JP5299805B2 - トランジスタ - Google Patents
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Description
図4は、本発明のGaN系半導体トランジスタの一例を示す断面図である。図4に示すGaN系半導体トランジスタ10は、サファイア基板1上において、順次に形成されたAlN緩衝層2、アンドープ半絶縁GaN層3、アンドープAlGaNスペーサ層4及びn型AlGaN層5とを具えている。
図8は、本発明のGaN系半導体トランジスタの他の例を示す断面図である。図8に示すGaN系半導体トランジスタ30は、サファイア基板31上において、順次に形成されたAlN緩衝層32及び第1のn型GaN層33を具えている。AlN緩衝層32及びn型GaN層33は、有機金属化合物気相成長法(MOCVD法)により形成することができる。本例では、AlN緩衝層32は約500℃の低温度で形成し、n型GaN層33は約1000℃の温度で形成した。なお、AlN緩衝層2の厚さは0.02μmとし、n型GaN層33の厚さは3μmとした。また、n型GaN層33中には、ドーパントとしてSiを濃度5×1018/cm3の割合で含有させている。Siドーパントの原料としてはH2希釈したSiH4を用いた。
2 AlN緩衝層
3 アンドープ半絶縁GaN層
4 アンドープAlGaNスペーサ層
5 n型AlGaN層
7 ゲート電極層
7A p型GaN層
7B 金属電極層
8 ドレイン電極層
9 ソース電極層
10 GaN系半導体トランジスタ
11 伝導帯
12 電子の擬フェルミ準位
13 価電子帯
14 正孔の擬フェルミ準位
15 アンドープの半絶縁GaN層
16 アンドープAlGaNスペーサ層
17 n型AlGaN層
18 p型GaN層
21 伝導帯
22 電子の擬フェルミ準位
23 価電子帯
24 正孔の擬フェルミ準位
25 アンドープの半絶縁GaN層
26 アンドープAlGaNスペーサ層
27 n型AlGaN層
28 p型GaN層
30 GaN系半導体トランジスタ
31 サファイア基板
32 AlN緩衝層
33 第1のn型GaN層
34 アンドープGaN層
35 第2のn型GaN層
37 ドレイン電極層
38−1 第1のゲート電極層
38−2 第2のゲート電極層
38−1A、38−2A p型GaN層
38−1B、38−2B 金属電極層
39 ソース電極層
101 サファイア基板
102 AlN緩衝層
103 アンドープの半絶縁GaN層
104 アンドープAlGaNスペーサ層
105 n型AlGaN層
106 ゲート電極
107 ドレイン電極
108 ソース電極
301 伝導帯
302 電子の擬似フェルミ準位
303 価電子帯
304 アンドープの半絶縁GaN層
305 アンドープAlGaNスペーサ層
306 n型AlGaN層
Claims (7)
- 所定の基板と、
前記所定の基板の上方に形成された第1のn型GaN系半導体層と、
前記第1のn型GaN系半導体層上に形成されたソース電極層、ゲート電極層およびチャネル形成層と、
前記チャネル形成層の上方に形成されたドレイン電極層とを具え、
前記ゲート電極層は、第1のゲート電極層と第2のゲート電極層とからなり、前記第1および第2のゲート電極層は、p型GaN系半導体層と、この半導体層上に形成された金属電極層とを含み、前記チャネル形成層は、アンドープGaN層であり、前記第1のゲート電極層内のp型GaN系半導体層と、前記第2のゲート電極層内のp型GaN系半導体層とに接して、前記第1のゲート電極層と前記第2のゲート電極層との間に位置するようにしたことを特徴とする、トランジスタ。 - 前記チャネル形成層と前記ドレイン電極層との間に第2のn型GaN系半導体層を具えることを特徴とする、請求項1に記載のトランジスタ。
- 前記トランジスタは、エンハンスメント型トランジスタとして機能することを特徴とする、請求項1または2に記載のトランジスタ。
- 前記ゲート電極層における前記p型GaN系半導体層中のホールキャリア密度が1×1016個/cm3〜1×1019個/cm3であって、その厚さが10nm〜5μmであり、その幅が0.1μm〜20μmであることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一に記載のトランジスタ。
- 前記第1および第2のn型GaN系半導体層の電子キャリア密度が1×1014個/cm3〜1×1019個/cm3であって、その厚さが1nm〜200nmであることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一に記載のトランジスタ。
- 前記ゲート電極層におけるゲート電圧が0Vの状態において、前記ドレイン電極層及び前記ソース電極層間に20Vの電圧を印加した際のリーク電流が100nA以下であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一に記載のトランジスタ。
- 前記基板は、サファイア基板、SiC基板、Si基板、AlN基板、GaN基板、ZrB2基板からなる群より選択される、少なくとも一種の基板を含むことを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一に記載のトランジスタ。
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