JP2003133332A - 化合物半導体素子 - Google Patents
化合物半導体素子Info
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- JP2003133332A JP2003133332A JP2001326805A JP2001326805A JP2003133332A JP 2003133332 A JP2003133332 A JP 2003133332A JP 2001326805 A JP2001326805 A JP 2001326805A JP 2001326805 A JP2001326805 A JP 2001326805A JP 2003133332 A JP2003133332 A JP 2003133332A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＧａＮ系の化合物半導体素子において、チャ
ネル層に供給されるキャリア密度を有効に増加でき、大
出力化を可能とする素子構造を提供する。 【解決手段】 ＨＥＭＴ１は、Ｇａを必須とするＩＩＩ
族元素窒化物からなるチャネル層１１９と、該チャネル
層１１９の層厚方向両側に配置されるとともに、それぞ
れチャネル層１１９よりも伝導体底エネルギーが高く、
かつＧａを必須とするＩＩＩ族元素窒化物により構成さ
れ、ｎ型にドープされた１対の電子供給層１１０を有す
ることを特徴とする。該構造によると、チャネル層１１
９の層厚方向両側に電子供給層１１０を配置すること
で、チャネル層１１９の両面に２ＤＥＧ層を形成でき
る。その結果、チャネル層に供給されるキャリア密度を
有効に増加できるので、片面のみに２ＤＥＧ層を形成す
る構成と比較して、素子の大出力化を図ることが可能と
なる。
ネル層に供給されるキャリア密度を有効に増加でき、大
出力化を可能とする素子構造を提供する。 【解決手段】 ＨＥＭＴ１は、Ｇａを必須とするＩＩＩ
族元素窒化物からなるチャネル層１１９と、該チャネル
層１１９の層厚方向両側に配置されるとともに、それぞ
れチャネル層１１９よりも伝導体底エネルギーが高く、
かつＧａを必須とするＩＩＩ族元素窒化物により構成さ
れ、ｎ型にドープされた１対の電子供給層１１０を有す
ることを特徴とする。該構造によると、チャネル層１１
９の層厚方向両側に電子供給層１１０を配置すること
で、チャネル層１１９の両面に２ＤＥＧ層を形成でき
る。その結果、チャネル層に供給されるキャリア密度を
有効に増加できるので、片面のみに２ＤＥＧ層を形成す
る構成と比較して、素子の大出力化を図ることが可能と
なる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は化合物半導体素子に
関し、特に半導体ヘテロ接合を用いた高速電界効果型ト
ランジスタ等に適用される化合物半導体素子に関する。
関し、特に半導体ヘテロ接合を用いた高速電界効果型ト
ランジスタ等に適用される化合物半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高周波用等に普及している高速半
導体デバイスに、ＨＥＭＴ（High Electron Mobility T
ransistor）がある。ＨＥＭＴは、ＧａＡｓ／ＡｌＧａ
Ａｓヘテロ接合を用いたものが実用化されており、その
優れたマイクロ波・ミリ波特性により、衛星放送用受信
器等の低雑音かつ高速の電界効果トランジスタ（ＦＥ
Ｔ：FieldEffect Transistor）として広く使用されてい
る。その要部は、具体的には、ｎ型にドープされたＡｌ
ＧａＡｓ電子供給層にノンドープのＧａＡｓチャネル層
（ｉ−ＧａＡｓ層）をヘテロ接合した半導体多層構造で
ある。ＧａＡｓはＡｌＧａＡｓよりも電気陰性度が高い
ため、ｎ型ＡｌＧａＡｓ電子供給層からｉ−ＧａＡｓチ
ャネル層へ電子の一部が流入し、そのヘテロ接合界面よ
りもｉ−ＧａＡｓチャネル層側に逆三角形のポテンシャ
ル井戸が形成される。このポテンシャル井戸内において
