JP4705412B2
(ja)
*
|
2005-06-06 |
2011-06-22 |
パナソニック株式会社 |
電界効果トランジスタ及びその製造方法
|
JP4755961B2
(ja)
*
|
2006-09-29 |
2011-08-24 |
パナソニック株式会社 |
窒化物半導体装置及びその製造方法
|
EP2084750A4
(en)
|
2006-11-20 |
2010-12-22 |
Panasonic Corp |
SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS TRAINING METHOD
|
US7838904B2
(en)
*
|
2007-01-31 |
2010-11-23 |
Panasonic Corporation |
Nitride based semiconductor device with concave gate region
|
US7875907B2
(en)
*
|
2007-09-12 |
2011-01-25 |
Transphorm Inc. |
III-nitride bidirectional switches
|
JP5032965B2
(ja)
*
|
2007-12-10 |
2012-09-26 |
パナソニック株式会社 |
窒化物半導体トランジスタ及びその製造方法
|
JP2009231508A
(ja)
|
2008-03-21 |
2009-10-08 |
Panasonic Corp |
半導体装置
|
JP5468768B2
(ja)
|
2008-12-05 |
2014-04-09 |
パナソニック株式会社 |
電界効果トランジスタ及びその製造方法
|
JP5457046B2
(ja)
|
2009-02-13 |
2014-04-02 |
パナソニック株式会社 |
半導体装置
|
TWI514568B
(zh)
*
|
2009-04-08 |
2015-12-21 |
Efficient Power Conversion Corp |
增強模式氮化鎵高電子遷移率電晶體元件及其製造方法
|
JP5595685B2
(ja)
*
|
2009-07-28 |
2014-09-24 |
パナソニック株式会社 |
半導体装置
|
JP5499744B2
(ja)
*
|
2010-02-05 |
2014-05-21 |
株式会社デンソー |
半導体装置およびその製造方法
|
US20110210377A1
(en)
|
2010-02-26 |
2011-09-01 |
Infineon Technologies Austria Ag |
Nitride semiconductor device
|
US8895993B2
(en)
*
|
2011-01-31 |
2014-11-25 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Low gate-leakage structure and method for gallium nitride enhancement mode transistor
|
US8604486B2
(en)
*
|
2011-06-10 |
2013-12-10 |
International Rectifier Corporation |
Enhancement mode group III-V high electron mobility transistor (HEMT) and method for fabrication
|
CN102856361B
(zh)
|
2011-06-29 |
2015-07-01 |
财团法人工业技术研究院 |
具有双面场板的晶体管元件及其制造方法
|
KR20130004760A
(ko)
|
2011-07-04 |
2013-01-14 |
삼성전자주식회사 |
파워소자 및 이의 제조방법
|
JP5784440B2
(ja)
*
|
2011-09-28 |
2015-09-24 |
トランスフォーム・ジャパン株式会社 |
半導体装置の製造方法及び半導体装置
|
JP2013105898A
(ja)
|
2011-11-14 |
2013-05-30 |
Sumitomo Electric Device Innovations Inc |
半導体装置の製造方法
|
CN102637723A
(zh)
|
2012-03-28 |
2012-08-15 |
华为技术有限公司 |
GaN衬底、半导体器件及其制作方法
|
JP2013207107A
(ja)
*
|
2012-03-28 |
2013-10-07 |
Fujitsu Ltd |
化合物半導体装置及びその製造方法
|
CN102709321A
(zh)
*
|
2012-04-20 |
2012-10-03 |
程凯 |
增强型开关器件及其制造方法
|
KR101922120B1
(ko)
*
|
2012-07-19 |
2018-11-26 |
삼성전자주식회사 |
고전자이동도 트랜지스터 및 그 제조방법
|
JP6087552B2
(ja)
*
|
2012-09-21 |
2017-03-01 |
トランスフォーム・ジャパン株式会社 |
化合物半導体装置及びその製造方法
|
JP2014072427A
(ja)
*
|
2012-09-28 |
2014-04-21 |
Fujitsu Ltd |
半導体装置及び半導体装置の製造方法
|
KR101922121B1
(ko)
*
|
2012-10-09 |
2018-11-26 |
삼성전자주식회사 |
고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법
|
US9484418B2
(en)
*
|
2012-11-19 |
2016-11-01 |
Delta Electronics, Inc. |
Semiconductor device
|
KR102036349B1
(ko)
|
2013-03-08 |
2019-10-24 |
