728147S (zh) 管连接器的阴壳体
CN300725929S (zh) 童装(3811)
CN300725928S (zh) 童装(3809)
CN300725927S (zh) 童装(3795)
CN300725926S (zh) 童装(3793)
CN300725932S (zh) 童装(3829)
CN300725925S (zh) 童装(3791)
CN300725914S (zh) 童装(3714)
CN300725915S (zh) 童装(3728)
CN300725946S (zh) 童装(3894)
CN300725968S (zh) 童装(4010)
CN300726159S (zh) 印花面料(恬美二系列)
CN300725924S (zh) 童装(3789)
CN300725923S (zh) 童装(3775)
CN300725931S (zh) 童装(3815)