電子はドナー不純物と空間的に分離された形で閉じ込め
られ、不純物散乱の影響を受け難い二次元電子ガス（以
下、本明細書では「２ＤＥＧ」と記載する）層を形成す
る。その結果、ｉ−ＧａＡｓチャネル層内の電子は、ヘ
テロ接合界面に沿って非常に高い電子移動度を示し、高
速電界効果型トランジスタが実現できる。
導体デバイスに、ＨＥＭＴ（High Electron Mobility T
ransistor）がある。ＨＥＭＴは、ＧａＡｓ／ＡｌＧａ
Ａｓヘテロ接合を用いたものが実用化されており、その
優れたマイクロ波・ミリ波特性により、衛星放送用受信
器等の低雑音かつ高速の電界効果トランジスタ（ＦＥ
Ｔ：FieldEffect Transistor）として広く使用されてい
る。その要部は、具体的には、ｎ型にドープされたＡｌ
ＧａＡｓ電子供給層にノンドープのＧａＡｓチャネル層
（ｉ−ＧａＡｓ層）をヘテロ接合した半導体多層構造で
ある。ＧａＡｓはＡｌＧａＡｓよりも電気陰性度が高い
ため、ｎ型ＡｌＧａＡｓ電子供給層からｉ−ＧａＡｓチ
ャネル層へ電子の一部が流入し、そのヘテロ接合界面よ
りもｉ−ＧａＡｓチャネル層側に逆三角形のポテンシャ
ル井戸が形成される。このポテンシャル井戸内において
電子はドナー不純物と空間的に分離された形で閉じ込め
られ、不純物散乱の影響を受け難い二次元電子ガス（以
下、本明細書では「２ＤＥＧ」と記載する）層を形成す
る。その結果、ｉ−ＧａＡｓチャネル層内の電子は、ヘ
テロ接合界面に沿って非常に高い電子移動度を示し、高
速電界効果型トランジスタが実現できる。
【０００３】他方、近年では、ＧａＡｓ系化合物に代え
てＧａＮ系化合物を用いたＨＥＭＴ（以下、ＧａＮ系Ｈ
ＥＭＴという）が、次世代型の高速ＦＥＴとして注目さ
れている。ＧａＮ系化合物はバンドギャップが広く、電
子有効質量から見積もられる飽和電子移動度も高いこと
から、より大出力で高耐圧かつ高温動作可能な高周波デ
バイスを実現できる可能性があり、研究が重ねられてい
る。ＧａＮ系化合物を用いたＨＥＭＴ構造としては、ｎ
型にドープしたＡｌＧａＮ電子供給層に、ＧａＮあるい
はＩｎＧａＮチャネル層をヘテロ接合したものが多く試
みられている。チャネル層は不純物による電子散乱の影
響がなるべく生じないように、ノンドープの化合物半導
体により構成される。
てＧａＮ系化合物を用いたＨＥＭＴ（以下、ＧａＮ系Ｈ
ＥＭＴという）が、次世代型の高速ＦＥＴとして注目さ
れている。ＧａＮ系化合物はバンドギャップが広く、電
子有効質量から見積もられる飽和電子移動度も高いこと
から、より大出力で高耐圧かつ高温動作可能な高周波デ
バイスを実現できる可能性があり、研究が重ねられてい
る。ＧａＮ系化合物を用いたＨＥＭＴ構造としては、ｎ
型にドープしたＡｌＧａＮ電子供給層に、ＧａＮあるい
はＩｎＧａＮチャネル層をヘテロ接合したものが多く試
みられている。チャネル層は不純物による電子散乱の影
響がなるべく生じないように、ノンドープの化合物半導
体により構成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＧａＮ
系ＨＥＭＴにおいては、これまでのところ、満足の行く
高出力特性が工業的には実現されるに至っていない。本
発明の課題は、ＧａＮ系の化合物半導体素子において、
チャネル層に供給されるキャリア密度を有効に増加で
き、ひいては大出力化を可能とする素子構造を提供する
ことにある。
系ＨＥＭＴにおいては、これまでのところ、満足の行く
高出力特性が工業的には実現されるに至っていない。本
発明の課題は、ＧａＮ系の化合物半導体素子において、
チャネル層に供給されるキャリア密度を有効に増加で
き、ひいては大出力化を可能とする素子構造を提供する
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用・効果】上記の課
題を解決するために、本発明の化合物半導体素子は、Ｇ
ａを必須とするＩＩＩ族元素窒化物からなるチャネル層
と、該チャネル層の層厚方向両側に配置されるととも
に、それぞれチャネル層よりも伝導体底エネルギーが高