삼성전자 주식회사 |
고 전자이동도 트랜지스터
|
US9773884B2
(en)
*
|
2013-03-15 |
2017-09-26 |
Hrl Laboratories, Llc |
III-nitride transistor with engineered substrate
|
KR102080745B1
(ko)
*
|
2013-04-16 |
2020-04-14 |
엘지전자 주식회사 |
질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법
|
CN104143592B
(zh)
*
|
2013-05-10 |
2017-09-26 |
北大方正集团有限公司 |
一种氮化镓器件的加工方法和氮化镓器件
|
KR102100928B1
(ko)
*
|
2013-10-17 |
2020-05-15 |
삼성전자주식회사 |
고전자 이동도 트랜지스터
|
JP2015177063A
(ja)
*
|
2014-03-14 |
2015-10-05 |
株式会社東芝 |
半導体装置
|
KR102268169B1
(ko)
*
|
2014-10-20 |
2021-06-23 |
엘지전자 주식회사 |
질화갈륨계 반도체소자 및 그 제조방법
|
JP2017055053A
(ja)
*
|
2015-09-11 |
2017-03-16 |
株式会社東芝 |
半導体装置および半導体装置の製造方法
|
DE102017210711A1
(de)
|
2016-06-27 |
2017-12-28 |
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. |
Halbleiterbauelement
|
CN106206295B
(zh)
*
|
2016-07-15 |
2019-04-09 |
中国科学院微电子研究所 |
GaN增强型器件制备方法及形成的GaN增强型器件
|
JP2018182247A
(ja)
*
|
2017-04-21 |
2018-11-15 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
半導体装置および半導体装置の製造方法
|
CN107393958A
(zh)
*
|
2017-04-25 |
2017-11-24 |
中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
低导通电阻高阈值电压增强型GaN器件的制备方法
|
JP6725455B2
(ja)
*
|
2017-06-22 |
2020-07-22 |
株式会社東芝 |
半導体装置及びその製造方法
|
GB2564482B
(en)
*
|
2017-07-14 |
2021-02-10 |
Cambridge Entpr Ltd |
A power semiconductor device with a double gate structure
|
EP3442026B1
(en)
*
|
2017-08-11 |
2023-03-08 |
IMEC vzw |
Gate for an enhancement-mode transistor
|
JP6967024B2
(ja)
*
|
2019-02-04 |
2021-11-17 |
株式会社東芝 |
半導体装置及びその製造方法
|
US11955478B2
(en)
|
2019-05-07 |
2024-04-09 |
Cambridge Gan Devices Limited |
Power semiconductor device with an auxiliary gate structure
|
CN112928161B
(zh)
*
|
2019-12-06 |
2024-01-02 |
联华电子股份有限公司 |
高电子迁移率晶体管及其制作方法
|
CN113224154B
(zh)
*
|
2020-02-06 |
2023-08-08 |
联华电子股份有限公司 |
高电子迁移率晶体管及其制作方法
|
WO2021208020A1
(en)
*
|
2020-04-16 |
2021-10-21 |
Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd. |
Semiconductor device and fabrication method thereof
|
CN113875019A
(zh)
|
2020-04-30 |
2021-12-31 |
英诺赛科(苏州)半导体有限公司 |
半导体器件以及制造半导体器件的方法
|
TWI775121B
(zh)
*
|
2020-07-27 |
2022-08-21 |
世界先進積體電路股份有限公司 |
高電子遷移率電晶體
|
US11316040B2
(en)
|
2020-09-14 |
2022-04-26 |
Vanguard International Semiconductor Corporation |
High electron mobility transistor
|
EP4272254A4
(en)
*
|
2021-03-05 |
2024-03-06 |
Huawei Tech Co Ltd |
GALLIUM NITRIDE POWER TRANSISTOR
|
WO2022217436A1
(en)
*
|
2021-04-12 |
2022-10-20 |
Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing thereof
|
US20220376042A1
(en)
*
|
2021-04-12 |
2022-11-24 |
Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
|
CN113394285A
(zh)
*
|
2021-06-28 |
2021-09-14 |
电子科技大学 |
一种具有ESD栅极防护的p-GaN HEMT器件
|