く、かつＧａを必須とするＩＩＩ族元素窒化物により構
成され、ｎ型にドープされた１対の電子供給層とを有す
ることを特徴とする。該構造によると、チャネル層の層
厚方向両側に電子供給層を配置することで、チャネル層
の両面に２ＤＥＧ層を形成できる。その結果、素子のよ
り大出力化を図ることが可能となる。
題を解決するために、本発明の化合物半導体素子は、Ｇ
ａを必須とするＩＩＩ族元素窒化物からなるチャネル層
と、該チャネル層の層厚方向両側に配置されるととも
に、それぞれチャネル層よりも伝導体底エネルギーが高
く、かつＧａを必須とするＩＩＩ族元素窒化物により構
成され、ｎ型にドープされた１対の電子供給層とを有す
ることを特徴とする。該構造によると、チャネル層の層
厚方向両側に電子供給層を配置することで、チャネル層
の両面に２ＤＥＧ層を形成できる。その結果、素子のよ
り大出力化を図ることが可能となる。
【０００６】電子供給層のそれぞれとチャネル層との間
には、Ｇａを必須とするＩＩＩ族元素窒化物からなり、
電子供給層からチャネル層へのドーパント拡散を防止す
る１対のスペーサ層を配置することができる。電子供給
層には比較的多量のｎ型ドーパントが添加されているか
ら、層成長時等において電子供給層側からチャネル層に
不純物拡散することを防止するために、このようなスペ
ーサ層の挿入が有効である。その際、直列抵抗増大の要
因となるスペーサ層の挿入は、素子の高出力化の観点に
おいては不利に作用する。しかしながら、本発明ではチ
ャネル層の両面に２ＤＥＧ層を形成するので、チャネル
層の両面側にスペーサ層を配置した場合においてもなお
高出力化の効果を十分に達成することができる。
には、Ｇａを必須とするＩＩＩ族元素窒化物からなり、
電子供給層からチャネル層へのドーパント拡散を防止す
る１対のスペーサ層を配置することができる。電子供給
層には比較的多量のｎ型ドーパントが添加されているか
ら、層成長時等において電子供給層側からチャネル層に
不純物拡散することを防止するために、このようなスペ
ーサ層の挿入が有効である。その際、直列抵抗増大の要
因となるスペーサ層の挿入は、素子の高出力化の観点に
おいては不利に作用する。しかしながら、本発明ではチ
ャネル層の両面に２ＤＥＧ層を形成するので、チャネル
層の両面側にスペーサ層を配置した場合においてもなお
高出力化の効果を十分に達成することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
の図面により説明する。図１は、本発明の電界効果トラ
ンジスタの一例であるＨＥＭＴ１の積層構造を模式的に
示すものである。該ＨＥＭＴ１は、ＳｉＣあるいはサフ
ァイアからなる単結晶基板１０１上に、ＧａＮあるいは
ＡｌＮからなるバッファ層１０２を介して、素子層１０
３をヘテロエピタキシャル成長法により形成したもので
ある。具体的には、周知の気相成長法、例えばＭＯＶＰ
Ｅ（Metalorganic Vapor Phase Epitaxy: 有機金属気相
エピタキシャル成長）法が用いられる。
の図面により説明する。図１は、本発明の電界効果トラ
ンジスタの一例であるＨＥＭＴ１の積層構造を模式的に
示すものである。該ＨＥＭＴ１は、ＳｉＣあるいはサフ
ァイアからなる単結晶基板１０１上に、ＧａＮあるいは
ＡｌＮからなるバッファ層１０２を介して、素子層１０
３をヘテロエピタキシャル成長法により形成したもので
ある。具体的には、周知の気相成長法、例えばＭＯＶＰ
Ｅ（Metalorganic Vapor Phase Epitaxy: 有機金属気相
エピタキシャル成長）法が用いられる。
【０００８】素子層１０３は、ノンドープのＧａＮチャ
ネル層１１９、ノンドープのＡｌＧａＮスペーサ層１０
５、Ｓｉ等によりｎ型にドープされたＡｌＧａＮ電子供
給層１１０、電極とのコンタクト層として機能するｎ型
ＧａＮ層１１１が積層されたものである。ｎ型ＧａＮ層
１１１上には、ドレイン電極１０６、ソース電極１０７
が形成され、ｎ型ＧａＮ層１１１の非形成領域に露出す
るｎ型ＡｌＧａＮ層１１０にゲート電極１０８が形成さ
れている。ドレイン電極１０６とソース電極１０７とは
ｎ型ＧａＮ層１１１との間でオーミック接合を形成する
金属（例えばＴｉ／Ａｌ）により、ゲート電極１０８は
ｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層１１０との間でショットキー
（Schottky）接合を形成する金属（例えばＰｄ／Ａｕ）
により、それぞれ構成されている。
ネル層１１９、ノンドープのＡｌＧａＮスペーサ層１０
５、Ｓｉ等によりｎ型にドープされたＡｌＧａＮ電子供
給層１１０、電極とのコンタクト層として機能するｎ型
ＧａＮ層１１１が積層されたものである。ｎ型ＧａＮ層
１１１上には、ドレイン電極１０６、ソース電極１０７
が形成され、ｎ型ＧａＮ層１１１の非形成領域に露出す
るｎ型ＡｌＧａＮ層１１０にゲート電極１０８が形成さ
れている。ドレイン電極１０６とソース電極１０７とは
ｎ型ＧａＮ層１１１との間でオーミック接合を形成する
金属（例えばＴｉ／Ａｌ）により、ゲート電極１０８は
ｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層１１０との間でショットキー
（Schottky）接合を形成する金属（例えばＰｄ／Ａｕ）
により、それぞれ構成されている。
【０００９】そして、本実施形態のＨＥＭＴ１において
は、チャネル層１１９の両側にＡｌＧａＮスペーサ層１
０５，１０５と、ＡｌＧａＮ電子供給層１１０，１１０
とを形成している。また、下側のＡｌＧａＮ電子供給層
１１０以降に係る各層の格子緩和防止あるいは結晶性改
善を図るために、バッファ層１０２とＡｌＧａＮ電子供
給層１１０との間に、ノンドープのＧａＮ結晶性改善層
１０４を挿入している。
は、チャネル層１１９の両側にＡｌＧａＮスペーサ層１
０５，１０５と、ＡｌＧａＮ電子供給層１１０，１１０
とを形成している。また、下側のＡｌＧａＮ電子供給層
１１０以降に係る各層の格子緩和防止あるいは結晶性改
善を図るために、バッファ層１０２とＡｌＧａＮ電子供
給層１１０との間に、ノンドープのＧａＮ結晶性改善層
１０４を挿入している。
【００１０】図２に示すように、ＧａＮチャネル層１１
９とＡｌＧａＮ電子供給層１１０との間には、両者の電
子親和力の相違から、それらのヘテロ接合界面よりもＧ
ａＮチャネル層１１９側に三角ポテンシャルが形成され
る。この三角ポテンシャル内において電子は、ドナー不
純物（電子供給層１１０内のＳｉ）と空間的に分離され
た形で閉じ込められて２ＤＥＧ層を形成する。この２Ｄ
ＥＧ層は、２つのＡｌＧａＮ電子供給層１１０に対応し
て、チャネル層１１９の両面に形成される。前記したＡ
ｌＧａＮスペーサ層１０５は、電子とドナー不純物との
該空間分離効果を高める役割を果たす。また、ＡｌＧａ
Ｎスペーサ層１０５は、層成長時等においてｎ型ＡｌＧ
ａＮ電子供給層１１０側からＧａＮチャネル層１１９に
ｎ型ドーパントであるＳｉ等の不純物が拡散することを
防止する機能を果たす場合がある。
９とＡｌＧａＮ電子供給層１１０との間には、両者の電
子親和力の相違から、それらのヘテロ接合界面よりもＧ
ａＮチャネル層１１９側に三角ポテンシャルが形成され
る。この三角ポテンシャル内において電子は、ドナー不
純物（電子供給層１１０内のＳｉ）と空間的に分離され
た形で閉じ込められて２ＤＥＧ層を形成する。この２Ｄ
ＥＧ層は、２つのＡｌＧａＮ電子供給層１１０に対応し
て、チャネル層１１９の両面に形成される。前記したＡ
ｌＧａＮスペーサ層１０５は、電子とドナー不純物との
該空間分離効果を高める役割を果たす。また、ＡｌＧａ
Ｎスペーサ層１０５は、層成長時等においてｎ型ＡｌＧ
ａＮ電子供給層１１０側からＧａＮチャネル層１１９に
ｎ型ドーパントであるＳｉ等の不純物が拡散することを
防止する機能を果たす場合がある。
【００１１】ＡｌＧａＮ電子供給層１１０のＡｌＮ混晶
比は、例えば０．１５〜０．３３に調整されている。ま
た、ＡｌＧａＮスペーサ層１０５は、ＡｌＧａＮ電子供
給層１１０とほぼ同じＡｌＮ混晶比を有することができ
る。
比は、例えば０．１５〜０．３３に調整されている。ま
た、ＡｌＧａＮスペーサ層１０５は、ＡｌＧａＮ電子供
給層１１０とほぼ同じＡｌＮ混晶比を有することができ
る。
【００１２】図１のＨＥＭＴ１は、ゲート電極１０８に
正のバイアス電圧を印加することにより、ＡｌＧａＮ電
子供給層１１０側の空乏層が縮小してオン・チャネルと
なり、ドレイン電極１０６とソース電極１０７との間で
ＧａＮチャネル層１１９の２ＤＥＧ層を経由した通電が
可能となる。そして、チャネル層１１９に形成される２
ＤＥＧ層内の電子が、ヘテロ接合界面に沿って非常に高
い移動度を示すことから、高速動作が可能である。そし
て、ＡｌＧａＮ電子供給層１１０がチャネル層１１９の
両側に配置されることにより、２ＤＥＧ層がチャネル層
１１９の両面に形成される結果（図２も参照）、片面の
みに２ＤＥＧ層を形成する構成と比較して、通電可能な
電流値を増大することができる。すなわち、チャネル層
に供給されるキャリア密度を有効に増加できるので、片
面のみに２ＤＥＧ層を形成する構成と比較して、大出力
の素子を実現できる。
正のバイアス電圧を印加することにより、ＡｌＧａＮ電
子供給層１１０側の空乏層が縮小してオン・チャネルと
なり、ドレイン電極１０６とソース電極１０７との間で
ＧａＮチャネル層１１９の２ＤＥＧ層を経由した通電が
可能となる。そして、チャネル層１１９に形成される２
ＤＥＧ層内の電子が、ヘテロ接合界面に沿って非常に高
い移動度を示すことから、高速動作が可能である。そし
て、ＡｌＧａＮ電子供給層１１０がチャネル層１１９の
両側に配置されることにより、２ＤＥＧ層がチャネル層
１１９の両面に形成される結果（図２も参照）、片面の
みに２ＤＥＧ層を形成する構成と比較して、通電可能な
電流値を増大することができる。すなわち、チャネル層
に供給されるキャリア密度を有効に増加できるので、片
面のみに２ＤＥＧ層を形成する構成と比較して、大出力
の素子を実現できる。
【００１３】以下、本発明の化合物半導体素子の変形例
について説明する。図３のＨＥＭＴ２においては、チャ
ネル層１１９を、ＧａＮに代えてＩｎＧａＮ混晶により
構成している。ＩｎＧａＮは、電子の有効質量がＩｎＮ
より小さく、また、バンドギャップがＩｎＮよりも大き
くポテンシャル井戸へ電子を効果的に閉じ込めることが
できるので、電子移動度の向上ひいては素子の高速化に
寄与する。
について説明する。図３のＨＥＭＴ２においては、チャ
ネル層１１９を、ＧａＮに代えてＩｎＧａＮ混晶により
構成している。ＩｎＧａＮは、電子の有効質量がＩｎＮ
より小さく、また、バンドギャップがＩｎＮよりも大き
くポテンシャル井戸へ電子を効果的に閉じ込めることが
できるので、電子移動度の向上ひいては素子の高速化に
寄与する。
【００１４】図４のＨＥＭＴ３においては、素子層１０
３を基板から剥離し、その２つの電子供給層１１０，１
１０のそれぞれに、コンタクト層１１１と、ゲート電極
１０８、ソース電極１０７及びドレイン電極１０６とを
形成した例である。これにより、チャネルのオン／オフ
及び通電電流値の制御を一層精密に行なうことができ
る。
３を基板から剥離し、その２つの電子供給層１１０，１
１０のそれぞれに、コンタクト層１１１と、ゲート電極
１０８、ソース電極１０７及びドレイン電極１０６とを
形成した例である。これにより、チャネルのオン／オフ
及び通電電流値の制御を一層精密に行なうことができ
る。
【図１】本発明の化合物半導体素子の一実施形態を示す
模式図。
模式図。
【図２】そのヘテロ接合部のバンド構造を示す模式図。
【図３】本発明の化合物半導体素子の、第一の変形例を
示す模式図。
示す模式図。
【図４】同じく第二の変形例を示す模式図。
１，２，３ ＨＥＭＴ（化合物半導体素子）
１１０ ＡｌＧａＮ電子供給層
１１９ チャネル層
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｇａを必須とするＩＩＩ族元素窒化物か
らなるチャネル層と、 該チャネル層の層厚方向両側に配置されるとともに、そ
れぞれ前記チャネル層よりも伝導体底エネルギーが高
く、かつＧａを必須とするＩＩＩ族元素窒化物により構
成され、ｎ型にドープされた１対の電子供給層とを有す
ることを特徴とする化合物半導体素子。 - 【請求項２】 前記電子供給層のそれぞれと前記チャネ
ル層との間に、Ｇａを必須とするＩＩＩ族元素窒化物か
らなり、前記電子供給層から前記チャネル層へのドーパ
ント拡散を防止する１対のスペーサ層が設けられている
ことを特徴とする請求項１記載の化合物半導体素子。 - 【請求項３】 前記電子供給層がｎ型ＡｌＧａＮ層から
なり、前記スペーサ層がノンドープのＡｌＧａＮ層から
なり、前記チャネル層がＧａＮ層又はＩｎＧａＮ層から
なることを特徴とする請求項１又は２に記載の化合物半
導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001326805A JP2003133332A (ja) | 2001-10-24 | 2001-10-24 | 化合物半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001326805A JP2003133332A (ja) | 2001-10-24 | 2001-10-24 | 化合物半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003133332A true JP2003133332A (ja) | 2003-05-09 |
Family
ID=19143123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001326805A Pending JP2003133332A (ja) | 2001-10-24 | 2001-10-24 | 化合物半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003133332A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006108676A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Internatl Rectifier Corp | Ｉｉｉ族窒化物マルチチャンネルヘテロ接合インターデジタル整流器 |
| WO2007007548A1 (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | トランジスタ及びその動作方法 |
| CN100379019C (zh) * | 2004-12-09 | 2008-04-02 | 中国科学院半导体研究所 | 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 |
| JP2008539586A (ja) * | 2005-04-29 | 2008-11-13 | クリー インコーポレイテッド | 無アルミニウムｉｉｉ族窒化物ベースの高電子移動度トランジスタおよびその製造方法 |
| US7576373B1 (en) | 2006-02-16 | 2009-08-18 | Panasonic Corporation | Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US7816707B2 (en) | 2005-06-06 | 2010-10-19 | Panasonic Corporation | Field-effect transistor with nitride semiconductor and method for fabricating the same |
-
2001
- 2001-10-24 JP JP2001326805A patent/JP2003133332A/ja active Pending
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